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磁场方向传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及磁场方向传感器。一种磁方向传感器包括磁阻元件的第一阵列，所述阵列具有第一阵列主方向，而且其中磁阻元件中的一些但不是所有被完全地或者部分地布置成相对于主方向的第一角度，而且剩余元件也相对于主方向倾斜。
【专利说明】磁场方向传感器

【技术领域】
[0001] 本发明涉及磁场方向传感器、以及实现传感器性能相对于已知传感器的改进的方 法。

【背景技术】
[0002] 磁场方向传感器可被用于测量诸如永磁体之类的磁场产生对象相对于磁场方向 传感器的感测轴的定向。因此，当磁体被加载在诸如将对其位置进行编码的轴之类的旋转 对象上时，可以以非接触式方法来确定轴的角位置。这种非接触式操作可给出极佳的传感 器长使用寿命。类似地，也可以通过磁场方向传感器确定旋转对象的旋转速率。对于在期 望知道轴的旋转位置的情况，存在许多用途，例如用于确定内部内燃机中的曲柄轴位置。


【发明内容】

[0003] 本文本公开了一种改进采用磁阻元件的磁场方向传感器的性能的方法，其通过形 成提前和延迟的响应以校正磁场方向传感器的响应特性中的误差。
[0004] 本文本还公开了一种磁场传感器，其包括在衬底上定向的感测元件以减小磁场传 感器中的形状各向异性误差。
[0005] 在实施例中，提供了一种磁方向传感器，包括磁阻元件的第一阵列，所述阵列具有 第一阵列主方向，而且其中磁阻元件中的一些但不是所有被完全地或者部分地布置成相对 于主方向的第一角度，而且剩余元件也相对于主方向倾斜。
[0006] 在实施例中，传感器具有名义上的感测方向，在此也称为主方向。主方向可平行于 支持诸如磁阻元件之类的磁场感测元件的衬底的表面。感测元件可以是基本线性的。感测 元件可被分成相对于主方向倾斜的多个组由此没有线性元件与主方向平行。
[0007] 永磁体被有利地定向布置，以使得其在与载有感测元件的衬底的平面相平行的平 面内旋转。衬底可以是集成电路的一部分。集成电路可包括信号处理组件，例如差分放大 器、ADC和数字处理电路。感测元件无需再衬底表面暴露，而且可被布置成使得它们通过其 它材料接合。
[0008] 响应特性中的误差可以是由于磁方向传感器的一个或多个磁阻元件内的形状各 向异性和/或磁阻材料的沉积或进一步处理中引入的晶体各向异性而导致的与理想性能 的偏离。这种磁方向传感器可包括形成为具有主方向的一个或多个磁阻元件。在磁阻元件 是总体长条形的并且如例如现有技术的传感器那样布置成彼此平行的情况下，主方向总体 上平行于磁阻元件的纵轴。作为另一种方式，每个单独的元件具有与单独的元件的纵轴平 行的感测方向。电阻对比磁场方向响应特性大致相对于每个单独的元件的感测方向对称。 在现有技术的传感器中，各个元件彼此平行而且被连接成使得电流以往返于该传感器阵列 的方式出现。对于该现有技术配置，阵列的主方向平行于用于形成阵列的传感器的各个感 测方向。在本文的实施例中，主方向相对于一个或多个感测元件的纵轴成角度布置。感测 元件通常由于需要限制所述或每个磁阻元件在电压模式下被驱动时所流经的电流而被布 置成总体长条形元件，因此得到上升的传感器电阻。这可以通过使得元件的长度远远大于 它们的宽度来实现。然而，使得该长条形元件开始将形状各向异性置入每个长条形磁阻元 件中。增大的长宽比使得磁阻元件内的形状各向异性增大，从而引起实际响应与理想响应 之间增大的偏离。然而，该方案不通过传感器在被任何具体电压驱动时提供提高的传感器 电阻以及因此更小的功耗。
[0009] 传感器响应内由于形状各向异性导致的贡献可远远小于在磁场方向传感器附近 使用更强的磁场。这可以通过使用更强的磁体、更近的耦合或这两种技术的组合来实现。然 而，更强的磁体导致附加成本并可占用更多体积。与磁体在工作环境中的布置相关的物理 体积限制、以及潜在的对限制杂散磁场与其它组件干扰的影响的需求、或导致的涡流加热 可能对更强磁场的使用产生不利影响。因此，可以看出，通过减小其中的误差来改进传感器 的性能，可允许传感器性能通过向传感器耦合距离使用更弱磁体或更大磁体来保持在可接 收的限度内。
[0010] 在实施例中，通过以第一角度相对于主方向偏移的至少一个（优选地多个）磁阻 元件，可以提供提前的响应。可替换地，所述或每个磁阻元件的部分可设置成第一角度。通 过以第二角度相对于主方向偏移的至少一个（优选地多个）磁阻元件，可以提供延迟的响 应。可替换地，磁阻元件的部分可被设置成第二角度。在一些实施例中，第一和第二角度彼 此具有相反的符号。
[0011] 通过进一步形成相对于主方向成第三角度的多个磁阻元件，可以实现进一步提前 的响应。类似地，通过进一步提供相对于主方向成第四角度的多个磁阻元件，可以形成进一 步提前的响应。在一些实施例中，通过以第一至第四角度形成元件，多个磁阻元件可被形成 为与主方向平行。
[0012] 磁阻元件可组成在一起以形成各个感测阵列。感测阵列本身可组成在一起以形成 传感器。因此，例如，具有沿第一轴的感测方向的感测阵列可与具有与第一感测阵列的感测 方向基本正交的感测方向的第二感测阵列关联地布置。这种布置提供了改进的敏感度。第 一和第二感测阵列可串联布置，而且可将阵列互相连接的节点处的电压与基准电压进行比 较。基准电压可由电压源产生或者可实际上由进一步的一对串联感测阵列产生。因此第一 至第四阵列可被布置为形成传感器桥。
[0013] 在一些实施例中，该传感器桥可与由基本相同定向的传感器阵列所形成的第二传 感器桥相关联，不同之处在于该结构旋转例如45°。通过利用来自第一和第二传感器桥的 输出，可以获取180°范围的线性响应。如果第一桥的输出是VI，其中VI是所施加磁场与 主方向之间的角度Θ的函数，而且第二桥的输出V2,其中V2也是角度Θ的函数，则与磁场 角度相对应的基本线性的响应D可被计算如下
[0014] D = 0. 5Atan2(V2, VI)
[0015] 函数"Atan2"被提供作为许多计算机语言中的标准函数，而且是具有两个幅角的 反正切函数。两个幅角而不是单个幅角的使用，是为了允许函数收集与幅角的符号相关的 信息并返回所计算的角度的适当象限。这对于采用单个幅角的反正切函数是不可能。
[0016] 第一和第二传感器桥可与运算放大器关联以形成VI和V2,而且运算放大器的输 出可随后在模拟、数字或混合电子电路中进行处理以计算磁场的角度。所有组件都可布置 在集成电路中。
[0017] 在另一实施例中，提供了一种磁方向传感器，包括磁阻元件的第一阵列，所述阵列 具有第一阵列主方向，而且其中磁阻元件中的一些但不是所有被完全地或者部分地布置成 相对于主方向的第一角度。
[0018] 有利地，第一多个磁阻元件或磁阻元件的部分相对于主方向成第一角度，而且第 二多个磁阻元件或第二多个磁阻元件的部分相对于主方向成第二角度。在一些实施例中， 不存在与主方向平行的磁阻元件。
[0019] 相对于主方向倾斜的磁阻兀件的提供意味着，随着磁场相对于磁传感器旋转，一 些元件提供比与主方向平行的元件将提供的响应提前的响应，同时一些元件比与主方向平 行的元件将提供的响应延迟的响应。

【专利附图】

【附图说明】
[0020] 现在将参考附图仅仅通过示例的方式讨论实施例，其中：
[0021] 图1示意性地图示出长条形的线性磁阻元件，其中电流沿其表示感测方向的第一 方向P流过；
[0022] 图2a和2b示意性地示出了外部磁场Η和形状引起的各向异性矢量I之间的相互 作用以设置磁阻材料内的磁矢量Μ的方向；
[0023] 图3a至3f示意性地表示了相对于感测方向的角度0、45、88、92、135和180°下形 状各向异性I和外部磁场Η之间的相互作用；
[0024] 图4比较了图1的磁阻传感器的电阻随着磁场方向Η变化的理想的和观测到的变 化；
[0025] 图5示意性地图示出磁阻元件的已知阵列，其中每个元件与主方向Ρ平行；
[0026] 图6示意性地图示出包括磁阻元件阵列的磁场方向传感器，其中第一多个元件相 对于第一阵列主方向成第一角度而且第二多个磁阻元件相对于第一阵列主方向成第二角 度；
[0027] 图7示意性地图示出图1所示类型的传感器的方向模糊性；
[0028] 图8示意性地图示出由磁阻元件的第一至第四阵列形成的桥；
[0029] 图9不意性地图不出具有两个桥阵列的传感器；
[0030] 图10比较了图9的阵列的输出的相位；
[0031] 图11图示出如何通过处理桥的输出来提供180°范围的基本线性的响应以解析 输出；
[0032] 图12a示出了采用现有技术的传感器形成的双桥阵列（其中感测元件被配置成与 每个阵列的主方向对齐），而且图12b比较了两个传感器中的每个的测得的输出与理想的 正弦响应；
[0033] 图13a示出了构成本发明实施例的传感器配置，而且图13b比较了具有磁阻元件 偏移的双桥相对于其名义感测方向的测得的输出与理想的正弦响应；
[0034] 图14示出了作为磁阻元件远离名义主方向的角度倾斜的函数的RMS百分比误差 的模型曲线；
[0035] 图15示出了具有四个阵列的传感器；
[0036] 图16图示出传感器和旋转磁体的相对位置的示例；以及
[0037] 图17是实现了磁场方向传感器的集成电路的示意图。

【具体实施方式】
[0038] 图1示意性地图示出单个磁阻感测元件（标记为10)，其被布置成磁阻材料的长 条形线性带的形式。因此带10的长度L远大于其宽度W。虽然为了简化示意，感测元件10 被绘制成长条形矩形，元件10的端部可被描绘成具有非矩形形状，例如它们可以是圆的或 放大的。类似地，带的宽度无需沿长度恒定。在使用时，带负载沿方向L传播的电流。本领 域技术人员已知的是，磁阻材料一般由镍和铁的混合物制成。外部磁场的应用导致带10内 的磁化矢量Μ与外部磁场的方向对齐，而且带的电阻是磁化矢量的方向与流经带内的电流 的方向之间的角度的函数。对于这种方向，传感器磁场通常被选择成足够大以使得磁阻材 料是磁饱和的。通常，电阻中的这一变化可以被建模为不变电阻值上叠加的余弦函数。所 得到的磁化矢量的一部分（此处在图2中标记为Η)源自外部磁场的存在。然而，另一部分 (此处标记为I)源自形状各向异性和晶体各向异性，而且该部分I极大地受限于带的几何 形状。Η和I的相对大小未按比例绘制，而且在工作时，外部磁场的传感器强度被选择成使 得Η远大于I。由于由于Η和I的相互作用所得到的磁化矢量（标记为M Tra)可被看作是具 有恒定幅值。
[0039] 如图2a所示，当Η平行于I时，Mtot也平行于Η和I，而且可被看作是具有幅值M TOT1。 然而，当Η相对于I倾斜时，如图2b所示，总的磁化矢量Mtot变得相对于Η倾斜一个误差角 度"e"。"e"的大小在图2b中放大以便可以清楚示意。磁化的幅度被表示为M TCT2，而且可 以看出MTOT2基本上等于MTrai。可通过施加更强外部磁场来减小角误差"e"，但是形状各向 异性的类似效果变大，如果外部磁场例如由于产生磁场的磁体与传感器位置之间距离的增 大而减小。在给定应用下，显示世界的限制可能限制磁体与传感器之间的最小距离。
[0040] 图3a至3f示意性地图示出Η和I之间的这种相互作用以及一系列角度下磁化矢 量Μ的方向。因此，从图3a开始，处于角度0的外部磁场Η (表不为HJ与I对齐。因此，所 得到的磁化矢量Μ的方向平行于％。随着外部场Η旋转远离I的方向（在附图中这一选择 是逆时针的），Η和I的相互作用导致了与方向Η不对齐的磁化Μ。因此，如图3b所示，当Η 处于角度45°时，磁各向异性分量I的作用导致了矢量Μ滞后至Η45之后。该滞后在磁矢量 Η旋转时得到保持。因此，如图3c所示，其中Η被示出为处于角度88°，滞后量将接近最大 值。存在与感测元件的长条形方向平行的形状各向异性分量I，但是巧妙地同等地在一个方 向与另一个面对。因此，随着Η场通过90°并继续旋转，例如如图3d所示处于角度92°， 形状各向异性分量I可翻转方向。因此，总磁化矢量Μ突然从滞后于外部磁场跳变为领先 于它。随着磁场从90°旋转至180°，该领先情况保持，分别如图3e和3f所示，其中领先 量减小直到该时间减小为0。随着外部磁场矢量Η继续旋转，总磁场Μ在180°至270°的 角范围内滞后于Η，并随后开始在270°至0/360°的范围比它领先。
[0041] 图4比较了图1的磁阻传感器10的电阻，其示出了传感器的理想响应和传感器的 标准化成相同比例的实际响应。应该注意的是，可通过使得传感器的宽度W变得更宽以使 得宽度可更比拟于传感器的长度，来使得传感器的形状各向异性变小。因此，具有1 : 1的 长宽比的传感器，例如方形或圆形，呈现出可忽略的形状各向异性。然而，该传感器还呈现 出低电阻，并因此可在被典型的驱动电压（例如几伏）驱动时传递大量的电流。链路线40 表示理想的余弦响应，其中电阻起始于当外部磁场对齐至流经传感器的电流的方向并因此 对齐至磁阻带的感测方向时的最大值Rmax，而且电阻逐渐减小至当外部磁场垂直于流经传 感器的电流的方向时的最小值R nin。
[0042] 在考虑曲线42所示的形状各向异性的结果时，可以看出在0和180°角度附近，形 状各向异性的效果是使得磁矢量Μ徘徊而比其一般情况下更靠近这些值。但是，在90°和 270°值附近，形状各向异性从一侧至另一侧的翻转使得磁化矢量Μ避免了这些角度。曲线 42显示在0和180°值附近更圆滑，在90°和270°值附近更尖锐。
[0043] 发明人意识到，通过将相位偏移版本的响应添加至彼此以补偿图4所示的90°和 270°范围的过度的"开槽"，可以使得使得实际响应42不同于理想响应40的响应的这种变 化部分地减小。
[0044] 虽然在图1中示出了单个磁阻元件，已知的是形成该元件的阵列，其中阵列中的 元件彼此平行。图5示出了该阵列。因此形成了一系列元件10,每个都平行于构成阵列的 感测方向的主方向Ρ。平行元件电气串联，以使得总效果是合成了非常长的材料带。但是， 这种阵列将呈现图4的曲线42的扭曲。
[0045] 在图6所示的配置中，多个磁阻元件被分成两个组。总体被标记为60的第一组以 第一角度+ Θ相对于主方向Ρ倾斜。总体被标记为70的磁阻元件的第二组以角度φ相对 于主方向Ρ倾斜。出于方便的原因，虽然不是必须的基本特征，使得φ = -Θ。在该布置下， 组60和70中的磁阻元件相对于主方向Ρ对称布置。因此，相对于图5的现有技术，带的阵 列被分成两个子组，每个子组相对于主方向Ρ倾斜成，在本示例中，使得阵列的带平行于方 向Ρ。
[0046] 单个带磁阻传感器的已知问题在于它们承受角度模糊性。如图7所示，磁化矢量 Μ的四个方向产生了完全相同的电阻值。为了解决这个，已知的是将多个磁阻传感器连接 成两个桥。出于完整的原因，参考图8描述了单个桥。桥包括处于第一和第二电源节点90 和92之间的磁阻传感器的第一至第四阵列80,82,84和86。第一阵列80沿第一轴设置其 主方向，例如相对于图8的X轴平行。第一阵列80与第二阵列82串联，第二阵列82的主 方向与第一阵正交列的主方向，例如平行于Υ轴。为了提高敏感度，第一和第二阵列形成了 桥布置的一个分支。桥布置的第二分支由第三和第四阵列形成，其中第三阵列84的主方向 平行于第一阵列80的主方向，第四阵列86的主方向平行于第二阵列82的主方向。通过比 较第一和第二阵列之间的节点处的电压与第三和第四阵列之间的节点处的电压来提供桥 输出电压VI。
[0047] 为了提供精确的位置感测，形成了第二桥，但是这次其相对于第一桥旋转45°。因 此第二桥可包括第一至第四阵列80a，82a，84a和86a，其中第一阵列相对于X轴成-45°的 角度，第二阵列成+45°的角度，以此类推。图9示意地示出了这种配置。图10示出了，来 自桥（桥2)的理想输出比来自一个桥（例如桥1)的理想输出滞后45°。桥的输出可被处 理以提供图11所示的180°的范围内的线性响应，如前所述
[0048] Vout = 0. 5Atan2 (V2, Y,)
[0049] 该方案假设两个正弦曲线都是理想化的，由此得出结论，前面参考图4描述的那 种类型响应的瑕疵导致了传感器输出特性的非线性。但是，形成相对于标称响应的提前和 延迟的响应的相对简单的技术、及其之和提供了不昂贵的明显改进。图12a是传感器的平 面图，其包括由传感器阵列100,102,104和106形成的第一桥以及由传感器阵列110,112， 114和116形成的相对于第一桥旋转45°的第二桥。传感器阵列每个都包括沿各个单个方 向的长条形磁阻元件。所以，阵列100和104沿Y方向（90° )，阵列102和106沿X方向 (0° )，阵列112和116处于45°，阵列114和110处于135°。来自阵列的输出被记录并 且被拟合至理想正弦曲线。图12b示出了理想输出与观测到的输出之间的误差。如果相同 地形成这两个传感器阵列，则拟合误差也相同。然而，针对第二阵列的拟合误差之"拟合误 差2"稍稍不同于第一阵列的"拟合误差1"，这是因为阵列之间的制造变化和/或晶体各向 异性的影响。可以看出，例如，对于由包括长度为50微米且宽度为4微米的的24个磁阻元 件磁阻阵列组成的芯片，拟合误差最大达到大约5%。
[0050] 图13a示出了修改的阵列，其中各个感测阵列的每个都由其中一半的磁阻元件在 第一方向上倾斜15°而且另一半元件在第二方向上倾斜15°的阵列替代，由此整体看来 每个阵列仍具有相同的主感测方向。因此与图12a的阵列100对应的阵列110a具有75° 和105°下的元件。与阵列102对应的阵列102a具有15。和345°下的元件。与阵列116 对应的阵列116a具有30。和60。下的元件。与阵列114对应的阵列114a具有120°和 150°下的元件。图13b示出了相应的拟合误差，而且可以看出最大误差已经从大约5%减 小至大约2%。
[0051] 图14比较了针对现有技术的阵列以及所示出的其中它们被分成相对于感测方向 倾斜的磁阻元件组的阵列的估计的RMS拟合误差。针对相对主方向以±5°，±9，±15°， ±20°倾斜的阵列以及其中磁阻元件被分成四个组（其中两个组相对于阵列主感测方向 倾斜±9°，两个组相对于阵列主感测方向倾斜±15° )的其它实施例执行仿真。可以看 出，估计的误差从针对现有技术阵列（其中所有感测元件都平行于主感测轴）的大约1.3% 减小至大约0.4% (其中阵列倾斜±15° )。这些角范围不是限制性的，很可能的是大部分 阵列将相对主方向在2°和25°之间倾斜。
[0052] 误差的减小实际上意味着传感器可用于更弱的磁体并实现与现有技术的系统类 似的误差性能，或者传感器可用于相同强度的磁体并实现改进的线性度。
[0053] 在进一步的实施例中，磁阻元件之间的空间可塞进磁阻材料，由此使得传感器阵 列的总性能更接近具有相对低的长宽比的大致方形或矩形。因此磁阻材料的非感测部分会 影响并降低形状各向异性。
[0054] 该方案的优势在于，磁阻元件的所有组都是沿主方向对称布置的，而且阵列的每 个组具有名义上的相同电阻和尺寸以及作为其镜像的组。这就避免了制造具有不同尺寸或 电阻的组的必要性。
[0055] 每个阵列中元件的数量可具有所示的可变形式。在测试中，每个组可由14个和42 个之间的磁阻元件组成，但是这些数量不是限制性的。然而，有利的是，一个组中的元件的 组合电阻匹配另一组中的元件的组合电阻。这可通过在每个组中使用相同数量的元件并且 其中组间的元件的长度和宽度相互匹配来实现。传感器可包括多于两个磁阻元件组，如图 15所示。此处，元件130和132的组在第一方向上形成角度，但是处于不同角度。这些组相 对于主方向P与组134和136镜像。
[0056] 在使用时，如图16所示，传感器可形成在衬底140上。传感器无需处于衬底140 的上表面，因此未在图16的示意图中示出。磁体142可绕着轴144旋转。如果从上面看去 磁体沿逆时针方向旋转，则组136和134相对于主方向P形成了提前的信号响应，而组130 和132形成了延迟的响应。
[0057] 应该注意的是，阵列中的所有感测元件无需具有相同长度、宽度或长宽比。感测元 件尺寸的变化可被用来改进传感器至衬底的封装，和/或用来减小传感器呈现的角误差。 每个组内的磁阻元件可通过用于形成磁阻元件的相同材料相互连接，或者不同的互连材料 (铜、铝、金等）可用于提供一系列元件之间的电连接。类似地，磁阻元件阵列可通过用于形 成磁阻元件的相同材料或者通过其它导电材料相互连接。
[0058] 传感器桥（例如参考图13,14,15和16)可被布置在集成电路封装件中。因此，如 图17所示，每个传感器桥可连接至各个运算放大器150和152,运算放大器150和152可被 形成在载有磁阻传感器的半导体衬底中。放大器150和152的输出可被提供给信号处理电 路155,磁阻传感器可实现处理功能（例如Atan2函数）从而输出角度的测量结果。处理电 路可在模拟域或数字域中执行其功能，并且可包括模数转换器和数字逻辑电路以便导出输 出信号。示意性地由链路线160划界的集成电路还可包括电压基准162,用于提供相对稳定 的电压以驱动磁阻阵列。在替换实施例中，放大器150和152输出的模拟值可被传递至其 它集成电路以进行处理。
[0059] 此处描述的配置可提供简单且稳健的角位置测量，并且可应用于工业、汽车和航 空行业以及消费产品。
[0060] 因此可以提供改进的传感器。
【权利要求】
1. 一种磁方向传感器，包括磁阻元件的第一阵列，所述阵列具有第一阵列主方向，而且 其中磁阻元件中的一些但不是所有被完全地或者部分地布置成相对于主方向的第一角度， 而且剩余元件也相对于主方向倾斜。
2. 根据权利要求1所述的磁方向传感器，其中多个磁阻元件或磁阻元件的部分相对于 主方向成第一角度，而且第二多个磁阻元件或磁阻元件的部分相对于主方向成第二角度， 而且其中第二角度与第一角度基本上大小相等并且符号相反。
3. 根据权利要求2所述的磁方向传感器，其中来自第一和第二多个磁阻兀件的电响应 被组合在一起。
4. 根据权利要求2所述的磁方向传感器，其中第一阵列与第二阵列串联，第二阵列与 第一阵列基本相同但是具有与第一阵列主方向基本正交的第二阵列主方向。
5. 根据权利要求4所述的磁方向传感器，其中第一和第二阵列以桥结构与第三和第四 阵列相互作用。
6. 根据权利要求5所述的磁方向传感器，进一步包括桥，其中第二桥中的传感器阵列 的主方向相对于第一桥的相应阵列旋转，优选地旋转大致45°。
7. 根据权利要求2所述的磁方向传感器，其中第一和第二角度介于相对于主方向的 2°和25°之间。
8. 根据权利要求2所述的磁方向传感器，其中第一阵列进一步包括与主方向成第三角 度的第三多个磁阻元件以及与主方向成第四角度的第四多个磁阻元件。
9. 一种改进磁场方向传感器的性能的方法，所述传感器采用长条形磁阻元件来测量磁 场相对于主方向的方向，所述方法包括添加提前和延迟的响应从而校正传感器的响应特性 中的误差。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中以第一角度相对于主方向布置的第一磁阻兀件 提供了提前信号，以第二角度相对于主方向布置的第二磁阻元件提供了延迟信号，而且不 存在与主方向对齐的磁阻兀件。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中第一磁阻元件和第二磁阻元件串联。
12. 根据权利要求10所述的方法，其中所述或每个第一磁阻元件的长宽比可用于调节 提前信号对输出响应的贡献。
13. 根据权利要求10所述的方法，其中所述或每个第一磁阻元件的角度可用于控制提 前信号的贡献。
14. 根据权利要求10所述的方法，其中所述或每个第二磁阻元件的长宽比可用于控制 延迟信号的贡献。
15. 根据权利要求9所述的方法，其中多个磁场方向传感器被布置成桥阵列以便提供 基本线性的响应。
16. 根据权利要求9所述的方法，其中磁场由具有与包含磁场方向传感器的平面基本 平行的磁轴的磁体提供磁场。
【文档编号】G01R33/09GK104251979SQ201410285925
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年6月24日 优先权日:2013年6月28日
【发明者】J·库比克 申请人:亚德诺半导体技术公司