专利名称：半导体装置以及半导体装置的测试方法
技术领域：
本发明涉及具备液晶显示器的驱动电路的半导体装置及其测试方法，特别是涉及具有多个外部端子(输出端子)的半导体装置以及测试其输出电压的测试方法。
背景技术：
具备液晶显示器的驱动电路(液晶驱动电路，也称为LCD驱动器)的半导体装置从多个外部端子(输出管脚)输出多级(多灰度)电压来驱动液晶显示器(液晶面板)。
以往，具备液晶驱动电路的半导体装置的灰度电压测试，通过使用测试机的电压测定(模拟电压测定)来进行。
然而，伴随着近年来液晶显示器的高精度化引起的半导体装置输出端子的增加以及液晶显示器的高灰度化，产生出灰度电压测试所需要的时间增加，增大该半导体装置(液晶驱动电路)的测试或者制造的成本这样的问题。
在特开2[002-156412号公报中，作为谋求灰度电压测试的高速化的方法，记述了检测液晶驱动电路的输出端子电压与测试机的基准电压之间的差分电压，测试液晶驱动电路的各输出端子中灰度电压的端子间分散性的技术。
但是，在上述专利文献1中记述的技术中具有以下的问题。
(1)由于用测试机进行输出电压的测定(模拟电压测定)，因此直到输出电压稳定需要花费一定时间，从而增加了测试时间。
(2)在伴随着由于液晶显示器的高灰度化引起的灰度电压步距的微细化，输出电压的判定范围非常狭窄的情况下，需要细分液晶驱动电路的输出端子电压与测试器的基准电压之间的差分电压，从而增加了测试时间。
(3)为了实现专利文献1中记述的技术，对于测试机需要新添加灰度电压测量电路，不能够使用已有的测试机。
发明内容
本发明的目的在于解决上述的问题，提供缩短具备液晶显示器的驱动电路的半导体装置的灰度电压测试所需要的时间的技术。另外，目的在于提供能够降低具备液晶显示器的驱动电路的半导体装置的测试和制造成本的技术。
在本申请所公开的发明中，如果简单地说明代表性的概要则如下。
为了达到上述目的，本发明的具有液晶驱动电路的半导体装置特征是在灰度电压测试时输出二值化了的灰度电压测试信号。
例如，本发明是具有液晶驱动电路的半导体装置，特征是在上述半导体装置的灰度电压测试时，把由上述半导体装置的灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，把上述测试结果作为二值电压从上述半导体装置的外部端子输出。
另外，本发明是具有液晶驱动电路的半导体装置，特征是上述液晶驱动电路具有灰度电压生成电路和接收由上述灰度电压生成电路生成的灰度电压选择与灰度相对应的灰度电压的灰度电压选择电路，在上述半导体装置的灰度电压测试时，在上述灰度电压选择电路中，把由上述灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，把上述测试结果作为二值电压从上述半导体装置的外部端子输出。
另外，本发明是具有液晶驱动电路的半导体装置，其特征在于上述液晶驱动电路具有灰度电压生成电路；接收由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压并选择与灰度对应的灰度电压的灰度电压选择电路；暂时保持与由上述灰度电压选择电路选择的灰度电压有关的信息，将上述保持的信息提供给上述灰度电压选择电路的缓冲器，其中，上述灰度电压选择电路具有根据上述缓冲器的输出，选择由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压的选择器电路；在上述半导体装置的灰度电压测试时，把由上述选择器电路选择的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，把二者的差电压进行放大并把上述比较结果作为二值电压从外部端子输出的放大电路；以及作为输入到上述放大电路中的信息，选择上述比较电压或者上述放大电路的输出的选择装置。
另外，本发明是具有液晶驱动电路的半导体装置的测试方法，特征是在上述半导体装置的灰度电压测试时，把由上述半导体装置的灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，使用作为上述测试结果从上述半导体装置的外部端子输出的二值电压进行上述半导体装置的灰度电压的测试。
另外，本发明是具有液晶驱动电路的半导体装置的测试方法，特征是上述液晶驱动电路具有灰度电压生成电路和接收由上述灰度电压生成电路生成的灰度电压的灰度电压选择电路，在上述灰度电压选择电路中把由上述灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，使用作为上述测试结果从上述半导体装置输出的二值电压进行上述半导体装置的灰度电压的测试。
另外，半导体装置的测试方法的特征是在上述灰度电压的测试时，上述半导体装置的外部端子与测试机的比较器电连接，使用从上述外部端子输出的二值电压，在上述测试器的比较器中一起进行灰度测试。
如果依据本发明，则能够缩短具备液晶显示器的驱动电路(液晶驱动电路)的半导体装置的灰度电压测试时间。
另外，能够降低具备液晶显示器的驱动电路的半导体装置的测试和制造成本。
图1是示出本发明实施形态的具有液晶驱动电路的半导体装置一例的结构图；图2示出本发明实施形态1的具有液晶驱动电路的半导体装置的结构；图3示出在本发明实施形态1的半导体装置中设置的开关电路的结构例；图4示出本发明实施形态的具有液晶驱动电路的半导体装置的测试方法的处理流程；图5示出本发明实施形态2的具有液晶驱动电路的半导体装置的结构；图6示出本发明实施形态2的半导体装置的比较电压生成电路的电路结构及其动作的一例；以及图7示出本发明实施形态的灰度电压与灰度之间的关系的一例。
具体实施例方式以下，根据附图详细地说明本发明的实施形态。另外，在用于说明实施形态的所有附图中，在具有相同功能的部件上标注相同的符号，并且省略其重复的说明。
图1示出具有本发明实施形态的液晶驱动电路的半导体装置的结构的一例。在该半导体装置的结构例中，具备栅驱动器1、源驱动器2、液晶驱动电压发生电路3、液晶面板5和MPU6等。
栅驱动器1对于液晶面板5施加栅极信号。源驱动器2对于液晶面板5施加灰度输出电压。液晶驱动发生电路3发生液晶面板5的驱动电压。液晶面板5具有例如矩阵状地排列了TFT的构造，通过各个像素的保持电容的充电来控制辉度。MPU6控制栅驱动器1以及源驱动器2的动作的运算和处理。
在以下叙述的本发明的实施形态中说明的「具备液晶显示器的驱动电路(液晶驱动电路)的半导体装置」具有(1)用源驱动器2构成的情况，和(2)构成为具有栅驱动器1、源驱动器2和液晶驱动电压发生电路3的情况。
在上述结构(2)的半导体装置的情况下，有时还把包括栅驱动器1、源驱动器2和液晶驱动电压发生电路3的部分称为液晶显示控制器4。进而，除去上述各部分以外，还能够把MPU6也包括在内构成为一个半导体装置。
上述结构(1)的半导体装置主要在驱动大型的液晶显示器时使用，上述结构(2)的半导体装置例如在驱动便携电话机等具备小型彩色TFT液晶显示器等时使用。
图1中，液晶显示控制器4连接到矩阵状地配置了TFT的液晶面板5上。而且，液晶显示控制器4通过从栅驱动器1对于该液晶面板5施加选择任意显示行的栅极信号，并且从源驱动器2对于所选择的显示行的各个像素施加灰度输出电压，进行作为目标像素的保持电容的充电，从而控制各个像素的辉度。另外，液晶显示控制器4连接到控制栅驱动器1以及源驱动器2的动作的运算和处理的MPU6。
以下，参照图1～图7顺序地说明本发明实施形态的具备液晶驱动电路的半导体装置及其测试方法。
(实施形态1)图2示出本发明实施形态1的具有液晶驱动电路的半导体装置的结构。图2作为本发明的实施形态1，示出具有液晶驱动电路的半导体装置用源驱动器构成的情况(与上述(1)的结构相对应)。即，实施形态1的半导体装置中的液晶驱动电路是图1所示的源驱动器2。
图2中，该源驱动器2构成为具有对经过外部接口进行数据写入或读出的数据进行存储的显示数据RAM12；保持写入到该显示数据RAM12中的数据的行缓冲器13；生成预定电平的灰度电压的灰度电压生成电路16；根据由该灰度电压生成电路16生成的预定灰度电压，按照保持在行缓冲器13中的灰度设定数据来输出灰度电压的灰度电压选择电路14；切换通常动作时与灰度测试时的动作模式的测试模式切换电路21。
另外，图2中所示的S1～Sn是实施形态1的半导体装置具有的多个输出端子(输出管脚)，在通常动作时输出灰度电压。另外，图中所示的VTEST是为了输入(施加)用于灰度测试时的灰度电压测试而生成的比较电压设置的端子。测试机35是用于进行对于本半导体装置的灰度测试的设备，具备比较电压设定部和多个比较器CMP1～CMPn等，能够电连接到本半导体装置的输出端子。
灰度电压选择电路14构成为包括多个具有选择器电路18、放大电路20和动作切换开关19而构成的开关电路15。
另外，能够在不需要的情况下省略显示数据RAM12来构成半导体装置。
该源驱动器2在通常动作时，由测试模式切换电路21控制动作切换开关19，使得放大电路20的输出端子连接到用“-”符号表示的反相输入端子。由此，放大电路20成为与缓冲器电路同等的动作状态，把经过选择器电路18选择的灰度电压输出到输出端子。
另一方面，该源驱动器2在灰度测试时，把未图示的显示控制器的外部接口、灰度电压选择电路14(开关电路15)的输出端子以及VTEST端子分别连接到测试机35，根据来自该测试机35的测试信号进行灰度测试。
具体地讲，在灰度测试时(灰度测试模式，测试模式)，源驱动器2切换动作切换开关19，使得从测试机35经过测试模式切换电路21把VTEST端子与放大电路20的用“-”符号表示的反相输入端子连接。而且，在放大电路20中，把经过选择器电路18选择出的灰度电压与经过VTEST端子施加的比较电压进行比较，把比较结果输出到输出端子。
通常，由于放大电路20是高放大率，因此，在灰度测试时通过放大电路20把灰度电压与比较电压之间的差电压进行放大，输出缓冲器电路的正(H)或负(L)电源电压附近的电压值作为输出端子电压。
从而，在灰度测试时，从测试机35经过显示数据RAM12和行缓冲器13设定任意的灰度数据，而且在测试机35中通过VTEST端子施加比较电压，源驱动器2的输出电压成为预定的二值电压(「H」或「L」)中的某一个。由于灰度测试信号的输出是二值电压，因此在测试器35中设置的多个比较器CMP1～CMPn中，能够同时测试源驱动器2的多个输出端子(输出管脚)的灰度电压。
图3示出在上述灰度电压选择电路14中设置的多个开关电路15的一个结构例。图3中，开关电路15包括具有晶体管101a～101i的放大电路20；由具有晶体管102a、102b以及晶体管103a、103b的透明开关构成的动作切换开关19；以及选择由灰度电压生成电路16(图3中没有示出)生成的灰度电压的选择器电路18。另外，该开关电路15上分别连接有生成在放大电路20的动作中所需要的电压电平的偏置电压生成电路105以及测试模式切换电路21。该测试模式切换电路21具备用于把动作电压高的上述动作切换开关19用动作电压比其低的逻辑电路(例如，内部逻辑电路，在图3中没有示出)进行控制的具有电平移动功能的反转门电路104a和以动作切换开关19的动作电压(高电压)动作的反转门电路104b。放大电路20的输出端子Vout连接到本发明的半导体装置的输出端子(图2所示的输出端子S1～Sn的任一个)和动作切换开关19的端子A上。另外，把经过端子VTEST(参照图2)从测试机35供给的、或者从参照图5在实施形态2中叙述的比较电压生成电路22供给的电压作为比较电压Vcomp施加到动作切换开关19的端子B上。
以下，说明图3所示的开关电路15的动作概略。在通常动作时，通过把测试模式切换电路21的逻辑状态置为“0”，用晶体管102a、102b构成的透明开关成为OFF状态，用晶体管103a、103b构成的透明开关成为ON状态。由此，放大电路20的输出端子Vout经过动作切换开关19连接到成为该放大电路20的反相输入的晶体管101d(其栅极)。其结果，放大电路20作为电压放大率是大约1倍的缓冲电路进行动作，与选择器电路18选择出的灰度电压相同的电压经过该放大电路20的输出端子Vout从上述本发明的半导体装置的输出端子输出。
另一方面，在该半导体装置的灰度测试期间，把测试模式切换电路21的逻辑状态取为“1”。由此，用晶体管102a、102b构成的透明开关切换成ON状态，用晶体管103a、103b构成的透明开关切换成OFF状态，从测试机35或者比较电压输出电路22供给的上述比较电压Vcomp经过动作切换开关19施加到上述晶体管101d的栅极。其结果，放大电路20的电压放大率比使测试模式切换电路21进行通常动作时高，作为所谓的高放大率的放大电路进行动作。从而，放大电路20以上述的电压放大率把由选择器电路18选择出的灰度电压与比较电压Vcomp之间的差分(差电压)进行放大，当该灰度电压的电平高于比较电压Vcomp时，从该输出端子Vout输出放大电路20的一方电源电压Vdd或者其附近的电压。另外，当上述灰度电压的电平低于比较电压Vcomp时，从放大电路20的输出端子Vout输出放大电路20的另一方电源电压Vss或者其附近的电压。
以上参照图3说明了开关电路15的一个例子，而在本发明的半导体装置的实施中，开关电路15或者其等同电路并没有限于上述的结构，这一点是很明确的。例如，可以把图3中作为场效应晶体管例示的晶体管101a～101i、102a、102b、103a和103b的一部分或者全部置换为双极型的晶体管(这种情况下，上述晶体管101d的栅极替换为基极)，还可以构成为使得在测试模式切换电路21内部安装的上述逻辑电路按照与动作切换开关19相同或者相似的动作电压进行动作。从而，在实施本发明的半导体装置的测试方法或者制造方法时，当然不拘泥于上述开关15的结构，这一点是十分明确的。
其次，图4示出与本发明实施形态的具有液晶驱动电路的半导体装置及其测试方法有关的处理流程。首先，把源驱动器2设定为上述的灰度测试模式(S2)，接着，在行缓冲器13中设定灰度设定数据，使得由选择器电路18选择灰度电压Vx(S3)。接着，从测试机35在VTEST端子上施加电压值是(Vx-ΔV)的比较电压(S4)，对于源驱动器2的输出端子电压，在测试机35中进行与期待值的比较判定(S5)。
在该输出电压判定中，如果源驱动器2正常，则放大电路20的输入端子之间的电位差是+ΔV，在源驱动器2的输出端子电压中输出相当于“H”的电压，该值在测试机35中与期待值进行比较判定(S5-输出电压“H”)。在输出电压是“L”时，对于该输出端子的结果成为FAIL(否)(S10)。
接着，从测试机35在VTEST端子上施加电压值是(Vx+ΔV)的比较电压(S6)，对于源驱动器2的输出端子电压，在测试机35中进行与期待值的比较判定(S7)。
在该输出电压判定中，如果源驱动器2正常，则放大电路20的输入端子之间的电位差是-ΔV，在源驱动器2的输出端子电压中输出相当于“L”的电压，该值在测试机35中与期待值进行比较判定(S7-输出电压“L”。)。输出电压是“H”时，对于该输出端子的结果成为FAIL(否)(S10)
经过S3～S7的处理步骤，通过对于源驱动器2在内部选择的灰度电压Vx，把比较电压作为(Vx±ΔV)，进行把灰度电压处在预定电压范围内的测试。如果是正常，则对于输出端子的结果成为PASS(良)(S9)。
进而，在对于其它的灰度电压值Vx’进行测试时，使用其灰度电压值可以同样地反复进行S3～S7的处理步骤，这一点是十分明确的(S8)。另外，这里为了进行说明把比较电压作为(Vx±ΔV)，而当然能够设定任意的电压范围进行测试。
另外，液晶显示器具有对于输入电压的上升，显示辉度曲线上升的特性，对此，在液晶驱动电路中把灰度电压Vx与灰度设定值的关系设为图7所示那样的非线性特性时，在本实施形态中，与灰度电压Vx与灰度设定值的关系相吻合，能够使ΔV对于所选择的灰度电压Vx的大小按照灰度设定值变化。即，图7中用A或者C示出的区域中，由于灰度电压Vx对于灰度设定值的变化(斜率)大，因此，ΔV也设定得较粗糙，在用B示出的区域中由于灰度电压Vx对于灰度设定值的变化(斜率)�。虼甩设定得细致。由此，能够进行与液晶显示器的特征相吻合的灰度测试，能够提高灰度电压测试的精度。
另外，图2示出本发明的灰度测试的原理，为了进一步说明，图示了设置比较电压输入用的VTEST端子的结构，而该结构也能够是与例如在灰度测试时成为未使用的其它端子切换使用的结构。
另外，采用在测试机35内设置了多个比较电压设定部的结构，或者设置多个与VTEST端子相当的比较电压输入端子的结构，能够在多个开关电路15的每一个中施加不同的比较电压，能够在每一个开关电路(每一个输出端子)中进行不同的灰度测试。
例如，在某个输出端子的组中施加(Vx+ΔV)，在其它的输出端子的组中施加(Vx-ΔV)的情况下，来自源驱动器2的输出成为“H”与“L”混合存在的状态。如果这样应用，则在奇数号的输出端子上施加(Vx+ΔV)，在偶数号的输出端子上施加(Vx-ΔV)的情况下，从输出端子(如果是正常)交互地输出“H”和“L”。由此，能够进行输出端子之间的短路检测，能够提高灰度测试的可靠性。
另外，还能够是在某个输出端子的组中施加(Vx+ΔV1)，在其它输出端子的组中施加(Vx+ΔV2)，或者，在某个输出端子的组中施加(Vx1+ΔV)，在其它输出端子的组中施加(Vx2+ΔV)等，施加不同电压值的比较电压的测试方法以及结构。
另外，本发明不是仅限定于上述那样的灰度测试，通过灰度设定数据与比较电压的组合，还能够在例如液晶显示控制器的功能测试中使用，这一点是十分明确的。
(实施形态2)接着，说明作为本发明实施形态2的具有液晶驱动电路的半导体装置，在显示控制器的内部设置了比较电压生成电路时的结构及其动作的一个例子。图5作为本发明的实施形态2，示出在显示控制器内部设施了比较电压生成电路(图中的比较电压生成电路22)的半导体装置的结构。
实施形态2的半导体装置的液晶驱动电路例如对于图1所示的源驱动器2适用。
包括该源驱动器2的液晶显示控制器4构成为具有对经过外部接口进行数据写入或读出的数据进行存储的显示数据RAM12；保持写入到该显示数据RAM12中的数据的行缓冲器13；生成预定电平的灰度电压的灰度电压生成电路16；根据由该灰度电压生成电路16生成的预定灰度电压，按照保持在行缓冲器13中的灰度设定数据输出灰度电压的灰度电压选择电路14；切换通常动作时与灰度测试时的动作模式的测试模式切换电路21；根据由灰度电压生成电路16生成的灰度电压生成比较电压的比较电压生成电路22。
在灰度电压选择电路14中包括由选择器电路18、放大电路20和动作切换开关19构成的多个开关电路15。
该源驱动器2在通常动作时，进行与参照图2说明过的实施形态1的源驱动器相同的动作。另一方面，该源驱动器2在灰度测试时，切换动作切换开关19，把由比较电压生成电路22生成的比较电压施加到放大电路20的用“-”符号表示的反相输入端子，在放大电路20中把经过选择器电路18选择出的灰度电压与比较电压进行比较，把比较结果输出到输出端子。
通常，由于放大电路20是高放大率，因此在灰度测试时，放大电路20把灰度电压与比较电压之间的差电压放大，输出端子电压输出缓冲电路的正(H)或负(L)电源电压附近的电压值。
在实施形态2中，由于在源驱动器2的电路内部生成灰度测试的比较电压，因此能够在电路内部相对地实施灰度测试，能够进一步缩短测试时间。即，在实施形态2中，由于不存在从图1那种结构的半导体装置的外部施加比较电压时发生的比较电压上升的问题，因此能够进一步缩短测试时间。
另外，为了提高源驱动器2的灰度电压测试的精度，在图5中虽然没有图示，但是也可以构成为能够用测试机35经过VTEST端子电压测定在源驱动器2中生成的比较电压。
其次，使用图6说明本实施形态2的半导体装置的比较电压生成电路22的电路结构及其动作的一个例子。图6示出比较电压生成电路22的详细结构。
本实施形态2的比较电压生成电路22包括根据在灰度电压生成电路16中生成的灰度电压，生成对于各灰度电压的比较电压的比较电压电阻23；用1倍的放大率把比较电压电阻23的各分压电压放大的多个缓冲电路24；切换缓冲电路24的输出，作为比较电压连接到灰度电压选择电路14的多个开关25；根据灰度设定数据和比较电压切换信号进行多个开关25的ON/OFF控制的译码电路26。
在作为译码电路26的控制输入的灰度设定数据中，设定与灰度电压选择电路14中设定的灰度设定数据相同的数据，如图6所示，在灰度电压是V(x)的情况下，根据比较电压切换信号，作为比较电压输出V(x)±ΔV的某一个。在图6的下表中，汇总了比较电压生成电路22的动作。这里，比较电压切换信号的1/0切换相当于图4所示的灰度测试的处理流程中的S4或者S6的比较电压设定的步骤。
以上虽然示出并且描述了本发明的几个实施例，但是应该知道本发明并不限于上述实施例，就像以往技术中知道的那样，允许多种变更和修正，而且，发明者们并不是限于在这里示出和记述的详情，而是要包括由附加的权利要求的范围所包含的所有这样的变更和修正。
权利要求
1.具有液晶驱动电路的半导体装置，其特征在于在上述半导体装置的灰度电压测试时，把由上述半导体装置的灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，把上述测试结果作为二值电压从上述半导体装置的外部端子输出。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压的测试电压是在上述半导体装置的外部所设定的电压。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于具有用于输入在上述半导体装置的外部所设定的电压的端子。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于把上述半导体装置的输出端子中的某一个用作用于输入在上述半导体装置的外部所设定的电压的端子。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压的测试电压是形成于上述半导体装置内部的比较电压生成电路所生成的电压。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于上述比较电压生成电路具备电压分压装置，经过上述电压分压装置把由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压进行分压，生成上述测试电压。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于使用上述灰度电压Vx与第一比较电压(Vx+ΔV)的比较结果以及上述灰度电压Vx与第二比较电压(Vx-ΔV)的比较结果进行上述灰度电压的测试。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述半导体装置是源驱动器。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于上述半导体装置具有栅驱动器以及液晶驱动电压发生电路。
10.具有液晶驱动电路的半导体装置，其特征在于上述液晶驱动电路具有灰度电压生成电路和接收由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压并选择与灰度对应的灰度电压的灰度电压选择电路，在上述半导体装置的灰度电压测试时，在上述灰度电压选择电路中，把由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，把上述测试结果作为二值电压从上述半导体装置的外部端子输出。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压选择电路具有多个开关电路，在上述灰度电压测试时，在第1开关电路与第2开关电路上提供不同电压值的比较电压。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压的测试电压是在上述半导体装置的外部所设定的电压。
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压的测试电压是形成在上述半导体装置内部的比较电压生成电路所生成的电压。
14.具有液晶驱动电路的半导体装置，其特征在于上述液晶驱动电路具有灰度电压生成电路；接收由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压并选择与灰度对应的灰度电压的灰度电压选择电路；暂时保持与由上述灰度电压选择电路选择的灰度电压有关的信息，将上述保持的信息提供给上述灰度电压选择电路的缓冲器，其中，上述灰度电压选择电路具有根据上述缓冲器的输出，选择由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压的选择器电路；在上述半导体装置的灰度电压测试时，把由上述选择器电路选择的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，把二者的差电压进行放大并把上述比较结果作为二值电压从外部端子输出的放大电路；以及作为输入到上述放大电路中的信息，选择上述比较电压或者上述放大电路的输出的选择装置。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于还具有连接到上述缓冲器且经过上述半导体装置的外部接口存储保持提供到上述缓冲器中的信息的存储装置。
16.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压的测试电压是在上述半导体装置的外部所设定的电压。
17.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于上述灰度电压的测试电压是形成在上述半导体装置内部的比较电压生成电路所生成的电压。
18.具有液晶驱动电路的半导体装置的测试方法，其特征在于在上述半导体装置的灰度电压测试时，把由上述半导体装置的灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压进行比较，使用作为上述测试结果从上述半导体装置的外部端子输出的二值电压进行上述半导体装置的灰度电压的测试。
19.根据权利要求18所述的半导体装置的测试方法，其特征在于在上述灰度电压的测试时，上述半导体装置的外部端子与测试机的比较器电连接，使用从上述外部端子输出的二值电压，在上述测试机的比较器中一起进行灰度测试。
20.具有液晶驱动电路的半导体装置的测试方法，其特征在于上述液晶驱动电路具有灰度电压生成电路和接收由上述灰度电压生成电路所生成的灰度电压的灰度电压选择电路，把由上述灰度电压生成电路生成的灰度电压与为了测试上述灰度电压而生成的比较电压在上述灰度电压选择电路中进行比较，使用作为上述测试结果从上述半导体装置输出的二值电压进行上述半导体装置的灰度电压的测试。
21.根据权利要求20所述的半导体装置的测试方法，其特征在于在上述灰度电压的测试时，上述半导体装置的外部端子与测试机的比较器电连接，使用从上述外部端子输出的二值电压，在上述测试机的比较器中一起进行灰度测试。
全文摘要
本发明的半导体装置具有液晶驱动电路，而且在该灰度电压测试时，把设置在半导体装置中的灰度电压生成电路生成的灰度电压(Vx)与为了测试灰度电压而生成的比较电压(例如Vx+ΔV)进行比较，把测试结果作为二值电压从半导体装置的外部端子输出，由此，即使上述液晶驱动电路实现高灰度化或者增加上述半导体装置的输出端子数，由于高速地进行上述灰度电压测试，因此也能够缩短测试所需要的时间，并且降低成本。
文档编号G01R31/00GK1619328SQ20041009225
公开日2005年5月25日 申请日期2004年11月5日 优先权日2003年11月7日
发明者幕内雅巳, 中條德男, 今川健吾, 折桥律郎, 荒井祥智 申请人:株式会社瑞萨科技
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
