专利名称：一种阵列力传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及力敏传感器领域，尤其是涉及到用于力的分布探测的一种阵列力传感器。
背景技术：
力敏传感器就是探测力的传感器，利用材料的物理性质在力的作用下发生变化的现象而制备。力敏传感器的种类甚多、传统的测量方法是利用弹性元件的形变和位移来表示，随着微电子技术的发展，利用半导体材料的压阻效应和良好的弹性，研制出半导体力敏传感器，主要有硅压阻式和电容式两种，它们具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点，因此半导体力敏传感器得到广泛应用。随着新材料的不断发展，力敏传感器进一步发展成基于压电材料、磁致伸缩材料等材料。以上的力敏传感器都是对于单一均与力的探测，但是，实际应用中，力往往是不均匀分布的。这时，就需要一种能探测力的分布的力传感器。
发明内容本实用新型提供一种阵列力传感器，采用阵列的方式制备，可以用于探测力的分布，适合大面积不均匀力的测试。本实用新型所采取的技术方案为，一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其中，底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且，底电极、顶电极构成交叉结构；底电极、顶电极由导电材料构成，力敏材料层可以为金属或者半导体材料。本实用新型的有益效果是本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知力的大�。梢蕴讲獬霾痪攘Φ姆植�。
图I为本实用新型的结构示意图。图中1、底电极，2、顶电极，3、力敏材料层
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。图I为本实用新型的结构示意图，底电极I、顶电极2、力敏材料层3，其中，底电极I、顶电极2为均匀分布的阵列；底电极I为第一层，力敏材料层3为第二层，顶电极2为第三层，且，底电极I、顶电极2构成交叉结构；底电极I、力敏材料层3、顶电极2由导电材料构成，力敏材料层3可以为金属或者半导体材料。力敏材料层3可以利用金属的形变效应或半导体材料的压阻效应实现力的探测。比如底电极I、顶电极2选为Au，力敏材料层3选半导体硅。本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知力的大�。梢蕴讲獬霾痪攘Φ姆植�。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型 要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其特征在于所述的底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；所述的底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且，底电极、顶电极构成交叉结构。
2.根据权利要求I所述的一种阵列力传感器，其特征在于所述的底电极、顶电极由导电材料构成，力敏材料层可以为金属或者半导体材料。
专利摘要力敏传感器就是探测力的传感器，利用材料的物理性质在力的作用下发生变化的现象而制备。力敏传感器的种类甚多，但都是对于单一均与力的探测，但是，实际应用中，力往往是不均匀分布的。本实用新型提供一种阵列力传感器，包括底电极、顶电极、力敏材料层，其中，底电极、力敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，力敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且，底电极、顶电极构成交叉结构。力敏材料层可以利用金属的形变效应或半导体材料的压阻效应实现力的探测。本实用新型的探测单元是阵列的方式，每一个阵列单元都可以感知力的大小，可以探测出不均匀力的分布。
文档编号G01L5/00GK202442829SQ20122006336
公开日2012年9月19日 申请日期2012年2月21日 优先权日2012年2月21日
发明者林志娟 申请人:林志娟
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