专利名称：基于ldmos工艺制作的半导体器件的温度测量方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，具体的讲是涉及一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法。
背景技术：
半导体器件的制作一般使用绝缘娃(Silicon on insulator, SOI)、块状娃 (BulkSilicon)、或者锗(Germanium, Ge)为衬底。典型的半导体器件包括二极管、三极管。 半导体器件，在工作时会产生热量，从而使包括半导体器件内部的温度升高，为此，人们想测得半导体器件的温度值。由于半导体器件的温度是有限度的，当温度达到一定数值时， 半导体器件就会被击穿，从而失去了半导体器件的功能作用。如图I所示，现有技术中，基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，一般是采用高低不同的电压值V加载到三极管的栅极电阻的两个固定端，经过多次测量后计算出每个电压值施加到三极管的栅极电阻的两个固定端的电流值，再通过电流和温度的换算关系，得到半导体器件的温度值的。 此种半导体器件的温度的测量方法，其缺点在于高低不同的电压值始终施加在LDMOS三极管的栅极电阻的两个固定端，由此LDMOS三极管一直处于高电平状态，则此LDMOS三极管可能会被多次加入的高低不同的电压值击穿，则使半导体器件过早的失去了相应的功能作用。也就是说，此种测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较大。发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供了一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，该温度测量方法对半导体器件的使用寿命影响较小。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，采用相同或不同的电压值加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。
进一步的，所述两个非固定端为所述栅极电阻的任意长度区间。
进一步的，所述两个非固定端，包括第一非固定端和第二非固定端。
进一步的，所述LDMOS三极管的衬底采用硅材料制成。
进一步的，所述硅材料为块状硅。
本发明的有益效果是本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，也是采用测量电流值，再根据电流与温度的换算关系，之后计算出半导体器件的温度值。不同的是，电流值的测试方法不同。本发明采用相同或不同的电压值加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值后的电流值；而现有技术，是将高低不同的电压值加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个固定端。由于本发明LDMOS三极管的栅极电阻在不同的长度区间被施加电压值，使LDMOS三极管的栅极电阻在不同的电阻值下施加电压值，而且栅极电阻每个长度区间的电阻值不同，因此，本发明可以避免LDMOS三极管的栅极电阻被电压值加载到相同的固定端，而击穿LDMOS三极管的现象，从而延长了 LDMOS三极管的使用寿命。
综上所述，本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较小。
图I是现有的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法的电流值的测试结构示意图2 — 3是本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法的电流值的测试结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述
如图2 — 3所示，本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，所述LDMOS三极管的衬底采用硅材料制成；所述衬底可以采用绝缘硅材料，也可以采用块状硅材料。采用相同或不同的电压值Ve加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；所述两个非固定端，包括第一非固定端I和第二非固定端 2 ;所述两个非固定端为所述LDMOS三极管的栅极电阻的任意长度区间；其中，所述栅极电阻为LDMOS三极管的栅极电阻；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值Ve后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。
本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，也是采用测量电流值，再根据电流与温度的换算关系，之后计算出半导体器件的温度值。本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，也是采用测量电流值，再根据电流与温度的换算关系，之后计算出半导体器件的温度值。不同的是，电流值的测试方法不同。本发明采用相同或不同的电压值加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值后的电流值；而现有技术，是将高低不同的电压值加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个固定端。由于本发明LDMOS三极管的栅极电阻在不同的长度区间被施加电压值，使LDMOS三极管的栅极电阻在不同的电阻值下施加电压值，而且栅极电阻每个长度区间的电阻值不同，因此，本发明可以避免LDMOS三极管的栅极电阻被电压值加载到相同的固定端，而击穿LDMOS三极管的现象，从而延长了 LDMOS三极管的使用寿命。
综上所述，本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较小。
权利要求
1.一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，其特征在于 采用相同或不同的电压值(Ve)加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端； 再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值(Ve)后的电流值； 之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。
2.根据权利要求I所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于所述两个非固定端为所述LDMOS三极管的栅极电阻的任意长度区间。
3.根据权利要求I或2所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于所述两个非固定端，包括第一非固定端(I)和第二非固定端(2)。
4.根据权利要求I所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于所述LDMOS三极管的衬底采用硅材料制成。
5.根据权利要求4所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于所述娃材料为块状娃。
全文摘要
本发明公开了一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，采用相同或不同的电压值(VG)加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值(VG)后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较小。
文档编号G01K7/00GK102928103SQ20121041363
公开日2013年2月13日 申请日期2012年10月25日 优先权日2012年10月25日
发明者许丹 申请人:上�：炅Π氲继逯圃煊邢薰�
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