专利名称：测试用载体的制作方法
技术领域：
本发明涉及为测试在晶粒芯片上形成的集成电路元件等的电子电路而临时封装有关晶粒芯片的测试用载体。
背景技术：
已知的测试用载体具有一种接触阀座，该接触阀座是通过在由聚酰亚胺制成的薄膜上形成与测试对象的芯片的电极形式对应的接触端子以及连接于该接触端子以和外部的测试装置连接的布线图案而构成的。(例如参照专利文献I) b
现有技术文献专利文献I :特开平7-263504号公报
发明内容
发明要解决的技术问题然而，测试时当不应该接触的突起在芯片上形成的情况下，在所述接触阀座上，存在薄膜和该突起接触这样的问题。本发明要解决的技术问题是提供可避免和电子元件的突起相接触的测试用载体。解决技术问题的手段本发明的测试用载体包含具有和电子元件相接触的第I突起的薄膜状第I部件和叠置在所述第I部件上的第2部件，所述测试用载体在所述第I部件和所述第2部件之间容纳所述电子元件，其特征在于，所述第I突起比具有所述电子元件的第2突起相对要高。上述发明中，所述第I部件具有和位于所述电子元件的表面上的多个所述第2突起之间的第I范围相接触的第I模型突起也是可以的。上述发明中，所述第I部件具有和位于所述电子元件表面上的外周附近的第2范围相接触的第2模型突起也是可以的。上述发明中，所述被测试的电子元件，是由半导体晶圆上切割而成的晶片也是可以的。上述发明中，在所述第I部件和所述第2部件之间形成的容纳所述电子元件的容纳空间的气压低于大气压也是可以的。发明的效果本发明中，由于第I部件具有的第I突起的高度，比电子元件的第2突起的高度相对要高，故能够避免第I部件和第2突起相接触。
图I是表示本发明的实施方式的器件制造工序的一部分流程图。图2是表示本发明的实施方式的测试用载体的分解斜视图。图3是表示本发明的实施方式的测试用载体的截面图。
图4是表示本发明的实施方式的测试用载体的分解截面图。图5是图4中V部的放大图。图6是图5中VI部的放大图，是表示组装测试用载体再减压后的状态的图。图7是表示本发明的另一个实施方式的测试用载体的放大图。发明的
具体实施例方式下面根据
本发明的实施方式。图I是表示本实施方式的器件制造工序的一部分流程图。本实施方式中，在半导体晶圆切割之后(图I的步骤S10)之后)到最终封装之前(步骤S50前)对晶片90上制作的电子电路进行测试(步骤S20 S40)。 本实施方式中，首先，通过载体装配装置(未在图中示出)，将晶片90临时封装到测试用载体10中(步骤S20)。接下来，借助测试用载体10将晶片90和测试装置(未在图中示出)电连接，以测试在晶片90上形成的电子电路(步骤S30)。一旦该测试结束，从测试用载体10中取出晶片90 (步骤S40)，接着通过正式封装该晶片90，完成最终产品(步骤50)。下面，参照图2 图6，对本实施方式中临时封装(暂时封装)晶片90的测试用载体10的结构进行说明，图2 图6是表示本实施方式的测试用载体的图。本实施方式中的测试用载体10，如图2 图4所示，包含载置晶片90的基部部件20和，覆盖该基部部件20的盖子部件50。该测试用载体10，在低于大气压的状态下，将晶片90夹持于基部部件20和盖子部件50之间，以保持晶片90。基部部件20包含基部框架30和基膜40。本实施方式的基膜40相当于本发明的第I部件的一个例子。基部框架30具有高刚性(至少是高于基膜40和盖膜70的刚性)，是在中央形成开口 31的刚性基板。作为该基部框架30的构成材料，例如可以列举出聚酰胺酰亚胺树脂、陶瓷、玻璃等。另一方面，基I吴40是具有可接性的薄I吴,借助粘着剂粘贴在含有中央开口 31的基部框架30的整个面上(未在图中示出)。如此，本实施方式中，由于在具有可挠性的基膜40上贴有高刚性的基部框架30，故能够提高基部部件20的操作性。另外，省略基部框架30，仅由基膜40构成基部部件20也是可以的。基膜40，例如是由聚酰亚胺薄膜构成，如图5所示，在该基膜表面形成布线图案41。该布线图案41，例如是通过刻蚀层压在基膜40上的铜箔而形成的。另外，该基膜40上，层压例如由聚酰亚胺薄膜构成的盖层以保护布线图案41也是可以的。而且，布线图案41的全部或者一部分，在基膜40的表面上通过喷墨印刷实时形成也是可以的。如图5所示，在布线图案41的一端上，垂直设有和晶片90的测试用接触端子91相连接的第I突起42。该第I突起42，例如是由铜(Cu)或镍(Ni)等构成，例如通过半加成法在布线图案41的上面形成。该第I突起42，为和晶片90的测试用接触端子91对应而设置的。本实施方式中，如图6所示，该第I突起42的高度hl，比在晶片90上形成的第2突起92的高度h2相对要高(hi > h2)。而且，图6表示了测试用载体被组装后再减压后的状态。如图6所示，晶片90上，测试用接触端子91，自硅基板94上形成的钝化膜93上露出。另一方面，第2突起92，贯穿钝化膜93，设置在硅基板94上，如上所述，自硅基板94的表面形成的高度为h2。该第2突起92是在将晶片90封装到测试用载体10中时，不应和基膜40相接触的突起。第I突起42的高度hi，例如，是根据第2突起92的高度h2、从测试用接触端子91至钝化膜93上的第I范围931 (后述)的距离、基膜40的刚性以及容纳空间11内的压力设定的。另外，本实施方式中，在布线图案41上，垂直设置有第I模型突起43和第2模型突起44。该第I及第2模型突起43、44的高度，比从晶片90的第2突起92的高度h2中减去钝化膜94的厚度h4的值相对要大(h3 > h2-h4)。第I模型突起43，是为和位于钝化膜93的表面上的两个第2突起92之间的第I领域931对应而形成的，可避免和第2突起92接触。另一方面，第2模型突起44，是为和位于钝化膜93的表面上的外周附近的第2领域932对应而形成的。作为该第I及第2模型突起43，44的构成材料，例如可以列举出金属和树脂材料等，但是只要不会损坏钝化膜93没有特别限定。而且，如图6所示的例子，第I和第2模型突起43、44呈圆柱状，但是第I和第2模型突起43、44的形状并不限定于此。再者，第I和第2模型突起43、44不是形成于布线图案41之上，而是直接形成于基膜40上也是可以的。另外，如图7所示，省略第2模型突起44也是可以的。图2是本发明的另一个实施方式的测试用载体的放大图，如图7所示，基膜40具有指定的刚性，在不与从钝化膜93的外周边缘露出的硅基板94接触的情况下，可以省略第2模型突起44。本实施方式的第I突起42相当于本发明的第I突起的一个例子，本实施方式的第I模型突起43相当于本发明的第I模型突起的一个例子，本实施方式的第2模型突起44相当于本发明的第2模型突起的一个例子。另外，本实施方式的测试用接触端子91相当于本发明的接触端子的一个例子，本实施方式的第2突起92相当于本发明的第2突起的一个例子。回到图5，在基部框架30上与布线图案41的另一端相对应的位置上贯穿有通孔32。布线图案41，借助在基膜40上形成的开口 401和通孔32连接，该通孔32和在基部框架30的下面形成的外部端子33相连接。该外部端子33，在测试在晶片90上制作的电子电路时，和测试装置的电流接触器(未在图中示出)相接触。如图2 图4所示，盖子部件50包含盖子框架60和盖膜70。本实施方式的盖膜70相当于本发明的第2部件的一个例子。盖子框架60具有高刚性(至少是高于基膜40和盖膜70的刚性)，是在中央形成开口 61的刚性板。本实施方式中，该盖子框架60，和上述基部框架30—样，例如是由聚酰胺酰亚胺树脂、陶瓷、玻璃等构成。另一方面，盖膜70，是具有可挠性的薄膜，借助粘着剂(未在图中示出)粘贴在含有中央开口 61的盖子框架60的整个面上。本实施方式中，由于在具有可挠性的盖膜70上贴有高刚性的盖子框架60，故能够提高盖子部件50的操作性。而且，仅由盖膜70构成盖子部件50也是可以的。或者，仅仅由没有形成开口 61的刚性板构成盖子部件50也是可以的。上述说明的测试用载体10，如下所述进行组装。、
首先，在将测试用接触端子91和第I突起42位置对准的情况下，将晶片90载置于基部部件20的基膜40上。此时，如图6所示，第I模型突起43和晶片90的第I范围931抵接，并且第2模型突起44和晶片90的第2范围932抵接。接下来，在低于大气压的环境中，将盖子部件50叠置于基部部件20的上面，再将晶片90夹持于基部部件20和盖子部件50之间。此时，为了使基部部件20的基膜40和盖子部件50的盖膜70直接接触，将盖子部件50叠置于基部部件20上。顺便提一下，没有特别图示，在晶片90比较厚的情况下，为了使基部框架30和盖子框架60直接接触，将盖子部件50叠置于基部部件20上也是可以的。接下来，保持晶片90夹持在基部部件20和盖子部件50之间的状态，通过使测试用载体10回到大气压环境中，以在基部部件20和盖子部件50之间形成的容纳空间11内保持晶片90。
另外，晶片90的测试用接触端子91和基膜40的第I突起42，并不是通过锡焊等固定起来的。本实施方式中，由于容纳空间11的气压低于大气压，故晶片90被基膜40和盖膜70挤压，从而使晶片90的测试用接触端子91和基膜40的第I突起42相互接触。而且，由于容纳空间11的气压低于大气压，如图6所示，基膜40面向晶片90并被吸引，但是，本实施方式中，由于第I突起42的高度hi比第2突起92的高度h2相对要高，(hi > h2)，故第I突起42既作为支柱发挥支撑基膜40的作用，而且又作为中心使基膜40呈伞状扩大开来。因此，本实施方式中，能够避免位于测试用接触端子91的周围的第2突起92和基膜40相接触，能够防止第2突起92的变形。同样，本实施方式中，由于第I模型突起43的高度h3，比从晶片90的第2突起92的高度h2中减去钝化膜94的厚度h4的值相对要大(h3 > h2-h4)，故能够避免位于从测试用接触端子91分离的部位的第2突起92和基膜40相接触，能够防止第2突起92的变形。并且，本实施方式中，通过第2模型突起44，能够防止基膜40的布线图案41因和晶片90的硅基板94从钝化膜93上露出的端面相接触而造成的短路。而且，第2模型突起44的高度，只要能使布线图案41和硅基板94不相接触就行，并不特别限定于上述的h3。另外，如图3所示，基部部件40和盖子部件50，为防止位置偏移并且提高密着性，通过粘着部90相互固定也是可以的。作为构成该粘着部80的粘着剂81，例如，可以列举出紫外线硬化型粘着剂。该粘着剂81，如图2及图3 图5所示，涂布在基部部件20上的与盖子部件50的外周部分相对应的位置上，在基部部件20上覆盖盖子部件50后用紫外线照射使相关粘着剂81硬化，以形成粘着部80。另外，上述说明的实施方式，是为了使本发明容易理解而记载的，并不用以限制本发明，因此，上述实施方式中所揭示的各种要素旨在包含属于本发明技术范围的全部设计变更和等同替换。例如，上述实施方式中，仅在基膜40上形成了布线图案41，但是除了在基膜40上以外，还在盖膜70上形成也是可以的。再者，上述实施方式中，外部端子33在基部框架30上形成，但是并没有特别限定于此，在基膜40、盖子框架60、或者盖膜70上形成也是可以的。
符号说明10…测试用载体11…容纳空间20…基部部件 30…基部框架40…基膜41…布线图案42…第I突起43…第I模型突起44…第2模型突起50盖子部件60…盖子框架70…盖膜90…晶片91…测试用接触端子92…第2突起93…钝化膜931…第I范围932…第2范围94…硅基板
权利要求
1.一种测试用载体，包含具有和电子元件的接触端子相接触的第I突起的薄膜状的第I部件和叠置在所述第I部件上的第2部件，所述测试用载体在所述第I部件和所述第2部件之间容纳所述电子元件，其特征在于， 所述第I突起比具有所述电子元件的第2突起相对要高。
2.根据权利要求I所述的测试用载体，其特征在于， 所述第I部件具有和位于所述电子元件的表面上的多个所述第2突起之间的第I范围相接触的第I模型突起。
3.根据权利要求I所述的测试用载体，其特征在于， 所述第I部件具有与位于所述电子元件表面上的外周附近的第2范围相接触的的第2模型突起。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的测试用载体，其特征在于， 所述被测试的电子元件是由半导体晶圆上切割而成的晶片。
5.根据权利要求I 3中任一项所述的测试用载体，其特征在于， 在所述第I部件和所述第2部件之间形成的容纳所述电子元件的容纳空间的气压低于大气压。
全文摘要
本发明提供一种可避免和电子元件的突起相接触的测试用载体10，该测试用载体10包含具有和晶片90的测试用接触端子相接触的第1突起42的薄膜状基膜40和叠置于基膜40上的盖膜70，所述测试用载体10A容纳在基膜40和盖膜70之间，并第1突起42比晶片90具有的第2突起92相对要高。
文档编号G01R1/04GK102749483SQ201210109058
公开日2012年10月24日 申请日期2012年4月13日 优先权日2011年4月20日
发明者中村阳登, 小暮吉成, 藤崎贵志 申请人:株式会社爱德万测试
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