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专利名称：一种测量光刻胶折射率的方法
技术领域：
本发明涉及一种测量方法，特别涉及一种测量光刻胶折射率的方法。
背景技术：
光刻胶是一类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，由于具备比较小的表面张力的特性，使得光刻胶具有良好的流动性和均匀性。光刻胶的英文是Photo Resist，又称光致抗蚀剂，是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区域能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化，是转移紫外曝光或电子束曝光图案的媒介。广泛应用于集成电路(1C)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板显不器(LED, LCD, 0LED),太阳能光伏(SolarPV)等领域。精确获得光刻胶的折射率，对于器件的设计，结构优化等有着十分重要的参考 意义。最常见的测量液体折射率的仪器是使用阿贝折射仪，但是阿贝折射仪的测量折射率的波段较短(DR-M2多波长阿贝折射仪，测量波段为450nm-lIOOnm)。

发明内容
本发明是针对现有的折射仪测量折射率的波段较短的问题，提出了一种测量光刻胶折射率的方法，提出根据光谱来获得光刻胶折射率不仅测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率。本发明的技术方案为一种测量光刻胶折射率的方法，包括如下具体步骤
1)用匀胶机在空白基底层甩上一层厚度均匀的光刻胶层，并烘干，如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出在相应的波长下进行曝光；
2)用分光光度计测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过光谱特性曲线；
3)用Macleod软件对空白基底和光刻胶样品的透过光谱特性曲线进行分析计算，得到光刻胶折射率曲线。所述步骤I)中光刻胶层厚度为6. 4±0· 2 μ m。所述步骤I)中空白基底为K9玻璃，光刻胶为AZ P4330。光刻胶是在波长为325nm的激光下进行曝光20min。本发明的有益效果在于本发明测量光刻胶折射率的方法，基于光谱法利用Macleod软件计算测量，测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率，具有重要意义。可广泛应用于光学仪器、微机电系统、光电子器件及生物医学等领域。


图I为本发明镀有光刻胶样品的结构示意 图2为本发明用分光光度计所测得的样品透射光谱特性曲线图；图3为本发明已曝光的光刻胶在900-1300nm波长范围内的折射率 图4为本发明已曝光的光刻胶在1300-1900nm波长范围内的折射率 图5为本发明未曝光的光刻胶在950-1350nm波长范围内的折射率 图6为本发明未曝光的光刻胶在1300-2000nm波长范围内的折射率图。
具体实施例方式一种测量光刻胶折射率的方法空白基底为K9玻璃，光刻胶为AZ P4330,该型号光刻胶在紫外可见波段都比较强的光灵敏度，实施例制备的光刻胶厚度为6. 4±0. 2 μ m，曝光的光刻胶是在波长为325nm的激光下进行曝光20min。具体步骤如下· I.如图I所示镀有光刻胶样品的结构示意图，用匀胶机在空白基底I层甩上一层厚度为6. 4±0. 2 μ m的均勻光刻胶2层，并烘干,这样可以使光刻胶在短时间内不被完全曝光，而且测量结果也会更加精确。如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出在相应的波长下先进性曝光再测量。2.用分光光度计测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过光谱特性曲线，如图2所示用分光光度计所测得的样品透射光谱特性曲线图。3.用Macleod软件对空白基底和光刻胶样品的透过光谱特性曲线进行分析计算，这样得到如图3 6所示的光刻胶折射率曲线。图3 6是光刻胶样品在不同光波段下的折射率图3为已曝光的光刻胶在900-1300nm波长范围内的折射率，图4为已曝光的光刻胶在1300_1900nm波长范围内的折射率，图5为未曝光的光刻胶在950-1350nm波长范围内的折射率，图6为未曝光的光刻胶在1300-2000nm波长范围内的折射率。本发明成功实现了利用光谱测量法测量出光刻胶的折射率。
权利要求
1.一种测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，包括如下具体步骤 1)用匀胶机在空白基底层甩上一层厚度均匀的光刻胶层，并烘干，如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出在相应的波长下进行曝光； 2)用分光光度计测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过光谱特性曲线； 3)用Macleod软件对空白基底和光刻胶样品的透过光谱特性曲线进行分析计算，得到光刻胶折射率曲线。
2.根据权利要求I所述测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，所述步骤I)中光刻胶层厚度为6. 4±0. 2 μ m。
3.根据权利要求I所述测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，所述步骤I)中空白基底为K9玻璃，光刻胶为AZ P4330。
4.根据权利要求3所述测量光刻胶折射率的方法，其特征在于，所述步骤I)中光刻胶是在波长为325nm的激光下进行曝光20min。
全文摘要
本发明涉及一种测量光刻胶折射率的方法，在空白基底甩上一层厚的均匀的光刻胶并烘干，这样可以使光刻胶在短时间内不被完全曝光，而且测量结果也会更加精确。如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出先在相应的波长下进行曝光再测量。用分光光度计分别测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过率。将测量数据用Macleod软件用极值法进行分析计算，便可得到光刻胶曝光后的折射率。测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率，具有重要意义。可广泛应用于光学仪器、微机电系统、光电子器件及生物医学等领域。
文档编号G01N21/41GK102944532SQ20121049959
公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月30日 优先权日2012年11月30日
发明者王银萍, 陶春先, 赵曼彤, 王 琦, 倪争技, 黄元申 申请人:上海理工大学