专利名称：半导体检测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体检测装置，特别涉及使探针接触半导体集成电路的电极，检测该半导体集成电路的电气特性的半导体检测装置。
背景技术：
以往以来，检测被形成在晶片上的半导体集成电路的电气特性已很普遍。在检测时，使探针接触半导体集成电路的电极，从测定检测装置施加检测用信号，检测对应该信号的输出信号。在以往的半导体检测装置中，是每次检测1个半导体集成电路芯片。在此，用图21简单说明以往探头的构成。如图所示，探头1，在其中央部分上具备多个探针13。探针13，通常用细长的金属针构成。并且，探针13，设置有与半导体集成电路芯片的外部端子数相当的个数，被配置在与该半导体集成电路芯片的外部端子对应的位置上。该探针13，通过信号线直接与测定检测装置连接。
发明内容
本发明的目的在于提供检测的可靠性优异，或者以低成本进行半导体集成电路芯片检测的半导体检测装置。
如果采用本发明，则用于把与电气电路内的电气元件电气连接并要装入电气电路内的半导体集成电路，在装入该电气电路内之前检测的检测装置，包含用于分别与半导体集成电路露出的电气性端子连接的多个探针；安装有探针相对要进行检测的半导体集成电路可以相对移动的可动探头；产生经由探针向半导体集成电路传递的检测输入信号，进而接收经由探针从半导体集成电路传递来的检测输出信号，用于检测半导体集成电路的测定装置。
如果具有相当于该电气电路内的电气元件，包含用于与和探针的至少1个电气连接并经由探针和要检测的半导体集成电路一同形成检测用电气电路的检测用电气元件的组件，则可以在与实际的使用条件接近的条件下检测半导体集成电路，提高检测的可靠性。
如果把探针和组件安装在可动探头上，使得探针和组件一起移动，则可以靠近配置半导体集成电路和检测用电气元件，可以在与实际的使用条件接近的条件检测半导体集成电路，检测的可靠性提高。如果在探头中各探针的至少一部分和组件之间的位置关系被固定，则可以抑制检测条件变化。
检测输入信号也可以经由检测用电气元件传递到半导体集成电路，检测输出信号也可以从半导体集成电路传递到检测用电气元件。
组件如果进一步具有与检测用电气元件电气连接的模拟信号-数字信号转换器，则转换处理被输入的模拟信号，把数字信号经由探针传递到半导体集成电路，或者把经转换处理的数字信号输出到测定检测装置，因为不把容易受到噪声影响的模拟信号传送到容易引入噪声的探针和测定检测装置之间，所以可以防止在探针和测定检测装置之间的传送电路上由噪声引起的检测精度的恶化。测定装置和组件，可以用同轴电缆连接。
探针，被配置组件表面，如果经由组件被装在可动探头上，则可以抑制由探针引起的信号传递精度劣化，在与实际的使用条件接近的条件下检测半导体集成电路，检测的可靠性提高。组件，也可以包含至少具备透磁性和导电性的一种，并包含包围检查用电气元件的密封部件。探针可以至少具有25μm以下的厚度和0.25mm以下的长度的一种。组件，也可以具有用于与半导体集成电路的电气端子接触的镍层，和用于使捏层和测定装置经由它电气连接的铜层。
为了在把第一半导体集成电路和第二半导体集成电路分别组装在该电气电路内之前检测它们，多个探针，可以分别同时接触第一半导体集成电路和第二半导体集成电路两方露出的电气端子。
可以抑制如果输入到第一半导体集成电路的检测输入信号的频率，和输入到第二半导体集成电路的检测输入信号的频率不同，则第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声的现象，提高检测的可靠性。可以抑制如果来自第一半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率，和来自第二半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率不同，则第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声的现象，检测的可靠性提高。如果可以防止同时发生测定装置产生对第一半导体集成电路测定装置的检测输入信号，和测定装置产生对第二半导体集成电路测定装置的检测输入信号，则可以抑制第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声，检测的可靠性提高。如果可以防止同时发生测定装置产生对第一半导体集成电路的检测输入信号，和测定装置接受来自第二半导体集成电路的检测输出信号，则可以抑制第一半导体集成电路内的处理和第二半导体集成电路内的处理电气噪声，检测的可靠性提高。
图1是本发明的实施方案的半导体检测装置的方框图。
图2是用于说明晶片以及半导体集成电路芯片的图。
图3是本发明的实施方案的探头、组件以及探针的断面图。
图4是本发明的实施方案的探头、组件以及探针的平面图。
图5是本发明的实施方案的探头、组件以及探针的平面图。
图6是本发明的实施方案的半导体检测装置的方框图。
图7是本发明的实施方案的半导体检测装置的方框图。
图8是本发明的实施方案的探头的断面图。
图9是本发明的实施方案的探头的平面图。
图10是本发明的实施方案的探头的平面图。
图11是本发明的实施方案的探头的平面图。
图12是本发明的实施方案的探头的平面图。
图13是本发明的实施方案的探头的平面图。
图14是展示本发明实施方案的组件的制造工序图。
图15是展示本发明实施方案的组件的制造工序图。
图16是展示本发明实施方案的探针构成图。
图17是用于说明本发明的实施方案的检测控制图。
图18是用于说明本发明的实施方案的检测控制图。
图19是展示在本发明的实施方案中使用的信号频带图。
图20是展示本发明实施方案的组件的构成图。
图21是展示以往的探针构成图。
具体实施例方式
图1是本发明的实施方案的半导体检测装置的功能方框图。该半导体检测装置，由探头1、组件12、探针13、测定检测装置2、晶片保持体4、驱动机构5、驱动机构6以及控制装置7构成。晶片3具有多个在该半导体检测装置中成为检测对象的半导体集成电路芯片。
探头1，相对晶片3上的半导体集成电路芯片，用探针13进行电气性接触。在本发明的实施方案中，特别在该探头1上设置了组件12以及探针13。组件12的详细构成在以后叙述，特别是具备包含用于对半导体集成电路芯片提供规定信号和/或用于处理从该半导体集成电路芯片输出的信号的信号处理电路的电子器件。
测定检测装置2，生成检测用的信号，对组件12输出。在本实施方案中，把从测定检测装置2输出的，最终被输入半导体集成电路芯片内的信号统称为检测用输入信号。该检测用输入信号，有时用作控制信号，有时也用作数据信号。
此外，测定检测装置2，把根据检测用输入信号从半导体集成电路芯片输出的信号，在由组件12进行规定处理后输入，进行检测。在本实施方案中，把从半导体集成电路芯片输出的，最终被输入测定检测装置的信号统称为检测用输出信号。该检测用输出信号有时用作控制信号，有时也用作数据信号。检测结果，例如被显示在显示器上，或者用打印机打印出。
测定检测装置2，经由控制装置7来控制驱动机构5以及驱动机构6。由此，进行探头1和晶片保持体4的位置确定。在此，驱动机构5，可以使探头1在晶片3的主平面的垂直方向(Z方向)上移动。此外，驱动机构6，可以使晶片保持体4在和晶片3的主平面平行的水平方向(XY方向)上移动。而且驱动机构5、6并不限定于这种动作。驱动机构5也可以使晶片3在XY方向上移动，驱动机构6也可以使晶片3在Z方向上移动。此外，也可以只设置驱动机构5、6的某一方，它使晶片3在XYZ方向上移动。
晶片保持体4，具有保持晶片3的功能。该晶片保持体4，例如，用吸附机构保持晶片。
在此，图2展示晶片3的平面图。在晶片3上可以形成很多半导体集成电路芯片31。例如，当是200mm晶片的情况下，可以制造约1000个半导体集成电路芯片31，此外，当是300mm晶片的情况下，可以制造约2600个半导体集成电路芯片。本发明的实施方案的半导体集成电路芯片31，是晶片级CSP(芯片尺寸封装)，设置由多个球形焊料构成的外部端子32。例如，以0.5mm间隔设置81个外部端子32。但是，在本发明中适用的半导体集成电路芯片，并不限定于这种晶片级CSP，铝焊盘的外部端子也可以以0.1mm排列。
进而，作为被检测对象的半导体集成电路芯片31的种类，并没有特别限定，例如，可以包含无线LAN用芯片，GPS用芯片，蓝牙用芯片。
以下，用图3、图4以及图5，进一步详细说明探头1、组件12以及探针13的构成。图3是探头1等的断面图。如图所示，在探头1的上面，搭载有组件12。而且，在探头1的下面，设置有探针13。探针13和组件12，与每一探针电气连接。探针13，因为需要和晶片3的每个外部端子32分别接触，所以只设置和外部端子32同样的数量。
在图3所示的探头1中，如图4以及图5所示，在1个探头1上，设置4个组件12，和与4个半导体集成电路芯片31的外部端子32对应的探针13，即设置4套探针13。在此，4套探针13的各自，被配置在可以同时接触相邻的4个半导体集成电路芯片31的外部端子32的位置上。这样，因为在1个探头1上构成多个组件12以及多套探针13，所以可以同时执行多个半导体集成电路芯片的检测，可以使检测低成本化。
进而，在图3所示的例子中，说明了对1个探头1设置4个组件12以及4套探针13的构成，但并不限定于此，如果对1个探头1设置2个以上的组件12以及2套以上的探针13，则可以实现其效果。在此，探针13的长度希望是BGA(网格焊球阵列)等所使用的焊料球直径的一半以下的0.25mm以下。通过缩短探针13的长度，可以减少噪声的影响，还可以抑制信号延迟。
图4是探头1的平面图，展示搭载有组件12的一侧。如图4所示，4个组件12被设置在探头1上。在这些组件12的各自上，搭载有电子器件121。该电子器件121，在把半导体集成电路芯片31安装在半导体电路基板内时，是与被安装在同样的电路基板内的各种电路有关的电子器件。因而，是根据半导体集成电路芯片31确定的电子器件。例如，是微处理器，存储器，信号处理LSI，晶振，滤波器，平衡-不平衡变换器，方向耦合器。
如果采用理想的实施方案，则电子器件121，是在被安装在半导体电路基板上时，与被安装在同样的半导体电路基板内的全部电路有关的电子器件。这些电子器件121，在检测时，经由探针13和半导体集成电路芯片31电气连接。这时，如果采用理想的实施方案，则用电子器件121以及半导体集成电路芯片31形成的电路，和被安装在半导体电路基板上的电路相同，或者进行同等的处理。通过这样的构成，对组件12输入输出的信号，可以设置成和对被安装在半导体电路基板上后的成品输入输出的信号一样。因而，为了检测该半导体集成电路，可以把用于对成品检测的输入信号对该组件12输入。此外，可以用和对成品检测一样的检测方法检测来自该组件12的输出信号。即，可以容易构成进行半导体集成电路芯片和成品两方的检测的测定检测装置。但是，也可以只把装入半导体电路基板的另一信号处理电路的一部分装入组件12。
图5是探头1在晶片3一侧的平面图。如图5所示，在探头1的晶片3一侧，在每个组件12上设置有探针13。该探针13，只设置与晶片3上的外部端子32对应位置同样的数量。
以下，用图6说明搭载在组件12上的电子器件121的例子。在图6所示的例子中，在组件12上，搭载有模拟电路122、接口电路123、控制电路、存储器124以及电源外围电路125。被测定检测电路321，相当半导体集成电路芯片31。组件12和测定检测装置2之间，用信号线81电气连接。在该例子中，特别是把模拟电路122设置在组件12内，采用在组件内处理模拟信号的构成。因而，模拟信号不在组件1和测定检测装置2之间的信号线81上产生，而是输出数字信号。因此，因为不把容易受噪声影响的模拟信号，在容易引入噪声的组件1和测定检测装置2之间的信号线81上传送，所以可以防止在组件1和测定检测装置2之间的传送电路上由噪声引起的检测精度的恶化。即，可以提供电气可靠性高的半导体检测装置。
图7是展示搭载在组件12上的电子器件121的另一例。在图7所示的例子中，模拟电路122、接口电路123、控制电路·存储器124、电源外围电路125以及高频电路126被搭载在组件12上。这样，在图7所示例子中，和图6所示的例子不同，把高频电路126搭载在组件12上，进而，该组件12和测定检测装置2和信号线一同用同轴电缆82连接。该同轴电缆82，主要传送800MHz以上的高频信号。在此，通过这样用同轴电缆82传递高频信号，可以在没有信号品质劣化的情况下传送。进而，同轴电缆82，不只是1条，也可以用多条连接。
以下，用图8、图9以及图10说明把具有和图3所示的探针13不同形状的探针13安装到探头1上的例子。在该例子中，在探头1的一个面上，安装组件12，在另一个面上，安装探针13，组件12和探针13相互电气连接。探针13，如图9所示，具有与组件12的面平行的五角形柱状构造。各个探针13，具有只有1个角是锐角的构造，通过用构成该锐角的2边的其中一边划伤半导体集成电路芯片31上的外部端子32，强化电气连接。在该外部端子32上构成氧化膜的情况下，由于划伤破坏了该氧化膜，探针13可以与外部端子32的导电层接触。在图9所示的例子中，探针13的锐角部分向着相同的方向，但在图10所示的例子中，一部分也可以向着相反方向。
在上述图3所示的探头1中，设置成在上面搭载组件12，在下面设置探针13的构成，但如图11所示，也可以设置成把该组件12组装入探头1中的构成。在该例子中，把组件12的上面组装成与探头1的上面一致的位置上。因此，两者的定位容易。此外，如图12所示，也可以把两者固定在组件12的上面以及下面从探头1的上面以及下面突出的位置上。进而，如图13所示，也可以在探头1的下面搭载组件12。在此，探头1和组件12，可以用树脂固定，还可以用螺钉等机械固定。
在图11所示的组件12中，在其表面上用焊接固定探针13。另一方面，在图12以及图13所示的组件12中，在其表面上形成有探针13。该探针13，是厚度25μm以下的薄膜，被形成在组件12的下面。此外，该探针13长方向的长度在0.25mm以下。有关该探针13的形成方法，用图14以及图15详细说明。
首先，如图14(a)所示，准备由在表面上实施镀镍1201的厚度约0.3mm的不锈钢板构成的临时基体1202。
接着，如图14(b)所示，在镀镍层1201上，形成具有第1开口部分1203a的第1绝缘层1203。该第1绝缘层1203的形成过程是，在镀镍层1201的表面上均匀地涂布感光性树脂后，曝光与该感光性树脂的第1开口部分1203a对应的部分，通过显像处理除去曝光部分。
以下，如图14(c)所示，在镀镍层1201的表面上，形成第1布线层1204。该第1布线层1204的形成过程可以是，在第1绝缘层1203上以及第1开口部分1203a内溅射由铬和铜的合金组成的供电膜后，在该供电膜上均匀地涂布光刻胶膜，把光刻胶膜曝光成第1布线层1204的图案，在显像处理中除去曝光部分，接着在给供电膜通电电铸铜或者铜合金后，除去不需要的光刻胶膜以及供电膜。
以下，如图14(d)所示，在第1绝缘层1203的表面以及第1布线层1204的表面上，以所需要的图案形成开设有第2开口部分1205a的第2绝缘层1205。该第2绝缘层1205的形成过程可以是，在第1绝缘层1203的表面以及第1布线层1204的表面上均匀地涂布感光树脂后，曝光与第2开口部分1205a对应的部分，通过显像处理除去该曝光部分。进而，在该阶段把电子器件1210、1211和第1布线层1204连接，通过用树脂模铸这些电子器件1210、1211和第1布线层1204的连接部分，也可以制造组件12。
以下，如图14(e)所示，在第2绝缘层1205上形成第2布线层1206的同时，在第2开口部分1205a内形成连接部分1206a。该第2布线层1206以及连接部分1206a的形成过程可以是，在第2绝缘层1205上以及第2开口部分1205a内溅射由铬和铜的合金组成的供电膜后，在该供电膜上均匀地涂布光刻胶膜，把该光刻胶膜在第2布线层1206的图案下曝光，通过显像处理除去曝光部分，接着在给供电膜通电而电铸铜以及镍合金后，除去不需要的光刻胶以及供电膜。
以下，如图14(f)所示，在第2布线层1206及连接部分1206a以及第2绝缘层1205的表面上，用规定图案形成开设有第3开口部分1207a的第3绝缘层1207。该第3绝缘层1207的形成过程可以是，在第2布线层1206及连接部分1206a以及第2绝缘层1205的表面上均匀地涂布感光性树脂后，曝光与第3开口部分1207a对应的部分，通过显像处理除去该曝光部分。
以下，如图15(a)所示，进行第2布线层1206和电子器件1210的连接以及第2布线层1206和电子器件1211的连接。第2布线层1206和电子器件1210的连接过程可以是，在把形成在电子器件1210的焊盘部分上的金突点1209插入开设在第2绝缘层1205上的第2开口部分1205a后，在第2布线层1206和电子器件1210之间施加所需要的热和压力。此外，第2布线层1206和电子器件1211的连接过程可以是，经由被插入第2开口部分1205a的焊料1208，对着第2布线层1206和电子器件1211的端子部分，在这些第2布线层1206和电子器件1211之间施加所需要的热。
以下，如图15(b)所示，用模铸树脂模铸电子器件1210、1211，以及它们和第2布线层1206的连接部分。
以下，如图15(c)所示，剥离镀镍层1201和不锈钢制的临时基体1202的界面，使镀镍层1201露出。
而后，如图15(d)所示，图案化镀镍层1201形成镍层。该镍层成为探针13。探针13的形成过程可以是，在镀镍层1201的表面上均匀涂布光刻胶后，只选择性曝光与探针3对应的部分，在通过显像处理除去非曝光部分后，通过蚀刻处理除去与非曝光部分对应的镀镍层1201。这样，在组件12的表面上形成探针13。在最佳的实施方案中的该探针13，是长度方向的长度在0.25mm以下，厚度在25μm以下的薄膜。该厚度意味着与印刷电路板中通常所使用的铜版的厚度相同或者在其之下。在图14、图15的实施例中，说明了具有2层布线层的探针的形成方法，但它也可以是1层或者2层以上。
接着，用图16说明本发明的实施方案的探针13的构成。该探针13，是和在图8、图9以及图10中说明的相同的形状。即，具有五角形的柱状构造。探针13具有只有一个角是锐角的构造，通过用构成该锐角的2边之一划伤半导体集成电路芯片31上的外部端子32，强化电气性接触。此外，图16所示的探针13，具有铜131以及镍132的2层构造。铜，在成本方面优异，但硬度不高，具有容易氧化的性质。在此，作为要求划伤半导体集成电路芯片31的外部端子32的探针13的材质，要求有硬度，并且在电气性接触下难以氧化。另一方面，镍132，具有作为探针13所要求的硬度，难以氧化。因而，在此例子中，在探针13和半导体集成电路芯片31的外部端子32接触的一侧上，设置镍132层。
以下，用图17、图18说明在探头1上搭载多个组件12情况下的检测处理的控制。在该例子中，把组件12a、组件12b、组件12c、组件12d这4个把组件12搭载在探头1上。而后，组件12a，经由信号线81与测定检测装置2a连接。同样，各组件12b、12c、12d，经由信号线81与测定检测装置2b、2c、2d连接。
在该例子中，控制为对相邻的组件实施同时检测。用图18具体地说明另一控制方法。在图18中，时间t1，是比时间t2还靠前的任意时刻。在t1时，测定检测装置2a以及2c，从各组件12a以及12c接受控制信号或者数据信号的检测用输出信号。同样在t1时，测定检测装置2b以及2d，对各个组件12b以及12d发送控制信号或者数据信号的检测用输入信号。
而后，在t2时，测定检测装置2a以及2c，对各个组件12a以及12c发送控制信号或者数据信号的检测用输入信号。同样在t2时，测定检测装置2b以及2d，从各个组件12b以及12d接受控制信号或者数据信号的检测用输出信号。同样，重复时刻t1、时刻t2的控制。
通过这样的控制，相邻组件之间不会同时发送控制信号或者数据信号，此外不会同时接收。因而，在相邻组件之间不发生信号干涉，可以降低噪声。
特别是在检测800MHz以上频率的高频处理用半导体集成电路芯片31的情况下，这种控制是有效的。这种情况下，控制相邻组件之间不同时发送800MHz以上的信号，此外，不同时接收。800MHz以上的信号，特别干涉其他信号，因为发生噪声的可能性高，所以相邻组件之间不同时发送这样的信号，此外不会同时接收，由此降低噪声的效果显著。
进而，在该例子中，是把组件12分成2个部分，用不同的定时控制，但并不限于分成2部分，也可以分成3个以上的部分控制。
但是，对于多个组件12，有时需要同时发送800MHz以上的信号，还需要同时接收。在这种情况下，在可以执行检测的频带范围内，可以设置成使用不同频带的信号。在图19所示的例子中，控制信号1和信号2这2个频带不同的信号，对不同的组件12发送，还有接收。特别理想的是，对于相邻的组件12，控制发送、还有接收不同频带的信号。在图19所示的例子中，说明了信号1和信号2这2个不同频带的信号，但也可以是3个以上的信号。例如，对于在被称为蓝牙的通信技术中使用的半导体集成电路芯片，可以使用2.40GHz、2.44GHz、2.48GHz这3个频带的信号。
在此，组件12，如图20所示，也可以被树脂模铸，而后，用密封罩包覆那样构成。密封罩，例如由铁系材料、软磁性材料、导电涂料构成。特别是通过采用软磁性材料，不仅可以实现电气密封，还可以实现磁性密封。此外，导电涂料，在成本方面优异。通过这种构成，因为可以降低对组件12内的电子器件121的噪声，所以可以实现可靠性高的检测。
在上述例子中，说明了在探头1上设置组件12的同时，可以进行多个半导体集成电路芯片检测的例子，但并不限于此。即，也可以在探头1上设置1个组件12。此外，在不设置组件12，而直接连接测定装置2和探针13的半导体检测装置中，也可以进行多个半导体集成电路芯片的检测。
权利要求
1.一种检测装置，用于对要与电气电路内的电气元件电气连接后组装入电气电路内的半导体集成电路在组装入该电气电路内之前进行检测，该检测装置包含与半导体集成电路露出的电气端子分别接触的多个探针；装有探针且相对要检测的半导体集成电路可以相对移动的可动探头；产生经由探针向半导体集成电路传送的检测输入信号并接收经由探针从半导体集成电路传递的检测输出信号来检测半导体集成电路的测定装置。
2.根据权利要求1的检测装置，进一步具备包含相当于该电气电路内的电气元件的检测用电气元件的组件，所述检测用电气元件和探针的至少1个电气连接并经由探针与要检测的半导体集成电路一起形成检测用电气电路。
3.根据权利要求2的检测装置，探针和组件被安装在可动探头上，使得探针和组件一起移动。
4.根据权利要求3的检测装置，探头中各探针的至少一部分和组件之间的位置关系被固定。
5.根据权利要求2的检测装置，检测输入信号经由检测用电气元件传递到半导体集成电路。
6.根据权利要求2的检测装置，检测输出信号从半导体集成电路传递到检测用电气元件。
7.根据权利要求2的检测装置，组件进一步具有与检测用电气元件电气连接的模拟信号-数字信号转换器。
8.根据权利要求2的检测装置，测定装置和组件用同轴电缆连接。
9.根据权利要求2的检测装置，探针配置在组件表面上并通过组件安装在可动探头上。
10.根据权利要求2的检测装置，组件包含具备透磁性和导电性中至少一种并包围检测用电气元件的密封构件。
11.根据权利要求1的检测装置，探针具有25μm以下的厚度和0.25mm以下的长度的至少一方。
12.根据权利要求1的检测装置，探针具有用于与半导体集成电路的电气端子接触的镍层和将镍层与测定装置连接的铜层。
13.一种检测装置，是把第一半导体集成电路和第二半导体集成电路分别组装入相应电气电路内之前对其进行检测的权利要求1的检测装置，其中多个探针可以与第一半导体集成电路和第二半导体集成电路的两方露出的电气端子分别同时接触。
14.根据权利要求13的检测装置，第一半导体集成电路的检测输入信号的频率和第二半导体集成电路的检测输入信号的频率不同。
15.根据权利要求13的检测装置，来自第一半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率和来自第二半导体集成电路测定装置的检测输出信号的频率不同。
16.根据权利要求13的检测装置，测定装置产生对第一半导体集成电路测定装置的检测输入信号，和测定装置产生对第二半导体集成电路测定装置的检测输入信号被防止同时发生。
17.根据权利要求13的检测装置，测定装置产生对第一半导体集成电路的检测输入信号，和测定装置接收来自第二半导体集成电路的检测输出信号被防止同时发生。
18.一种检测方法，用于对要与电气电路内的电气元件电气连接后组装入电气电路内的半导体集成电路在组装入该电气电路内之前进行检测，该检测方法包含移动探针使探针与半导体集成电路露出的电气端子接触的步骤；产生经由探针向半导体集成电路传递的检测输入信号的步骤；产生经由探针接收从半导体集成电路传递的检测输出信号，通过判断检测输出信号是否正常来检测半导体集成电路的步骤。
19.根据权利要求18的方法，探针与用于同要检测的半导体集成电路一起形成检测用电气电路且相当于该电气电路内的电气元件的检测用电气元件电气连接，通过移动探针使探针与半导体集成电路露出的电气端子接触，经由探针使检测用电气元件和半导体集成电路电气连接形成检测用电气电路。
20.根据权利要求19的方法，在把探针和检测用电气元件装在可动探头的状态下移动探头，使探针与半导体集成电路露出的电气端子接触。
21.根据权利要求19的方法，检测输入信号经由检测用电气元件传递到半导体集成电路。
22.根据权利要求19的方法，检测输出信号从半导体集成电路传递到检测用电气元件。
23.一种检测方法，是把第一半导体集成电路和第二半导体集成电路分别组装入相应电气电路内之前对其进行检测的权利要求18的方法，其中多个探针与第一半导体集成电路和第二半导体集成电路两方露出的电气端子分别同时接触。
24.根据权利要求23的方法，要对第一半导体集成电路传递的检测输入信号的频率和要对第二半导体集成电路传递的检测输入信号的频率不同。
25.根据权利要求23的方法，从第一半导体集成电路传递的检测输出信号的频率和从第二半导体集成电路传递的检测输出信号的频率不同。
26.根据权利要求23的方法，产生对第一半导体集成电路传递的检测输入信号，和产生对第二半导体集成电路传递的检测输入信号被防止同时发生。
27.根据权利要求23的方法，产生对第一半导体集成电路传递的检测输入信号，和接收从第二半导体集成电路传递的检测输出信号被防止同时发生。
全文摘要
对要与电气电路内的电气元件电气连接后组装入电气电路内的半导体集成电路在装入该电气电路内之前进行检测的检测装置，包含用于与半导体集成电路露出的电气端子分别接触的多个探针；装有探针且相对要检测的半导体集成电路可以相对移动的可动探头；产生经由可动探头向半导体集成电路传递的检测输入信号并经由探针接收从半导体集成电路传递的检测输出信号来检测半导体集成电路的测定装置。
文档编号G01R1/06GK1393921SQ0212485
公开日2003年1月29日 申请日期2002年6月21日 优先权日2001年6月22日
发明者岸本清治 申请人:日立马库塞鲁株式会社
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
