专利名称：光滤波器及光滤波器�？橐约胺治錾璞讣肮馍璞傅闹谱鞣椒�
技术领域：
本发明涉及光滤波器及光滤波器�？橐约胺治錾璞讣肮馍璞傅�。
背景技术：
现提出有使透过波长可变的干涉光滤波器(专利文献1)。如专利文献1的图3所示，具备被相互保持平行的一对基板、在该一对基板上形成为相互对置并且具有一定间隔的间隙的一对多层膜(反射膜)、用于控制间隙的一对静电驱动电极。这种波长可变干涉光滤波器可以利用对静电驱动电极施加的电压来产生静电引力，控制间隙，使透过光的中心波长变化。专利文献1日本特开平11-142752号公报但是，在这种波长可变干涉光滤波器中，由于驱动电压因噪音等而变动，难以高精度地得到间隙量。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以高精度地获得间隙量的光滤波器及光滤波器�？橐约胺治錾璞讣肮馍璞�。(1)本发明的一个方式的光滤波器的特征在于，包括第一基板；与所述第一基板对置的第二基板；第一反射膜，其被设置于所述第一基板；第二反射膜，其被设置于所述第二基板并与所述第一反射膜对置；第一电极，其被设置于所述第一基板，在俯视的情况下被形成于所述第一反射膜的周围；第二电极，其被设置于所述第一基板，在俯视的情况下被形成于所述第一电极的周围；第三电极，其被设置于所述第二基板，并与所述第一电极对置；及第四电极，其被设置于所述第二基板，并与所述第二电极对置。根据本发明的方式，具有设置于第二基板并与第一电极对置的第三电极和设置于第二基板并与第二电极对置的第四电极。这样，如后所述，与仅用一对电极来控制反射膜间的间隙量的方式相比，可以高精度地获得间隙量。(2)在本发明的方式中，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极在电气上独立，所述第三电极与所述第四电极经由连接部被电连接。由于第三电极与第四电极经由连接部被电连接，因此可以将第三电极及第四电极设为公共电极。(3)在本发明的方式中，其特征在于，
还包括与所述第一电极连接的第一布线；及与所述第二电极连接的第二布线，所述第一电极具有第一环状，所述第二电极具有带第一间隙的第二环状，所述第一布线的一部分被形成于已形成了所述第一间隙的区域。由于第二电极所具有第二环状带有第一间隙，所以可以经由第一间隙从第一电极中引出第一布线。(4)在本发明的方式中，其特征在于，所述第三电极具有第三环状，所述第四电极具有第四环状。由于第三电极及第四电极为环状，因此在控制间隙时，可以将反射膜间的平行度
保持得较高。(5)在本发明的方式中，其特征在于，所述第三电极具有第三环状，所述第四电极具有带第二间隙的第四环状，在俯视的情况下，所述第二间隙与所述第一间隙重叠。在俯视的情况下，第二间隙与第一间隙重叠。也就是说，在形成于第一间隙的区域中的第一布线的一部分的上方，未形成第四电极。这样，即使对第一布线施加电压，也可以抑制在第一布线与第四电极之间产生不需要的静电引力的情况。(6)在本发明的方式中，其特征在于，还包括与所述第三电极连接的第三布线；及与所述第三电极连接的第四布线。由于在第三电极处连接有第三布线及第四布线，因此可以减小布线电阻。(7)在本发明的方式中，其特征在于，上述第一基板具有第一对角线和第二对角线，上述第一布线在沿着上述第一对角线的第一方向上延伸，上述第二布线在沿着上述第一对角线且与上述第一方向相反的方向即第二方向上延伸，上述第三布线在沿着上述第二对角线的第三方向上延伸，上述第四布线在沿着上述第二对角线且与上述第三方向相反的方向即第四方向上延伸。像这样，通过形成第一布线、第二布线、第三布线及第四布线，就可以减小这些布线间的寄生电容。(8)在本发明的方式中，其特征在于，所述第二电极的环宽度大于所述第一电极的环宽度，所述第四电极的环宽度大于所述第二电极的环宽度。由于第二电极及第四电极位于接近第一基板与第二基板的接合部分的区域，因此需要比第一电极及第二电极之间的静电引力大的静电引力。这样，通过增大第二电极及第四电极的环宽度，就可以产生大的静电引力。(9)在本发明的方式中，其特征在于，所述第二基板具有第一部分和比所述第一部分的膜厚薄的第二部分，所述第二反射膜被形成于所述第二基板的所述第一部分，所述第三电极和所述第四电极被形成于所述第二基板的所述第二部分。由于第三电极及第四电极被形成于比第一部分的膜厚薄的上述第二部分，因此在进行间隙控制时，可以很容易地使第一基板可动。(10)在本发明的方式中，其特征在于，所述第一基板具有第一面和比所述第一面低的第二面，所述第一反射膜被形成于所述第一面， 所述第一电极和所述第二电极被形成于所述第二面中。(11)在本发明的方式中，是具有如下特征的光滤波器，即，还具有电位差控制部，该电位差控制部控制所述第一电极与所述第三电极之间的电位差和所述第二电极与所述第四电极之间的电位差。(12)在本发明的方式中，其特征在于，所述电位差控制部，在将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为第一电位差后，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为第二电位差。这样，如后所述，就可以很容易地进行间隙控制。(13)在本发明的方式中，其特征在于，所述电位差控制部在已设定为所述第一电位差的状态下，设定为所述第二电位差。由于在设定为第一电位差后的状态下设定为第二电位差，因此如后所述，可以进行迅速的间隙控制。(14)在本发明的方式中，其特征在于，所述电位差控制部，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为第一电位差，在设定为所述第一电位差后，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为比所述第一电位差大的第二电位差，在已设定为所述第二电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为第三电位差，在设定为所述第三电位差后，在已将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为所述第二电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为比所述第三电位差大的第四电位差。这样，就可以进行更多级的间隙控制。另外，由于从第一电位差设定为比第一电位差大的第二电位差，从第三电位差设定为比第三电位差大的第四电位差，因此可以进行迅速的间隙控制。(15)在本发明的方式中，其特征在于，被设定为所述第二电位差的期间比被设定为所述第一电位差的期间长，
被设定为所述第四电位差的期间比被设定为所述第三电位差的期间长。这样，如后所述，就可以稳定在所需的间隙间隔。(16)在本发明的方式中，其特征在于，所述电位差控制部，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为第一电位差，在设定为所述第一电位差后，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为比所述第一电位差大的第二电位差，在设定为所述第二电位差后，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为比所述第二电位差大的第三电位差，在已设定为所述第三电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为第四电位差，在设定为所述第四电位差后，在已将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为所述第三电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为比所述第四电位差大的第五电位差，在设定为所述第五电位差后，在已将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为所述第三电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为比所述第五电位差大的第六电位差，所述第二电位差与所述第三电位差之差的绝对值小于所述第一电位差与所述第二电位差之差的绝对值，所述第五电位差与所述第六电位差之差的绝对值小于所述第四电位差与所述第五电位差之差的绝对值。 这样，如后所述，就可以稳定在所需的间隙间隔。(17)本发明另一方式的光滤波器�？榘ń邮胀干涔鲜龉饴瞬ㄆ鞯墓獾氖芄庠�。(18)本发明另一方式的分析设备包括前面所述的光滤波器。(19)本发明另一方式的光设备包括前面所述的光滤波器。
图1是表示作为本发明的一个实施例的光滤波器的未施加电压状态的剖面图。图2是表示图1所示的光滤波器的施加电压状态的剖面图。图3(A)是下部电极的俯视图，图3(B)是上部电极的俯视图。图4(A) (B)是从第二基板侧看到的下部、上部电极的重叠状态的俯视图。图5是从第二基板侧透视第二基板而表示第一 第四引出布线的布线布置的俯视图。图6是光滤波器的施加电压控制系统框图。图7是表示电压表数据的一例的特性图。图8是依照电压表数据实现的施加电压的时序图。图9是表示光滤波器的第一、第二反射膜间间隙与透过峰值波长的关系的特性图。
图10是表示第一、第二电极间的电位差与静电引力的关系的特性图。图11是表示关于图7所示的电位差、间隙及可变波长的实施例的数据的特性图。图12是表示图11所示的施加电压与间隙的关系的特性图。图13是表示图11所示的施加电压与透过峰值波长的关系的特性图。图14㈧⑶是表示比较例的第一、第二电极的俯视图。图15是表示关于电位差、间隙及可变波长的比较例的数据的特性图。图16是表示图15所示的施加电压与间隙的关系的特性图。图17是表示图15所示的施加电压与透过峰值波长的关系的特性图。图18是表示本发明的其他实施方式的光滤波器的未施加电压状态的剖面图。图19是作为本发明的另一个实施方式的分析装置的框图。图20是表示图19所示的装置中的分光测定动作的流程图。图21是作为本发明的另一个实施方式的光设备的框图。图中符号说明10光滤波器，20第一基板，20A1第一对置面，20A2第二对置面， 20A21第一面，20A22第二面，30第二基板，30A对置面，40第一反射膜，50第二反射膜，60 下部电极，62第一电极，62A第一环状电极，62B第一引出布线，64第二电极，64A第二环状电极，64B第二引出布线，64C第一间隙，70、70，上部电极，72第三电极，72A第三环状电极，74、74，第四电极，74A、74A，第四环状电极，76A第三引出布线，76B 第四引出布线，78第二间隙，80第一间隙可变驱动部(静电致动器)，90第二间隙可变驱动部(静电致动器)，101 104第一 第四外部连接电极，110电位差控制部，112第一电极驱动部，114 第二电极驱动部，116数字控制部，120电源，200分析设备(测色器)，300光设备，Gl第一间隙，G2第二间隙，L中心线，AVsegl内周侧电位差，Δ Vseg2外周侧电位差，Wl、W2环宽度。
具体实施例方式下面，对本发明的优选的实施方式进行详细说明。而且，以下说明的本实施方式并非对技术方案的范围中记载的本发明的内容进行不当地限定，本实施方式中说明的所有构成不一定必需用作本发明的解决途径。1.光滤波器1.1.光滤波器的滤波部1. 1. 1.滤波部的概要图1是本实施方式的光滤波器10的未施加电压状态的剖面图，图2是施加电压状态的剖面图。图1及图2所示的光滤波器10包括第一基板20、与第一基板20对置的第二基板30。本实施方式中，将第一基板20设为固定基板，将第二基板30设为可动基板或隔膜，然而只要任意一方或双方是可动的即可。本实施方式中，与第一基板20例如一体化地形成有可动地支承第二基板30的支承部22。支承部22既可以设置于第二基板30中，也可以与第一、第二基板20、30独立地形成。第一、第二基板20、30分别例如由钠钙玻璃、结晶性玻璃、石英玻璃、铅玻璃、钾玻璃、硼酸玻璃、无碱玻璃等各种玻璃或水晶等形成。它们当中，作为各基板20、30的构成材料，例如优选含有钠(Na)或钾(K)等碱金属的玻璃，通过利用这种玻璃形成各基板20、30， 就可以提高后述的反射膜40、50、各电极60、70的紧密粘接性、基板之间的接合强度。此外， 通过将这2个基板20、30利用例如使用了等离子体聚合膜的表面活性化接合等接合，将其一体化。第一、第二基板20、30各自被制成一边例如为IOmm的正方形，作为隔膜发挥作用的部分的最大直径例如为5mm。第一基板20是通过利用蚀刻来加工厚度例如为500 μ m的玻璃基材而形成的。第一基板20在与第二基板30对置的对置面中的中央的第一对置面20A1中，形成有例如圆形的第一反射膜40。同样地，第二基板30是通过利用蚀刻来加工厚度例如为200 μ m的玻璃基材而形成的。第二基板30在与第一基板20对置的对置面30A的中央位置，形成有与第一反射膜40对置的例如圆形的第二反射膜50。而且，第一、第二反射膜40、50例如被形成为直径约3mm的圆形。该第一、第二反射膜40、50是利用AgC单层形成的反射膜，可以利用溅射等方法形成于第一、第二基板20、 30中。AgC单层反射膜的膜厚尺寸例如被形成为0.03 μ m。在本实施方式中，作为第一、第二反射膜40、50，给出了使用可以将可见光全部区域分光的AgC单层的反射膜的例子，然而并不限定于此，也可以使用如下的电介质多层膜，即，虽然可以分光的波长区域窄，然而与 AgC单层反射膜相比，分光后的光的透过率大，透过率的半值宽度也窄，分辨率良好，例如可以使用将T^2与SiA的层叠膜层叠后的膜。此外，在与第一、第二基板20、30的各对置面20A1、20A2、30A相反一侧的面中，可
以在与第一、第二反射膜40、50对应的位置形成未图示的防反射膜(AR)。该防反射膜是通过将低折射率膜及高折射率膜交替地层叠而形成的，使第一、第二基板20、30的界面中的可见光的反射率降低，使透过率增大。这些第一、第二反射膜40、50在图1所示的未施加电压状态下被隔着第一间隙Gl 对置配置。而且，本实施方式中，将第一反射膜40设为固定镜，将第二反射膜50设为可动镜，然而也可以与上述的第一、第二基板20、30的方式对应的，将第一、第二反射膜40、50中的任意一方或双方设为可动。在俯视的情况下第一反射膜40的周围的位置，且在第一基板20的第一对置面 20A1的周围的第二对置面20A2中，例如形成有下部电极60。同样地，在第二基板30的对置面30A中，与下部电极60对置地设有上部电极70。下部电极60与上部电极70被隔着第二间隙G2对置地配置。而且，可以将下部、上部电极60、70的表面用绝缘膜覆盖。本实施方式中，第一基板20与第二基板30对置的面具有形成有第一反射膜40 的第一对置面20A1、俯视时配置于第一对置面20A1的周围而形成有下部电极60的第二对置面20A2。第一对置面20A1与第二对置面20A2也可以是同一面，然而在本实施方式中在第一对置面20A1与第二对置面20A2之间具有阶梯差，将第一对置面20A1设定于比第二对置面20A2更靠近第二基板30的位置。这样，即成立第一间隙Gl <第二间隙G2的关系。下部电极60被分割为在电气性上独立的至少K(K为2以上的整数)个段电极，本实施方式中作为K = 2的例子具有第一、第二电极62、64。也就是说，K个段电极62、64分别可以设定为不同的电压，另一方面，上部电极70是处于相同电位的公共电极。上部电极 70也被分割为第三、第四电极72、74。第三、第四电极72、74既可以设为处于相同电位的公共电极，也可以是在电气上独立(可以独立地控制)的结构。例如，可以将第三电极72与第四电极74设为如图4(A)中所示的结构。另外，下部电极60及上部电极70的结构只要是可以独立地控制第一电极62与第三电极72之间的电位差、第二电极64与第四电极74 之间的电位差即可。而且，在K > 3的情况下，可以将针对第一、第二电极62、64说明如下的关系适用于相邻的任意2个段电极。对于这种结构的光滤波器10来说，第一、第二基板20、30都形成有反射膜(第一、 第二反射膜40、50)的区域与形成有电极(下部、上部电极60、70)的区域在俯视的情况下成为不同的区域，不会有像专利文献1那样反射膜与电极被层叠的情况。由此，即使将第一、第二基板20、30的至少一方(本实施方式中是第二基板30)设为可动基板，由于反射膜与电极未被层叠，因此可动基板也可以确保挠曲容易性。而且，与专利文献1不同，由于在下部、上部电极60、70上未形成反射膜，因此即使作为透过型或反射型波长可变干涉光滤波器利用光滤波器10，也不会制约将下部、上部电极60、70设为透明电极。而且，即使是透明电极也会对透过特性造成影响，因此通过在下部、上部电极60、70上不形成反射膜，作为透过型波长可变干涉光滤波器的光滤波器10可以获得所需的透过特性。另外，该光滤波器10中，通过对俯视时配置于第二反射膜50的周围的上部电极70 施加公共电压(例如接地电压)，对俯视时配置于第一反射膜40的周围的构成下部电极60 的K个段电极62、64各自施加独立的电压，如图2所示地在对置电极间作用以箭头表示的静电引力，就可以使第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl按照达到比初期间隙的大小更小的间隙的方式可变。也就是说，如表示电压施加状态的光滤波器10的图2所示，由第一电极62和与之对置的上部电极70构成的第一间隙可变驱动部(静电致动器)80、由第二电极64和与之对置的上部电极70构成的第二间隙可变驱动部(静电致动器)90被各自独立地驱动。像这样，因具有俯视时仅配置于第一、第二反射膜40、50的周围的独立的多个(K 个)间隙可变驱动部80、90，就可以通过使对K个段电极62、64施加的电压的大小、从K个段电极62、64当中为了施加电压而选择的段电极数这2个参数变化，来控制第一、第二反射膜40、50之间的间隙的大小。如果像专利文献1所述，参数仅为电压的种类，则很难兼顾大的间隙可动范围和对于由噪音等造成的电压变动的低灵敏度。通过像本实施方式那样，加上电极数这样的参数，就可以通过将与仅用电压控制的情况相同的施加电压范围应用于各个段电极，而在大的间隙可动范围中产生进一步微调了的静电引力，进行精细的间隙调整。这里，将施加电压的最大值设为Vmax，将间隙设为以N级可变。在下部电极60未被分割为多个的情况下，需要将最大电压Vmax分割N份来分配施加电压。此时，将不同的施加电压间的电压变化量的最小值设为Δν π η。另一方面，本实施方式中，对K个段电极的各个电极的施加电压只要将最大电压Vmax平均地(Ν/Κ)分割来进行分配即可。此时，对于K个段电极的各个电极，将施加在同一段电极上的不同的施加电压间的电压变化量的最小值设为AVkmin。该情况下，可知AVlmin < Δ Vkmin成立。像这样，如果可以确保电压最小变化量AVkmin较大，则即使因依赖于电源变动或环境等的噪音而使对K个第一、第二电极62、64的施加电压略有变动，间隙变动也会变小。也就是说，对于噪音的灵敏度�。谎灾缪沽槊舳缺湫�。这样，就可以实现高精度的间隙控制，不一定需要像专利文献1那样对间隙进行反馈控制。另外，即使对间隙进行了反馈控制，由于对于噪音的灵敏度�。虼艘部梢院芸斓厥怪榷ā１臼凳┓绞街校巳繁Ｗ魑啥宓牡诙�30的挠曲性，如图1所示，将形成有上部电极70的区域设为例如厚度尺寸为50 μ m左右的薄壁部34。该薄壁部34被以比配置有第二反射膜50的区域的厚壁部32以及与支承部22接触的区域的厚壁部36更薄的壁厚形成。换言之，第二基板30的形成有第二反射膜50及上部电极70的面30A是平坦面，在配置有第二反射膜50的第一区域中形成厚壁部32，在形成有上部电极70的第二区域中形成薄壁部34。像这样，通过在用薄壁部34确保挠曲性的同时，使厚壁部32难以挠曲， 第二反射膜50就可以保持平面度地使间隙可变。而且，本实施方式中，虽然将独立的多个(K个)间隙可变驱动部分别用由一对电极构成的静电致动器来构成，然而也可以将它们的至少一个置换为压电元件等其他的致动器。但是，非接触地提供吸引力的静电致动器由于多个的间隙可变驱动部之间的干涉少，在高精度地控制间隙方面更为合适。与此不同，例如在将2个压电元件配置于第一、第二基板 20、30之间的情况下，会产生没有驱动的压电元件妨碍由其他的驱动着的压电元件造成的间隙变位等，对于独立地驱动多个间隙可变驱动部的方式来说带来弊病。从这一点考虑，优选将多个间隙可变驱动部用静电致动器来构成。1.1.2.下部电极构成下部电极60的K个段电极62、64如图3 (A)所示，可以相对于第一反射膜40 的中心以同心环状配置。也就是说，第一电极62具有第一环状电极部62A，第二电极64在环状电极部62A的外侧具有第二环状电极部64A，各环状电极部62A、64A被相对于第一反射膜以同心环状形成。而且，所谓“环状”或“环形状”不限于封闭环，也包括不连续的环状， 不限于圆形环，也包括矩形环或多边形环等。这时，即如图2所示，相对于第一反射膜40的中心线L，第一、第二电极62、64各自形成线对称配置。这样，由于在施加电压时作用于下部、上部电极60、70之间的静电引力 F1、F2相对于第一反射膜40的中心线Ll线对称地作用，因此第一、第二反射膜40、50的平
行度高。而且，如图3㈧所示，可以使第二电极64的环宽度W2比第一电极62的环宽度Wl 更宽(W2>W1)。这是因为，静电引力与电极面积成正比例，要求利用第二电极64产生的静电引力F2—方比利用第一电极62产生的静电引力Fl大。更具体来说，外侧的第二电极64 被设为比第一电极62更接近作为铰链部发挥最用的基板支承部22。由此，第二电极64需要产生克服铰链部22中的阻力的大的静电引力F2。外侧的第二电极64与内侧的第一电极 62相比直径大，即使宽度Wl =宽度W2，第二电极64的面积也更大。由此，虽然也可以设为宽度Wl =宽度W2，然而通过进一步拓宽环宽度W2，就可以进一步增大面积而产生大的静电引力F2。特别是，在像后述那样，将外侧的第二电极64比内侧的第一电极62先驱动的情况下，由于第二电极64与上部电极70之间的初始间隙G2大，因此在可以增大第二电极64的面积而产生大的静电引力F2的方面也是有利的。该情况下，在内侧的第一电极62的驱动时，只要第二电极64的驱动状态被维持，间隙就会变�。虼思词沟谝坏缂�62的环宽度Wl 小也不会有驱动上的弊病。这里，分别在第一电极62处连接有第一引出布线62B，在第二电极64处连接有第二引出电极64B。这些第一、第二引出电极62B、64B例如被从第一反射膜40的中心朝向放射方向延伸地形成。设有使第二电极64的第二环状电极部64A不连续的第一间隙64C。从内侧的第一电极62中延伸出来的第一引出布线62B被穿过形成于外侧的第二电极64中的第一间隙64C向第二电极64的外方引出。像这样，在将第一、第二电极62、64分别设为环状电极部62A、64A的情况下，可以利用形成于外侧的第二电极64中的第一间隙64C2容易地确保内侧的第一电极62的第一引出布线62B的取出路径。1.1.3.上部电极配置于第二基板30中的上部电极70可以形成于第二基板30中的包括与形成于第一基板20中的下部电极60(第一、第二电极62、64)对置的区域的区域中。在将上部电极70做为被设定为同一电压的公共电极的情况下，例如也可以设成普通电极。除此以外，也可以像本实施方式那样，将配置在相对于第一基板20变位的第二基板30中的上部电极70与下部电极60相同地设为K个段电极。该K个段电极也可以相对于第二反射膜50的中心以同心环状配置。这时，由于形成于可动的第二基板30中的电极面积被缩小为最小必需限度，因此第二基板30的刚性变低，可以确保挠曲容易性。构成上部电极70的K个段电极可以如图1、图2及图3⑶所示，具有第三电极72 及第四电极74。第三电极72具有第三环状电极部72A，第四电极74在第三环状电极部62A 的外侧具有第四环状电极部74A，各环状电极部72A、74A相对于第二反射膜被以同心环状形成。“同心环状”的意味与下部电极60的情况相同。第三电极72与第一电极62相对置， 第四电极74与第二电极64相对置。这样，本实施方式中第四电极74的环宽度(与第二电极64的环宽度W2相同)大于第三电极72的环宽度(与第一电极62的环宽度Wl相同)。另外，也可以将第三、第四电极72、74之间电连接，设定为同一电位。该情况下，例如第三、第四引出电极76A、76B例如从第二反射膜50的中心朝向放射方向延伸地形成。第三、第四引出电极76A、76B各自被与内侧的第三电极72和外侧的第四电极74双方电连接。 而且，由于将第三、第四电极72、74设为公共电极，因此也可以利用1根引出电极连接，然而通过将引出电极设为多个，就可以减小布线电阻，加快公共电极的充放电速度。而且，在第三、第四电极72、74是在电气性上独立的结构的情况下，在各个电极中形成引出电极。1. 1.4.下部、上部电极的重合区域图4(A)表示从第二基板30侧看到的本实施方式的下部、上部电极60、70的俯视时的重叠状态。图4(A)中，位于下侧的下部电极60由于第一、第二电极62、64与第二电极的第三、第四电极72、74相对置，因此在从第二基板30侧看的俯视中不能显现。位于下侧的下部电极60如阴影所示，仅第一、第二引出布线62B、64B在从第二基板30侧看的俯视中显现出来。第一引出布线62B由于上部电极70的第三环状电极部74A在圆周方向是连续的，因此中间区域62B1与第三环状电极部74A的对置区域74A1相对置。本实施方式中，如图3 (A)所示，下部电极60中的外侧的第二电极64由于具有第一间隙64C，因此在该间隙64C的区域中不会作用基于对第二电极64施加的电压的静电引力F2(参照图2)。另一方面，由于在该第一间隙64C内如图3㈧所示配置有第一引出布线62B，因此可以在第一间隙64C内产生作用于与内侧的第一电极62是相同电位的第一引出布线62B 与外侧的第四电极74之间的静电引力Fl (参照图2)。作为其优点，例如在将第一、第二电极62、64用实质上相同的电压驱动的情况下，可以在外侧的第四电极74的大致全周(包括与第一间隙64C的对置区域74A1)产生均等的静电引力。图4(B)表示从第二基板30侧看到的作为变形例的下部、上部电极60、70’的俯视时的重叠状态。图4(B)的上部电极70’与图4(A)的上部电极70不同的方面在于，第四电极74在与下部电极60的第一间隙64C对置的位置，还具有使第四环状电极部74A’不连续的第二间隙78。在其余的方面，图4(B)的上部电极70’与图4(A)的上部电极70相同。这时，就不会存在与第一引出布线62B对置的电极。由此，例如在驱动内侧的第一电极62时，可以阻止在第一间隙64C内产生作用于与内侧的第一电极62是相同电位的第一引出布线62B与外侧的第四电极74’之间的不需要的静电引力。1.1.5.引出布线图5是从第二基板30侧透视第二基板30的俯视图，表示第一 第四引出布线 62B、64B、76A、76B的布线布置。图5中，第一、第二基板20、30的至少一方被设成具有第一及第二对角线的矩形基板。在本实施方式中，第一、第二基板20、30各自被制成一边例如为 IOmm的正方形。在将第一引出布线62B沿着第一对角线从第一电极62A中延伸出来的方向设为第一方向Dl时，则第二引出布线64B就在第一对角线上沿着成为与第一方向Dl相反的方向的第二方向D2延伸。第三引出布线76A在沿着第二对角线的第三方向D3上延伸。第四引出布线76B在第二对角线上沿着成为与第三方向D3相反的方向的第四方向D4 延伸。此外，在俯视的情况下矩形基板20、30的四角的位置，设有连接第一 第四引出布线 62B、64B、76A、76B的第一 第四连接电极部101 104。这时，首先，形成于第一基板20的第一、第二引出布线62B、64B与形成于第二基板30的第三、第四引出布线76A、76B在俯视的情况下就不会叠加，不会构成平行电极。由此，在第一、第二引出布线62B、64B与第三、第四引出布线76A、76B之间就难以产生无谓的静电引力，另外，可以减少无谓的电容。此外，分别延至第一 第四连接电极部101 104 的第一 第四引出布线62B、64B、76A、76B的布线长度变得最短。这样，第一 第四引出布线62B、64B、76A、76B的布线电阻及布线电容就会变�。佣梢越谝� 第四电极62、64、 72、74高速地充放电。而且，第一 第四引出布线62B、64B、76A、76B的结构也可以是，第一基板在俯视的情况下具有第一假想直线、与第一假想直线相交的第二假想直线，第一引出布线62B在沿着第一假想直线的第一方向上延伸，第二引出布线64B在沿着第一假想直线并且与第一方向相反的方向即第二方向上延伸，第三引出布线76A在沿着第二假想直线的第三方向上延伸，第四引出布线76B在沿着上述第二假想直线并且与上述第三方向相反的方向即第四方向上延伸。而且，第一 第四外部连接电极部101 104也可以在第一、第二基板20、30的任意一方或双方中各设置一部分。在仅在第一、第二基板20、30的任意一方中设置第一 第四外部连接电极部101 104的情况下，可以将配置于第一、第二基板20、30的另一方中的引出布线利用导电性膏剂等与形成于一方的基板中的外部连接电极部连接。而且，第一 第四外部连接电极部101 104经由导线或键合引线等连接部与外部连接。另外，第一 第四引出布线62B、64B、76A、76B也可以与将第一、第二基板20、30接合的例如等离子体聚合膜交叉。或者，也可以经由设置于第一、第二基板20、30的接合面的一方中的槽部，将第一 第四引出布线62B、64B、76A、76B越过接合面向外部引出。1.2.光滤波器的电压控制系统1. 2. 1.施加电压控制系统框的概要图6是光滤波器10的施加电压控制系统框图。如图6所示，光滤波器10具有控制下部电极60与上部电极70之间的电位差的电位差控制部110。本实施方式中，由于作为公共电极的上部电极70(第三、第四电极72、74)被固定为一定的公共电压，例如接地电压 (OV)，因此电位差控制部110使对作为构成下部电极60的K个段电极的第一、第二电极62、 64施加的施加电压变化，分别控制第一、第二电极62、64各自与上部电极70之间的内周侧电位差AVsegl及外周侧电位差AVseg2。而且，上部电极70也可以施加接地电压以外的公共电压，该情况下，电位差控制部110也可以对上部电极70控制公共电压的施加/不施加。图6中，电位差控制部110包括与第一电极62连接的第一电极驱动部，例如第一数字-模拟转换器(DAC1)112 ；与第二电极64连接的第二电极驱动部，例如第二数据-模拟转换器(DAC2)114 ；对它们进行控制，例如进行数字控制的数字控制部116。向第一、第二数字-模拟转换器112、114供给来自电源120的电压。第一、第二数字-模拟转换器112、 114接受来自电源120的电压的供给，并且输出与来自数字控制部116的数字值对应的模拟电压。电源120可以利用安装了光滤波器10后的分析设备或光设备中所装备的电源，然而也可以使用光滤波器10专用的电源。1. 2. 2.光滤波器的驱动方法图7是表示作为图6所示的数字控制部116中的控制的基础数据的电压表数据的一例的特性图。该电压表数据既可以设置于数字控制部116自身中，也可以装备在安装有光滤波器10的分析设备或光设备中。图7作为用于通过对K个第一、第二电极62、64各自依次施加电压而以共计N级使第一、第二反射膜40、50之间的间隙可变的电压表数据，表示出N = 9的例子。而且，图7 中，在第一、第二电极62、64双方与上部电极70之间的各电位差都为OV时，不包含于N级的间隙可变范围中。图7仅表示对第一、第二电极62、64的至少一方施加对上部电极70施加的公共电压的电压值(OV)以外的电压值的情况。但是，也可以将第一、第二电极62、64 双方与上部电极70之间的各电位差都为OV时定义为透过峰值波长最大。电位差控制部110依照图7所示的电压表数据，对K个段电极(第一、第二电极62、 64)分别施加按K个段电极(第一、第二电极62、64)的每一个设定的电压值。图8是通过以图7所示的电压表数据的数据编号顺序驱动而实现的施加电压的时序图。如图7及图8所示，对第一电极62，施加L = 4种电压(VII VI4:VI1 < VI2
<VI3 < VI4)，对第二电极 64，施加 M = 5 种电压(V01 V05 :V01 < V02 < V03 < V04
<V05)，使第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl以g0 g8这9级(N = L+M = 9) 可变。利用这种电压控制，在光滤波器10中，可以实现图9所示的波长透过特性。图9 表示将第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl的大小例如变化为g0 g3时的波长透过特性。在光滤波器10中，当将第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl的大小例如设成可变为g0 g3(g0 > gl > g2 > g3)时，即与该第一间隙Gl的大小对应地决定透过峰值波长。即，对于透过光滤波器10的光的波长λ，其半波长(λ/幻的整数(η)倍与第一间隙Gl —致(ηΧ λ = 2G1)，半波长(λ/2)的整数(η)倍与第一间隙Gl不一致的光在由第一、第二反射膜40、50进行多重反射的过程中相互干涉而被衰减，不会透过。所以，如图9所示，通过使第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl的大小缩窄为g0、gl、g2、g3地变化，透过光滤波器10的光，即透过峰值波长就会依次变短为λ 0、λ 1、 入2、入3(入0> λ 1 > λ 2 > λ 3)。这里，L、M、N的值可以任意地变更，然而优选设为L彡3、Μ彡3、Ν彡6的整数。当设为L彡3、M彡3、Ν彡6时，就可以将内周侧电位差AVsegl及外周侧电位差AVseg2分别从按第一、第二电极62、64的每一个设定的第一电位差AVl切换为比第一电位差八Vl 大的第二电位差ΔΥ2、比第二电位差AV2大的第三电位差AV3。如图7所示，电位差控制部110首先对外侧的第二电极64依次施加电压VOl 电压V05。由于上部电极70为0V，因此可以将上部电极70与第二电极64之间的电位差依次增大为第一电位差V01、第二电位差V02、第三电位差V03、第四电位差V04、第五电位差V05、 外周侧电位差Vseg2。这样，第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl的大小就会依次缩窄为g0 — gl — g2 — g3 — g4。其结果是，透过光滤波器10的光，即透过峰值波长依次变短为入0 — λ — λ2 — λ3 — λ 4。然后，电位差控制部110如图7所示，在维持对第二电极64的最大施加电压V05的施加的同时，电位差控制部Iio对内侧的第一电极62依次施加电压VIl 电压VI4。由于上部电极70为0V，因此可以将上部电极70与第一电极62之间的电位差依次增大为第一电位差VII、第二电位差VI2、第三电位差VI3、第四电位差VI4、内周侧电位差Vsegl。这样，第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl的大小就会依次变小为g5 — g6 — g7 — g8。其结果是，透过光滤波器10的光，即透过峰值波长依次变短为λ5— λ6— λ7—入8。电位差控制部110对外周侧电位差Vseg2，至少从第一电位差VOl切换到比第一电位差VOl大的第二电位差V02，继而切换到比第二电位差V02大的第三电位差V03，对内周侧电位差Vsegl，至少从第一电位差VI1切换到比第一电位差VI1大的第二电位差VI2，继而切换到比第二电位差VI2大的第三电位差VI3，因此可以抑制可动侧的第二基板30的衰减自由振动，从而可以实施迅速的波长可变动作。而且，电位差控制部110对第一、第二电极62、64各自作为3个值以上的电压(也可以包括电压0)，对第一电极62至少施加第一段电压VII、第二段电压VI2及第三段电压VI3，对第二电极64至少施加第一段电压V01、第二段电压V02及第三段电压V03。这样，只要驱动第一、第二电极62、64的各一个，就可以分别实现3级以上的间隙可变，不需要徒劳地增多下部电极60的段电极数。1.2.3.电压变化量(第一电位差与第二电位差之差的绝对值等)电位差控制部110可以对内周侧电位差Vsegl及外周侧电位差Vseg2，分别使第二电位差与第三电位差之差的绝对值小于第一电位差与第二电位差之差的绝对值。本实施方式中由于上部电极70是公共电压OV且保持不变，因此例如所谓作为外周侧电位差Vseg2 的第一电位差与第二电位差之差的绝对值，如图7及图8所示，是与对第二电极64施加的第一段电压VOl及第二段电压V02之间的电压变化量Δ VOl等价的。如图7及图8所示，外周侧电位差Vseg2的电压变化量处于AVOl > AV02 > AV03 > AV04依次变小的关系， 内周侧电位差Vsegl电压变化量也处于AVIl > ΔΥΙ2 > Δ VI3依次变小的关系。
处于这种关系的理由如下所示。静电引力F可以表示为“F= (1/2) ε (V/G”S，，。这里，ε 介电常数，V:施加电压，G 电极间间隙，S:电极对置面积。根据该式子，静电引力F与下部、上部电极60、70之间的电位差(本实施方式中是对下部电极60的施加电压V)的平方成正比例。图10是与电位差V的平方成正比例的静电引力F的特性图(F = V2的图)。如图10所示，在电位差 V变大的方向上，切换为第一电位差、第二电位差、第三电位差时，在第一电位差与第二电位差之差的绝对值Δν 、第二电位差与第三电位差之差的绝对值AV2相同的情况下(图10 中AVl = AV2)，静电引力的增加量AF就会从AFl急剧地增大到AF2，导致超调。所以，第二电位差与第三电位差之差的绝对值Μ2小于第一电位差与第二电位差之差的绝对值AV2。这样，就可以抑制间隙变窄时的静电引力的急剧的增大，可以进一步抑制超调，可以实现更加迅速的波长可变动作。1.2.4.电压施加期间电位差控制部110对于内周侧电位差Vregl及外周侧电位差Vreg2，可以分别使对第二电位差设定的期间比对第一电位差设定的期间长，使对第三电位差设定的期间比对第二电位差设定的期间长。本实施方式中，如图8所示，对于外周侧电位差Vreg2，第二电位差VOl的期间T02比第一电位差VOl的期间TOl长，第三电位差V03的期间T03比第二电位差V02的期间T02长，处于TOl < T02 < T03 < T04 < T05依次变长的关系。同样地，如图8所示，对于内周侧电位差Vregl，第二电位差VIl的期间TI2比第一电位差VIl的期间 TIl长，第三电位差VI3的期间TI3比第二电位差VI2的期间TI2长，处于TIl < TI2 < TI3 < TI4 < TI5依次变长的关系。在设为比第一电位差大的第二电位差时，或者在设为比第二电位差大的第三电位差时，第二基板30的复原力也会变大。由此，第二基板30达到静止以前的时间变长。艮口， 第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl达到稳定于固定位置为止的时间变长。与之不同，通过像本实施方式那样，使对第二电位差设定的期间比对第一电位差设定的期间长，对第三电位差设定的期间比对第二电位差设定的期间长，由此就可以使第一间隙Gl稳定于规定值。1.2.5.电位差、间隙及可变波长的实施例图11是表示图7所示的电位差、间隙及可变波长的实施例的数据的特性图。图11 的数据编号1 9与图7的数据编号1 9相同。图12是表示图11所示的施加电压与间隙的关系的特性图。图13是表示图11所示的施加电压与透过峰值波长的关系的特性图。图11中，为了使透过峰值波长以从透过峰值波长的最大波长λ 0 = 700nm到最小波长λ 8 = 380nm以9级可变，而使第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl从最大间隙g0 = 300nm变到到最小间隙g8 = 140nm这9级(也参照图12)。与之对应，透过峰值波长从最大波长λ 0变到最小波长入8这9级(也参照图13)。而且，图11中，通过将从最大间隙g0到最小间隙g8的9级的间隙g0 g8设定为等间隔(=40nm)，从最大波长 λ 0到最小波长λ 8的9级的波长λ 0 λ 8也变为等间隔(=40nm)。像这样，通过使第一、第二反射膜之间的第一间隙Gl的大小逐次地依次缩窄一定量地变化，透过峰值波长也会逐次变短一定值。电位差控制部110将外周侧电位差Vseg2依次设定为VOl = 16. 9V、V02 = 21. 4V、V03 = 25V、V04 = 27. 6V、V05 = 29. 8V，在维持为V05 = 29. 8V的状态下，将内周侧电位差 Vsegl 依次设定为 VIl = 16. 4V.VI2 = 22. 2V、VI3 = 26. 3V.VI4 = 29. 3V。而且，对于第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl的大�。牖谕庵懿嗟缥徊頥reg2的静电引力F2相比，基于内周侧电位差Vregl的静电引力Fl的影响更大。由此， 在首先使内周侧电位差Vregl变化后，即使在将内周侧电位差Vregl维持为一定值的同时， 使外周侧电位差Vreg2变化，由内周侧电位差Vregl造成的静电引力Fl也是支配性的，第一、第二反射膜40、50之间的间隙不会像外周侧电位差Vreg2那样变化。所以，本实施方式中在首先使外周侧电位差Vreg2变化后，在将外周侧电位差Vreg2维持为一定值的状态下， 使内周侧电位差Vregl变化。电位差控制部110在外周侧电位差Vreg2到达外周侧最大电位差V05后，将外周侧电位差Vreg2维持为外周侧最大电位差V05而使内周侧电位差Vregl变化。这时，就可以从由外周侧最大电位差V05设定的第一间隙Gl起，进一步实现由内周侧电位差Vregl的施加造成的逐步的间隙变化。而且，在施加内周侧电位差Vregl后，由于已经达到外周侧最大外周侧电位差V05，因此就不需要使外周侧电位差Vreg2进一步变化。由此，在使外周侧电位差Vreg2变化时，不会产生由内周侧电位差Vregl造成的支配性的静电引力F2的不良影响。在电位差控制部110将内周侧电位差Vregl设定为内周侧最大电位差VI4时，第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl就被设定为最小间隔g8。可以使外周侧最大电位差V05及内周侧最大电位差VI4各自在不超过向电位差控制部110供给的最大电压Vmax的范围中实质上相等。本实施方式中，从图6所示的电源120向电位差控制部110供给例如最大电压Vmax = 30V。此时，外周侧最大电位差V05被设定为不超过最大电压Vmax (30V) 的29. 8V，内周侧最大电位差VI4也被设定为不超过最大电压Vmax (30V)的29. 3V。图11中，虽然在外周侧最大电位差V05及内周侧最大电位差VI4之间存在0.5V 的微小的差异，然而可以说在实质上是相同的。该微小的差异是对内周侧电位差Vregl及外周侧电位差Vreg2各自按照在不超过最大电压Vmax (30V)的范围的满刻度中(参照图12 及图1 获得等间隔的透过峰值波长的方式设计的结果。为使外周侧最大电位差V05及内周侧最大电位差VI4严格地一致，可以调整第一、第二电极62、64的面积比等，然而使之严格地一致的必要性不高。而且，本实施方式的驱动法中，具有如下的优点，即，通过使外周侧最大电位差V05及内周侧最大电位差VI4在实质上相等，就可以如图4(A)中说明所示，在外侧的第四电极74的大致全周(包括与第一间隙64C的对置区域74A1)产生均等的静电引力。本实施方式中，电位差控制部110通过对K = 2个第一、第二电极62、64各自依次施加电压，而以共计N = 9级使第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl可变。此时，将对1( = 2个第一、第二电极62、64中的同一段电极62(或64)施加的各施加电压间的电压变化量的最小值定义为AVkmin。图7及图11的例子中，对于第一电极62，AVkmin = AVI3 =3. 0V，对于第二电极64，Δ Vkmin = AV04 = 2. 2V0如果考虑到电源噪音为0. IV左右， 则根据与以下的比较例的比较也可以清楚地看到，该最小电压值Δ Vkmin对噪音的灵敏度小。1.2.6.比较例
比较例中，如图14㈧⑶所示，取代本实施方式的下部电极60，使用图14(A)所示的下部电极61，取代本实施方式的上部电极70，使用图14(B)所示的上部电极71。也就是说，比较例的下部、上部电极61、71未被进行段分割。图15是表示图14(A)⑶所示的下部、上部电极61、71之间的电位差和由此得到的间隙及可变波长的数据的特性图。图15的数据编号1 9与图7及图11的数据编号 1 9相同。图16是表示图15所示的施加电压与间隙的关系的特性图。图17是表示图 15所示的施加电压与透过峰值波长的关系的特性图。在图15中，也是为了使透过峰值波长以从透过峰值波长的最大波长λ 0 = 700nm 到最小波长λ 8 = 380nm以9级可变，而使第一、第二反射膜40、50之间的第一间隙Gl可变为从最大间隙g0 = 300nm到最小间隙g8 = 140nm这9级(也参照图15)。与之对应，透过峰值波长可变为从最大波长λ 0到最小波长λ 8这9级(也参照图16)。但是，比较例中，必须在最大电压Vmax(30ν)的满刻度中设定对作为单一电极的下部电极61施加的9级的电压。将像比较例那样以单一电极形成下部电极61时的N = 9级的各施加电压间的电压最小变化量定义为AVlmin。图15的例子中，Δ Vlmin = 0. 9V。如果考虑到电源噪音为 0. IV左右，则比较例的电压最小变化量AVlmin对噪音的灵敏度大。如果对本实施方式的电压最小变化量AVkmin与比较例的电压最小变化量Vlmin 进行比较，则AVlmin < ΔVkmin成立，在本实施方式中可以减小对噪音的灵敏度。2.光滤波器的变形例图18表示与图1的光滤波器10不同的光滤波器11。图18所示的第一基板21的在图1中形成有下部电极60的第二对置面20Α2包括俯视时形成有第一反射膜40的第一对置面20Α1的周围的第一面20Α21、俯视时配置于第一面20Α21的周围而与第一面20Α21 之间存在阶梯差的第二面20Α22。第一电极62被配置于第一面20Α21中，第二电极64被配置于第二面20Α22中，第二电极64与上部电极70之间的初始的间隙G22不同于第一电极62与上述上部电极70之间的初始的间隙G21。处于这种关系的理由如下所示。初始的间隙G21、G22中的与最先被驱动的例如第二电极64对应的初始的间隙G22因作用于该第二电极64与第二电极之间的静电引力而变窄。此时，间隙G21也同时地变窄，与初始间隙相比变小。由此，在驱动第一电极62时，间隙G21与初始值相比变小。这里，假设第一面20A21与第二面20A22齐平且间隙G21、G22的初始值相同。该情况下，例如最先驱动第二电极64时的间隙G22就会比其后驱动第一电极62时的间隙G21 大。由此，就必须将最先驱动第二电极64时的静电引力过度地设定成大于第一电极64被驱动时的静电引力。这样，在该情况下最好如图18所示，使间隙G22的初始值小于间隙G21的初始值。 而且，在最先驱动第一电极62的情况下，只要使间隙G21的初始值小于间隙G22的初始值即可。3.分析设备图19是表示作为本发明的一个实施方式的分析设备的一例的测色器的概略构成的框图。图19中，测色器200具备光源装置202、分光测定装置203、测色控制装置204。该测色器200从光源装置202向检查对象A射出例如白光，使由检查对象A反射的光即检查对象光射入到分光测定装置203。此后，利用分光测定装置203将检查对象光分光，实施分光特性测定，以测定分光后的各波长的光的光量。换言之，使作为由检查对象A反射的光即检查对象光射入到标准具(光滤波器)10，实施测定从标准具10中透过的透过光的光量的分光特性测定。此后，测色控制装置204基于所得的分光特性，进行检查对象A的测色处理， 即，分析以何种程度含有哪个波长的颜色。光源装置202具备光源210、多个透镜212(图1中仅记载了 1个)，向检查对象A 射出白色光。另外，在多个透镜212中，包含准直透镜，光源装置202将从光源210中射出的白色光利用准直透镜设为平行光，从未图示的投射透镜向检查对象A射出。分光测定装置203如图19所示，具备标准具10、包含受光元件的受光部220、驱动电路230、控制电路部M0。另外，分光测定装置203在与标准具10对置的位置，具备将由检查对象A反射的反射光(测定对象光)导向内部的未图示的入射光学透镜。受光部220由多个光电交换元件(受光元件)构成，生成与受光量对应的电信号。 此外，受光部220被与控制电路部240连接，将所生成的电信号作为受光信号向控制电路部 240输出。而且，可以用标准具10和受光部(受光元件)220进行组件化，构成光滤波器�？椤Ｇ缏�230被与标准具10的下部电极60、上部电极70及控制电路部240连接。 该驱动电路230基于从控制电路部240输入的驱动控制信号，向下部电极60及上部电极70 之间施加驱动电压，使第二基板30移动至规定的变位位置。作为驱动电压，只要按照在下部电极60与上部电极70之间产生所需的电位差的方式施加即可，例如也可以对下部电极 60施加规定的电压，将上部电极70设为接地电位。作为驱动电压，优选使用直流电压。控制电路部240控制分光测定装置203的整体动作。该控制电路部240如图19 所示，例如由CPU250、存储部260等构成。此外，CPU350基于存储于存储部250中的各种程序、各种数据，实施分光测定处理。存储部250例如具备存储器或硬盘等存储介质，将各种程序、各种数据等能够恰当地读出地存储。这里，在存储部260中，作为程序，存储有电压调整部沈1、间隙测定部沈2、光量识别部沈3以及测定部沈4。而且，间隙测定部沈2也可以如上所述地省略。另外，在存储部260中，存储有为了调整第一间隙Gl的间隔而对静电致动器80、90 施加的电压值、以及与施加该电压值的时间建立关联的图7所示的电压表数据沈5。测色控制装置204与分光测定装置203及光源装置202连接，实施光源装置202的控制、基于利用分光测定装置203取得的分光特性的测色处理。作为该测色控制装置204， 例如可以使用通用的个人计算机、携带信息终端，此外还可以使用测色专用计算机等。此外，测色控制装置204如图19所示，具备光源控制部272、分光特性取得部270 及测色处理部271等。光源控制部272与光源装置202连接。此外，光源控制部272例如基于使用者的设定输入，向光源装置202输出规定的控制信号，从光源装置202中射出规定的亮度的白色光。
分光特性取得部270与分光测定装置203连接，取得从分光测定装置203输入的分光特性。测色处理部271基于分光特性，实施用于测定检查对象A的色度的测色处理。例如，测色处理部271将从分光测定装置203取得的分光特性曲线化，实施向未图示的打印机或显示器等输出装置输出等处理。图20是表示分光测定装置203的分光测定动作的流程图。首先，控制电路部240 的CPU250使电压调整部沈1、光量识别部263及测定部264起动。另外，CPU250作为初始状态，将测定次数变量η初始化(设定为η = 0)(步骤Si)。而且，测定次数变量η取 以上的整数的值。之后，测定部264在初始状态下，即，在未对静电致动器80、90施加电压的状态下， 测定透过标准具10的光的光量(步骤S2)。而且，该初始状态下的第一间隙Gl的大小例如也可以在分光测定装置的制造时预先测定，存储于存储部260中。此后，将在这里得到的初始状态的透过光的光量及第一间隙Gl大小向测色控制装置204输出。然后，电压调整部261将存储于存储部沈0中的电压表数据265读入(步骤S3)。 另外，电压调整部261在测定次数变量η上加上“1” (步骤S4)。之后，电压调整部261从电压表数据沈5中，取得与测定次数变量η对应的第一、 第二电极62、64的电压数据及电压施加期间数据(步骤S5)。此后，电压调整部向驱动电路230输出驱动控制信号，实施依照电压表数据沈5的数据来驱动静电致动器80、90的处理(步骤S6)。另外，测定部264在经过施加时间的时刻，实施分光测定处理(步骤S7)。S卩，测定部264利用光量识别部263测定透过光的光量。另外，测定部264进行如下控制，向测色控制装置204输出将测定出的透过光的光量和透过光的波长建立关联的分光测定结果。而且，对于光量的测定，也可以将多次或所有次数的光量的数据预先存储于存储部260中，在取得多次的每一次光量的数据或所有的光量的数据后，集中测定各个光量。之后，CPU250判断测定次数变量η是否达到最大值Ν(步骤S8)，当判断为测定次数变量η为N时，即结束一连串的分光测定动作。另一方面，在步骤S8中，测定次数变量 η小于N的情况下，回到步骤S4,实施在测定次数变量η上加上“1”的处理，反复进行步骤 S5 步骤S8的处理。4.光设备图21是表示作为本发明的一个实施方式的光设备的一例的波分多路复用通信系统的发射机的概略构成的框图。在波分多路复用(WDM Wavelength Division Multiplexing)通信中，如果利用波长不同的信号不会相互干涉的特性，在一条光纤内多路地使用波长不同的多个光信号，则可以不增设光纤线路地提高数据的传输量。图21中，波分多路复用发射机300具有被射入来自光源301的光的光滤波器10， 从光滤波器10中透过多个波长λ 0、λ 1、λ 2、...的光。按每个波长设置发射机311、312、 313。来自发射机311、312、313的多个信道的光脉冲信号由波分多路复用装置321合并为 1个而向一条光纤传输路331送出。本发明也可以同样地应用于光码分复用(OCDM =Optical CodeDivision Multiplexing)发射机中。OCDM利用编码了的光脉冲信号的模式比对来识别信道，这是因为，构成光脉冲信号的光脉冲含有不同的波长的光成分。 以上，虽然对几个实施方式进行了说明，然而对于本领域技术人员来说可以很容易地理解，可以进行在实质上不脱离本发明的新事项及效果的很多变形。这种变形例全都包含于本发明的范围中。例如，在说明书或附图中，至少一次可以将与更为广义或同义的不同用语一起记载的用语在说明书或附图的任何的部位置换为该不同的用语。
权利要求
1.一种光滤波器，其特征在于，包括第一基板；与所述第一基板对置的第二基板； 第一反射膜，其被设置于所述第一基板；第二反射膜，其被设置于所述第二基板并与所述第一反射膜对置； 第一电极，其被设置于所述第一基板，在俯视的情况下被形成于所述第一反射膜的周围；第二电极，其被设置于所述第一基板，在俯视的情况下被形成于所述第一电极的周围；第三电极，其被设置于所述第二基板，并与所述第一电极对置；及第四电极，其被设置于所述第二基板，并与所述第二电极对置。
2.根据权利要求1所述的光滤波器，其特征在于， 所述第一电极与所述第二电极在电气上独立，所述第三电极与所述第四电极经由连接部被电连接。
3.根据权利要求1或2所述的光滤波器，其特征在于， 还包括与所述第一电极连接的第一布线；及与所述第二电极连接的第二布线，所述第一电极具有第一环状，所述第二电极具有带第一间隙的第二环状，所述第一布线的一部分被形成于已形成了所述第一间隙的区域。
4.根据权利要求3所述的光滤波器，其特征在于， 所述第三电极具有第三环状，所述第四电极具有第四环状。
5.根据权利要求3所述的光滤波器，其特征在于， 所述第三电极具有第三环状，所述第四电极具有带第二间隙的第四环状， 在俯视的情况下，所述第二间隙与所述第一间隙重叠。
6.根据权利要求3至5中任意一项所述的光滤波器，其特征在于， 还包括与所述第三电极连接的第三布线；及与所述第三电极连接的第四布线。
7.根据权利要求6所述的光滤波器，其特征在于，所述第一基板在俯视的情况下具有第一假想直线、与所述第一假想直线相交的第二假想直线，所述第一布线在沿着所述第一假想直线的第一方向上延伸，所述第二布线在沿着所述第一假想直线且与所述第一方向相反的方向即第二方向上延伸，所述第三布线在沿着所述第二假想直线的第三方向上延伸，所述第四布线在沿着所述第二假想直线且与所述第三方向相反的方向即第四方向上延伸。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的光滤波器，其特征在于， 所述第二电极的环宽度大于所述第一电极的环宽度，所述第四电极的环宽度大于所述第二电极的环宽度。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的光滤波器，其特征在于， 所述第二基板具有第一部分和比所述第一部分的膜厚薄的第二部分， 所述第二反射膜被形成于所述第二基板的所述第一部分，所述第三电极和所述第四电极被形成于所述第二基板的所述第二部分。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的光滤波器，其特征在于， 所述第一基板具有第一面和比所述第一面低的第二面，所述第一反射膜被形成于所述第一面， 所述第一电极和所述第二电极被形成于所述第二面中。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的光滤波器，其特征在于，还具有电位差控制部，该电位差控制部控制所述第一电极与所述第三电极之间的电位差和所述第二电极与所述第四电极之间的电位差。
12.根据权利要求11所述的光滤波器，其特征在于，所述电位差控制部，在将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为第一电位差后，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为第二电位差。
13.根据权利要求12所述的光滤波器，其特征在于，所述电位差控制部在已设定为所述第一电位差的状态下，设定为所述第二电位差。
14.根据权利要求11所述的光滤波器，其特征在于， 所述电位差控制部，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为第一电位差， 在设定为所述第一电位差后，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为比所述第一电位差大的第二电位差，在已设定为所述第二电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为第三电位差，在设定为所述第三电位差后，在已将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为所述第二电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为比所述第三电位差大的第四电位差。
15.根据权利要求14所述的光滤波器，其特征在于，被设定为所述第二电位差的期间比被设定为所述第一电位差的期间长， 被设定为所述第四电位差的期间比被设定为所述第三电位差的期间长。
16.根据权利要求11所述的光滤波器，其特征在于， 所述电位差控制部，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为第一电位差， 在设定为所述第一电位差后，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为比所述第一电位差大的第二电位差，在设定为所述第二电位差后，将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为比所述第二电位差大的第三电位差，在已设定为所述第三电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为第四电位差，在设定为所述第四电位差后，在已将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为所述第三电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为比所述第四电位差大的第五电位差，在设定为所述第五电位差后，在已将所述第二电极与所述第四电极之间的电位差设定为所述第三电位差的状态下，将所述第一电极与所述第三电极之间的电位差设定为比所述第五电位差大的第六电位差，所述第二电位差与所述第三电位差之差的绝对值小于所述第一电位差与所述第二电位差之差的绝对值，所述第五电位差与所述第六电位差之差的绝对值小于所述第四电位差与所述第五电位差之差的绝对值。
17.一种光滤波器，其特征在于，包括第一反射膜，其对光进行反射并能够透过特定波长的光；第二反射膜，其隔着间隙与所述第一反射膜对置配置，对光进行反射并能够透过特定波长的光；第一电极，其被形成于所述第一反射膜的周围； 第二电极，其被形成于所述第一电极的周围； 第三电极，其与所述第一电极对置地配置；及第四电极，其与所述第二电极对置地配置。
18.—种光滤波器�？椋涮卣髟谟冢ㄈɡ�1至17中任意一项所述的光滤波器；及受光元件，其接收透射过所述光滤波器的光。
19.一种分析设备，其特征在于，包括权利要求1至17中任意一项所述的光滤波器。
20.一种光设备，其特征在于，包括权利要求1至17中任意一项所述的光滤波器。
全文摘要
本发明涉及光滤波器及光滤波器�？橐约胺治錾璞讣肮馍璞�。该光滤波器包括第一基板；与所述第一基板对置的第二基板；第一反射膜，其被设置于所述第一基板；第二反射膜，其被设置于所述第二基板并与所述第一反射膜对置；第一电极，其被设置于所述第一基板，在俯视的情况下被形成于所述第一反射膜的周围；第二电极，其被设置于所述第一基板，在俯视的情况下被形成于所述第一电极的周围；第三电极，其被设置于所述第二基板，并与所述第一电极对置；及第四电极，其被设置于所述第二基板，并与所述第二电极对置。
文档编号G01N21/31GK102193184SQ20111006172
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月11日 优先权日2010年3月15日
发明者佐野朗 申请人:精工爱普生株式会社
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
