亚星游戏官网-www.yaxin868.com

专利名称：硅片检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及检测装置，特别是涉及采用光学方法检测硅片缺陷的检测装置。
背景技术：
于太阳能电池制造过程中，均需对硅片进行检测，并通过检测的参数淘汰劣质的硅片，或对硅片进行等级分类。经检测后的硅片经进一步处理，如在表面形成导电栅线，最终形成可用来发电的电池片。对硅片的检测包括硅片的尺寸检测、翘曲度检测、裂痕检测、以及电学性能检测等。另外在硅片的生产过程中，还容易于其表面形成粘胶、指纹等沾污，这些沾污同样会影响到硅片的品质，因此也需对硅片进行沾污检测。现有技术中对沾污检测的基本原理是，利用光源照射硅片表面，并利用CCD等影像传感器接收硅片表面的反射光，形成硅片视觉图像。由于沾污会于图形上形成较高的灰 度值，因此可从图像上识别出。但是对于多晶硅片，由于晶硅铸锭过程中产生的晶界在视觉图像中灰度与沾污较为接近，所以在工厂自动化视觉检测中，容易将晶界误判为沾污。

实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种可靠的用于检测沾污的硅片检测
>J-U ρ α装直。本实用新型是通过以下的技术方案实现一种硅片检测装置，用于检测硅片表面沾污，其包括用以传送硅片的传送带、位于传送带上方的光源模组、以及位于光源模组上方的影像传感器，光源模组的截面呈“η”形，其两侧边缘底部各设有LED灯，光源模组的顶部开设一狭缝，影像传感器位于穿过狭缝的光线方向上。作为本实用新型的进一步改进，所述光源模组两侧边缘底部分别向内侧延伸以形成供LED灯安装的支撑台。作为本实用新型的进一步改进，所述光源模组两侧边缘与传送带传送方向垂直。作为本实用新型的进一步改进，所述狭缝与传送带传送方向垂直。作为本实用新型的进一步改进，所述狭缝位于光源模组的顶部，影像传感器位于狭缝的正上方。作为本实用新型的进一步改进，所述光源模组为铝材料制成，其内表面涂有白漆。由于本实用新型的特殊结构，于硅片沾污检测中弱化的影像传感器捕获图像中的晶界影像，从而可突显硅片表面的沾污，提高了检测准备度。

图I为本实用新型硅片检测装置的立体图；图2为本实用新型硅片检测装置的光源模组的立体图；图3为图I的剖视图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。参照图1，本实用新型硅片检测装置I包括用于传送硅片2的传送带3、位于传送带3上方的光源模组4、以及位于光源模组4上方的影像传感器5。光源模组4与传送带3之间具有间隙以供硅片2可以通过。重点参照图2，光源模组4截面呈“η”形，其与传送带3的传动方向相垂直的两边缘呈直线且相互平行，同时两边缘底部向内侧各延伸出一支撑台42，于支撑台42上分别安装有一排LED灯40。另外，于光源模组4的顶部开设一个狭缝41，狭缝41与传送带3传动方向垂直。在本实用新型较佳实施例中，光源模组4为铝材料制成，内表面涂有白漆，以加强反光效果。光源模组4于垂直于传输方向上的长250mm,平行 于传输方向的宽为160mm,拱高为100mm。狭缝41的缝宽为IOmm,缝长为240mm。光照度为20000勒克斯至50000勒克斯。影像传感器5安装位置与狭缝41相对应，即位于穿过狭缝41的反射光线的方向上。于本较佳实施例中，由于狭缝41位于光源模组4的顶部，因此影像传感器5对应位于狭缝41的正上方。影像传感器5可采用线阵CXD(电荷耦合器件)传感器，如Teledyne DALSA公司的Piranha2系列线阵(XD。影像传感器5和光源模组4均可以通过支架(未图示)等装置固定。重点参照图3，于检测过程中，LED灯40发出的光经光源模组4的内表面的反射后照射在硅片2的表面。于硅片2表面产生的反射光一部分经过狭缝41后被影像传感器5接收。随着硅片2的移动，影像传感器5对硅片2表面不同的线阵检测，并最终形成硅片2的整体视觉图形。经实际测试发现，当光照强度大于20000勒克斯时，光源发出的光被均匀地漫反射到硅片2之上，使硅片2检测部位在垂直于传送带3传送方向的宽度方向上被均匀照亮，此均匀光照可以使多晶硅晶界产生明显的弱化作用，即而突出了沾污在影像传感器所捕获的图像上的对比度。根据本实用新型光源模组4的结构，硅片2的检测部位的反射光通过η形光源模组4顶部的狭缝41进入影像传感器5使之成像。由于弱化了晶界对整个视觉图像的影像，在视觉图像上突出显示了沾污部位，从而对沾污的检测更为准确。另外，本实用新型硅片检测装置I的结构简单，误判率低，可以节省大量的停机维护时间及设备设计和生产成本。以上所述实施例仅表达了本实用新型的具体实施方式
，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.一种硅片检测装置，用于检测硅片表面沾污，其包括用以传送硅片的传送带、位于传送带上方的光源模组、以及位于光源模组上方的影像传感器，其特征在于光源模组的截面呈“η”形，其两侧边缘底部各设有LED灯，光源模组的顶部开设一狭缝，影像传感器位于穿过狭缝的光线方向上。
2.如权利要求I所述的硅片检测装置，其特征在于所述光源模组两侧边缘底部分别向内侧延伸以形成供LED灯安装的支撑台。
3.如权利要求I所述的硅片检测装置，其特征在于所述光源模组两侧边缘与传送带传送方向垂直。
4.如权利要求I所述的硅片检测装置，其特征在于所述狭缝与传送带传送方向垂直。
5.如权利要求I所述的硅片检测装置，其特征在于所述狭缝位于光源模组的顶部，影像传感器位于狭缝的正上方。
6.如权利要求I所述的硅片检测装置，其特征在于所述光源模组为铝材料制成，其内表面涂有白漆。
专利摘要本实用新型涉及一种硅片检测装置，用于检测硅片表面沾污，其包括用以传送硅片的传送带、位于传送带上方的光源模组、以及位于光源模组上方的影像传感器，光源模组的截面呈“n”形，其两侧边缘底部各设有LED灯，光源模组的顶部开设一狭缝，影像传感器位于穿过狭缝的光线方向上。本实用新型可弱化影像传感器捕获的硅片晶界的视觉图像，从而突出显示硅片表面的沾污图像。
文档编号G01N21/89GK202676616SQ20122029909
公开日2013年1月16日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日
发明者刘夏初, 苗新利, 潘加永 申请人:库特勒自动化系统(苏州)有限公司