专利名称：一维半导体阵列管的制作方法
技术领域：
本实用新型属于辐射测量技术领域，具体涉及一种用于中子辐射探测的一维半导体阵列管。
背景技术：
气体分子与热中子的反应截面大，利用它制成的正比计数管以其灵敏度高而被广泛应用于中子的测量领域，成为中子的首选探测器。一维位置灵敏3He正比计数管具有位置灵敏特性，能够感知入射中子的位置信息，在中子能谱研究方面有广泛应用。近年来，全世界3He资源几近枯竭，各国都将3He资源作为战略资源严格限制出口， 3He正比计数管的价格飞涨数十倍，而且还有价无市。例如，美国已将3He正比计数管列为战略物资，需特批才能出口。因此，在3He正比计数管越来越难以买到甚至无法买到的情况下，必须尽快寻找替代产品。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种可以替代他正比计数管的新型一维半导体阵列管，并使之在应用时具有更好的灵活性。本实用新型的技术方案如下一维半导体阵列管，包括设置于电路板上的多个表面涂硼的硅半导体探测器，硅半导体探测器呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列的外部设有金属管。进一步，如上所述的一维半导体阵列管，其中，所述的金属管两端设有起封闭作用的扣件。进一步，如上所述的一维半导体阵列管，其中，所述的扣件上设有供电缆通过的孔。本实用新型的有益效果如下本实用新型将多个表面涂硼的硅半导体探测器焊接于长条形电路板上，组成一维阵列，半导体探测器的数量、尺寸都可根据不同的应用调整， 而一维位置灵敏3He正比计数管的尺寸是固定的，不能随意调整，因此，一维半导体阵列管在应用的灵活性方面优势明显。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。如图1所示，本实用新型所提供的一维半导体阵列管包括设置于电路板3上的多个表面涂硼的硅半导体探测器1，硅半导体探测器1呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列封装在金属管2内，金属管两端用不锈钢扣件4封闭，扣件4中间有用于电缆通过的孔5。金属管2为不锈钢管，也可以采用其它金属管替代，如铜管或钢管。硅半导体探测器的主要成份为硅，与中子的反应截面较�。皇屎现苯佑糜诓饬恐凶臃洌鹩胫凶臃⑸鷎iBOi, α)反应，反应剩余核通过放出0.478Mev的、射线退回基态，反应截面在热能段为3840b，非常适合测量中子。本实用新型就是将二者结合起来， 在硅半导体探测器的表面涂上一定厚度的硼，通过测量上述反应中放出α或γ辐射来测量中子辐射。硅半导体探测器的数量和尺寸可以根据应用的不同要求来灵活选择，本实施例中采用了 5个硅半导体探测器。目前的半导体制造工艺可以很方便根据用户需求来定制各种尺寸的产品。硅半导体探测器的表面涂硼，以便与中子发生1(ιΒ(η，α)反应。硅半导体探测器焊接在长条形电路板上，组成一维半导体探测器阵列，电路板还将探测器的输出信号引出。电路板上的半导体探测器电路为公知的电路结构，依次包括放大器、现有的采样电路，以及模数转换器，将转化后的数字信号送入计算机处理。组成一维阵列的半导体探测器既能够以阵列的方式工作，也可以单独工作，因此， 在应用时具有一维位置灵敏3He正比计数管无法比拟的灵活度。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其同等技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一维半导体阵列管，其特征在于包括设置于电路板C3)上的多个表面涂硼的硅半导体探测器(1)，硅半导体探测器(1)呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列的外部设有金属管O)。
2.如权利要求1所述的一维半导体阵列管，其特征在于所述的金属管(2)两端设有起封闭作用的扣件G)。
3.如权利要求2所述的一维半导体阵列管，其特征在于所述的扣件(4)上设有供电缆通过的孔(5)。
专利摘要本实用新型属于辐射测量技术领域，具体涉及一种用于中子辐射探测的一维半导体阵列管。其结构包括设置于电路板上的多个表面涂硼的硅半导体探测器，硅半导体探测器呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列的外部设有金属管。本实用新型完全可以代替测量中子用的一维位置灵敏3He正比计数管，而且半导体探测器的数量、尺寸都可根据不同的应用调整，在应用的灵活性方面优势明显。
文档编号G01T3/08GK202093179SQ20102068719
公开日2011年12月28日 申请日期2010年12月17日 优先权日2010年12月17日
发明者刘倍, 刘建忠, 刘惠英, 周彦坤, 姚小丽, 徐园, 杨亚鹏, 王勇, 王晓东, 陈法国, 靳根 申请人:中国辐射防护研究院
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