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专利名称：一种磁传感器结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及磁传感领域，尤其是涉及到一种磁传感器结构。
背景技术：
磁传感器在电、磁学量和力学量的测量中有着广泛的应用。磁传感器包扩霍尔效应传感器、各向异性磁电阻传感器、磁敏三极管、巨磁电阻磁传感器、隧穿磁电阻磁传感器。这些磁传感的特点是,当磁场变化时,材料本身的电阻发生变化,通过探测材料电阻的变化即可感知磁场的变化。除了材料本身的物理性质发生外,结合不同的物理效应,通过结构的设计也能够得到高灵敏度的磁传感器，在微磁探测方面有着广阔的应用前景。

发明内容本实用新型提供一种磁传感器结构,利用光纤中传输的光的相位容易被磁产生的间接应力而影响而制成，通过干涉的方式进行检测，具有高的灵敏度。本实用新型所采取的技术方案为，一种磁传感器结构，包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器，其中，光源与入射光纤相连接；下行光纤与上行光纤相并联，且并联的单元与入射光纤相串联，并联的单元与出射光纤相连接，出射光纤与光探测器相连接；磁敏单兀为磁致伸缩材料，包覆在下行光纤上；光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤和光探测器位于衬底上。本实用新型采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力，通过力改变光纤内传输光的相位，进而影响输出光的强度，实现高灵敏度的探测，适于微磁场的检测。

图1为本实用新型的结构示意图。图中:1衬底、2光源、3入射光纤、4下行光纤、5上行光纤、6磁敏单兀、7出射光纤、8光探测器。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。图1为本实用新型的结构示意图，其中，衬底1、光源2、入射光纤3、下行光纤4、上行光纤5、磁敏单元6、出射光纤7、光探测器8，其中，光源2与入射光纤3相连接；下行光纤4与上行光纤5相并联，且并联的单元与入射光纤3相串联，并联的单元与出射光纤7相连接，出射光纤7与光探测器8相连接；磁敏单元6为磁致伸缩材料，包覆在下行光纤4上；光源2、入射光纤3、下行光纤4、上行光纤5、磁敏单元6、出射光纤7和光探测器8位于衬底I上。本实用新型采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力，通过力改变光纤内传输光的相位，进而影响输出光的强度，实现高灵敏度的探测，适于微磁场的检测。
权利要求1.一种磁传感器结构，包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单兀、出射光纤、光探测器，其特征在于: 所述的光源与入射光纤相连接，下行光纤与上行光纤相并联，且并联的单元与入射光纤相串联，并联的单元与出射光纤相连接，出射光纤与光探测器相连接； 所述的磁敏单元为磁致伸缩材料，包覆在下行光纤上。
2.根据权利要求1所述的一种磁传感器结构，其特征在于:所述的光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤和光探测器位于衬底上。
专利摘要通过结构的设计能够得到高灵敏度的磁传感器，在微磁探测方面有着广阔的应用前景。本实用新型提供一种磁传感器结构，包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器，其中，光源与入射光纤相连接；下行光纤与上行光纤相并联，且并联的单元与入射光纤相串联，并联的单元与出射光纤相连接，出射光纤与光探测器相连接；磁敏单元为磁致伸缩材料，包覆在下行光纤上。本实用新型采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力，通过力改变光纤内传输光的相位，进而影响输出光的强度，实现高灵敏度的探测，适于微磁场的检测。
文档编号G01R33/032GK202929182SQ201220650560
公开日2013年5月8日 申请日期2012年11月20日 优先权日2012年11月20日
发明者林志娟 申请人:林志娟