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    探针卡的制作方法

    时间:2025-05-02    作者: 管理员

    专利名称:探针卡的制作方法
    技术领域:
    本实用新型属于半导体工艺中的测试装置,涉及一种用于晶片电性测试的 探针卡。
    背景技术:
    在半导体工艺中,晶片经过切割、刻蚀、离子注入以及退火等一系列工序 之后形成产品,产品在封装之前,需要对产品的多项电性参数进行测试以判断 产品是否合格,而只有测试合格的产品才会进行下一步骤的封装,目前,用于
    测试产品的电性参数的装置是探针卡,现有技术中的揮:针卡包含5个探针,其 中一个探针放置于晶片的栅极区,其他的四个探针都放置于晶片的漏极区,漏 极区的四个探针彼此之间形成一个正方形,栅极区的探针和漏极区四个探针中 的一个探针形成一个回路,通上电流之后,连接测试设备便可以进行电性参数 的测试,而漏极区的其他三个探针则起到稳定平衡的作用,避免探针卡在测试 过程中左摇右摆,影响测试的精度,漏极区的四个探针到底选择哪一个探针作 为通电流测试的探针,工作人员可以通过测试设备进行操控。
    现有技术中的探针卡的这种布局,有很大的局限性,那就是尺寸不一样大 或者栅极位置不相同的晶片,往往需要专门设计一种匹配这样布局的探针卡来
    检测,图1至图3都是现有技术中探针在探测的晶片上的位置示意图,请先参 考图1,图1中A区为晶片的栅极区,B区为晶片的漏极区,探针ll位于栅极 区内,而其余四个探针12位于漏极区内,这种探针卡用于测量图1中的晶片是 合适的,然而,若是将它用于图2中的晶片,则不行了,同样的摆放过去,探 针ll很有可能不再位于栅极区内,而跑到漏极区来了,因此,对于图2中的晶 片的电性测试,要重新设计例如图2中的探针的布局才行,而对于图3,图3的 晶片的尺寸小于图1,在图1中适用的探针卡,用到图3所示的晶片中来,可能 漏极区的四个探针12会超出晶片的范围,这是肯定不能使用的,因此,针对图3所示的晶片也要重新设计探针卡。
    由此可见,根据晶片的不同尺寸以及栅极区在晶片上所处的不同位置,需 要分别设计与其相对应的探针卡来进行测试,如果一种产品做完之后,不再生 产了,为该产品设计的探针卡也就报废了,而新产品到来时又需要设计与该产 品匹配的探针卡,这样就造成极大的浪费,而且生产部在测货选卡时也容易造 成混乱和错误。

    实用新型内容
    为了解决以上所提到的由于测试晶片的变化而要跟着变换测试用的探针卡 的问题,本实用新型提供一种能测试多种晶片的探针卡。
    为了达到上述目的,本实用新型提出一种探针卡,用于对一具有栅极区和 漏极区的晶片进作电性测试,所述探针卡包括四个探针,所述四个探针的针尖 的连线成一平行四边形。
    可选的,四个探针包括第一探针、第二探针、第三探针和第四探针,其中, 所述第一探针和第四探针的针尖的连线为所述平行四边形的较长的对角线。
    可选的,所述探针卡与晶片的连接关系为第一探针连接至所述晶片的栅 极区,其他三个探针连"^至所述晶片的漏极区。
    可选的,所述晶片的漏极区的三个探针中有一个探针通电流用于测试。
    可选的,所述探针卡与晶片的连接关系为第四探针连接至所述晶片的栅 极区,其他三个探针连接至所述晶片的漏极区。
    可选的,所述晶片的漏极区的三个探针中有一个探针通电流用于测试。
    本实用新型探针卡的有益效果为通过四个探针成平行四边形的设计,使 得探针卡可以适用多种类型的晶片测试的问题,避免了以往对于一种新产品就 要设计一种探针卡用来测试的麻烦,能有效的节约成本,更能方便工厂测试使 用。


    图1至图3是现有技术在不同晶片上的测试示意图; 图4是本实用新型探针卡的示意图;图5至图7是本实用新型在不同晶片上的测试示意图。
    具体实施方式

    以下结合附图和具体实施方式
    对本实用新型探针卡作进一步的详细说明。 首先,请参考图4,图4是本实用新型探针卡的示意图,所述探针卡用于对 一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试,从图上可以看出,所述探针卡包 括四个探针,所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形。四个探针分别为第 一探针ll、第二探针12、第三探针13和第四探针14,其中,所述第一探针ll 和第四探针14的针尖的连线为所述平行四边形的较长的对角线。其中第一探11 针或者第四探针14都可以选择放置于晶片的栅极区A用于测试,剩下的三个探 针放置于晶片的漏极区B,三个探针其中的一个探针用于通电流测试,至于选择 哪个探针用于通电流测试,则是取决于工作人员的实际操作情况,其他的两个 探针起到稳定整个探针卡的作用,避免探针卡左右晃动。
    优选的,第一探针11和第二探针12之间的距离为350um,第二探针12和 第三探针13之间的距离为300um,第三探针13和第四探针14之间的距离为 350um。
    接着,请参考图5至图7,图5至图7是本实用新型在不同晶片上的测试示 意图,其中,图5中的晶片和背景技术中的图1中晶片一样,图6中的晶片和 背景技术中的图2中晶片一样,图7中的晶片和背景技术中的图3中晶片一样, 图5至图7中所用的都是本实用新型的探针卡,在图5中,栅极区位于晶片的 右上角,第四:f^针14位于所述晶片的栅极区A,其他三个4冢针位于所述晶片的 漏极区B,测试时,第三探针13中通电流,和第四探针14一起,测试晶片上的 需要的电性参数,而第一探针11和第二探针12中则不通电流,仅仅用于稳定 平衡的作用,或者测试时,第一探针ll中通电流,和第四探针14一起,测试 晶片上的需要的电性参数,而第二探针12和第三探针13中则不通电流,仅仅 用于稳定平衡的作用。在图6中,栅极区A位于晶片的右下角,本实用新型同 样适用于这种晶片,测试时,第四探针14位于所述晶片的栅极区,其他三个探 针位于所述晶片的漏极区B。在图7中,晶片尺寸变小,栅极区A位于晶片的左 上角,所述第一探针11位于所述晶片的栅极区A,其他三个探针位于所述晶片的漏极区B,测试时,第二4笨针12中通电流,和第一探针ll一起,测试晶片上 的需要的电性参数,而第三探针13和第四探针14则不通电流,^U义用于稳定 平衡的作用。
    虽然本实用新型已以4交佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型。 本实用新型所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本实用新型的精神和范 围内,当可作各种的更动与润饰。因此,本实用新型的保护范围当视权利要求 书所界定者为准。
    权利要求1.一种探针卡,用于对一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试,其特征在于所述探针卡包括四个探针,所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形。
    2. 根据权利要求1所述一种探针卡,其特征在于四个探针包括第一探针、 第二探针、第三探针和第四探针,其中,所述第一探针和第四探针的针尖的连 线为所述平行四边形的较长的对角线。
    3. 根据权利要求2所述一种探针卡,其特征在于所述探针卡与晶片的连接 关系为第一探针连接至所述晶片的栅极区,其他三个探针连接至所述晶片的 漏极区。
    4. 根据权利要求3所述一种探针卡,其特征在于所述晶片的漏极区的三个 探针中有一个探针通电流用于测试。
    5. 根据权利要求2所述一种探针卡,其特征在于所述第四探针位于所述晶 片的栅极区,其他三个探针位于所述晶片的漏极区。
    6. 根据权利要求5所述一种探针卡,其特征在于所述探针卡与晶片的连接 关系为第四探针连接至所述晶片的栅极区,其他三个探针连接至所述晶片的 漏极区。
    专利摘要本实用新型提供一种探针卡,用于对一具有栅极区和漏极区的晶片进行电性测试,所述探针卡包括四个探针,所述四个探针的针尖的连线成一平行四边形,本实用新型可以在多种尺寸和类型的晶片上进行电性测试,避免了探针卡的重复设计,降低了工厂的测试成本。
    文档编号G01R1/073GK201364347SQ20082015835
    公开日2009年12月16日 申请日期2008年12月30日 优先权日2008年12月30日
    发明者杨林宏, 田学艳 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

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