专利名称：一种用于磁传感器的电桥�？榈闹谱鞣椒�
技术领域：
本实用新型涉及一种电桥模块，特别涉及一种用于磁传感器的电桥�？�。
背景技术：
如图1所不，电桥包括四个桥臂即第一桥臂ARM1、第二桥臂ARM2、第三桥臂ARM3和第四桥臂ARM4。为了保证该电桥能够正常工作，需要第一桥臂ARMl和第三桥臂ARM3的电阻值相等，且第二桥臂ARM2和第四桥臂ARM4的电阻值相等。第一桥臂ARMl和第三桥臂ARM3被定义为该电桥的第一组对应桥臂。同理，第二桥臂ARM2和第四桥臂ARM4被定义为该电桥的第二组对应桥臂。电桥�？榈挠τ梅浅９悖芏嗟缱悠骷卸夹枰缜拍？�。通常，一个磁传感器中需要几个甚至几十个电桥�？�。现有技术中，用于磁传感器中的电桥�？楹苣咽迪侄杂η疟鄣牡缱柚迪嗟龋贾赂玫缜拍？榈男阅芙档停踔恋贾赂玫缜拍？槲薹ㄕ９ぷ鳌Ｊ导视τ弥校糜诖糯衅髦械牡缜拍？榈拿恳桓銮疟郯ù�/或并联的多个磁隧道结(MTJ)元件。对于这种电桥模块，由于组成电桥的MTJ元件的结构、电路布局以及制造工艺的影响，很难实现第一桥臂ARMl和第三桥臂ARM3的电阻值相等且第二桥臂ARM2和第四桥臂ARM4的电阻值相等，从而经常导致该电桥的性能降低甚至无法正常工作，进而导致磁传感器无法正常工作。
·[0004]因此，需要一种用于磁传感器的电桥�？椋玫缜拍？槟芄唤先菀椎厥迪侄杂η疟鄣牡缱柚迪嗟取�
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种用于磁传感器的电桥模块。本实用新型提供的用于磁传感器的电桥�？榘ㄋ母銮疟酆投喔龊概蹋扛銮疟郯ù�2N(N=1，2，3，4，5……)个MTJ元件组，该电桥�？榫哂卸嗖隳そ峁梗ㄉ栌诨系男纬啥喔鱿碌嫉绮愕牡谝坏嫉绮悖鱿碌嫉绮闵仙栌行纬伤鯩TJ元件组的MTJ元件层，所述下导电层上还设有形成所述多个焊盘的第二导电层，所述MTJ元件层上设有形成多个上导电层的第三导电层；所述电桥�？榈亩杂η疟鄣腗TJ元件组的位置相邻。优选地，两组对应桥臂的MTJ元件组分别位于所述电桥�？榈牧蕉耍晃挥谒龅缜拍？橥欢说囊蛔槎杂η疟鄣囊桓銮疟鄣腗TJ兀件组与另一个桥臂的MTJ兀件组分别——对应，且对应的MTJ元件组的位置最相邻。优选地，当N彡2时，所述电桥模块的每一个桥臂中MTJ元件组被呈“U”字形的下导电层和呈“一”字形的下导电层交替电连接。优选地，所述电桥�？榈拿恳桓鯩TJ元件组包括两个串联的MTJ元件。优选地，所述电桥�？榘乃械腗TJ元件都相同。优选地，所述电桥�？榈乃械腗TJ元件的结构和材质都相同。优选地，所述电桥�？榈乃械腗TJ元件的形状和大小都相同。[0013]优选地，所述电桥�？榈拿恳桓鯩TJ元件呈椭圆形。优选地，所述电桥�？榈乃母銮疟鄣牡缱柚迪嗟�。本实用新型具有如下有益效果与现有技术的电桥�？橄啾龋臼涤眯滦吞峁┑牡缜拍？槟芄唤先菀椎厥迪侄杂η疟鄣牡缱柚迪嗟龋浅Ｊ视谠诖糯衅髦杏τ�。
图1为电桥结构示意图；图2为本实用新型实施例1提供的用于磁传感器的电桥�？榈氖疽馔迹煌�3为本实用新型实施例1提供的用于磁传感器的电桥�？榈腎A部分的局部放大示意图；图4为本实用新型实施例1提供的用于磁传感器的电桥�？榈腎B部分的局部放大示意图；图5为本实用新型实施例1提供的用于磁传感器的电桥�？榈牡谝� MTJ元件组131所在位置处的薄膜层状结构的示意图；图6为本实用新型实施例2提供的用于磁传感器的电桥�？榈氖疽馔迹煌�7为本实用新型实施例3提供的用于磁传感器的电桥�？榈氖疽馔�。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型的内容作进一步的描述。根据本发明的优选实施例，电桥�？榘ㄋ母銮疟酆投喔龊概蹋扛銮疟郯ù�2N(N=1，2，3，4，5……)个MTJ元件组，该电桥模块具有多层膜结构，包括设于基片(图中未示出)上的形成多个下导电层的第一导电层，所述下导电层上设有形成所述MTJ元件组的MTJ元件层，所述下导电层上还设有形成所述多个焊盘的第二导电层，所述MTJ元件层上设有形成多个上导电层的第三导电层；所述电桥�？榈亩杂η疟鄣腗TJ元件组的位置相邻。所述电桥�？榈牧阶槎杂η疟壑械腗TJ元件组分别位于所述电桥�？榈牧蕉耍晃挥谒龅缜拍？橥欢说囊蛔槎杂η疟鄣囊桓銮疟鄣腗TJ兀件组与另一个桥臂的MTJ兀件组分别一一对应，且对应的MTJ元件组的位置最相邻。每一个桥臂中MTJ元件组被呈“U”字形的下导电层和呈“一”字形的下导电层交替电连接。实施例1实施例1给出了 N=I时，即每个桥臂包括2个MTJ元件组的用于磁传感器的电桥�？椋缤�2所示。所述电桥�？榈腎A部分的局部放大图如图3所示。所述电桥�？榈腎B部分的局部放大图如图4所示。如图2、图3和图4所示，在本实施例中，所述电桥�？椴捎枚嗖隳そ峁梗龅缜拍？榘ㄋ� 个桥臂和例如四个焊盘，每个桥臂包括串联的例如
2(N=I)个MTJ元件组。在本实施例中，所述电桥�？榘ㄉ栌诨�(图中未示出)上的形成第一下导电层121、第二下导电层122、第三下导电层123、第四下导电层124、第五下导电层125、第六下导电层126、第七下导电层127、第八下导电层128和第九下导电层129的第一导电层。所述下导电层上还设有形成第一 MTJ元件组131、第二 MTJ元件组132、第三MTJ元件组133、第四MTJ元件组134、第五MTJ元件组135、第六MTJ元件组136、第七MTJ元件组137和第八MTJ元件组138的MTJ元件层。所述下导电层上还设有形成第一焊盘111、第二焊盘112、第三焊盘113和第四焊盘114的第二导电层。所述MTJ元件层上设有形成第一上导电层141、第二上导电层142、第三上导电层143、第四上导电层144、第五上导电层145、第六上导电层146、第七上导电层147和第八上导电层148的第三导电层。所述电桥�？榈拿恳桓鯩TJ元件组包括两个串联的MTJ元件。在本实施例中,所述电桥模块包含的所有的MTJ元件例如都相同。所述电桥�？榈乃械腗TJ元件的结构和材质都相同。所述电桥�？榈乃械腗TJ元件的形状和大小都相同。在本实施例中，所述电桥�？榈拿恳桓鯩TJ元件呈例如椭圆形。以第一 MTJ元件组131所在位置处的薄膜层状结构为例具体说明所述电桥�？榈牟阕唇峁埂Ｈ缤�5所示，第七下导电层127和第八下导电层128设于基片(图中未示出)上；第一 MTJ元件组131中的两个MTJ元件分别设于第七下导电层127和第八下导电层128上；第一上导电层141设于第一 MTJ元件组131上，用于使第一 MTJ元件组131中的两个MTJ元件电连接。所述电桥模块的第二 MTJ元件组132、第三MTJ元件组133、第四MTJ元件组134、第五MTJ元件组135、第六MTJ元件组136、第七MTJ元件组137和第八MTJ元件组138所在位置处的薄膜层状结构与第一 MTJ元件组131所在位置处的薄膜层状结构相同。第一 MTJ元件组131中的电流方向如图5中的箭头所示。对于同一薄膜层来说，相邻位置处的薄膜的性质相近，且位置越靠近，薄膜的性质越接近。因此，将同一薄膜层即MTJ元件层的位置最相邻的两个MTJ元件组分别电连接到两个桥臂中，很容易实现该两个桥臂的电阻值相等。本实施例利用上述原理，将所述电桥�？橹形恢米钕嗔诘腗TJ元件组分别电连接到一组对应桥臂中，以较容易地实现该组对应桥臂的电阻值相等。如图2和图3所示，第一 MTJ元件组131、第二 MTJ元件组132、第三MTJ元件组133和第四MTJ元件组134位于所述电桥�？榈囊欢耍业谝� MTJ元件组131与第二MTJ元件组132的位置最相邻，第三MTJ元件组133与第四MTJ元件组134的位置最相邻。因此，很容易实现第一 MTJ元件组131与第二 MTJ元件组132的电阻值相等，且第三MTJ元件组133与第四MTJ元件组134的电阻值相等。如图2和图3所示，第一 MTJ元件组131中的一个MTJ元件设于第八下导电层128的远离第四焊盘114且与第七下导电层127相邻的一端，第一 MTJ元件组131中的另一个MTJ元件设于第七下导电层127的与第八下导电层128相邻的一端，第一上导电层141用于将第一 MTJ元件组131中的两个MTJ元件电连接。第七下导电层127呈倒置的“U”字形。第二下导电层122呈“一”字形。与此类似，第四MTJ元件组134中的一个MTJ元件设于第六下导电层126的远离第二焊盘112且与第七下导电层127相邻的一端，第四MTJ元件组134中的另一个MTJ元件设于第七下导电层127的与第六下导电层126相邻的一端，第四上导电层144用于将第四MTJ元件组134中的两个MTJ元件电连接。设于第四焊盘114与第二焊盘112之间的第一 MTJ元件组131和第四MTJ元件组134串联构成所述电桥�？榈囊桓銮疟郏们疟鄣刃в诶缤�1所示电桥的第三桥臂ARM3，在下文被称为所述电桥�？榈牡谌疟跘RM13。与此类似，设于第一焊盘111与第三焊盘113之间的第二 MTJ元件组132和第三MTJ元件组133串联构成所述电桥�？榈囊桓銮疟郏们疟鄣刃в诶缤�1所示电桥的第一桥臂ARMl，被称为所述电桥�？榈牡谝磺疟跘RMlI。第一桥臂ARMll和第三桥臂ARM13被定义为所述电桥�？榈牡谝蛔槎杂η疟�。第一组对应桥臂的第三桥臂ARM13的MTJ元件组与第一桥臂ARMll的MTJ元件组分别——对应，且对应的MTJ元件组的位置最相邻。具体地，第三桥臂ARM13的第一 MTJ元件组131与第一桥臂ARMll的第二 MTJ元件组132对应，且第一 MTJ元件组131和第二 MTJ元件组132的位置最相邻；第三桥臂ARM13的第四MTJ元件组134与第一桥臂ARMll的第三MTJ元件组133对应，且第四MTJ元件组134和第三MTJ元件组133的位置最相邻。所述电桥�？榈牡谌疟跘RM13中第四焊盘114、第八下导电层128、第一上导电层141、第七下导电层127、第四上导电层144、第六下导电层126和第二焊盘112的电阻值之和被设置为等于第一桥臂ARMll中第一焊盘111、第一下导电层121、第二上导电层142、第二下导电层122、第三上导电层143、第三下导电层123和第三焊盘113的电阻值之和。因此，很容易实现所述电桥�？榈牡谝蛔槎杂η疟奂吹谝磺疟跘RMll与第三桥臂ARM13的电阻值相等。所述电桥模块的IB部分的结构与其IA部分相同。如图2和图4所不,第五MTJ元件组135、第六MTJ元件组136、第七MTJ元件组137和第八MTJ元件组138位于所述电桥�？榈牧硪欢耍业谖錗TJ元件组135与第六MTJ元件组136的位置最相邻，第七MTJ元件组137与第八MTJ元件组138的位置最相邻。因此，很容易实现第五MTJ元件组135与第六MTJ元件组136的电阻值相等，且第七MTJ元件组137与第八MTJ元件组138的电阻值相等。设于第三焊盘113与第二焊盘112之间的第五MTJ元件组135和第八MTJ元件组138串联构成所述电桥�？榈囊桓銮疟郏们疟鄣刃в诶缤�1所示电桥的第四桥臂ARM4，在下文被称为所述电桥模块的第四桥臂ARM14。与此类似，设于第一焊盘111与第四焊盘114之间的第六MTJ元件组136和第七MTJ元件组137串联构成所述电桥�？榈囊桓銮疟郏们疟鄣刃в诶缤�1所示电桥的第二桥臂ARM2，在下文被称为所述电桥�？榈睦绲诙疟跘RM12。第二桥臂ARM12和第四 桥臂ARM14被定义为所述电桥�？榈牡诙槎杂η疟�。
第二组对应桥臂的第四桥臂ARM14的MTJ元件组与第二桥臂ARM12的MTJ元件组分别--
对应，且对应的MTJ元件组的位置最相邻。具体地，第四桥臂ARM14的第五MTJ元件组135与第二桥臂ARM12的第六MTJ元件组136对应，且第五MTJ元件组135和第六MTJ元件组136的位置最相邻；第二桥臂ARM12的第七MTJ元件组137与第四桥臂ARM14的第八MTJ元件组138对应，且第七MTJ元件组137和第八MTJ元件组138的位置最相邻。所述电桥�？榈牡谒那疟跘RM14中第三焊盘113、第四下导电层124、第五上导电层145、第五下导电层125、第八上导电层148、第六下导电层126和第二焊盘112的电阻值之和被设置为等于第二桥臂ARM12中第一焊盘111、第一下导电层121、第六上导电层146、第九下导电层129、第七上导电层147、第八下导电层128和第四焊盘114的电阻值之和。与第一组对应桥臂同理，很容易实现所述电桥模块的第二组对应桥臂即第二桥臂ARM12与第四桥臂ARM14的电阻值相等。所述电桥�？榈牡谝磺疟跘RMl1、第二桥臂ARM12、第三桥臂ARM13和第四桥臂ARM14构成一个完整的如图1所示的电桥。在本实施例中，第一桥臂ARMl1、第二桥臂ARM12、第三桥臂ARM13和第四桥臂ARM14的电阻值相等。实施例2如图6所示，本实施例提供的用于磁传感器的电桥�？橛胧凳├�1的电桥�？榈慕峁瓜嗨�。与实施例1的电桥�？椴煌氖牵臼凳├牡缜拍？榈拿恳桓銮疟郯ɡ缢�(N=2)个串联的MTJ元件组。在本实施例中，所述电桥�？榈拿恳桓銮疟壑兴母鯩TJ元件组被呈“U”字形的下导电层和呈“一”字形的下导电层交替电连接。[0034]实施例3如图7所示，本实施例提供的用于磁传感器的电桥�？橛胧凳├�1的电桥�？榈慕峁瓜嗨�。与实施例1的电桥�？椴煌氖牵臼凳├牡缜拍？榈拿恳桓銮疟郯ɡ缡�(N=6)串联的MTJ元件组。在本实施例中，所述电桥�？榈拿恳桓銮疟壑惺鯩TJ元件组被呈“U”字形的下导电层和呈“一”字形的下导电层交替电连接。与现有技术的电桥�？橄啾龋臼涤眯滦吞峁┑牡缜拍？槟芄唤先菀椎厥迪侄杂η疟鄣牡缱柚迪嗟龋浅Ｊ视谠诖糯衅髦杏τ�。应当理解，以上借助优选实施例对本实用新型的技术方案进行的详细说明是示意性的而非限制性的。本领域的普通技术人员在阅读本实用新型说明书的基础上可以对各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
权利要求1.用于磁传感器的电桥�？椋玫缜拍？榘ㄋ母銮疟酆投喔龊概蹋扛銮疟郯ù�2N个MTJ元件组，N=l，2，3，4，5……，其特征在于，该电桥�？榫哂卸嗖隳そ峁梗ㄉ栌诨系男纬啥喔鱿碌嫉绮愕牡谝坏嫉绮悖鱿碌嫉绮闵仙栌行纬伤鯩TJ元件组的MTJ元件层，所述下导电层上还设有形成所述多个焊盘的第二导电层，所述MTJ元件层上设有形成多个上导电层的第三导电层；所述电桥模块的对应桥臂的MTJ元件组的位置相邻。
2.根据权利要求1所述的用于磁传感器的电桥�？椋涮卣髟谟冢阶槎杂η疟鄣腗TJ兀件组分别位于所述电桥�？榈牧蕉耍晃挥谒龅缜拍？橥欢说囊蛔槎杂η疟鄣囊桓銮疟鄣腗TJ元件组与另一个桥臂的MTJ元件组分别一一对应，且对应的MTJ元件组的位置最相邻。
3.根据权利要求1所述的用于磁传感器的电桥�？椋涮卣髟谟冢盢> 2时，所述电桥模块的每一个桥臂中MTJ元件组被呈“U”字形的下导电层和呈“一”字形的下导电层交替电连接。
4.根据权利要求1所述的用于磁传感器的电桥�？椋涮卣髟谟冢龅缜拍？榈拿恳桓鯩TJ元件组包括两个串联的MTJ元件。
5.根据权利要求1所述的用于磁传感器的电桥�？椋涮卣髟谟冢龅缜拍？榘乃械腗TJ元件都相同。
6.根据权利要求5所述的用于磁传感器的电桥�？�,其特征在于,所述电桥�？榈乃械腗TJ元件的结构和材质都相同。
7.根据权利要求5所述的用于磁传感器的电桥�？�,其特征在于,所述电桥模块的所有的MTJ元件的形状和大小都相同。
8.根据权利要求7所述的用于磁传感器的电桥模块，其特征在于，所述电桥�？榈拿恳桓鯩TJ元件呈椭圆形。
9.根据权利要求1所述的用于磁传感器的电桥�？椋涮卣髟谟冢龅缜拍？榈乃母銮疟鄣牡缱柚迪嗟�。
专利摘要本实用新型公开了一种用于磁传感器的电桥模块，该电桥模块包括四个桥臂和多个焊盘，每个桥臂包括串联的2N(N=1,2,3,4,5……)个MTJ元件组，该电桥模块具有多层膜结构，包括设于基片上的形成多个下导电层的第一导电层，所述下导电层上设有形成所述MTJ元件组的MTJ元件层，所述下导电层上还设有形成所述多个焊盘的第二导电层，所述MTJ元件层上设有形成多个上导电层的第三导电层；所述电桥�？榈亩杂η疟鄣腗TJ元件组的位置相邻。与现有技术的电桥�？橄啾龋臼涤眯滦吞峁┑牡缜拍？槟芄唤先菀椎厥迪侄杂η疟鄣牡缱柚迪嗟龋浅Ｊ视谠诖糯衅髦杏τ�。
文档编号G01D5/12GK202903205SQ201220434849
公开日2013年4月24日 申请日期2012年8月29日 优先权日2012年8月29日
发明者王建国 申请人:王建国
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
