专利名称：一种防腐蚀压阻式压力传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种防腐蚀压阻式压力传感器。
背景技术：
传统的机械量压力传感器是基于金属弹性体受力变形，由机械量弹性变形到电量转换输出，但体积大成本高。相对于传统的机械量传感器，MEMS压力传感器的尺寸更小,最大的不超过一个厘米，相对于传统“机械”制造技术，其性价比大幅度提高。目前的MEMS压力传感器主要为硅压阻式压力传感器，其采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。通常情况下该种压力传感器可以准确测量环境压力，但如果环境中存在腐蚀性物质，会导致半导体电阻应变片损坏，减少其使用寿命，亟待改进。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提出一种防腐蚀压阻式压力传感器，通过本发明的实施，延长了压阻式压力传感器的使用寿命。为达此目的，本发明采用以下技术方案一种防腐蚀压阻式压力传感器，包括由四个半导体电阻应变片组成的惠斯顿电桥，每个半导体电阻应变片都安装在探测外壳上，并且每个半导体电阻应变片都包覆一层合成树脂。优选地，所述合成树脂的厚度为10-20微米。优选地，所述合成树脂的厚度为15微米。与现有技术相比，本发明具有以下有益效果本发明中，在压阻式传感器外部包覆一层合成树脂，利用合成树脂的防腐蚀特性，保护半导体电阻应变片不受外界环境侵蚀，延长了压阻式压力传感器的使用寿命。发明附1是本发明实施例1提供的一种防腐蚀压阻式压力传感器示意图；图2是本发明实施例1中半导体电阻应变片的剖面图。
具体实施例方式本发明实施例1提供了一种防腐蚀压阻式压力传感器，如
图1和图2所示，包括由四个半导体电阻应变片I组成的惠斯顿电桥，每个半导体电阻应变片都安装在探测外壳10上，并且每个半导体电阻应变片都包覆一层合成树脂2，为了不影响半导体电阻应变片的感压形变灵敏度，合成树脂的厚度为10-20微米，优选15微米。以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种防腐蚀压阻式压力传感器，其特征在于，包括由四个半导体电阻应变片组成的惠斯顿电桥，每个半导体电阻应变片都安装在探测外壳上，并且每个半导体电阻应变片都包覆一层合成树脂。
2.根据权利要求1所述的防腐蚀压阻式压力传感器，其特征在于，所述合成树脂的厚度为10-20微米。
3.根据权利要求2所述的防腐蚀压阻式压力传感器，其特征在于，所述合成树脂的厚度为15微米。
全文摘要
本发明公开了一种防腐蚀压阻式压力传感器，包括由四个半导体电阻应变片组成的惠斯顿电桥，每个半导体电阻应变片都安装在探测外壳上，并且每个半导体电阻应变片都包覆一层合成树脂。本发明中，在压阻式传感器外部包覆一层合成树脂，利用合成树脂的防腐蚀特性，保护半导体电阻应变片不受外界环境侵蚀，延长了压阻式压力传感器的使用寿命。
文档编号G01L9/06GK102998049SQ201210495080
公开日2013年3月27日 申请日期2012年11月28日 优先权日2012年11月28日
发明者骆垠旭, 瞿庆广, 查德昌, 杨齐红, 王汉才 申请人:安徽�？松萍技庞邢薰�
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