专利名称：半导体功率器件热阻测试装置及方法
技术领域：
本发明涉及半导体功率器件测量技术领域，尤其涉及一种半导体功率器件热阻测试装置及方法。
背景技术：
半导体功率器件在工作过程中常因发热使结温过高导致其损坏，因此非常有必要控制半导体功率器件在工作过程中的结温，结温可以通过半导体功率器件的热阻及壳温推算得出。现有技术中热阻测试仪的设计，一方面是为了客观地评价半导体功率器件的热阻，合理设计PCB及散热元件，使半导体功率器件在工作过程中的结温不超过安全区域，保障半导体功率器件的安全正常运行；另一方面，可以评估影响半导体功率器件散热性能的所有参数，分析半导体功率器件封装工艺差别，做出封装方面改进，有助于改善半导体功率器件的散热性能；同时也可以用来验证封装可靠性，分析半导体功率器件热损坏的具体原因，做出可靠性改进。现有的热阻测试仪一般只测试二极管的热阻，在测试时将二极管置于恒温结构中，并在测试过程中施加一定的加热电流使内部结温上升，根据结温上升差异，来评价封装材料的热阻。上述测试方式存在着以下两点不足，一是采用恒温结构进行测试，在恒温结构下，二级管加载加热电流过程中，不同封装材料的热阻会有差异，表面温度上升存在不同，并且实际操作过程中恒温结构与不同元件接触差异等客观因素存在，使每次测试元件封装体表面温度时均会产生一定偏差，从而影响实际测试的精度，同时精确的、带有闭环控制、响应速度快的恒温结构成本较高。二是在测试过程中采用恒加热电流方式进行测试，在测试时施加相同的加热电流I，并测量得到热敏结构的压降V，可以计算出功率P。而热阻为Rjc= Δ T/P，对于两个相同元件，在封装材料热阻有差异时，内部热敏结构在不同温升情况下，热敏结构导通电压V存在差异，随着温度逐渐上升，热敏结构导通电压会逐渐下降，即施加的功率P存在差异， 热阻的测试主要在于横向对比之间的差异，在计算公式中Λ T与P两个因素都存在变化，这样的试验结果会存在偏差，影响测试的精确度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有热阻测试仪在测试过程中存在测量精确度低、成本高和测量种类单一的上述问题，提供了一种测量精确高、测试简单、测量覆盖面广和成本低的半导体功率器件热阻测试装置及方法。为解决上述问题，本发明的一种技术方案是一种半导体功率器件热阻测试装置，其特征在于，所述测试装置具有一测试机及分别与测试机相连的温度控制箱和静态空气箱，温度控制箱内设有温控器和用于连接待测器件的第一连接器，静态空气箱内设有用于检测静态空气箱内温度的第一温度探针、用于检测待测器件壳温的第二温度探针及用于连接待测器件的第二连接器；所述测试机包括用于控制及处理检测数据并根据检测数据计算热阻的微处理器及分别与微处理器相连的用于检测待测器件正向导通电压和输出测试电流的电压测试�？�、用于输出加热电流和检测待测器件电压的恒功率输出�？椤⒂糜谇馄骷那缭茨？楹臀露炔杉？椋⒋砥骰褂胛驴仄飨嗔坏缪共馐阅？榈牟馐缘缌魇涑龆撕偷缪辜觳舛司直鹩氲谝涣悠骱偷诙悠飨嗔缪共馐阅？槭涑霾馐缘缌鞯降谝涣悠骰虻诙悠魃希⒓觳饬釉诘谝涣悠骰虻诙悠魃洗馄骷恼虻纪ǖ缪梗愎β适涑瞿？榈募尤鹊缌魇涑龆擞氲诙悠飨嗔愎β适涑瞿？槭涑黾尤鹊缌鞯降诙悠魃希⒓觳饬釉诘诙悠魃洗馄骷牡缪梗缭茨？槭涑龆擞氲诙悠飨嗔缭茨？橛糜谇馄骷露炔杉？榈奈露仁淙攵朔直鹩氲谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸胂嗔露炔杉？榻邮盏谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸氲奈露刃藕牛⒔露刃藕糯涞轿⒋砥�。其中，温度控制箱采用烘箱，用于控制待测器件所处环境的温度，使计算出热敏参数的数值。检测时，在不同温度下，使用小电流在烘箱中测试待测器件的正向导通电压，通过多组检测数值得到电压与温度的关系为线性关系，并计算出每个温度段内的热敏参数。静态空气箱用于提供静态空气，防止待测器件周围空气流动，减少空气环境变换对热阻测试产生的干扰，静态空气箱作为待测器件在加热过程中的环境。测试机主要用于在检测热敏参数时，控制电压测试�？楦馄骷娜让艚峁固峁┮恍〉缌鳎锹枷氯让艚峁沟恼虻纪ǖ缪梗浯危ü刂魄缭茨？楦枰舻拇馄骷┘忧缭词蛊淇簦蝗缓蟾馄骷┘右桓隽拇蟮缌餍藕攀勾馄骷拢诖斯讨形⒋砥鞲菰は壬瓒ǖ墓β手担ü愎β适涑瞿？槭涑黾尤鹊缌鳎⒉杉涑龅缪沟牟馐灾担佣髡涑黾尤鹊缌鞯拇笮。３侄源馄骷┘雍愣ǖ墓β剩辉诩尤裙讨兴布溆靡桓隽牟馐缘缌鞑饬咳让艚峁辜尤群蟮牡缪梗贝馄骷锏饺绕胶夂螅耸保菰は炔馐缘娜让舨问让舨问牡缪购臀露裙叵凳墙虾玫南咝怨叵担佣扑愕玫酱馄骷慕嵛拢莸谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸爰觳獾氖凳蔽露仁荩扑愦馄骷娜茸�。相比较于现有技术，本发明的半导体功率器件热阻测试装置适用于不同种类半导体功率器件的测试，测量覆盖面广，具有测量精确高、测试简单和成本低特点。本发明采用恒功率输出�？槿繁２捎貌煌庾安牧系拇馄骷诩尤裙讨惺┘拥墓β屎愣ǎ瓜钟屑际踔械墓β时淞课潭ㄖ担苊饬嗽谌茸璨馐怨讨幸虿煌庾暗拇馄骷缪怪档牟钜欤斐上嗤缌飨碌募尤裙β什煌Ｖち瞬馐缘淖既沸裕涣硪环矫姹痉⒚鞑捎贸杀窘系偷奈露忍秸虢形露燃觳猓苊饬艘蚍庾安牧衔律牟煌斐杉觳獾牟蛔既罚冉档土瞬馐猿杀荆纸徊奖Ｖち巳茸璨馐缘木范�。优选地，所述恒功率输出�？榘ㄆ玫缪故涑龅ピ�、功率放大单元、采样电阻、电流采样单元、电压采样单元、硬件乘法器和模数转换器，微处理器、偏置电压输出单元、功率放大单元、采样电阻和第二连接器顺次相连，偏置电压输出单元接收微处理器发送的信号，偏置电压输出单元输出偏置电压信号到功率放大单元中，功率放大单元输出的放大信号输入到采样电阻中，第二连接器接收采样电阻输出的加热电流；电流采样单元分别与采样电阻、模数转换器和硬件乘法器相连，电流采样单元采集采样电阻输出的加热电流，模数转换器和硬件乘法器接收电流采样单元输出的电流采集信息，电压采样单元分别与第二连接器、模数转换器和硬件乘法器相连，电压采样单元接收连接在第二连接器中待测器件的电压，模数转换器和硬件乘法器接收电压采样单元输出的电压信息，硬件乘法器与功率放大单元相连，功率放大单元接收硬件乘法器输出的反馈信息，模数转换器与微处理器相连，模数转换器输出转换后的数字信息到微处理器中。在微处理器的控制下，恒功率输出�？槭涑龅募尤鹊缌鳎眉尤鹊缌饔糜诩尤却馄骷娜让艚峁梗⒉裳尤鹊缌骱腿让艚峁沟牡缪梗ü布朔ㄆ骷扑愠鍪┘釉谌却馄骷系墓β剩捎谌让艚峁沟缪勾嬖诓钜欤Ｖず愎β始尤龋布朔ㄆ魇涑龇蠢≈档焦β史糯蟮ピ校狗蠢〈锏狡胶猓愎β适涑瞿？槭凳钡髡涑黾尤鹊缌鞔笮。３质涑龅亩屎愣�。优选地，所述测试机还包括用于显示测试结果及进行人机交换的显示终端，显示终端与微处理器相连。在测试过程中产生的数据信息均由微处理器传送至显示终端，并在显示终端上显示，用户还可通过显示终端输入控制信息，控制整个测试过程。优选地，所述待测器件为场效应管、绝缘栅双极型晶体管、双极性晶体管或二极管。驱动电源�？楦枰舻拇馄骷┘忧缭词蛊淇簦绯⌒в躆OSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT和双极性晶体管就需要驱动开启，二极管热阻的测试则无需采用驱动电源。本发明的另一种技术方案是一种半导体功率器件热阻测试方法，所述测试方法适用于半导体功率器件热阻测试装置，所述测试方法包括如下步骤a)将待测器件放置在温度控制箱内，在待测器件的安全工作范围内分别设定温度控制箱内的多个温度值Ti，在每一个温度值下，加载测试电流Is到待测器件的热敏结构上，分别检测不同温度值Ti下对应的正向导通电压Vi ；b)根据多组温度值Ti和正向导通电压Vi，采用插值法得出不同温度段内温度值Ti与正向导通电压Vi的线性关系，并计算得到对应的热敏参数K值；c)将待测器件放置在静态空气箱内，加载测试电流Is到待测器件的热敏结构上，测试常温下待测器件的正向导通电压VFl ；d)控制待测器件处于开启状态，加载加热电流信号Ip到待测器件的热敏结构上对热敏结构进行加热，同时检测加热后的正向导通电压Vp，实时调整电流信号Ip，使加载在待测器件上的功率ro恒定；e)瞬间消除电流信号Ip，加载测试电流Is到待测器件上，并检测在此时的正向导通电压，同时通过温度探针采集静态空气箱内的环境温度和待测器件外壳温度；f)多次重复步骤e，在待测器件达到热平衡状态时，得到热平衡状态下的正向导通电压VF2、环境温度TA和待测器件外壳温度TC，根据步骤b的热敏参数K值，计算得到待测器件的结温TJ ；g)根据步骤d的功率ro和步骤f的热平衡后的数据，结合半导体热阻公式Rjc=(TJ-TC) /PD计算得到待测器件的热阻。相比较于现有技术，本发明的半导体功率器件热阻测试方法采用恒功率法对待测器件进行加热，使现有技术中的功率变量为固定值，避免了热阻测试过程中因施加相同电流使不同封装的待测器件电压值有所差异，保证了测试的准确性；另一方面本发明采用成本较低的温度探针进行温度检测，避免了因封装材料温升的不同而使恒温平台温度偏差造成检测的不准确，既降低了测试成本，又进一步保证了热阻测试的精确度。本发明适用于不 同种类半导体功率器件的测试，测量覆盖面广，具有测量精确高、测试简单和成本低特点。
优选地，所述测试电流Is通过下述步骤获得选择多个电流Is，快速重复加载每 个电流Is到待测器件，检测每次加载时待测器件的正向导通电压VF，在同一个电流Is下， 若多次检测到的正向导通电压VF没有飘移及正向导通电压VF未出现持续下降，则选择该 电流Is为测试电流Is。在热敏参数K值的测量前，首先要选定合适的测试电流值IS，其值 不能大到使芯片明显发热，同时也不能小到无法导通和引入漏电流误差，通过快速重复测 试，若正向导通电压VF没有飘移，则表示测试电流值IS克服漏电流影响，若正向导通电压 VF未出现持续下降，则表示待测器件的发热可以忽略不计，进一步保证检测的准确性。
优选地，所述待测器件为场效应管、绝缘栅双极型晶体管、双极性晶体管或二极 管。在检测二极管热阻时，无需考虑二极管的开启状态，在检测场效应管M0SFET、绝缘栅双 极型晶体管IGBT和双极性晶体管则需要通过一个驱动电源，使上述种类的待测器件处于 开启状态。
图1是本发明半导体功率器件热阻测试装置的电路原理框图。
图2是本发明半导体功率器件热阻测试装置中恒功率输出�？榈牡缏吩砜蛲�。
具体实施方式
下面结合附图和实施例进一步详细说明本发明，但本发明的保护范围并不限于 此。
参照图1，本发明的半导体功率器件热阻测试装置，包括测试机、温度控制箱和静 态空气箱，温度控制箱和静态空气箱与测试机相连。温度控制箱内设有温控器和用于连接 待测器件的第一连接器，静态空气箱内设有用于检测静态空气箱内温度的第一温度探针、 用于检测待测器件壳温的第二温度探针及用于连接待测器件的第二连接器。所述测试机包 括微处理器及分别与微处理器相连的电压测试�？�、恒功率输出�？�、驱动电源�？�、温度 采集�？楹拖允局斩�。微处理器用于控制及处理检测数据并根据检测数据计算热阻，电压 测试�？橛糜诩觳獯馄骷虻纪ǖ缪购褪涑霾馐缘缌鳎愎β适涑瞿？橛糜谑涑黾尤� 电流和检测待测器件电压，驱动电源�？橛糜谇馄骷露炔杉？橛糜诖偷谝� 温度探针和第二温度探针采集的温度，微处理器还与温控器相连，用于控制温控器的温度， 温控器为烘箱，显示终端用于显示测试结果及进行人机交换，在测试过程中产生的数据信 息均由微处理器传送至显示终端，并在显示终端上显示，用户还可通过显示终端输入控制 信息，控制整个测试过程。
第一连接器和第二连接器用于连接待测器件，电压测试模块的测试电流输出端及 电压检测端均分别与第一连接器和第二连接器相连，电压测试�？槭涑霾馐缘缌鞯降谝涣� 接器或第二连接器上，并检测连接在第一连接器或第二连接器上待测器件的正向导通电 压。恒功率输出�？榈募尤鹊缌魇涑龆擞氲诙悠飨嗔愎β适涑瞿？槭涑黾尤鹊缌� 到第二连接器上，并检测连接在第二连接器上待测器件的电压。驱动电源�？槭涑龆擞氲� 二连接器相连，驱动电源�？橛糜谇馄骷露炔杉？榈奈露仁淙攵朔直鹩氲谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸胂嗔露炔杉？榻邮盏谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸氲奈露刃� 号，并将温度信号传输到微处理器。
参照图2，所述恒功率输出模块包括偏置电压输出单元、功率放大单元、采样电阻、 电流采样单元、电压采样单元、硬件乘法器和模数转换器，微处理器、偏置电压输出单元、功 率放大单元、采样电阻和第二连接器顺次相连，偏置电压输出单元接收微处理器发送的信 号，偏置电压输出单元输出偏置电压信号到功率放大单元中，功率放大单元输出的放大信 号输入到采样电阻中，第二连接器接收采样电阻输出的加热电流；电流采样单元分别与采 样电阻、模数转换器和硬件乘法器相连，电流采样单元采集采样电阻输出的加热电流，模数 转换器和硬件乘法器接收电流采样单元输出的电流采集信息，电压采样单元分别与第二连 接器、模数转换器和硬件乘法器相连，电压采样单元接收连接在第二连接器中待测器件的 电压，模数转换器和硬件乘法器接收电压采样单元输出的电压信息，硬件乘法器与功率放 大单元相连，功率放大单元接收硬件乘法器输出的反馈信息，模数转换器与微处理器相连， 模数转换器输出转换后的数字信息到微处理器中。
本发明的半导体功率器件热阻测试方法，基于本发明的半导体功率器件热阻测试 装置，所述测试方法包括如下步骤
a)将待测器件放置在温度控制箱内，在待测器件的安全工作范围内分别设定温度 控制箱内的多个温度值Ti，在每一个温度值下，加载测试电流Is到待测器件的热敏结构 上，分别检测不同温度值Ti下对应的正向导通电压Vi。
b)根据多组温度值Ti和正向导通电压Vi，采用插值法得出不同温度段内温度值 Ti与正向导通电压Vi的线性关系，并计算得到对应的热敏参数K值；
c)将待测器件放置在静态空气箱内，加载测试电流Is到待测器件的热敏结构上， 测试常温下待测器件的正向导通电压VFl ；
d)控制待测器件处于开启状态，加载加热电流信号Ip到待测器件的热敏结构上 对热敏结构进行加热，同时检测加热后的正向导通电压Vp，实时调整电流信号Ip，使加载 在待测器件上的功率ro恒定；
e)瞬间消除电流信号Ip，加载测试电流Is到待测器件上，并检测在此时的正向导 通电压，同时通过温度探针采集静态空气箱内的环境温度和待测器件外壳温度；
f)多次重复步骤e，在待测器件达到热平衡状态时，得到热平衡状态下的正向导 通电压VF2、环境温度TA和待测器件外壳温度TC，根据步骤b的热敏参数K值，计算得到待 测器件的结温TJ ；
g)根据步骤d的功率ro和步骤f的热平衡后的数据，结合半导体热阻公式Rjc= (TJ-TC) /PD计算得到待测器件的热阻。
利用本发明的测试装置和测试方法在检测时，包括如下具体步骤
步骤a :通过微处理器、电压测试�？楹臀露瓤刂葡浣写馄骷让舨问齂值的 检测。将待检测器件放置在温度控制箱内，并连接在第一连接器上，通过温控器控制温度控 制箱内的温度，微处理器设置测试温度为Tl、T2和T3为例，为了确保测试准确性，可以多 设定几个温度点，测试采用插值法，得到待测器件在不同温度段内对应的热敏参数K值。微 处理器输出RS485数字总线控制信号，并将该信号输入到温控器中，温控器根据该数字信 号的信息，实现温度控制箱内部加热，达到设定温度后，并维持在该温度值恒定。将温度控制箱内温度加热至Tl，此时，微处理器输出数字信号到电压测试模块，电压测试�？槎愿檬中藕沤幸肼耄缪共馐阅？槭涑鼋闲〉牟馐缘缌鱅s，并输入到待测器件的热敏结构上， 同时检测该热敏结构的正向导通电压Vl，电压测试�？槎哉虻纪ǖ缪菇心Ｊ缓蟠偷轿⒋砥髦屑锹即娲�。完成Tl温度点测试后，微处理器控制温度控制箱内温度加热至 T2，利用上述方法检测出T2温度下待测器件热敏结构的正向导通电压V2，继续测试T3温度下待测器件热敏结构的正向导通电压Ti。
在热敏参数K值的测量前，首先要选定合适的测试电流IS，其值不能大到使芯片明显发热，同时也不能小到无法导通和引入漏电流误差，通过快速重复测试，若正向导通电压VF没有飘移，则表示测试电流值IS克服漏电流影响，若正向导通电压VF未出现持续下降，则表示待测器件的发热可以忽略不计，进一步保证检测的准确性。
步骤b :由微处理器根据Tl、T2、T3、V1、V2和V3的值，用插值法拟合出热敏参数 K在不同温度范围内的值，基于热敏结构特性，通常情况下该热敏参数K接近为线性值。通过该测试过程可以得出热敏结构温度与正向导通电压的线性关系，就可以推算出此时待测器件热敏结构的结温。
由于待测器件内部热敏结构温度与导通电压关系接近线性，不同温度段内的K值近似较为接近的，采用插值法，可以更精度的描述在某段电压范围内对应的温度值，表一为五种待测器件在不同温度段内的K值数据为例
表一，五种待测器件在不同温度段内的K值数据
权利要求
1.一种半导体功率器件热阻测试装置，其特征在于，所述测试装置具有一测试机及分别与测试机相连的温度控制箱和静态空气箱，温度控制箱内设有温控器和用于连接待测器件的第一连接器，静态空气箱内设有用于检测静态空气箱内温度的第一温度探针、用于检测待测器件壳温的第二温度探针及用于连接待测器件的第二连接器； 所述测试机包括用于控制及处理检测数据并根据检测数据计算热阻的微处理器及分别与微处理器相连的用于检测待测器件正向导通电压和输出测试电流的电压测试�？椤⒂糜谑涑黾尤鹊缌骱图觳獯馄骷缪沟暮愎β适涑瞿？�、用于驱动待测器件的驱动电源�？楹臀露炔杉？椋⒋砥骰褂胛驴仄飨嗔� 电压测试模块的测试电流输出端和电压检测端均分别与第一连接器和第二连接器相连，电压测试�？槭涑霾馐缘缌鞯降谝涣悠骰虻诙悠魃希⒓觳饬釉诘谝涣悠骰虻诙悠魃洗馄骷恼虻纪ǖ缪梗愎β适涑瞿？榈募尤鹊缌魇涑龆擞氲诙悠飨嗔愎β适涑瞿？槭涑黾尤鹊缌鞯降诙悠魃希⒓觳饬釉诘诙悠魃洗馄骷牡缪梗缭茨？槭涑龆擞氲诙悠飨嗔缭茨？橛糜谇馄骷露炔杉？榈奈露仁淙攵朔直鹩氲谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸胂嗔露炔杉？榻邮盏谝晃露忍秸牒偷诙露忍秸氲奈露刃藕牛⒔露刃藕糯涞轿⒋砥�。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件热阻测试装置，其特征在于，所述恒功率输出�？榘ㄆ玫缪故涑龅ピ�、功率放大单元、采样电阻、电流采样单元、电压采样单元、硬件乘法器和模数转换器，微处理器、偏置电压输出单元、功率放大单元、采样电阻和第二连接器顺次相连，偏置电压输出单元接收微处理器发送的信号，偏置电压输出单元输出偏置电压信号到功率放大单元中，功率放大单元输出的放大信号输入到采样电阻中，第二连接器接收采样电阻输出的加热电流；电流采样单元分别与采样电阻、模数转换器和硬件乘法器相连，电流采样单元采集采样电阻输出的加热电流，模数转换器和硬件乘法器接收电流采样单元输出的电流采集信息，电压采样单元分别与第二连接器、模数转换器和硬件乘法器相连，电压采样单元接收连接在第二连接器中待测器件的电压，模数转换器和硬件乘法器接收电压采样单元输出的电压信息，硬件乘法器与功率放大单元相连，功率放大单元接收硬件乘法器输出的反馈信息，模数转换器与微处理器相连，模数转换器输出转换后的数字信息到微处理器中。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件热阻测试装置，其特征在于，所述测试机还包括用于显示测试结果及进行人机交换的显示终端，显示终端与微处理器相连。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件热阻测试装置，其特征在于，所述待测器件为场效应管、绝缘栅双极型晶体管、双极性晶体管或二极管。
5.一种半导体功率器件热阻测试方法，其特征在于，所述测试方法适用于如权利要求1所述的装置，所述测试方法包括如下步骤 a)将待测器件放置在温度控制箱内，在待测器件的安全工作范围内分别设定温度控制箱内的多个温度值Ti，在每一个温度值下，加载测试电流Is到待测器件的热敏结构上，分别检测不同温度值Ti下对应的正向导通电压Vi ； b)根据多组温度值Ti和正向导通电压Vi，采用插值法得出不同温度段内温度值Ti与正向导通电压Vi的线性关系，并计算得到对应的热敏参数K值； c)将待测器件放置在静态空气箱内，加载测试电流Is到待测器件的热敏结构上，测试常温下待测器件的正向导通电压VFl ； d)控制待测器件处于开启状态，加载加热电流信号Ip到待测器件的热敏结构上对热敏结构进行加热，同时检测加热后的正向导通电压Vp，实时调整电流信号Ip，使加载在待测器件上的功率ro恒定； e)瞬间消除电流信号Ip，加载测试电流Is到待测器件上，并检测在此时的正向导通电压，同时通过温度探针采集静态空气箱内的环境温度和待测器件外壳温度； f)多次重复步骤e，在待测器件达到热平衡状态时，得到热平衡状态下的正向导通电压VF2、环境温度TA和待测器件外壳温度TC，根据步骤b的热敏参数K值，计算得到待测器件的结温TJ ； g)根据步骤d的功率ro和步骤f的热平衡后的数据，结合半导体热阻公式Rjc=(TJ-TC) /PD计算得到待测器件的热阻。
6.根据权利要求5所述的半导体功率器件热阻测试方法，其特征在于，所述测试电流Is通过下述步骤获得选择多个电流Is，快速重复加载每个电流Is到待测器件，检测每次加载时待测器件的正向导通电压VF，在同一个电流Is下，若多次检测到的正向导通电压VF没有飘移及正向导通电压VF未出现持续下降，则选择该电流Is为测试电流Is。
7.根据权利要求5所述的半导体功率器件热阻测试方法，其特征在于，所述待测器件为场效应管、绝缘栅双极型晶体管、双极性晶体管或二极管。
全文摘要
本发明涉及一种半导体功率器件热阻测试装置及方法，所述测试装置包括测试机及分别与测试机相连的温度控制箱和静态空气箱，温度控制箱内设有温控器和第一连接器，静态空气箱内设有第一温度探针、第二温度探针及第二连接器，所述测试机包括微处理器及分别与微处理器相连的电压测试�？�、恒功率输出�？�、驱动电源�？楹臀露炔杉？椋⒋砥骰褂胛驴仄飨嗔�。本发明的测试装置及方法采用成本较低的温度探针进行温度检测，并在加热待测器件过程中施加恒定功率，既降低了测试成本，又进一步保证了热阻测试的精确度，具有测量覆盖面广、测量精确高、测试简单和成本低特点。
文档编号G01R31/26GK103048606SQ20121059260
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月30日 优先权日2012年12月30日
发明者符强, 殷资, 魏建中 申请人:杭州士兰微电子股份有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
