专利名称：过零检测电路结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电路结构技术领域，特别涉及检测电路技术领域，具体是指一种过零检测电路结构。
背景技术：
现有家用电器中，电控部分基本上都有继电器、可控硅等元器件。继电器在高压下反复吸合、断开或者可控硅在高压下的反复导通、截止，会产生大量的电磁干扰信号，同时会大大降低继电器、可控硅的使用寿命。为此需要一种检测电路来控制其吸合、断开的电位，使其切换过程在零点电压附近进行，以减少电磁干扰，并提高元器件的使用寿命。中国专利201020625970. 8公布了一种过零检测电路。其等效电路图如图I所示。通过二极管整流桥和分压电阻来采样电网的电位，三极管接成共射放大器形式，采样信号输入三极管的基极，三极管的集电极接上拉电阻，三极管集电极作为过零检测电路的输出。当采样信号低于O. 7V时，三极管集电极输出高电平信号。上述专利采用分立器件实现过零检测功能，具有如下缺点I、受分立器件的参数离散性影响，比如电阻值的误差、三极管BE结的正向导通电压的差异，过零点并不能做的很精确。2、由于采用多个分立器件，该过零检测电路会占用一定的PCB板面积，也给电路的安装调试带来的不便。3、采用一个三极管单级放大，开环增益较低，过零检测输出信号上升、下降时间会比较长，不适合高频应用。4、没有保护电路，电网电压较高时，三极管基极电流会过大。
实用新型内容本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够有效解决现有技术中过零点不精确、上升时间较长以及没有保护电路等问题，且电路结构简单，成本低廉，所需采用的电路外围元件较少，安装调试简便，应用范围广泛的过零检测电路结构。为了实现上述的目的，本实用新型的过零检测电路结构具有如下构成 该电路结构包括电流偏置电路�？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？椋龅牡缌髌玫缏纺？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？榫拥缭碫CC，该过零检测电路结构的过零检测输入端和过零检测输出端均连接所述的三级共射级放大电路�？椤８霉慵觳獾缏方峁怪校龅牡缌髌玫缏纺？榘ǖ谝� NPN三极管NI、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一 PNP三极管Pl ;所述的第一电阻Rl和第二电阻R2串联于所述的电源VCC和地之间，第一电阻Rl和第二电阻R2间的连接点与所述的第一NPN三极管NI的基极相连，所述的第三电阻R3的一端连接所述的第一 NPN三极管NI的发射极，该第三电阻R3另一端接地，所述的第一 PNP三极管Pl的集电极与基极短接，并连接所述的第一 NPN三极管NI的集电极；所述的第一 PNP三极管Pl的发射极连接电源VCC，该第一 PNP三极管Pl的基极还连接所述的三级共射级放大电路�？�。该过零检测电路结构中，所述的三级共射级放大电路�？榘ǖ诙� NPN三极管N2、第三NPN三极管N3、第四NPN三极管N4、第四电阻R4、第二 PNP三极管P2和第三PNP三极管P3 ;所述的第二 PNP三极管P2和第三PNP三极管P3的发射极均连接所述的电源VCC，第二 PNP三极管P2和第三PNP三极管P3的基极均连接所述的第一 PNP三极管Pl的基极；所述的第四电阻R4的一端也连接所述的连接电 源VCC，其另一端连接所述的第二 NPN三极管N2的集电极，所述的第二NPN三极管N2的集电极还连接所述的过零检测输出端；所述的第二 NPN三极管N2的基极、所述的第三NPN三极管N3集电极以及所述的第二 PNP三极管P2的集电极相互连接；所述的第四NPN三极管N4的集电极、所述的第三PNP三极管P3的集电极以及所述的第三NPN三极管N3的基极相互连接；所述的第二 NPN三极管N2、第三NPN三极管N3和第四NPN三极管N4的发射极均接地；所述的第四NPN三极管N4的基极连接所述的过零检测输入端。该过零检测电路结构中，所述的电路结构还包括保护电路�？椋龅谋；さ缏纺？榱佑谒龅娜豆采浼斗糯蟮缏纺？橛胨龅墓慵觳馐淙攵酥�。该过零检测电路结构中，所述的保护电路�？榘ǖ谖錘PN三极管N5、二极管Dl和第五电阻R5 ;所述的第五NPN三极管N5的集电极与所述的二极管Dl的阳极相连接，并连接所述的过零检测输入端；该第五NPN三极管N5的基极、所述的二极管Dl的阴极、所述的第四NPN三极管N4的基极以及所述的第五电阻R5的一端相互连接；该第五电阻R5的另一端及所述的第五NPN三极管N5的发射极均接地。该过零检测电路结构中，所述的电路结构还包括限流电阻R6和整流二极管D2，所述的过零检测输入端通过所述的限流电阻R6连接所述的整流二极管D2的阴极，所述的整流二极管D2的阳极连接外部电网电压。采用了该实用新型的过零检测电路结构，其包括均连接电源的电流偏置电路�？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？椋霉慵觳獾缏方峁沟墓慵觳馐淙攵撕凸慵觳馐涑龆司铀龅娜豆采浼斗糯蟮缏纺？�。三级共射级放大电路�？榈氖淙氲缪贡浠舷钟屑际踔械牡ゼ豆采浞糯笃鞔蠓跣。佣商岣吖愕慵觳獾淖既范龋行醵坦慵觳馐涑鲂藕诺纳仙拖陆凳奔�。进一步的该实用新型的过零检测电路结构还包括连接于三级共射级放大电路�？橛牍慵觳馐淙攵酥涞谋；さ缏纺？椋佣行Ы档凸愕慵觳馐淙胄藕诺牡缪梗怨慵觳獾缏诽峁┍；�。且本实用新型的过零检测电路结构，其结构简单，成本低廉，所需采用的电路外围元件较少，安装调试简便，应用范围也较为广泛。
图I为现有技术中的一种过零检测电路的等效电路图。图2为本实用新型的过零检测电路结构的电路示意图。图3为本实用新型的过零检测电路结构中的三级共射放大部分的小信号交流等效图。图4为本实用新型的过零检测电路结构的过零检测输入信号与输出信号波形图。图5为本实用新型的过零检测电路结构连接外围应用示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的技术页面，特举以下实施例详细说明。请参阅图2所示,为本实用新型的过零检测电路结构的电路示意图。在一种实施方式中，该电路结构包括电流偏置电路�？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？椋龅牡缌髌玫缏纺？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？榫拥缭碫CC，该过零检测电路结构的过零检测输入端和过零检测输出端均连接所述的三级共射级放大电路模块。在一种较优选的实施方式中，所述的电流偏置电路�？榘ǖ谝� NPN三极管NI、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一 PNP三极管Pl ;所述的第一电阻Rl和第二电阻R2串联于所述的电源VCC和地之间，第一电阻Rl和第二电阻R2间的连接点与所述的第
一NPN三极管NI的基极相连，所述的第三电阻R3的一端连接所述的第一 NPN三极管NI的发射极，该第三电阻R3另一端接地，所述的第一 PNP三极管Pl的集电极与基极短接，并连·接所述的第一 NPN三极管NI的集电极；所述的第一 PNP三极管Pl的发射极连接电源VCC，该第一 PNP三极管Pl的基极还连接所述的三级共射级放大电路�？�。在一种进一步优选的实施方式中，所述的三级共射级放大电路�？榘ǖ诙� NPN三极管N2、第三NPN三极管N3、第四NPN三极管N4、第四电阻R4、第二 PNP三极管P2和第
三PNP三极管P3 ;所述的第二 PNP三极管P2和第三PNP三极管P3的发射极均连接所述的电源VCC，第二 PNP三极管P2和第三PNP三极管P3的基极均连接所述的第一 PNP三极管Pl的基极；所述的第四电阻R4的一端也连接所述的连接电源VCC，其另一端连接所述的第
二NPN三极管N2的集电极，所述的第二 NPN三极管N2的集电极还连接所述的过零检测输出端；所述的第二 NPN三极管N2的基极、所述的第三NPN三极管N3集电极以及所述的第二PNP三极管P2的集电极相互连接；所述的第四NPN三极管N4的集电极、所述的第三PNP三极管P3的集电极以及所述的第三NPN三极管N3的基极相互连接；所述的第二 NPN三极管N2、第三NPN三极管N3和第四NPN三极管N4的发射极均接地；所述的第四NPN三极管N4的基极连接所述的过零检测输入端。在一种更进一步优选的实施方式中，所述的电路结构还包括保护电路�？椋龅谋；さ缏纺？榱佑谒龅娜豆采浼斗糯蟮缏纺？橛胨龅墓慵觳馐淙攵酥�。所述的保护电路�？榘ǖ谖錘PN三极管N5、二极管Dl和第五电阻R5 ;所述的第五NPN三极管N5的集电极与所述的二极管Dl的阳极相连接，并连接所述的过零检测输入端；该第五NPN三极管N5的基极、所述的二极管Dl的阴极、所述的第四NPN三极管N4的基极以及所述的第五电阻R5的一端相互连接；该第五电阻R5的另一端及所述的第五NPN三极管N5的发射极均接地。在一种更优选的实施方式中，所述的电路结构还包括限流电阻R6和整流二极管D2，所述的过零检测输入端通过所述的限流电阻R6连接所述的整流二极管D2的阴极，所述的整流二极管D2的阳极连接外部电网电压。在实际的应用中，本实用新型的过零检测电路结构包括电流偏置部分、三级共射放大器的电压增益部分、保护部分、过零点确定部分，4个部分。—、电流偏置的产生部分。电流偏置部分用以产生PNP电流镜电流，PNP电流镜作为共射放大级的有源负载。电源电压VCC经电阻Rl、R2分压后，作为NPN三极管NI的基极偏置电压。该电压减去NI管BE结正向压降(约O. 7V)后即得到电阻R3上的压降。电阻R3上的电压降除以电阻R3的阻值即可求得NI管的发射极电流，记为I1。Il的计算公式为
权利要求1.一种过零检测电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括电流偏置电路�？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？椋龅牡缌髌玫缏纺？楹腿豆采浼斗糯蟮缏纺？榫拥缭�(VCC)，该过零检测电路结构的过零检测输入端和过零检测输出端均连接所述的三级共射级放大电路�？椤�
2.根据权利要求I所述的过零检测电路结构，其特征在于，所述的电流偏置电路�？榘ǖ谝� NPN三极管(NI)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)和第一 PNP三极管(Pl);所述的第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)串联于所述的电源(VCC)和地之间，第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)间的连接点与所述的第一 NPN三极管(NI)的基极相连，所述的第三电阻(R3)的一端连接所述的第一 NPN三极管(NI)的发射极，该第三电阻(R3)另一端接地，所述的第一 PNP三极管(Pl)的集电极与基极短接，并连接所述的第一 NPN三极管(NI)的集电极；所述的第一 PNP三极管(Pl)的发射极连接电源(VCC)，该第一 PNP三极管(Pl)的基极还连接所述的三级共射级放大电路�？�。
3.根据权利要求2所述的过零检测电路结构，其特征在于，所述的三级共射级放大电路�？榘ǖ诙� NPN三极管(N2)、第三NPN三极管(N3)、第四NPN三极管(N4)、第四电阻(R4)、第二 PNP三极管(P2)和第三PNP三极管(P3);所述的第二 PNP三极管(P2)和第三PNP三极管(P3)的发射极均连接所述的电源(VCC)，第二 PNP三极管(P2)和第三PNP三极管(P3)的基极均连接所述的第一 PNP三极管(Pl)的基极；所述的第四电阻(R4)的一端也连接所述的连接电源(VCC)，其另一端连接所述的第二 NPN三极管(N2)的集电极，所述的第二NPN三极管(N2 )的集电极还连接所述的过零检测输出端；所述的第二 NPN三极管(N2 )的基极、所述的第三NPN三极管(N3)集电极以及所述的第二 PNP三极管(P2)的集电极相互连接；所述的第四NPN三极管(N4)的集电极、所述的第三PNP三极管(P3)的集电极以及所述的第三NPN三极管(N3)的基极相互连接；所述的第二 NPN三极管(N2)、第三NPN三极管(N3)和第四NPN三极管(N4)的发射极均接地；所述的第四NPN三极管(N4)的基极连接所述的过零检测输入端。
4.根据权利要求3所述的过零检测电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括保护电路�？椋龅谋；さ缏纺？榱佑谒龅娜豆采浼斗糯蟮缏纺？橛胨龅墓慵觳馐淙攵酥�。
5.根据权利要求4所述的过零检测电路结构，其特征在于，所述的保护电路�？榘ǖ谖錘PN三极管(N5)、二极管(Dl)和第五电阻(R5);所述的第五NPN三极管(N5)的集电极与所述的二极管(Dl)的阳极相连接，并连接所述的过零检测输入端；该第五NPN三极管(N5)的基极、所述的二极管(Dl)的阴极、所述的第四NPN三极管(N4)的基极以及所述的第五电阻(R5)的一端相互连接；该第五电阻(R5)的另一端及所述的第五NPN三极管(N5)的发射极均接地。
6.根据权利要求I至5中任一项所述的过零检测电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括限流电阻(R6)和整流二极管(D2)，所述的过零检测输入端通过所述的限流电阻(R6)连接所述的整流二极管(D2)的阴极，所述的整流二极管(D2)的阳极连接外部电网电压。
专利摘要本实用新型涉及一种过零检测电路结构，属于电路结构技术领域。该电路结构包括均连接电源的电流偏置电路模块和三级共射级放大电路�？椋夜慵觳馐淙攵撕凸慵觳馐涑龆司铀龅娜豆采浼斗糯蟮缏纺？椤Ｈ豆采浼斗糯蟮缏纺？榈氖淙氲缪贡浠舷钟屑际踔械牡ゼ豆采浞糯笃鞔蠓跣。佣商岣吖愕慵觳獾淖既范龋行醵坦慵觳馐涑鲂藕诺纳仙拖陆凳奔�。同时该过零检测电路结构还包括连接于三级共射级放大电路模块与过零检测输入端之间的保护电路�？椋佣行Ы档凸愕慵觳馐淙胄藕诺牡缪�。且本实用新型的过零检测电路结构的结构简单，成本低廉，所需采用的外围元件较少，安装调试简便，应用范围较为广泛。
文档编号G01R19/175GK202794317SQ20122050924
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者张骁宇 申请人:无锡华润矽科微电子有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
