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专利名称：气体压力变送器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种压力测试元件，本实用新型涉及一种气体压力变送器。
背景技术：
对于应用在气动控制，压力开关与控制器，便携式压力表和压力计，胎压监测系 统、MAP (manifold absolute pressure sensor)等领域的压力变送器，除了对灵敏度、稳定 性和耐久性要求较高之外，还要求气体压力变送器的可靠性要高，成本要低廉，这就对气体 压力变送器的制造提出了更高的要求，而目前所用的气体压力变送器其封装工艺复杂，制 造成本相对较高。
发明内容本实用新型的目的是针对已有技术中存在的缺陷，提供一种气体压力变送器。此 类气体压力变送器适用于大多数无腐蚀性气体和干燥空气介质的压力测量。本实用新型包 括挡环、ASIC芯片、微机械结构的MEMS芯片、基板、0形圈、外壳，外壳由两个不同直径的 圆管状体叠加组合而成，两个不同直径的圆管状体的结合部为一圆平面，其特征在于所述 基板嵌装在外壳内，基板的下表面粘贴有一 MEMS芯片，基板的上表面设有一 ASIC芯片，基 板的上表面外围设有挡环，基板的下表面与圆管状体的结合部圆平面之间设有0形圈，0形 圈用于变送器的气密性封接，所述的挡环用于承载外界压力，所述的外壳用于保护整个变 送器内部结构。本实用新型的优点是在封装过程中无实施焊接工艺，降低了封装工艺过程 对产品合格率及性能的影响，同时降低了产品成本。

图1本实用新型的结构示意图。图中1.挡环、2.外引线、3. ASIC芯片、4. MEMS芯 片、5.基板、6.0形圈、7.外壳。
具体实施方式
以下结合附图进一步说明本发明的实施例参见图1，本实用新型由挡环1、ASIC芯片3、微机械结构MEMS芯片4、基板5、0 形圈6、外壳7组成。外壳7由两个不同直径的圆管状体叠加组合而成，两个不同直径的圆 管状体的结合部为一圆平面，基板5的材料用陶瓷、塑料、不锈钢、铝、铜等金属及其合金制 作，基板5嵌装在外壳7内，基板5的下表面粘贴有一 MEMS芯片4，基板5的上表面设有一 ASIC芯片3，由于MEMS芯片4和ASIC芯片3直接连接在基板5的上下两侧，所以二者通信 距离很近，ASIC芯片对MEMS芯片输出的信号进行调理和放大，MEMS芯片4的输出信号输入 到ASIC芯片3进行调理放大所间隔的距离短，减小了外界干扰和噪音，使ASIC芯片3接收 到的原始信号更加真实，从而使整个变送器的精度得到进一步提高。基板5的MEMS芯片4 和ASIC芯片3实现压力的测量与信号的输出，并对信号进行了调理与放大，不用增加专门的PCB调理板，输出信号经外引线2输出。。基板5的上表面外围设有挡环1，挡环1和外 壳7的内侧过盈配合，挡环1用于承载外界压力。基板5的下表面与圆管状体的结合部圆 平面之间设有0形圈6，0形圈6用于变送器的气密性封接，外壳7用于保护整个变送器内 部结构。
权利要求1.一种气体压力变送器，包括挡环、ASIC芯片、微机械结构MEMS芯片、基板、0形圈、 外壳，外壳由两个不同直径的圆管状体叠加组合而成，两个不同直径的圆管状体的结合部 为一圆平面，其特征在于所述基板嵌装在外壳内，基板的下表面粘贴有一 MEMS芯片，基板 的上表面设有一 ASIC芯片，基板的上表面外围设有挡环，基板的下表面与圆管状体的结合 部圆平面之间设有0形圈。
2.根据权利要求1所述的气体压力变送器，其特征在于所述的MEMS芯片和ASIC芯 片连接在基板两侧。
3.根据权利要求1所述的气体压力变送器，其特征在于所述ASIC芯片对MEMS芯片输 出的信号进行调理和放大。
4.根据权利要求1所述的气体压力变送器，其特征在于所述挡环与外壳内侧为过盈配I=I O
专利摘要一种气体压力变送器，本实用新型包括挡环、ASIC芯片、微机械结构的MEMS芯片、基板、O形圈、外壳，外壳由两个不同直径的圆管状体叠加组合而成，两个不同直径的圆管状体的结合部为一圆平面，其特征在于所述基板嵌装在外壳内，基板的下表面粘贴有一MEMS芯片，基板的上表面设有一ASIC芯片，基板的上表面外围设有挡环，基板的下表面与圆管状体的结合部圆平面之间设有O形圈。本实用新型的优点是在封装过程中无实施焊接工艺，降低了封装工艺过程对产品合格率及性能的影响，同时降低了产品成本。
文档编号G01L9/00GK201892596SQ20102054641
公开日2011年7月6日 申请日期2010年9月28日 优先权日2010年9月28日
发明者刘胜, 卢云, 张宗阳, 王小平 申请人:刘胜