专利名称：用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器。
背景技术：
重金属离子(如Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+)能够对人体产生有害甚至致命的影响，因此重金属的定量检测在药物、食品、临床和环境监测等方面有着非常重要的意义。目前的检测方法主要有原子吸收分光光度法和质谱法等，但是采用这些方法的设备庞大，并且昂贵，需要复杂的预处理，测量周期长以及需要熟练的操作人员，这在实际应用中带来许多不方便。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器，能够对重金属离子进行定性和定量检测。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下选用p型或n型Si片作基底，在基底从下而上依次有SiO2层、金属层、对重金属离子敏感的薄膜。
所说的金属层为下层为Cr，上层为Au；或下层为Ti，中层为Pt，上层Au；或上层为Ti，下层为Pt。
所说的对重金属离子敏感的薄膜是Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+等敏感薄膜。
本发明具有的优点是检测器件�。匝芤荷伲饬靠焖伲褂帽憬荩饬孔既罚负趺挥腥魏谓鹗衾胱幽芄桓扇挪饬�。该薄膜传感器可在江河湖海、生物医学领域如血液、体液等、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Hg2+进行定性和定量检测。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型的的基本结构图；图2是本实用新型的第一种传感器的基本结构图；图3是本实用新型的第二种传感器的基本结构图；图4是本实用新型的第三种传感器的基本结构图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型选用p型或n型Si片作基底，在基底从下而上依次有SiO2层、金属层、对重金属离子敏感的薄膜。
所说的金属层为下层为Cr，上层为Au，如图2所示；或下层为Ti，中层为Pt，上层Au，如图3所示；或上层为Ti，下层为Pt，如图4所示。
所说的对重金属离子敏感的薄膜是Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+广等敏感薄膜。
该传感器在使用时，在硅片下部用银浆作欧姆接触，以便引出导线，在敏感膜上部用环氧树脂做成小腔，以便装测试溶液，激发光源在硅片的后面照射，也可以在敏感膜上部照射激发，也就是在电解质溶液上部照射激发，在电解质溶液中放入参比电极，在欧姆接触和参比电极之间接固定偏压，这样就可以在电路回路中测量出由溶液中重金属浓度所引起的光电流变化，从而测量出溶液中的重金属含量。
权利要求1.一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器，其特征在于选用p型或n型Si片作基底，在基底从下而上依次有SiO2层、金属层、对重金属离子敏感的薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器，其特征在于所说的金属层为下层为Cr，上层为Au；或下层为Ti，中层为Pt，上层Au；或上层为Ti，下层为Pt。
3.根据权利要求1所述的一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器，其特征在于所说的对重金属离子敏感的薄膜是Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+敏感薄膜。
专利摘要本实用新型公开了一种用于检测重金属离子的薄膜光寻址电位传感器。该传感器是选用p型或n型Si片作基底，在基底从下而上依次有SiO
文档编号G01N27/333GK2660528SQ20032012284
公开日2004年12月1日 申请日期2003年12月21日 优先权日2003年12月21日
发明者王平, 门洪, 李毅 申请人:浙江大学
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