专利名称：一种薄膜铂电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种薄膜钼电阻，用于连续测量物体表面温度。
背景技术：
钼电阻的测温原理是金属钼的电阻值随温度变化成正温度系数变化，测得某一时刻的电阻值即可得到对应的温度值。目前较为普遍使用的钼电阻元件为薄膜钼电阻和陶瓷钼电阻两大类，其中，薄膜钼电阻适于测量表面温度。常用的薄膜钼电阻采用陶瓷作为基片，质地坚硬，与被测表面难于紧密贴合从而增加测量误差。在平面或弧形表面温度的测量过程中，特别是在卫星电池组表面温度测量过程中；要求温度传感器具有质地柔韧、易于安装、耐辐射、体积小、重量轻、响应快、长寿命的特点，且能够在电池组表面充电变形的情况下，仍与其紧密贴合并进行较为精确的温度测量。国内外现有钼电阻及温度传感器均无法满足上述要求。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种质地柔韧、易于安装、体积小、重量轻的薄膜钼电阻，能够与被测面紧密贴合并进行较为精确的温度测量。本实用新型包括如下技术方案一种薄膜钼电阻，包括钼丝、上基片、下基片和镍引出线；所述钼丝、镍引出线位于上基片和下基片之间；所述钼丝与所述镍引出线焊接固定；所述钼丝绕制成栅丝形状。由钼丝形成的感温部分尺寸为23mmX 18mm,厚度不大于0. 3mm。上基片为无碱玻璃纤维布，其厚度为0. 03mm ；下基片为聚酰亚胺薄膜，其厚度为0. 03mmo所述镍引出线为镍N6引出线，其长度为33mm，宽度为2mm，厚度0. 05mm。本实用新型与现有技术相比的优点在于(1)由于将钼丝绕制成栅丝形状，本实用新型的薄膜钼电阻的质地轻软柔韧，易于安装，可通过粘贴方式与被测平面或弧面紧密贴合，从而减小测温误差；可用于测量平面或弧形表面温度。(2)本实用新型的薄膜钼电阻的体积小、重量轻、耐冲击性能好，整体重量不大于0. 2go
图1为本实用新型薄膜钼电阻敏感部分结构示意图；图2为本实用新型薄膜钼电阻结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细的描述如图1所示为薄膜钼电阻敏感部分工作原理图。敏感部分包括钼丝1和镍引出线4。金属钼的电阻值随温度变化成正温度系数变化，通过调整钼丝I的长度得到标称电阻的设计值，镍引出线4与钼丝I采用点焊的方法焊接，作为钼电阻的输出端。测得某一时刻的电阻值即可得到对应的温度值。优选地，由钼丝形成的感温部分外形尺寸为23mmX 18mm,厚度不大于0. 3mm。选取直径为小0.02mm的钼丝I制作敏感部分，钼丝I全长约576mm，每2. 88mm对应I Q电阻值， 在制作过程中采用专用平面绕线机将钼丝I均匀平顺的绕制成栅丝形状，经过钼丝长度粗调和微调エ艺环节，将钼丝0°C电阻值调整为R0 = (200±0. 5) Q，即在规定的范围内。钼丝 I在绕制前需经过严格的酸洗、清洗和退火エ序，以去除钼丝I表面的杂质及固有应力。钼电阻标称阻值为Pt200，补充了现有钼电阻的型谱。优选地，镍引出线4材质为镍N6，几何尺寸为长33mm，宽2mm，厚0.05mm，两根镍引出线4总的电阻值为0. 0627 Q，以(TC条件下的钼电阻标称电阻200 Q为例，镍引出线4 的电阻占整机电阻的0. 031%，引起的测量误差为0. 08°C，与(TC允差±0. 65°C的指标要求相比，影响较小。镍引出线4具备较好的导电性、耐蚀性、加工性、可焊性和机械强度，线胀系数�。扌璞砻娲�。成品测试单根镍引出线承受拉カ不小于5N、持续时间不小于5s吋， 传感器不开路。如图2所示，为本实用新型薄膜钼电阻结构示意图。薄膜钼电阻由钼丝I、上基片
2、下基片3、镍引出线4和铭牌5组成。铭牌5位于其中ー根镍引出线上。优选地，上基片2采用厚度为0. 03mm的无碱玻璃纤维布制作，下基片3采用厚度为0. 03mm的聚酰亚胺薄膜作为基材，采用喷胶エ艺在其基材上用喷枪喷涂ー层薄而均匀的胶液。钼丝I和镍引出线4夹在上基片2和下基片3之间，对下基片3喷酒精蒸汽增大其喷涂胶液的粘性，通过加压，最終将四者粘接起来，之后加温固化，钼电阻制作完成。由于上基片2、下基片3材质均具有较好的抗辐射性能，能够满足对钼电阻抗辐射的要求，同时其质地轻薄柔软，可在保护敏感丝的前提下，保证钼电阻具有较好的柔韧性，适于平面及弧形表面温度的測量。经试验验证，本实施方式的薄膜钼电阻可达到如下指标(I)测温范围_50°C至 100°C ；(2)标称电阻Pt200 ；(3)测量允差土(0. 65+0. 005 111) °C ；(4)绝缘电阻常温常湿条件下，不小于100MQ ；(5)额定工作电流3. 5mA ;(6)质量不大于0. 2g ;(7)自热在3. 5mA额定工作电流作用下，产生的自热不大于0.2°C ;自热温升 0. 3°C时,所通过的激励电流不大于IOmA ；(8)抗过载电流过载电流为(10±l)mA且持续时间Ih条件下，传感器不开路；(9)单根镍引出线承受拉カ不小于5N、持续时间不小于5s时，传感器不开路；(10)抗辐照可承受总辐照剂量1. 69E+07[rad(Si)]，剂量率85rad/s。本实用新型对系列化、通用化和组合化进行了考虑，通过调整结构參数，可以将此类钼电阻设计成不同尺寸、不同标称阻值的产品，可实现系列化、通用化，进而满足不同用户的需求；同时，可通过配以不同结构的外壳进行其他形式温度參数的測量。
权利要求1.ー种薄膜钼电阻，包括钼丝(I)、上基片(2)、下基片(3)和镍引出线⑷；所述钼丝(I)、镍引出线(4)位于上基片(2)和下基片(3)之间；所述钼丝(I)与所述镍引出线(4) 焊接固定；其特征在于所述钼丝(I)绕制成栅丝形状。
2.根据权利要求I所述的ー种薄膜钼电阻，其特征在干由钼丝(I)形成的感温部分尺寸为23_X 18mm，厚度不大于0. 3mm。
3.根据权利要求I所述的ー种薄膜钼电阻，其特征在于所述上基片(2)为无碱玻璃纤维布，其厚度为0. 03mm ;所述下基片(3)为聚酰亚胺薄膜，其厚度为0. 03mm。
4.根据权利要求I所述的ー种薄膜钼电阻，其特征在于所述镍引出线(4)为镍N6引出线，其长度为33mm，宽度为2mm，厚度0. 05mm。
专利摘要一种薄膜铂电阻，包括铂丝(1)、上基片(2)、下基片(3)和镍引出线(4)；所述铂丝(1)、镍引出线(4)位于上基片(2)和下基片(3)之间；所述铂丝(1)与所述镍引出线(4)焊接固定；所述铂丝(1)绕制成栅丝形状。本实用新型的薄膜铂电阻的质地轻软柔韧，易于安装，可通过粘贴方式与被测平面或弧面紧密贴合，从而减小测温误差。
文档编号G01K7/18GK202339234SQ20112043862
公开日2012年7月18日 申请日期2011年11月8日 优先权日2011年11月8日
发明者沈杰, 王海清, 端木丹丹 申请人:北京遥测技术研究所
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