专利名称：电流传感器、电流测量�？橐约坝糜诘缌鞑饬康姆椒�
技术领域：
本发明涉及一种电流传感器，其具有导体以及位于所述导体旁边的两个磁场传 感器。
背景技术：
已经公开了具有作为磁场传感器的霍尔元件的各种类型的电流传感器。一种 具有用于增强磁场传感器的位置处的磁场的磁通压缩器的电流传感器通常使用单个磁场 传感器，所述单个磁场传感器被设置在磁通压缩器的空隙中。这种类型的缺点在于大的 结构尺寸和大的部件重量。部件尺寸例如阻碍了将传感器集成到基于塑模的功率�？� 中。其他的缺点是磁滞效应，所述磁滞效应在对磁通压缩器起作用的场强例如由于位于 传感器的测量范围外的电流以及强的干扰场而超过最大值时出现。另一类型的电流传感 器具有一个或多个直接位于导体旁边的一维磁场传感器。这种传感器类型适合于集成到 基于塑模的�？橹校豢梢圆钩ジ扇懦�。这种类型的具有两个相对于导体对称地设置 成差分布置的磁场传感器的变型方案可以消除均勻的干扰场。然而，不均勻的磁场产生 使可实现的准确性显著下降的干扰影响并且这种解决方案不适合对测量准确性具有高要 求——例如2%总误差的应用。例如在US 2006284613中描述了这种传感器。
发明内容
与之相反，根据本发明的、具有导体以及位于导体旁边的两个至少二维的磁场 传感器的电流传感器具有以下优点传感器可以消除不均勻的干扰场并且尽管如此仍可 置于基于塑模的模块中。磁场传感器可被构造为一个元件或者由多个一维的元件组成。本发明基于以下考虑可以假设不均勻的干扰场在两个彼此邻近的空间位置处 在不同的空间方向上分别具有相同的场强比。另一考虑是，由于流过电流的导体而引起 的有效场(Nutzfeld)的场力线同心地围绕所述导体延伸，因此在传感器的位置处，有效 场在空间中的方向是已知的，并且根据与导体的距离有效场的场强的数值的比也是已知 的。这些磁场传感器不必为此相对于导体对称地位于两侧，也不必位于导体的不同侧。 然而，借助容易理解的特殊情形来解释本发明，其中，这些磁场传感器相对于导体对称 地设置在两侧。即在这些磁场传感器的位置处有效场强以相同的数值和相反的符号位于 相同的空间方向上。由这些传感器测得的测量场在有效场的空间方向上由这里称为测试 场(Priiffeld)的总和组成，所述总和由有效场和有效场方向上的干扰场分量构成。基于 此几何形状来定义测试场的方向。在垂直于有效场方向的平面中，测量场等于干扰场， 因为这里有效场等于0。根据本发明，可以因此使用由传感器测得的测量场的矢量分解， 以便确定干扰场在垂直于有效场的空间方向上的不均勻性。现在对于有效场的空间方向 也假定所述不均勻性并且将所述不均勻性传递到测试场。随后，由此在考虑有效场的特 性——在两个传感器的位置处数值相等、方向相反——的情况下计算有效场和有效场方 向上的干扰场分量。最后由有效场计算出导体中的电流强度。
这些考虑原则上适用于三维空间，而与磁场传感器相对于导体的定向无关，因 为所测得的三维矢量的分解能够将参考系旋转成对齐测试场的参考系。即，旋转成这样 的系统，在所述系统中第一检测方向在由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线 的方向上并且第二检测方向在与所述场力线垂直的平面中。优选的配置是传感器被如 此布置，使得在两个传感器的位置处有效场强具有相同的数值并且位于相同的方向上。 这一方面是如下配置在示例中所述的相对于导体对称地位于两侧的传感器在相同的空 间方向上具有相反的有效场方向。另一方面，优选的配置为这些传感器位于相对于导 体的平行线上，即实际上位于导体的同一侧并且与导体的距离相同，使得在两个传感器 的位置处有效场强具有相同的数值并且同向地位于相同的空间方向上。可以以更高的计 算耗费考虑其他配置。此外，也可以使用其他的传感器。在实际应用中，磁场传感器的定向优选在测试场方向上，使得这些传感器的测 量方向与由于在导体中流动的电流而引起的场强的场力线的方向上的第一检测方向一致。在简单的情形中，如果确信存在干扰场在第二检测方向上的分量，则可以借助 二维的磁场传感器，即具有两个独立的测量方向的磁场传感器来实施本发明，其方式 是，第二检测方向在很大程度上任意地位于垂直于第一检测方向的平面中。优选地，在根据本发明的电流传感器中，两个三维的磁场传感器，即具有三个 独立的测量方向的磁场传感器布置在导体旁边，其中，第三检测方向垂直于第一和第二 检测方向。因此，关于干扰场的知识不再是必需的，因为在任何情形中均检测到垂直于 第一检测方向的平面中的分量。三维的磁场传感器允许干扰场的矢量分解并且由此允许 干扰场在有效方向上起作用的部分的计算。所述部分可以通过计算进行补偿。因此，可 以以高的准确性确定由流过电流的导体产生的磁场并且由此确定流过导体的电流强度。 此外，在已知潜在干扰源的情况下可以借助三维的磁场检测来识别主要的引发因素。磁场传感器优选是霍尔元件、AMR (Anisotropic Magnetoresistance 各向异 性磁阻)传感器、GMR (Giant Magnetoresistance 巨磁阻)传感器、TMR (Tunneling Magnetoresistance 隧道磁阻)传感器或者磁通门传感器。在本发明的一个优选构型中，通过集成的分析单元消除干扰�。龇治龅ピ� 借助磁场传感器的测量值来确定由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的方向 上的测试场以及垂直于由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的方向上的干扰 �。⑶矣刹馐猿『透扇懦±慈范ǖ继逯械牡缌�。 根据本发明的具有根据本发明的电流传感器的电流测量�？榘懦〈衅骱� 分析单元在包围导体的壳体中的布置。根据本发明的借助用于测量导体中的电流的电流传感器进行电流测量的方法具 有以下方法步骤，所述电流传感器具有位于导体旁边的两个至少二维的磁场传感器a.借助磁场传感器的测量值来检测测量�。籦.确定由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的方向上的测试场的场 强；C.确定干扰场在垂直于由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的方向 上的分量的场强；
d.由干扰场的分量的被确定的场强来检测干扰场的不均勻性；e.由测试场的场强和干扰场的不均勻性来确定由于在导体中流动的电流而引起 的有效�。籪.由有效场来确定导体中的电流。在一个优选的根据本发明的方法中，优选使磁场传感器如此定向，使得测量方 向与由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的方向一致。在一个有利的优选的根据本发明的用于借助具有两个三维的磁场传感器的电流 传感器进行电流测量的方法中，确定干扰场在垂直于由于在导体中流动的电流而引起的 磁场的场力线的平面中的场强。优选在所述平面内在干扰场的最大场强的方向上进行干 扰场的检测。
根据附图来说明本发明的实施例，其中图1以横截面图示出不均勻的磁场中的根据本发明的电流传感器的示意图；图2作为集成解决方案示出根据本发明的电流传感器�？榈氖疽馔迹煌�3作为独立�？槭境龈荼痉⒚鞯牡缌鞔衅髂？槭疽馔迹灰约巴�4示出根据本发明的方法的流程图。
具体实施例方式图1以二维的横截面图示出了不均勻的干扰磁场S中的根据本发明的电流传感器 10。干扰场S的方向由箭头示出，场的强度由这些箭头的密度示出，这里场的场强在图 中从右向左增大。根据本发明，干扰场的这种不均勻性在电流测量时被补偿。在横截面 图中示出的流过电流的导体11产生由环形的场力线12示出的有效磁场N。在电流流过的 导体11旁边，第一磁场传感器13和第二磁场传感器14布置成是相对于导体11对称的。 在附图中，环形的场力线12基本上垂直地穿过这两个磁场传感器13、14。使磁场传感器 13、14如此定向，使得所述穿过的方向同时也是磁场传感器的测量方向。在圆16、16a 中放大地示出了磁场传感器13、14周围的截面15、15a,以便表示在第一磁场传感器13 的位置处叠加的磁场的具有索引1的矢量分解以及在第二磁场传感器14的位置处叠加的 磁场的具有索引2的矢量分解。Bl和B2是所测得的、具有在传感器13、14的两个测量 方向上的分量Blx和Bly以及B&和B2y的磁场矢量。表示分量B&的箭头17指向为 分解而选择的坐标系的χ方向，而表示分量B2y的箭头18指向为分解而选择的坐标系的 y方向。这里已按照磁场传感器13、14的定向如此选择了所述坐标系，使得有效场N的 场力线12在+χ方向上穿过磁场传感器14并且在-χ方向上穿过磁场传感器13。通过磁 场传感器的所述定向，分量Blx、B&的测量方向与以上所述的第一检测方向重合。而y 方向在磁场传感器13、14的第二测量方向上延伸通过磁场传感器13、14的连接线。在 y方向上，在两个磁场传感器13、14处不存在有效场并且测量场分量Bly和B2y与干扰 场分量Sly和S2y—致。在χ方向上，在第二磁场传感器14处，测量场分量Β&是由 干扰场分量S&和待确定的有效场Ν2构成的矢量加法。ζ方向平行于导体，但未示出。 关于磁�。品较虻扔趛方向，因为这里同样在传感器的位置处存在干扰场分量但不存在有效场分量。不仅在具有二维的磁场传感器的构型中而且在具有三维的磁场传感器的构 型中，所示的χ方向和y方向是电流传感器的优选定向。以简化的二维情形说明干扰场的补偿，如其在图1中作为优选实施方式示出的 那样。相对于一般情形的简化在于，已经使磁场传感器13、14如此定向，使得在这些传 感器的位置处有效场仅仅在χ方向上不等于0并且因此测试场P的方向与χ方向一致而且 可以省去坐标变换。在χ方向上由磁场传感器13、14测得的场强Blx和B&包含这里 称为测试场PI、P2的叠加，所述叠加由有效场Ni、N2和干扰场的χ分量Six、S&构 成。在此需基于圆形的有效场的由箭头19、20表示的方向考虑在这两个传感器的位置 处数值相等的有效场强的相反符号。在y方向上由磁场传感器13、14测得的场强Bly、 B2y仅仅包含干扰场的y分量。在磁场传感器13、14彼此之间的距离较小的情况下，可 以假设不均勻的干扰场在χ方向上具有与所测得的场强在y轴方向上的场强比相同的场强 比——这里称为不均勻比(Inhomogenitatsverhaltnis)JP Slx/S& = Sly/S2y。由此， 可以借助关于有效场N的数值和符号的知识，即|N| = |N1| = |N2|和Nl = _N2，确定磁 场传感器13、14中的每一个处干扰场在χ方向上的场强Slx和S&并且由此确定有效场 Nl或N2的场强以及最后确定导体中流动的电流强度。在二维情形中，y方向由于磁场 传感器的定向与以上所述的第二检测方向重合。对于本领域技术人员而言，可以扩展到具有三维的磁场传感器的情形。在ζ方 向上增加第三测量方向。可以在y_z平面内以一定的自由度选择第二检测方向的位置， 只要干扰场强大到足以确定不均勻比。然而，检测方向的最佳选择是y-ζ平面中通过矢 量加法确定的方向，这个方向是两个磁场传感器13、14的最大测得的干扰场矢量所在的 方向。由此实现最大的准确性。在图2中作为集成解决方案示出了根据本发明的电流传感器�？�22。�？�22固 定在导体23上。这里为霍尔传感器24、25的磁场传感器与触头26连接并且设置在这里 为印刷电路板的载体27上(未示出连接端子)。模块22被配置用于固定在导体23上并 且在已固定的状态中示出。触头26可从外部触及。此集成解决方案适用于具有可触及 的导体区段的配置。图3作为独立�？槭境隽烁荼痉⒚鞯牡缌鞔衅髂？�30。与导体31邻接地设 置磁场传感器，这里为霍尔传感器32、33。霍尔传感器32、33与分析单元34连接，所 述分析单元34又与触头35连接。导体由对置的连接端子36、37和位于连接端子36、 37之间的逐渐变细的区段38组成。霍尔传感器32和33、电路板导体的逐渐变细的区段 38、分析单元34和触头35嵌入到塑料壳体39中，其中，触头35是引出的。集成的分 析单元34借助磁场传感器的测量值确定由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线 的方向上的测试场以及与所述场力线垂直的方向上的干扰场并且由测试场和干扰场确定 导体中的电流。图4示出根据本发明的方法的流程图。借助用于测量导体中的电流的电流传感 器进行电流测量的方法具有以下方法步骤，所述电流传感器具有位于导体旁边的两个至 少二维的磁场传感器，其中，涉及图1中所示的场a.借助磁场传感器的测量值来检测测量场B ；b.确定在传感器的位置处在由于在导体中流动的电流而引起的磁场N的场力线的方向上的测试场P的场强；例如，在图1中，在第二磁场传感器14处，N2在+X方向 上，在第一传感器处，Nl在-χ方向上，由此P在χ方向上，干扰场S与有效场N的叠 加仅仅在χ方向上起作用，与χ方向垂直Nly =Nlz = N2y = N2z = 0 ；C.确定干扰场S在传感器的位置处在垂直于由于在导体中流动的电流而引起的磁 场N的场力线的方向上的分量Sly、S2y的场强；d.由干扰场的分量Sly、S2y的被确定的场强来检测干扰场的不均勻性；这里通 过不均勻比Sly/S2y来确定所述不均勻性；e.借助于关系 Pl = Nl+Slx，P2 = N2+S2x，Slx/S2x = Sly/S2y 和 Nl = _N2
由测试场P的场强和干扰场S的不均勻性确定由于在导体中流动的电流而引起的有效场 N；f.由有效场确定导体中的电流。在用于电流测量的方法的一个优选实施方式中，使磁场传感器如此定向，使得 测量方向与由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的方向一致。已经结合图1 中的电流传感器对方法的这种实施方式进行了说明。在借助具有两个三维的磁场传感器的电流传感器进行电流测量的方法的另一优 选实施方式中，确定干扰场在垂直于由于在导体中流动的电流而引起的磁场的场力线的 平面中的场强并且检测平面内最大干扰场场强的方向上干扰场的不均勻性。由此实现最 大的准确性。
权利要求
1.用于测量一导体(11，23，31)中的电流的电流传感器(10;22； 30)，具有位于所 述导体旁边的两个磁场传感器(13，14； 24，25； 32，33)，其特征在于，所述磁场传感 器是具有两个测量方向(18，17)的至少二维的磁场传感器。
2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述磁场传感器的一第一测量方 向(18)在由于在所述导体(11)中流动的电流而引起的磁场(Ni，N2)的场力线(12)的 方向上并且一第二测量方向(17)垂直于由于在所述导体(11)中流动的电流而引起的磁场 (Ni，N2)的场力线(12)。
3.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，所述电流传感器具有二维的 磁场传感器。
4.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，所述电流传感器(10;22； 30)具有三维的磁场传感器(13，14 ； 24，25 ； 32，33)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁场传感器 (13，14; 24; 25; 32，33)被布置在相对于所述导体对称的两侧。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁场传感器 (13，14; 24，25; 32，33)是由霍尔元件、AMR传感器、GMR传感器或磁通门传感器 组成的组中的传感器。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电流传感器，其特征在于一集成的分析单元 (34)，所述集成的分析单元(34)借助所述磁场传感器的测量值来确定由于在所述导体中 流过的电流而引起的磁场(N2)的场力线(12)的方向上的测试场(P)以及在垂直于由于在 所述导体中流过的电流而引起的磁场的场力线的方向(S2y)上的干扰场(S)，并且所述集 成的分析单元(34)由测试场和干扰场(S)来确定所述导体中的电流。
8.具有一根据权利要求1至7中任一项所述的电流传感器的电流测量�？椋涮卣髟� 于所述磁场传感器(32，33)和所述分析单元(34)在一围绕所述导体(31)的壳体(39)中 的布置。
9.具有一根据权利要求1至7中任一项所述的电流传感器的电流测量�？椋涮卣髟� 于，所述布置具有设置在一载体(27)上的所述电流传感器的元件并且被配置用于在所述 导体(23)上的固定。
10.借助一用于测量一导体中的电流的电流传感器进行电流测量的方法，所述电流传 感器具有位于所述导体旁边的两个至少二维的磁场传感器，其特征在于以下方法步骤a.借助所述磁场传感器的测量值来检测一测量场(B)；b.确定由于在所述导体中流动的电流而引起的磁场(N)的场力线的方向上的一测试 场(P)的场强；c.确定一干扰场(S)在垂直于由于在所述导体中流动的电流而引起的磁场(N)的场力 线的方向上的分量(Sly，S2y)的场强；d.由一干扰场(S)的被确定的分量(Sly，S2y)的场强来检测所述干扰场(S)的不均 勻性；e.由所述测试场(P)的场强和所述干扰场(S)的不均勻性来确定有效场(N)；f.由所述有效场(N)来确定所述导体中的电流。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，使所述磁场传感器如此定向，使得测量方向(Blx，B&的方向)与由于在所述导体中流动的电流而引起的磁场(方向Ni， N2)的场力线的方向一致。
12.根据权利要求11所述的借助具有两个三维的磁场传感器的电流传感器进行电流测 量的方法，其特征在于，确定所述干扰场在一垂直于由于在所述导体中流动的电流而引 起的磁场的场力线(χ方向)的平面(y_z)中的场强。
13.根据权利要求12所述的借助具有两个三维的磁场传感器的电流传感器进行电流测 量的方法，其特征在于，检测所述干扰场在所述平面内在所述干扰场的最大场强的方向 上的不均勻性。
全文摘要
一种用于测量导体(11，23，31)中的电流的电流传感器(10；22；30)，具有位于所述导体旁边的两个磁场传感器(13，14；24，25；32，33)，其特征在于，这些磁场传感器是具有两个测量方向(18，17)的至少二维的磁场传感器。由此可以补偿不均匀的干扰场。
文档编号G01R15/20GK102012446SQ201010274480
公开日2011年4月13日 申请日期2010年9月3日 优先权日2009年9月4日
发明者F·埃伯哈特, K·费德恩, M·蒙茨, M·霍尔茨曼, S·吕本纳克, V·蒂尔斯, W·海尔维希 申请人:罗伯特·博世有限公司
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