专利名称：一种移出检测电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种检测电路，尤其是涉及一种检测设备或�？槭欠穹⑸掷氲囊瞥黾觳獾缏�。
背景技术：
在金融产品领域有些安全设备或模块往往是非法攻击的对象。不法分子会将这些安全设备或�？椴鹱呋蚋怀勺约旱姆欠ㄉ璞福蛘呤遣鹱吆� 读出设备里面的保密信息之后又装回去，这都会对用户或者金融机构带来极大的风险。中华人民共和国国家知识产权局于2010年11月17日公开了授权公告号为CN201638305U的专利文献，名称是ー种用于自助银行和自动柜员机的智能监控装置。它包括ー个核心DSP处理芯片，通过两个A/D接入两路视频，再外接ー个D/A，用以将视频输出到监视器或者DVR上，四路传感器输入接ロ，用来外接各种传感器；三路继电器输出接ロ，用来外接报警器和门锁控制器；以太网接ロ，用来和报警中心通讯；RS232接ロ，用来和外部通讯。此装置可以记录破坏自动柜员机的行为，但是如果有人将摄像机掩盖然后进行破坏则无法记录，难以提供充分的保护，并且结构复杂、成本大。
发明内容本实用新型主要是解决现有技术所存在的设备保护监控装置结构复杂、成本大、对有针对性的行为难以防范的技术问题，提供ー种结构简单、可以记录设备或者�？楸灰贫囊瞥黾觳獾缏�。本实用新型针对上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的ー种移出检测电路，包括电源、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、电容C68及若干个电阻，MOS管Q8的漏极为节点A，M0S管Q9的栅极为节点B ；M0S管Q8的栅极连接设置端ロ，源极接地，漏极连接输出端ロ ；电阻R40—端接电源正极，另一端连接设置端ロ ；电容C68和电阻R42并联以后串联在电源正极和节点A之间；M0S管Q7的漏极连接电源正极，栅极通过电阻R42连接节点A，源极通过电阻R43连接节点B ；M0S管Q9的漏极连接节点A，源极接地；电阻R45 —段连接节点B，另一端接地。移出检测电路设置在需要监控的设备或者�？樯希涑龆衰碛牍潭觳馍璞傅氖淙攵衰砹�。固定检测设备可以通过输入端ロ输入的信号判断被监控设备或者模块是否有被移出过。平时设置端ロ与固定检测设备的“地”信号连接，此时输出端ロ为高电平。当设备或者�？楸灰瞥龊螅柚枚衰硇眨涑龆衰肀湮偷缙剑⑶冶３植槐洌笆鄙璞冈俅伪话沧盎卦徊⑶疑柚枚衰碓俅斡牍潭觳馍璞傅摹暗亍毙藕帕樱涑龆衰硪惨恢北３值偷缙�。固定检测设备检测到输入端ロ电平变为低电平以后可以使设备停止工作或者报警，防止设备或者�？楸恍薷囊院笤侔沧盎卦淮吹陌踩�。作为优选，节点A通过PNP型三极管Q13连接输出端ロ，三极管Q13的基极和集电极都与节点A连接，发射极与输出端ロ连接。三极管Ql3用于阻断电流，减小电路的消耗。作为优选，本实用新型的移出检测电路还包括重置电路，所述重置电路包括MOS管QlI、电阻R48、电阻R49和电容C69 ；电阻R48 —端连接重置端ロ，另一端连接MOS管Qll的栅极；M0S管Qll漏极连接节点B，源极接地；电容C69 —端连接MOS管Qll的栅极，另ー端接地；电阻R49—端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地。平时重置电路的重置端ロ输入为低电平，当输出端ロ变为低电平以后，可以通过在重置端ロ接入高电平使电路重置，输出端ロ变为高电平。并且重置端ロ隐藏在设备或者�？槟诓磕岩员唤哟サ剑乐贡徊环ǚ肿永谩Ｗ魑叛。鯩OS管Q8、MOS管Q9和MOS管Qll为增强型NMOS管；所述MOS管Q7为增强型PMOS管。作为优�。龅缭次绯�。锂电池也安装在被监控的设备或者�？槟冢沟靡瞥黾觳獾缏芳词乖诿挥型饧拥缭吹那榭鱿乱部梢猿て诠ぷ�。 本实用新型带来的有益效果是，可以监控设备或者�？槭欠癖灰瞥鲈恢貌⒃谝瞥龊蟊Ａ粢瞥鲎刺梢苑乐鼓？楸恍薷囊院蠓呕卦换辜绦ぷ鳎坏缏分挥肕OS管和电阻、电容搭建，形之有效，稳定性高，解决了目前该功能要用处理器、集成电路并用软件控制等较复杂的方法才能实现的现状，减少的电路成本；电路占用面�。梢苑奖愕募傻礁丛拥南低持腥ィτ眉虮悖坏凸模梢栽谖尥獠抗┑绲那榭鱿鲁て诠ぷ鳌�
图I是本实用新型的一种电路原理图；图中SET为设置端ロ，OUT为输出端ロ，CLEAR为重置端ロ。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进ー步具体的说明。实施例本实施例的ー种移出检测电路，如图I所示，包括电源、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、电容C68及若干个电阻，MOS管Q8的漏极为节点A，MOS管Q9的栅极为节点B ;M0S管Q8的栅极连接设置端ロ，源极接地；电阻R40 —端接电源正极，另一端连接设置端ロ ；电容C68和电阻R42并联以后串联在电源正极和节点A之间；M0S管Q7的漏极连接电源正极，栅极通过电阻R42连接节点A，源极通过电阻R43连接节点B ；M0S管Q9的漏极连接节点A，源极接地；电阻R45 —段连接节点B，另一端接地。节点A通过PNP型三极管Ql3连接输出端ロ，三极管Q13的基极和集电极都与节点A连接，发射极与输出端ロ连接。本实施例还包括重置电路，重置电路包括MOS管Ql I、电阻R48、电阻R49和电容C69 ；电阻R48 —端连接重置端ロ，另一端连接MOS管Qll的栅极；M0S管Qll漏极连接节点B，源极接地；电容C69 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地；电阻R49 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地。MOS管Q8、MOS管Q9和MOS管Qll为增强型NMOS管；MOS管Q7为增强型PMOS管。电源为锂电池。移出检测电路设置在需要监控的设备或者�？樯希涑龆衰碛牍潭觳馍璞傅氖淙攵衰砹�。固定检测设备可以通过输入端ロ输入的信号判断被监控设备或者�？槭欠裼斜灰瞥龉Ｆ绞盨ET输入“0”，CLEAR输入“0”，使得Q8、Q11截止。节点A变为“1”，Q7截止，节点B变为“0”，Q9截止。节点A固定为“ 1”，这样OUT输出为“I”。当设备或者�？橐瞥鰠迹琒ET输入为“ I ”，Q8导通使得节点A为“0”，这样Q7和Q9都导通。节点A固定为“0”，OUT输出为“O”。此时，当SET从“I”回到“O”使得Q8截止。但是由于上一歩使得Q7和Q9还是处于导通阶段，因此，形成反馈将节点A的电平锁定在“0”，OUT输出还是为“O”。如果要想清除OUT输出的“O”状态，要将SET输入“0”，同时CLEAR输入“ I ”。这样Qll导通，使得节点B为“0”，Q9截止。这样平衡被破坏使得节点A返回“ 1”，0UT输出也变成“ I”。清除后再将CLEAR设回“O”。固定检测设备检测到输入端ロ电平变为低电平以后可以使设备停止工作或者报警，防止设备或者�？楸恍薷囊院笤侔沧盎卦淮吹陌踩�。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。尽管本文较多地使用了 MOS管、重置端ロ等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。权利要求1.ー种移出检测电路，其特征在于，包括电源、MOS管Q7、M0S管Q8、M0S管Q9、电容C68及若干个电阻，MOS管Q8的漏极为节点A，M0S管Q9的栅极为节点B ；M0S管Q8的栅极连接设置端ロ，源极接地，漏极连接输出端；电阻R40—端接电源正极，另一端连接设置端ロ ；电容C68和电阻R42并联以后串联在电源正极和节点A之间；M0S管Q7的漏极连接电源正极，栅极通过电阻R42连接节点A，源极通过电阻R43连接节点B ；M0S管Q9的漏极连接节点A，源极接地；电阻R45 —段连接节点B，另一端接地。
2.根据权利要求I所述的ー种移出检测电路，其特征在于，节点A通过PNP型三极管Q13连接输出端ロ，三极管Q13的基极和集电极都与节点A连接，发射极与输出端ロ连接。
3.根据权利要求I或2所述的ー种移出检测电路，其特征在于，还包括重置电路，所述重置电路包括MOS管QlI、电阻R48、电阻R49和电容C69 ；电阻R48 —端连接重置端ロ，另一端连接MOS管Qll的栅极；M0S管Qll漏极连接节点B，源极接地；电容C69 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地；电阻R49 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地。
4.根据权利要求3所述的ー种移出检测电路，其特征在于，所述MOS管Q8、M0S管Q9和MOS管Qll为增强型NMOS管；所述MOS管Q7为增强型PMOS管。
5.根据权利要求4所述的ー种移出检测电路，其特征在于，所述电源为锂电池。
专利摘要本实用新型公开了一种移出检测电路，旨在提供一种结构简单、成本低的移出检测电路。它包括电源和移出状态存储电路。移出状态存储电路具有设置端口、输出端口和重置端口。平时输出端口输出高电平，当移出检测电路离开原位置时输出端口输出低电平，并且即使设备被装回原位也无法使输出端口变为高电平。移出检测电路设置在需要监控的设备或者�？樯希涑龆丝谟牍潭觳馍璞傅氖淙攵丝诹�。固定检测设备可以通过输入端口输入的信号判断被监控设备或者�？槭欠裼斜灰瞥龉�。本实用新型适用于所有需要监控的设备或者�？椤�
文档编号G01D21/00GK202433032SQ20112056879
公开日2012年9月12日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者刘俐训, 应雪峰 申请人:东方通信股份有限公司, 杭州东信金融技术服务有限公司
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