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专利名称：用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法
技术领域：
本发明涉及注入型有机场致发光的发光期间，它是发光在激发停止后发光持续的 时间，是发光的真实寿命。它用于测定有机场致发光的显示屏的反应时间，以确定在无源矩 阵屏中寻址的临界速度。也用于交流有机场致发光屏用作光源时的闪烁特性，并判断提高 有机场致发光屏的发光强度及效率的潜在能力。
背景技术：
有机场致发光可以产生于固态阴极射线的碰撞激发，也可以产生于双极注入的复 合激发。衰减是发光的原则性最强的参数，是理论及应用的必须掌握的参数。过去七，八十 年虽然积累了在5，6种不同时间区段中测量发光衰减的方法，但它们遵循的都是运动学原 理，只能提供发光衰减的速度信息，而且只限于单分子单指数衰减，不能确定发光期间。照 这一方法预言的发光期间对各种中心都是无穷大，它显然与事实不符。我们提出的发光期 间则既是符合实际，又应用广泛的重要概念。在认识上既可扩展，又可深入；技术上既有坚 实依据，又有简便方法。和发光衰减速度相比，它提供了发光衰减的另一更普遍，更实质，更 有应用空间的属性。发光期间的概念，早在上世纪三十年代就由瓦维洛夫提出，并作为判别发光与其 它非平衡辐射的标准，在实验中发现了 Cherenkov (契连科夫)效应，获得了 1958年的诺贝 尔奖。但它只是证明了发光期间的存在，并不知道这个期间有多长，并且因为测光强的灵敏 度有限，用传统的测量发光强度随时间变化的方法也无法测出发光消失的时间。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种测量有机发光材料的注入型场致发光的 期间的方法。本发明的技术方案用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，该方法包括第一，选用交流电源选定1 IOV的电压，IOOns 100 μ s及频率可调的有正、 负脉冲的交流电源。第二，要求
，其中P是所选的恒定脉宽，口6及口！^是电子及空穴的 迁移率，E是电场强度，d是注入型有机场致发光薄膜的厚度。第三，找发光强度随频率变化曲线的回折点用上述电源激发注入型有机场致发 光薄膜，从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下降，找出 激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变点所对应的 频率fo，这时发光期间

所述的有机场致发光材料是喹啉铝(Alq3)或聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧
基)-1，4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)。 本发明的有益效果对发光的性质有更全面地了解，它在应用上可以更正确地选 址、正确地用来提高发光亮度及效率。


图1发光强度随激发频率的变化。
具体实施例方式用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，该方法包括一、准备所用设备1)有正、负脉冲的交流变频脉冲电源，以保证在每次激发时正、负载流子都是从电 极开始对向迁移。选用交流电源选定1 IOV的电压，IOOns 100 μ S。2)测量发光强度的探测器可选用光度计、功率计、光电倍加管、光电二极管。二、测量条件及方法用所准备的交流电源激发发光体喹啉铝(Alq3)或聚[2-甲氧基_5_(2_乙基己氧 基)-1，4_苯撑乙烯撑](MEH-TTV)的注入型有机场致发光薄膜；从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下降，找 出激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变点所对应 的频率&，这时发光期间 本发明的理论依据这个问题的关键是回折点从何而来？就回折点前后的一个周期来看，全周期内发 生了三个过程(1)两种载流子迎面输运相逢，在相逢前占用了、时间。(2)恒定脉宽的激发，占用了 ρ时间，在脉冲终了时开始计算发光衰减。(3)除激发及载流子输运时间外剩余的时间是
但、时段内发光 也可用来供发光衰减，所以可用于发光衰减的时间则有
权利要求
用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，其特征在于，该方法包括第一，选用交流电源频率可调的有正、负脉冲的交流电源。第二，找发光强度随频率变化曲线的回折点用上述电源激发注入型有机场致发光薄膜，从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下降，找出激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变点所对应的频率f0，这时发光期间 <mrow><mi>T</mi><mo>=</mo><mfrac> <mn>1</mn> <msub><mi>f</mi><mn>0</mn> </msub></mfrac><mo>-</mo><mo>[</mo><mi>p</mi><mo>-</mo><mfrac> <mi>d</mi> <mrow><mrow> <mo>(</mo> <msub><mi>&mu;</mi><mi>e</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub><mi>&mu;</mi><mi>h</mi> </msub> <mo>)</mo></mrow><mi>E</mi> </mrow></mfrac><mo>]</mo> </mrow>其中要求 <mrow><mi>p</mi><mo>-</mo><mfrac> <mi>d</mi> <mrow><mrow> <mo>(</mo> <msub><mi>&mu;</mi><mi>e</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub><mi>&mu;</mi><mi>h</mi> </msub> <mo>)</mo></mrow><mi>E</mi> </mrow></mfrac><mo>></mo><mn>0</mn> </mrow>其中p是所选的恒定脉宽，μe及μh是电子及空穴的迁移率，E是电场强度，d是注入型有机场致发光薄膜的厚度。
2.根据权利要求ι所述的用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，其特 征在于，有机场致发光材料Alq3或MEH-PPV。
全文摘要
用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，涉及信息显示技术。该方法包括第一，选用交流电源频率可调的有正、负脉冲的交流电源。第二，要求其中p是所选的恒定脉宽，μe及μh是电子及空穴的迁移率，E是电场强度，d是注入型有机场致发光薄膜的厚度。第三，找发光强度随频率变化曲线的回折点用上述电源激发注入型有机场致发光薄膜，从低频起逐步增加频率，则发光强度线性上长，到一定频率时，发光开始下降，找出激发光从低频到高频变化时，发光光强与频率的关系从线性上升到回折的转变点所对应的频率f0，这时发光期间知道期间后，才可正确使用这种发光材料正确估计发光效率。也才能正确估计它在平板显示中的像元数目及选址。
文档编号G01M11/02GK101893508SQ20101022507
公开日2010年11月24日 申请日期2010年7月2日 优先权日2010年7月2日
发明者冀国蕊, 张福俊, 徐叙瑢, 徐征, 赵谡玲 申请人:北京交通大学