专利名称：电感线圈放电电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种模拟电路，尤其是涉及一种电感线圈放电电路。
背景技术：
在对电感线圈的直流电阻进行测量时，需要给定电感线圈一直流电流，在测量完毕后，需要释放电感线圈电流。现有的放电装置为二极管(D)串联一电阻(R)，利用二极管(D)的单向导电性，使放电装置不影响正常测量，电阻(R)的作用是释放电感线圈电流， 由于电阻(R)阻值恒定，电感线圈电流随时间呈指数规律衰减，放电时间较长，影响正常工作。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种电感线圈放电电路，能够具有准恒压放电特性，加快电感线圈的放电进程。为实现上述目的，本实用新型提供了一种电感线圈放电电路，包括二极管(D)，还包括稳压�？椋蟮乃鑫妊鼓？楹退龆�(D)相串联，所述稳压�？楹退龆�(D)连接于待放电电感线圈(L)两端，所述稳压�？橛晒β蔒OS管(T)和连接于所述功率MOS管⑴的栅极(G)与漏极⑶之间的稳压器件组成。优选的，所述稳压器件为稳压二极管(W)、瞬态抑制二极管或压敏电阻。优选的，所述功率MOS管⑴的漏极⑶还串接有电阻(Rl)。优选的，所述功率MOS管⑴的栅极(G)与源极⑶间接有电阻(R2)。因此，本实用新型使用上述结构的电感线圈放电电路，能够具有准恒压放电特性， 加快电感线圈的放电进程。下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
图1为原有电感线圈放电电路实施例的结构示意图；图2为本实用新型电感线圈放电电路实施例的结构示意图；图3为本实用新型电感线圈放电电路实施例与待放电电感线圈的连接结构示意图；图4为本实用新型电感线圈放电电路实施例未设置电阻Rl的结构示意图；图5为原有电感线圈放电电路与本实用新型所述电感线圈放电电路中电感线圈电流I与时间t的变化关系曲线对比示意图。
具体实施方式
实施例图2为本实用新型电感线圈放电电路实施例的结构示意图，图3为本实用新型电感线圈放电电路实施例与待放电电感线圈的连接结构示意图，如图2和图3所示，本实施例包括二极管(D)和稳压�？椋鑫妊鼓？楹投�(D)相串联，串联后的所述稳压�？楹投�(D)连接于待放电电感线圈(L)两端，所述稳压模块和二极管(D)的位置可相互调换，不影响本实施例的使用。所述稳压�？橛晒β蔒OS管(T)和连接于功率MOS管(T)的栅极(G)与漏极(D)之间的稳压器件组成，所述稳压器件为稳压二极管(W)、瞬态抑制二极管或压敏电阻，本实施例优选为稳压二极管(W)。功率MOS管⑴的漏极⑶还串接有电阻(Rl)，电阻(Rl)为大功率电阻，用于分担待放电电感线圈(L)的放电功率，如果待放电电感线圈(L)的放电功率较�。β蔒OS管 (T)能够独立承担，可无需设置电阻(R1)，如图4所示。功率MOS管(T)的栅极(G)与源极(S)间接有电阻(R2)，电阻(R2)为小功率大阻值电阻，由于功率MOS管(T)输入阻抗较高，若悬空设置，其导通状态为不确定状态，在此设置大阻值电阻(R2)，可防止功率MOS管⑴误导通，通过Ves控制功率MOS管⑴的通态电阻，进而控制电感线圈(L)的放电进程。在本实施例工作时，待放电电感线圈电流经过电阻R1、二极管(D)和功率MOS管 (T)，形成回路，释放待放电电感线圈电流，当待放电电感线圈电流较大时，Ves较大，功率 MOS管⑴的等效电阻较�。饕诺绲缪褂傻缱�(Rl)承担；当电感线圈电流逐渐减小时， Ves相应下降，功率MOS管(T)的等效电阻增大，功率MOS管(T)承担更多的放电电压；当电感线圈电流减小为0时，Vgs = 0，功率MOS管⑴等效电阻很大，放电终止。整个过程中待放电电感线圈两端的放电电压约等于￥<^与￥ 之和，其中Vw为稳压二极管(W)的额定电压， 为一定值，Ves为控制电压，根据功率MOS管(T)的特性，在控制过程中的变化范围相对乂 较小，因此本实施例中待放电电感线圈相当于两端恒压，处于准稳压状态，由此特性决定放电电流近似线性规律下降，大大加快了电感线圈(L)的放电进程，提高了电感线圈的放电效率，图5中曲线1代表原有电感线圈放电电路中电感线圈电流I与时间t的变化关系，曲线 2代表本实施例中电感线圈电流I与时间t的变化关系。因此，本实用新型使用上述结构的电感线圈放电电路，能够具有准恒压放电特性， 加快电感线圈的放电进程。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解其依然可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
权利要求1.一种电感线圈放电电路，包括二极管(D)，其特征在于还包括稳压�？椋鑫妊鼓？楹退龆�(D)相串联，串联后的所述稳压�？楹退龆�(D)连接于待放电电感线圈(L)两端，所述稳压�？橛晒β蔒OS管(T)和连接于所述功率MOS管(T)的栅极(G) 与漏极(D)之间的稳压器件组成。
2.根据权利要求1所述的电感线圈放电电路，其特征在于所述稳压器件为稳压二极管(W)、瞬态抑制二极管或压敏电阻。
3.根据权利要求2所述的电感线圈放电电路，其特征在于所述功率MOS管(T)的漏极(D)还串接有电阻(Rl)。
4.根据权利要求3所述的电感线圈放电电路，其特征在于所述功率MOS管⑴的栅极(G)与源极(S)间接有电阻(R2)。
专利摘要本实用新型公开了一种电感线圈放电电路，包括二极管(D)和稳压�？椋鑫妊鼓？楹退龆�(D)相串联，串联后的所述稳压�？楹退龆�(D)连接于待放电电感线圈(L)两端，所述稳压�？橛晒β蔒OS管(T)和连接于所述功率MOS管(T)的栅极(G)与漏极(D)之间的稳压器件组成。本实用新型使用上述结构的电感线圈放电电路，能够具有准恒压放电特性，加快电感线圈的放电进程。
文档编号G01R15/00GK201965164SQ201020644609
公开日2011年9月7日 申请日期2010年12月2日 优先权日2010年12月2日
发明者王永辉 申请人:保定市金源科技有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
