专利名称：金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机的制作方法
金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机
技术领域：
本发明是有关于一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机，特别是有关 于一种能减少金属蚀刻终点侦测机的扫描仪摆设位置的影响，并且能更精确地确定金属膜 的蚀刻终点时间的金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机。
背景技术：
请参考图1，显示现有制作液晶面板，对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻机10传送 承载金属膜的基板100的示意图。制作液晶面板时，会有金属湿式蚀刻机10对金属进行蚀 刻的金属湿式蚀刻工序。金属湿式蚀刻是表面镀有金属膜(金属层)的基板100置于盛满 酸液的蚀刻槽内，对金属膜未被光阻保护的区域进行蚀刻，以得到为光阻保护的图案。在金 属湿式蚀刻机10对批量的金属膜进行蚀刻之前，先从批量的金属膜中选取一块作为样板 金属膜，并获取样板金属膜进行蚀刻终点的侦测。目前业界现存有两种方式来进行蚀刻终 点的侦测，一种方式是如图2所示，由工作人员150实施抽检，以目视方式结合经验进行判 定而获取样板金属膜的蚀刻终点时间，但无法由于无法数据化管理，因此较为不精确。另一 种方式是会先通过终点侦测机(EPD，End Point Detector)的扫描仪104获取样板金属膜 的蚀刻终点时间，蚀刻终点时间的定义为从基板100 (基板100用于承载金属膜)进入盛有 酸液的蚀刻槽开始，到终点侦测机扫描并确认金属膜透光为止，相较于人工目视方式，较为 精确许多。终点侦测机的工作原理为采用光反射/透射原理，当基板100有金属膜时，因金 属膜无法透光，终点侦测机的扫描仪104所发射出的光线会被金属膜反射，终点侦测机据 此判定仍未达金属膜的蚀刻终点；而当基板100所承载的金属膜被酸液蚀刻完全时则会透 光，扫描仪104射出的光线会穿透基板100而不会被反射，终点侦测机据此判定已达金属膜 的蚀刻终点。然而如图3所示，基板100的金属膜就其功能而言，可分有用区域IOOa和无用区 域100b，无用区域IOOb就是指没有图案(光阻)的区域，由于有用区域IOOa在进行曝光工 艺时图案即被细分成许许多多得细小且形状不规则的区域。因此，有用区域IOOa被酸液蚀 刻时，蚀刻时间基本上仅单纯地与金属膜的厚度相关；而无用区域IOOb因没有图案，整体 面积相对有用区域IOOa较大，被酸液蚀刻时，会从外部到内部较慢地蚀刻，因此虽与有用 区域IOOa的金属层具有同样的膜厚，但其所需的蚀刻时间较长。虽然采用终点侦测机的方式，能够测得每块金属膜的蚀刻终点时间。然而，因现有 终点侦测机均如图4所示，是采用单点扫描的方式进行，故扫描仪104的设置位置会直接影 响蚀刻终点的确定。如扫描仪104 —般是设置于一固定位置进行扫描，但不同基板的金属 膜的有用区域100a、无用区域IOOb的位置不同，若扫描仪104的固定位置多扫描到无用区 域100b，会导致测得的蚀刻终点时间比真正所需的蚀刻终点时间长，则造成蚀刻终点时间 确定的误差将明显较大。因此，有必要提供一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机，以解决前述现有技术中所存在的问题。
发明内容本发明的主要目的在于提供一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机， 能减少金属蚀刻终点侦测机的扫描仪摆设位置的影响，并且能更地精确确定金属膜的蚀刻 终点时间。为达成本发明的前述目的，本发明提供一种金属蚀刻终点侦测方法，应用于一金 属蚀刻终点侦测机，本发明的金属蚀刻终点侦测方法包含下述步骤对金属膜进行扫描，以 获取扫描区域中，所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例；判断所述金属膜的透光 面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例；当达到所述预定比例时，确定当前对所 述金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中，在判断所述金属膜的透光面积占 所述扫描区域的比例是否达到所述预定比例的步骤中，若判定未达到所述预定比例，则重 复执行所述对金属膜进行扫描的步骤。本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中，所述终点侦测机包括一用于对金 属膜进行扫描的扫描仪，且所述扫描仪以其长度方向垂直于承载所述金属膜的基板的传送 方向设置。本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中，所述终点侦测机包括一用于对金 属膜进行扫描的扫描仪。，且所述扫描仪的长度大于或等于承载金属膜的基板的宽度，以使 所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。本发明的金属蚀刻终点侦测方法的一实施例中，所述预定比例优选为50% 75%。为达成本发明的前述目的，本发明提供一种金属蚀刻终点侦测机，包含获取模 块、判断�？榧叭范？�。获取�？橛糜诙越鹗裟そ猩瑁曰袢∩枨蛑校鼋鹗� 膜的透光面积占所述扫描区域的比例；判断�？橛糜谂卸辖鹗裟さ耐腹饷婊妓錾枨� 域的比例是否达到一预定比例；确定�？橛糜谠谒雠卸夏？榕卸ㄋ鼋鹗裟さ耐腹饷婊� 占所述扫描区域的比例达到所述预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点 时间。本发明的金属蚀刻终点侦测机的一实施例中，若所述判断�？榕卸ㄋ鼋鹗裟さ� 透光面积占所述扫描区域的比例未达到所述预定比例，则触发所述获取�？槎运鼋鹗裟� 进行扫描。本发明的金属蚀刻终点侦测机的一实施例中，所述获取�？榘ㄉ枰羌氨壤� 获取单元。扫描仪用于对所述金属膜进行扫描，以获得所述金属膜的透光面积；比例获取单 元用于获取所述扫描区域中，所述金属膜的所述透光面积占所述扫描区域的比例。本发明的金属蚀刻终点侦测机的一实施例中，所述扫描仪的长度大于或等于承载 所述金属膜的基板的宽度，以使所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。本发明的金属蚀刻终点侦测机的一实施例中，所述预定比例优选为50% 75%。依据本发明的金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机，能减少终点侦测机 的扫描仪摆设位置的影响，并且能更地精确地确定金属膜所需的蚀刻终点时间，进而提升液晶面板制造良率。
图1是显示现有制作液晶面板，对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻机传送承载金属 膜的基板的示意图。图2是显示现有技术工作人员实施抽检，以目视方式进行金属膜的蚀刻终点时间 判定的示意图。图3是说明液晶面板的基板所承载的金属膜具有分有用区域和无用区域的示意 图。图4是说明以现有技术的金属蚀刻终点侦测机进行金属膜的蚀刻终点时间判定 的示意图。图5是说明本发明金属蚀刻终点侦测机的结构方块图。图6是说明利用本发明的金属蚀刻终点侦测机进行金属膜的蚀刻终点时间判定 的示意图。图7是说明本发明金属蚀刻终点侦测方法的流程图。
具体实施方式为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配 合附图，作详细说明如下请参考图3、图5、图6与图7。图5是说明本发明金属蚀刻终点侦测机的结构方块 图。图6是说明本发明金属蚀刻终点侦测机进行金属膜的蚀刻终点时间确定的示意图。图 7是说明本发明金属蚀刻终点侦测方法的流程图。如图5所示，本发明的终点侦测机包含获 取�？�20、判断模块30及确定�？�40。获取�？�20用于对金属膜进行扫描，以获取扫描区 域中，所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例；判断�？�30用于判断所述金属膜的 透光面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例；以及确定�？�40用于在判断模块 30判定所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例达到所述预定比例时，确定当前对金 属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。如图6所示，在本发明的此实施例中，终点侦测控制器202为判断�？�30及确定 �？�40的具体实施例，但并非以此为限定。获取�？�20则可包含扫描仪204及图5中所 示的比例获取单元204-1为具体之实施例，但并非以此为限定。在本发明的此实施例中，扫描仪204用于对金属膜进行扫描，以获得金属膜的透 光面积。比例获取单元204-1用于获取扫描区域中，金属膜的透光面积占扫描区域的比例， 扫描仪204可为光学式扫描仪为具体之实施例，且可视金属膜的材料而决定其所适用的光 谱范围及规格。比例获取单元204-1，则可为一 ASIC特殊应用的IC电路为具体之实施例； 或者与扫描仪204、判断�？�30及确定�？�40整合为一独立的检测装置；或者比例获取单 元204-1、判断�？�30及确定�？�40的部分以硬体电路架构实现，或者以作业软体的程式 来实现个别的功能亦可，但亦非以此为限定。再者，本发明的金属蚀刻终点侦测机包含的获取�？�20的扫描仪204亦可以为一 单独之检测装置，而扫描仪204、判断模块30及确定�？�40亦可由金属湿式蚀刻机内部的控制机制具体实现。或者，本发明的终点侦测机包含的获取�？�20、判断模块30及确定模 块40皆可由金属湿式蚀刻机内部的控制机制具体实现。在本发明此实施例中，扫描仪204可以设置在金属湿式蚀刻机内，用以对蚀刻的 基板100-1、100-2所承载的金属膜进行扫描。其原理简述如下扫描仪204射出光线至基 板100-1、100-2上的金属膜，对金属膜进行扫描。并且，扫描仪204更具有一接受器(未显 示)，感测射出光线是否为基板100-1、100-2上的金属膜反射，并将所述接受器获取的反射 数值透过DAC转换为多个讯号而为比例获取单元204-1所获取。接着，终点侦测控制器202接收来自比例获取单元204-1的多个讯号。并藉以判 断及确定扫描仪204扫描的区域中，金属膜的透光面积占扫描区域的比例是否达到一预定 比例。本实施例的终点侦测控制器202可即时地运算基板100-1、100-2上的金属膜的透光 面积占扫描区域的比例是否达到预定比例。当达到所述预定比例时，即可确定当前对金属 膜已蚀刻的时间，即自将具有金属膜的基板置入金属湿式蚀刻机起至该时间点的时间区段 为蚀刻终点时间。且经由本发明者的实验结果，此预定比例优选为50% 75%。并且，如图6所示，在本发明此实施例中，扫描仪204可为一长条形，以其长度方向 垂直于承载所述金属膜的基板的传送方向设置，亦即横设垂直于基板100-1、100-2在金属 湿式蚀刻机内传送方向。并且，扫描仪204的长度可大于或等于所述基板的宽度，以使扫描 仪204获得的扫描区域横跨基板100-1、100-2的宽度，而能全面性地扫描基板100-1、100-2 上金属膜的厚度。因此，无论图3当中的有用区域IOOa和无用区域IOOb都能被扫描仪204 所扫描的区域所覆盖。换言之，扫描仪204扫描区域可以为金属膜的整个面积，而能实际扫 描并即时确认整个金属膜区域的蚀刻状态。扫描仪204的扫描区域即涵盖金属膜区域中的 有用区域IOOa和无用区域100b。在进行蚀刻终点时间的判定时，既不会如现有技术因感测 器104的扫描区域若多落在无用区域100b，造成蚀刻终点时间的判定发生明显、较大误差 的缺点。在本发明的实施例中，若以7. 5代厂的面板工艺而言，所切割的基板大小为 2250mmX 1950mm，因此，扫描仪204的长度以大于1950mm为优选；若以8. 5代厂的面板工艺 而言，所切割的基板大小为2500mmX 2200mm，因此，扫描仪204的长度以大于2200mm为优 选。并且，若金属湿式蚀刻机内的空间足够且允许的情况下，扫描仪204亦可为面积相当于 整个基板，而直接设置在基板正上方，但并非以此些形式为限，仅能实际扫描并即时确认整 个金属膜区域的蚀刻状态即可。请继续参考图6与图7。本发明的金属蚀刻方法可应用于图6中，具有终点侦测控 制器202及扫描仪204的终点侦测机，以能精确判定每一金属膜的蚀刻终点时间。在本发明此实施例中，金属蚀刻方法包含下列步骤步骤S701 对金属膜进行扫 描，以获取扫描区域中，金属膜的透光面积占扫描区域的比例；步骤S702:判断金属膜的透 光面积占扫描区域的比例是否达到预定比例，若透光面积未达到所述预定比例，则回至前 一步骤S701，在一预设的等待时间后，重复执行对所述金属膜进行扫描的步骤，若判定透光 面积达到预定比例时，则进行下一步骤S703 ；以及步骤S703 确定当前对所述金属膜已蚀 刻的时间为蚀刻终点时间。总言之，如前所述本发明能减少金属蚀刻终点侦测机的扫描仪摆设位置的影响， 并且能更地精确地确定金属膜的蚀刻终点时间，更进一步提升液晶面板制造良率。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。 必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神 及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
权利要求
1.一种金属蚀刻终点侦测方法，应用于一金属蚀刻终点侦测机，其特征在于包含 对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例；判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例； 当达到所述预定比例时，确定当前对所述金属膜已蚀刻的时间为所述金属膜的蚀刻终 点时间。
2.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法，其特征在于在判断所述金属膜的透 光面积占所述扫描区域的比例是否达到所述预定比例的步骤中，若判定未达到所述预定比 例，则重复执行所述对金属膜进行扫描的步骤。
3.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法，其特征在于所述金属蚀刻终点侦测 机包括一用于对金属膜进行扫描的扫描仪，且所述扫描仪以其长度方向垂直于承载所述金 属膜的基板的传送方向设置。
4.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法，其特征在于所述金属蚀刻终点侦测 机包括一用于对金属膜进行扫描的扫描仪，且所述扫描仪的长度大于或等于承载所述金属 膜的基板的宽度，以使所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。
5.如权利要求1所述的金属蚀刻终点侦测方法，其特征在于所述预定比例为50% 75%。
6.一种金属蚀刻终点侦测机，其特征在于包含获取�？椋糜诙越鹗裟そ猩瑁曰袢∩枨蛑校鼋鹗裟さ耐腹饷婊妓� 扫描区域的比例；判断�？椋糜谂卸纤鼋鹗裟さ耐腹饷婊妓錾枨虻谋壤欠翊锏揭辉ざū壤蝗范？椋糜谠谒雠卸夏？榕卸ㄋ鼋鹗裟さ耐腹饷婊妓錾枨虻谋壤� 到所述预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为该金属膜的蚀刻终点时间。
7.如权利要求6所述的金属蚀刻终点侦测机，其特征在于若所述判断�？榕卸ㄋ� 金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例未达到所述预定比例，则触发所述获取�？槎运� 述金属膜进行扫描。
8.如权利要求6所述的金属蚀刻终点侦测机，其特征在于所述获取�？榘� 扫描仪，用于对所述金属膜进行扫描，以获得所述金属膜的透光面积；比例获取单元，用于获取所述扫描区域中，所述金属膜的所述透光面积占所述扫描区 域的比例。
9.如权利要求8所述的金属蚀刻终点侦测机，其特征在于所述扫描仪的长度大于或 等于承载所述金属膜的基板的宽度，以使所述扫描仪获得的所述扫描区域横跨所述基板的宽度。
10.如权利要求6所述的金属蚀刻终点侦测机，其特征在于所述预定比例为50% 75%。
全文摘要
本发明公开一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机。金属蚀刻终点侦测方法包含对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，透光面积占扫描区域的比例；判断透光面积占扫描区域的比例是否达到预定比例；当达到预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。金属蚀刻终点侦测机具有获取�？椤⑴卸夏？榧叭范？�。获取�？橛糜诙越鹗裟そ猩瑁曰袢∩枨蛑校腹饷婊忌枨虻谋壤Ｅ卸夏？橛糜谂卸贤腹饷婊忌枨虻谋壤欠翊锏皆ざū壤�。确定�？橛糜谠谂卸夏？榕卸ㄍ腹饷婊忌枨虻谋壤锏皆ざū壤保范ǖ鼻岸越鹗裟ひ咽纯痰氖奔湮纯讨盏闶奔�。本发明能精确判定金属膜的蚀刻终点时间。
文档编号G01B11/28GK102142384SQ201010575610
公开日2011年8月3日 申请日期2010年12月2日 优先权日2010年12月2日
发明者王静文, 贺成明 申请人:深圳市华星光电技术有限公司
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