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专利名称：单轴电光晶体光电传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光电传感器，尤其是一种不需要附加四分之一波片的单轴电光晶体光电传感器。
背景技术：
电压、电流及电磁场等电磁变量的光学传感方法具有高绝缘性、响应速度快、安全、质量轻、易于网络化等优点，在电力工业及电磁兼容研究领域中越来越受到人们的关注。现已有各种光学传感方案提出，其中的光学电压传感器大部分是利用电光晶体的线性电光效应，即泡克尔斯(Pockels)效应。典型的光学电压传感器结构通常包括电光传感晶体、四分之一波片和两个偏振器，其中的四分之一波片用来提供光偏置η/2光偏置，以实现电压的线性传感、扩大线性测量范围并提高测量灵敏度，但四分之一波片的存在也给传感器带来一些不利影响；波片主轴与传感晶体主轴之间的角度偏差也将影响传感器性能； 此外，附加四分之一波片也增加了传感器的成本。
发明内容有鉴于此，本实用新型提出一种利用单轴电光晶体自然双折射和近轴光束产生 η/2光偏置的光电传感器，其避免了传统光电传感器中因附加四分之一波片而产生的不利影响。本实用新型的具体技术方案为一种单轴电光晶体光电传感器，其包括单轴电光晶体，第一正交偏振器和第二正交偏振器，所述单轴电光晶体位于所述第一正交偏正器和所述第二正交偏振器之间。本实用新型的一个实施方式，所述单轴电光晶体的长、宽、高分别为36mm、2mm、 4mm，其中，所述36mm为单轴电光晶体的通光方向上的长度。本实用新型具有如下之有益效果1.不需要附加四分之一波片，简化了传感器结构并降低了成本；2.有效避免了以往光电传感器中四分之一波片对传感器性能的不利影响。

图1为本实用新型实施例的结构示意图。图2为本实用新型实施例的实验光路图。
具体实施方式
在本实施例中，参照图1，一种单轴电光晶体光电传感器，其包括单轴电光晶体 1，第一正交偏振器即起偏器Pl和第二正交偏振器及检偏器P2，所述单轴电光晶体1位于 Pl和P2之间。再请参见图2，在图2的实验光路中，光源为半导体激光器2，其中心波长为 635nm,由单模光纤3传输到准直透镜4以获得准直光束，光束直径为Imm ；第一正交偏振器Pl和第二正交偏振器P2采用格兰-汤普森棱镜；所述单轴电光晶体1在笛卡尔直角坐标系xyz中，在χ、y、ζ方向上的长度分别为2mm、4mm和36mm，其中ζ方向为通光方向。电压传感信号由塑料光纤5传输到光电检测器6再进行信号处理。实验中首先调整准直光束沿该单轴电光晶体c光轴传播，此时输出消光，然后调整该单轴电光晶体1使近轴光束在45° 方位平面内与光轴夹角为0.393°，计算表明，当θ = 0.393°时，准直激光束在晶体端面处的入射角约为0.87°，此时产生η/2的静态角度光偏置，输出光为圆偏振光。可以通过旋转检 偏器Ρ2 —周而输出光强度不变的现象来确认。
权利要求1.一种单轴电光晶体光电传感器，其特征在于包括单轴电光晶体，第一正交偏振器和第二正交偏振器，所述单轴电光晶体位于所述第一正交偏正器和所述第二正交偏振器之间。
2.根据权利要求1所述的单轴电光晶体光电传感器，其特征在于所述单轴电光晶体的长、宽、高分别为36mm、2mm、4mm，其中，所述36mm为该单轴电光晶体的通光方向上的长度。
专利摘要本实用新型涉及一种单轴电光晶体光电传感器，其特征在于包括单轴电光晶体，第一正交偏振器和第二正交偏振器，所述单轴电光晶体位于所述第一正交偏正器和所述第二正交偏振器之间。本实用新型具有如下之有益效果不需要附加四分之一波片，简化了传感器结构并降低了成本；有效避免了以往光电传感器中四分之一波片对传感器性能的不利影响。
文档编号G01R15/24GK201945617SQ20112003608
公开日2011年8月24日 申请日期2011年1月30日 优先权日2011年1月30日
发明者林德升 申请人:福建中策光电科技有限公司