专利名称：方位传感器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及各种电子设备所使用的方位传感器及其制造方法。
背景技术：
图10A为以往的方位传感器的立体图，图10B为图10A的A-A线剖视图。
以往的方位传感器具有以下的结构。
*在基板1的上面具有4个检测元件2A～2D的桥式电路3*覆盖具有该桥式电路3的基板1并保持基板1的支架4*在该支架4的周围卷绕、由规定匝数的导线形成的作为相互垂直的偏磁施加单元的第1及第2线圈5A及5B。
上述以往的方位传感器是用支架4覆盖设置有检测元件2A～2D的基板1，再在该支架4的周围卷绕第1及第2线圈5A及5B。因此，以往的方位传感器形状较大，难以小型化。
发明内容
本发明的方位传感器包含具有设置在基板主表面的至少2个及2个以上的检测元件的第1检测电路、相同结构的第2检测电路、设置在与第1检测电路相对位置的第1偏磁施加单元、以及与第2检测电路相对设置的第2偏磁施加单元。第2偏磁施加单元在与第1偏磁施加单元产生的磁场方向不同的方向产生磁场。
图1A为本发明实施形态1的方位传感器的立体图。
图1B为本发明实施形态1的方位传感器的分解立体图。
图2为图1A的A-A线的本发明实施形态1的方位传感器剖视图。
图3为本发明实施形态1的方位传感器的主要部分的第1及第2桥式电路顶视图。
图4为本发明实施形态1的方位传感器的主要部分的第1桥式电路的电路图。
图5所示为本发明实施形态1的方位传感器的第1及第2偏磁施加单元产生的磁场强度与检测方位误差的关系。
图6为本发明实施形态1的其它方位传感器的剖视图。
图7为本发明实施形态2的方位传感器的剖视图。
图8为本发明实施形态3的方位传感器的主要部分的第1及第2桥工电路周边的顶视图。
图9为本发明实施形态1～3的方位传感器的第1检测电路的巴里斯(バリ－ション)电路图。
图10A为以往的方位传感器的立体图。
图10B为图10A的A-A线的以往的方位传感器的剖视图。
具体实施例方式
以下用
本实施形态，另外，构成同样结构的剖分附加相同的标号进行说明，并省略详细说明。
(实施形态1)图1A为本发明实施形态1的方位传感器的立体图，图1B为图1A的分解立体图，图2为图1A的A-A剖视图，图3为图1A的主要部分的第1及第2桥式电路的顶视图。图4的实施形态1的方位传感器的第1桥式电路的电路图。
如图1A～图3所示，本实施形态的方位传感器具有以下的结构。
*基反11*设置在该基板11的上面的具有第1检测元件12A～第4检测元件12D的第1桥式电路13(第1检测电路)*具有第5检测元件12E～第8检测元件12H的第2桥式电路14(第2检测电路)*分别设置在第1桥式电路13及第2桥式电路14的上面的绝缘层15A及15B*分别设置在绝缘层15A及15B的上面的分别与第1及第2桥式电路13及14相对位置的第1偏磁施加单元16及第2偏磁施加单元(以下称为施加单元)17。
*分别设置在第1施加单元16及第2施加单元的上面的由环氧树脂、硅树脂等形成的覆盖层21A及21B另外，第1及第2施加单元16及17是这样构成的，使其产生的磁场方向分别如图3的箭头31及32所示，相互近似相差90°。
以下说明这些构成要素。
基板11为矩形形状，由氧化铝等具有绝缘性的材料制成，最好在其主表面形成玻璃釉层。这是因为玻璃釉层容易得到平滑的表面，容易形成第1桥式电路13及第2桥式电路14。
第1桥式电路13由第1检测元件12a、第2检测元件12B、第3检测元件12C及第4检测元件12D构成。这里，第1检测元件12A至第4检测元件12D是将强磁性薄膜或人造晶格多层膜等多次折叠而形成的。强磁性薄膜由NiCo、NiFe等制成，在垂直加上外部磁场时，电阻值变化率为最大。另外，通过多次折叠，由于横切地磁场的条数增加，因此电阻值变化率增大，地磁场的检测灵敏度提高。
这里，第1检测元件12A与第2检测元件12B在电路上是串联连接，第3检测元件12C与第4检测元件12D在电路上也是串联连接。然后，第1检测元件12A与第2检测元件12B的串联电路和第3检测元件12C与第4检测元件12D的串联电路在电路上并联连接。再有，第1检测元件12A与第2检测元件12B的连接部分与第1输出电极20A连接，第3检测元件12C与第4检测元件12D的连接部分与第2输出电极20B连接。
另外，第1检测元件12A与第2检测元件12B的图形长度方向互相相差近似90°。第3检测元件12C与第4检测元件12D也是同样的结构。然后，第1检测元件12A与第4检测元件12D的图形长度方向是平行的。第2检测元件12B与第3检测元件12C也是同样的结构。
另外，第1检测元件12A及第3检测元件12C与输入电极18A连接。而第2检测元件12B及第4检测元件12D与接地电极19A连接。
这样，第1检测元件12A至第4检测元件12D如图4所示，构成全桥电路。从而，利用桥式电路的作用，从第1输出电极20A与第2输出电极20B分别得到的2个输出电压的差动电压的变动增大。因此，能够以高精度检测方位。再有，由于能够抵消2个输出电压的噪声，因此由噪声产生的检测误差将减小。
再有，第1检测元件12A～第4检测元件12D的各长度方向分别与第1施加单元16产生的磁场形成45°的角度。采用这样的结构，可以认为第1检测元件12A～第4检测元件12D的电阻值相对于磁场的变化是进行线性变化。因此，根据差动电压容易算出方位。另外，在本实施形态中，第1检测元件12A～第4检测元件12D的各长度方向与第1施加单元16产生的磁场形成的角度是取45°。该角度若取0°或180°，由于第1施加单元16产生的磁场将无助于检测元件的电阻值变化，因此起不到偏置磁场的作用。因而，即使是45°以外，也最好是采用除了0°及180°以外的角度。
另外，输入电极18A、接地电极19A、第1输出电极20A及第2输出电极20B发别用银或银钯等构成。
与第1桥式电路13相同，第2桥式电路14也具有第5检测元件12E、第6检测元件12F、第7检测元件12G及第8检测元件12H。然后，与输入电极18B、接地电极19B、第3输出电极20C及第4输出电极20D连接。
这些构成要素中，第2桥式电路14的第5检测元件12E与第1桥式电路13的第1检测元件12A相对应。以下同样，分别为第6检测元件12F与经2检测元件2B相对应，第2检测元件12G与第3检测元件12C相对应，第8检测元件12H与第4检测元件12D相对应，输入电极18B与输入电极18A相对应，接地电极19B与接地电极19A相对应，第3输出电极20C与第1输出电极20A相对应，第4输出电极20D与第2输出电极20B相对应。
另外，输入电极18A与输入电极18B在电路上连接，接地电极19A与接地电极19B在电路上连接。即，第1桥式电路13与第2桥式电路14在电路上并联连接。
输入电极18A及18B、接地电极19A及19B、第1输出电极20A、第2输出电极20B、第3输出电极20C及第4输出电极20D为了与外部进行信号的输入输出，而分别露出在外面。
绝缘层15A及绝缘层15B分别设置在第1桥式电路13及第2桥式电路14的上面。它们由具有绝缘性的SiO2、氧化铝、环氧树脂或硅树脂等形成，将第1及第2桥式电路13及14与第1及第2施加单元16及17进行电气绝缘。这时，用绝缘层15A覆盖第1检测元件12A～第4检测元件12D，用绝缘层15B覆盖第5检测元件12E～第8检测元件12H。
另外，作为绝缘层15A及15B若采用SiO2，则在采用CoPt合金作为施加单元16及17的密封性好，因此，耐湿性等可靠性提高，另外，价格还便宜。
另外，第1施加单元16及第2施加单元17分别设置在绝缘层15A的上面的与第1桥式电路13相对的位置及绝缘层15B的上面的与第2桥式电路14相对的位置。它们由设定磁场方向的CoPt合金、CoCrPt合金及铁氧体等磁体构成。第1施加单元17覆盖第2桥式电路14的整个表面。另外，第1与第2施加7单元16与17产生的磁场的方向如前所述，相互相差近似90°。再有，第1及第2施加单元16及17产生5～200e强度的磁场。
下面说明对第1及第2施加单元16及17的磁场强度采用5～200e的理由。
图5所示为第1及第2施加单元6及7产生的磁场强度检测方位误差的关系。在该图中，设允许的方位误差为7°。这是为了检测36个方位所允许的最大限度的误差。
由图5可知，通过对磁场强度采用5～200e，能够降低检测的方位误差，以高精度检测方位。
若这样，则由于磁场强度为200e以下，因此与地磁场的磁场强度之差减小。另外，由于磁场强度为50e以上，因此第1及第2桥式电路13及14以一定以上的强度输出。根据以上的理由，最好对第1及第2施加单元16及17的磁场强度采用5～200e。
另外，在所希望的检测方位的误差较小时，必须进一步限定磁场强度的范围。例如，在允许的方位误差为5°时，要对磁场强度采用6.0～18.00e。更进一步最好对磁场强度采用7.5～15.00e。
另外，若采用CoPt合金作为第1及第2施加单元16及17，则能够将其厚度减小至500nm左右。而且，由于厚度的误差减�。虼似么懦〉那慷任榷ā�
另外，若采用铁氧体作为第1及第2施加单元16及17，则施加单元16及17的价格便宜。
以下说明本发明实施形态1的方位传感器的制造方法。
首先，在基板11的上面形成第1检测元件12A～第8检测元件12H、输入电极18A及18B、接地电极19A及19B、第1输出电极20A～第4输出电极20D。这时，采用印刷、蒸镀等方法。
这时，利用第1检测元件12A～第4检测元件12D形成第1桥工电路13，并在规定位置形成输入电极18A、接地电极19A、第1输出电极20A及第2输出电极20B。同样，利用第5检测元件12E～第8检测元件12H形成第2桥式电路14，并在规定位置形成输入电极18B、接地电极19B、第3输出电极20C及第4输出电极20D。
然后，在第1桥式电路13的上面及第2桥式电路14的上面分别形成绝缘层15A及绝缘层15B。如前所述，使得绝缘层15A及绝缘层15B分别覆盖第1检测元件12A～第4检测元件12D及第5检测元件12E～第8检测元件12H。
然后，在绝缘层15A的上面的与第1桥式电路相对的位置利用印刷、腐蚀等形成第1偏磁施加单元16。另外，在绝缘层15B的上面的与第2桥式电路14相对的位置形成第2偏磁施加单元17。然后，使磁场发生线圈接近第1及第2施加单元16及17，通过这样分别设定磁场的方向。
这时，如图3所示，使得第1检测元件12A～第8检测元件12H的长度方向与第1及第2施加单元16及17产生的磁场形成45°的角度。另外，使得第1与稿费2施加单元16与17产生的磁场方向近似相差90°。
另外，最好利用分离法形成第1及第2施加单元16及17。通过这样，绝缘层15A、绝缘层15B、第1及第2桥式电路和13及14不受损伤。
即，首先在不形成第1及第2施加部分16及17的部分形成抗蚀剂。然后，在绝缘层15A及15B的整个表面配置构成第1及第2施加单元的磁性材料。然后，除去抗蚀剂，在规定位置设置第1及第2施加单元16及17。通过这样，只要除去抗蚀剂，则不需要的磁性材料也同时除去。同时，不需要像腐蚀法那样直接除去不需要的磁性材料，因此腐蚀液不会附着或浸透绝缘层15A、绝缘层15B、第1及第2桥式电路13及14。
特别是在用腐蚀法形成作为第1及第2施加单元16及17的CoPt合金时，作为腐蚀液必须使用强酸性溶液。因此，绝缘层15A及15B或第1及第2桥式电路13及14会受到腐蚀液的损伤。耐湿性等下降，会影响可靠性。但是，若采用分离法，则不产生这样的问题，能够得到可靠性高的方位传感器。
另外，在本实施形态中，在形成第1及第2施加单元16及17后，设定它们的磁场方向。通过这样，由于能够同时或边续设定第1及第2施加单元16及17的磁场方向，因此生产率提高。另外，也可以将已经设定了磁场方向的永磁体配置在绝缘层15A的上面。
最后，利用铸模等在第1施加单元16的上面形成覆盖层21A，利用铸模等在第2施加单元17的上面形成覆盖层21B。
以下说明本发明实施形态1的方位传感器的工作原理。
首先，在第1桥式电路13的输入电极18A与接地电极19A之间加上规定的电压。这时，从第1偏磁施加单元16产生的磁场及地磁场作用于第1检测元件12A～第4检测元件12D，其电阻值发生变化。这时，从第1输出电极20A与第2输出电极20B输出与电阻值变化相对应的电压，检测该两端的差动输出电压。该电压随地磁场与第1桥式电路13的夹角而变化。相对于地磁场与第1桥式电路睡13的夹角，该差动输出电压相应呈近似正弦波变化。
在第2桥式电路14中也同样，在第3输出电压20C与第4输出电压20D之间，检测出相应于地磁场与第2桥式电路14的夹角而呈近似正弦波变化的差动输出电压。
这里，像本实施形态那样，第1施加单元16与第2施加单元1 7的磁场方向相差90°。这样，一个差动输出电压与另一个差动输出电压的相位相差90°。即，若设方位为θ，则一个输出为Asinθ，而另一个输出为A’cosθ。若用振幅A及A’将它们归一化，则计算两输出之比即tanθ，就容易检测出方位θ。另外，若能抑制施加单元的强度差异，使得振幅近似相等，则不需要归一化处理。
这时，第1及第2施加单元16及17产生的磁场方向不同，只要使方位θ的测量误差在规定范围内、例如在7°以内的程度即可。在本实施形态中，由第1与第2施加单元16与17产生的磁场方向31与32的夹角设为还似90°。但是，该角度也可以不是90°。即，若使第1与第2施加单元16与17产生的磁场方向不同，则第1与第2桥式电路13与14的输出相位互相不同。由于第1桥式电路13的输出呈正弦波变化，因此在2个方位角度取出同一个值。但是，利用第1桥式电路13的输出与第2桥式电路14的输出之差的标号，方位能决定为1个角度。通过这样，能够检测0～360°范围的全方位。这时，必须使磁场方向不同，达到第1与第2桥式电路13与14的各输出相位不重复的程度。
另外，在本实施形态中，绝缘层15A与15B是分开的不同的层，覆盖层21A与21B也是分开的不同的层，但也可以如图6所示，将它们一体构成。
图6为本发明实施形态1的其它方位传感器的剖视图。覆盖层15同时覆盖第1桥式电路13及第2桥式电路14。另外，覆盖层21也覆盖第1施加单元16及第2施加单元17。
即使是这样的结构，也能够得到与图1所示的方位传感器同样的作用效果。
(实施形态2)下面用图7说明本发明的实施形态2。图7为本发明实施形态2的方位传感器的剖视图。
在实施形态1中，是在基板的单面一侧形成第1及第2桥式电路等，而在第2实施形态中，是在基板的上面形成第1桥式电路，在基板的上面形成第2桥式电路。除此以外的结构与实施形态1相同。
以下说明实施形态2的结构。
在基板11的上面形成第1桥式电路13，再在第1桥式电路13的上面形成第1绝缘层15A。在第1绝缘层15A的上面的与第1桥式电路13相对的位置形成第1偏磁施加单元16。再在其上面形成第1覆盖层21A。
另外，在基板11的下面形成第2桥式电路14，再在第2桥式电路14的下面形成第2绝缘层15B。在第2绝缘层15B的下面的与第2桥式电路14相对的位置形成第2偏磁施加单元17，再在其下面形成第2覆盖层21B。
这样，本实施形态的方位传感器，是将第1及第2桥式电路13及14形成在基板11的不同面上。因此，与将第1及第2桥式电路13及14形成在同一面上相比，主表面的面积减少。通过这样，方位传感器能够小型化。再有，由于将第1及第2施加单元16及17形成在不同面上，因此第1与第2施加单元16与17之间的距离增大。通过这样，从第1施加单元16产生的磁场对第2桥式电路14的影响减小。同样，从第2施加单元17产生的磁场对第1桥式电路13的影响减小。
(实施形态3)下面用图8说明本发明实施形态3。图8为本发明实施形态3的方位传感器的主要部分的第1及第2桥式电路的顶视图。
在实施形态3的方位传感器中，是对于实施形态1的方位传感器，进一步从上面来看还在第1及第2桥式电路13及14的周围设置偏磁施加单元。
如图8所示，在第1桥式电路13的周边配置偏磁施加单元16A、16B、16C及16D。它们构成周围偏磁施加单元。同样，在第2桥式电路14的周边配置偏磁施加单元(以下称为施加单元)17A、17B、17C及17D。
这里，施加单元16A将与第1桥式电路13相对的一侧作为N极。另外，隔着第1桥式电路13与施加单元16A相对配置的施加单元16B，将与第1桥式电路13相对的一侧作为S极。处于第1桥式电路13的周边、位于施加单元16A与施加单元16之间的施加单元16C，将与施加单元16A相对的一侧作为N极，将与施加单元16B相对的一侧作为S极。隔着第1桥式电路13与施加单元16C相对、向且位于施加单元16A与施加单元16B之间的施加单元16D，将与施加单元16A相对的一侧作为N极，将与施加单元16B相对的一侧作为S极。
施加单元17A～17D配置在第2桥式电路14的周边，磁场方向处于将施加单元16A～16D顺时针旋转90°的方向。
另外，实施形态3的方位传感器的整个结构是对第1实施形态的方位传感器附加施加单元16A～16D及17A～17D的而构成的。即，在第1桥式电路13及第2桥式电路14的上方虽未图示，仍分别设置有第1施加单元16及第2施加单元17。这时，第1施加单元16的磁场方向如图8中的箭头81所示，左侧是N极，右侧是S极。另外，第2施加单元17的磁场方向如箭头82所示，上侧是N极，下侧是S极。
若采用这样的结构，则磁场不容易从施加单元16A～16D包围的部分向其外部泄漏。通过这样，由于磁场对第1桥式电路13的施加效率高，因此即使构成施加单元16及16A～D的永磁体的磁力减弱，也产生作用。若这样，施加给第1桥式电路13的磁场对第2桥式电路14产生影响的可能性减小。对于施加单元17A～17D也同样。
以上说明了本发明实施形态1～实施形态3，由于它们不要支架及线圈，因此能够小型化。再有，不是对线圈通电而产生偏置磁�。遣捎糜来盘�。这样，方位传感器不需要磁场产生用的电功率，是节能型。这样的方位传感器也可装在便携终端等装置上。
另外，在上述所有的实施形态中，第1检测电路及第2检测电路都是用4个检测元件构成的桥式电路结构，采用检测其差动电压的方法。但是，也可以用2个检测元件的半桥电路来构成第1检测电路及第2检测电路。关于这种情况，下面用图9进行说明。图9为本发明的方位传感器的第1检测电路的巴里斯(バリ－ション)电路图。
第1检测电路和90由第1检测元件12A及第2检测元件12B构成。在第1检测电路90中，对输入电极18A与接地电极19A之间加上规定的电压，通过这样来检测第1输出电极20A与接地电极19A之间的电压。该电路结构由于具有半个桥式电路的结构，因此称为“半桥电路”。
另外，关于第1检测元件12与第2检测元件12B的位置关系、以及与第1检测电路90相对的第1偏磁施加单元的磁场方向的位置关系，则与实施形态1相同。
在第2检测电路中也司以同样构成。
这样的半桥电路结构与桥式电路的情况相比，由于检测元件的数量为一半，因此电路所需要的面积也减�。缏方峁辜虻ィ灿欣谛⌒突�。
工业上的实用性以上那样的本发明的方位传感器具有以下的结构。
*基板*设置在该基板主表面的至少2个及2个以上的检测元件的第1检测电路，以及相同结构的第2检测电路*设置在与第1检测电路相对位置的第1偏磁施加单元*与第2检测电路相对设置的、而且在与第1偏磁施加单元产生的磁场方向不同的方向产生磁场的第2偏磁单元。
利用该结构，就不要支架及线圈，这样就得到能够小型化的方位传感器。
权利要求
1.一种方位传感器，其特征在于，包括基板、设置在所述基板主表面的具有至少2个及2个以上的检测元件的第1检测电路、设置在所述基板主表面的具有至少2个及2个以上的检测元件的第2检测电路、设置在与所述第1检测电路相对位置的第1偏磁施加单元、以及与所述第2检测电路相对设置、而且在与所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向不同的方向产生磁场的第2偏磁单元。
2.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，所述第1及第2偏磁施加单元由永磁体构体。
3.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，还包括覆盖所述第1检测电路及所述第2检测电路的至少一方的绝缘层。
4.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，所述第1检测电路，具有第1检测元件、与所述第1检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第1检测元件在电路上串联连接的第2检测元件、与所述第2检测元件的图形长度方向平行的第3检测元件、以及与所述第3检测元件在电路上串联连接、而且与所述第1检测元件的图形长度方向平行的第4检测元件，所述第1检测元件及所述第2检测元件与所述第3检测元件及所述第4检测元件分别在电路上并联连接，所述第2检测电路，具有第5检测元件、与所述第5检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第5检测元件在电路上串联连接的第6检测元件、与所述第6检测元件的图形长度方向平行的第7检测元件、以及与所述第7检测元件在电路上串联连接、而且与所述第5检测元件的图形长度方向平行的第8检测元件，所述第5检测元件及所述第6检测元件与所述第7检测元件及所述第8检测元件分别在电路上并联连接。
5.如权利要求4所述的方位传感器，其特征在于，所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第2偏磁施加单元产生的磁场方向所形成的角度为90°，所述第1检测元件的图形长度方向与所述第2检测元件的图形长度方向所形成的角度为90°，而且所述第5检测元件的图形长度方向与所述第6检测元件的图形长度方向所形成的角度为90°。
6.如权利要求5所述的方位传感器，其特征在于，所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第1检测元件的图形长度方向所形成的角度为45°，所述第2偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第5检测元件的图形长度方向所形成的角度为45°。
7.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，所述第1检测电路，具有第1检测元件、以及与所述第1检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第1检测元件在电路上串联连接的第2检测元件，所述第2检测电路，具有第3检测元件、以及与所述第3检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第3检测元件在电路上串联连接的第4检测元件。
8.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，用CoPt合金及铁氧化的某一种材料构成所述第1及第2偏磁施加单元。
9.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，用SiO2构成所述绝缘层。
10.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，使所述第1及第2偏磁施加单元产生的磁场强度为50e及以上和200e以下。
11.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，还包括包围第1检测电路及第2检测电路的至少一方的周围偏磁施加单元。
12.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，将所述第1检测电路及第2检测电路设置在所述基板的互相不同的主表面。
13.如权利要求1所述的方位传感器，其特征在于，所述基板在主表面上具有玻璃油层。
14.一种方位传感器的制造方法，其特征在于，包括下述工序1)在基板的主表面上形成第1检测电路及第2检测电路的工序、2)在与所述第1检测电路相对的位置形成第1偏磁施加单元、并在与所述第2检测电路相对的位置形成第2偏磁施加单元的工序，使得所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第2偏磁施加单元产生的磁场方向不同。
15.如权利要求14所述的方位传感器的制造方法，其特征在于，还包括形成覆盖所述第1检测电路及所述第2检测电路的至少一方的绝缘层的工序
16.如权利要求15所述的方位传感器的制造方法，其特征在于，所述工序2，具有在所述绝缘层的所述第1及第2偏磁施加单元非形成部位形成抗蚀剂的工序、在所述绝缘层的整个表面配置构成所述第1及第2偏磁施加单元的磁性材料的工序、以及除去所述抗蚀剂的工序。
17.如权利要求14所述的方位传感器的制造方法，其特征在于，还包括设定所述第1及第2偏磁施加单元的磁场方向的工序。
全文摘要
本发明揭示一种方位传感器，具有设置在基板主表面、其长度方向互相垂直而且串联连接的分别具有至少2个检测元件的第1及第2桥式电路，还具有分别在与该第1及第2桥式电路相对位置设置的第1及第2偏磁施加单元。该偏磁施加单元的磁场方向互相不同。该方位传感器由于不用支架及线圈，因此能够小型化。
文档编号G01R33/06GK1608197SQ0282622
公开日2005年4月20日 申请日期2002年12月24日 优先权日2001年12月27日
发明者尾中和弘 申请人:松下电器产业株式会社
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