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专利名称：一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种压力测量装置，尤其是具备耐环境气体污染的表压测量硅传感器。
背景技术：
目前，公知的表压测量硅传感器是由测量膜片、充灌液、腔室、硅信号发生器、通气管道组成。工作时，测量介质的压力通过测量膜片和充灌液向信号发生器正侧传递，环境气体的压力(一般为当前大气压力)作为参比压力通过通气管道直接向硅信号发生器负侧传递，实现表压测量的目的。但这种表压测量硅传感器在污染气体环境下工作时，污染气体会通过通气管道直接进入硅传感器参比腔与硅信号发生器接触，将使硅信号发生器受到污染和氧化，最终影响表压测量硅传感器的长期工作稳定性和可靠性。 发明内容为了克服现有的表压测量硅传感器在污染气体环境下工作时的不足，本实用新型提供一种耐环境气体污染的表压测量娃传感器。该耐环境气体污染的表压测量娃传感器工作时，环境气体的压力(一般为当前大气压力)作为参比压力通过通气管道和参比腔体向硅信号发生器负侧传递，测量介质的压力通过正侧腔体向硅信号发生器正侧传递，实现表压测量的目的。本实用新型解决问题所采用的技术方案是在硅信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片，充入参比腔充灌液，形成参比腔体，同时，通气管道与参比腔体连通；在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片，充入正腔充灌液，形成正侧腔体。环境气体的压力作为参比压力通过通气管道先传递至参比腔耐腐蚀金属测量膜片，再通过参比腔充灌液向硅信号发生器负侧传递压力；测量介质的压力通过正侧耐腐蚀金属测量膜片和正腔充灌液向硅信号发生器正侧传递压力，实现了表压测量。本实用新型的有益效果是，这种硅传感器的设计方式在有污染气体环境下工作时，有效地隔绝了污染气体对硅信号发生器的污染和氧化，保证了表压测量硅传感器性能不受影响，长期工作的稳定性和可靠性。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明。图I是本实用新型的结构原理图。图2是本实用新型的工作原理图。图中I.参比腔耐腐蚀金属测量膜片，2.参比腔充灌液，3.硅信号发生器，4.正侧耐腐蚀金属测量膜片，5.正腔充灌液，6.通气管道。
具体实施方式
在图I中，将硅信号发生器(3)装入表压测量硅传感器内，在硅信号发生器(3)负侧上端焊接密封一张参比腔耐腐蚀金属测量膜片(I)，并充入参比腔充灌液(2)，形成一个可以向硅信号发生器(3)负侧传递压力的参比腔体；在硅信号发生器(3)正侧下端焊接密封一张正侧耐腐蚀金属测量膜片(4)，并充入正腔充灌液(5)，形成一个可以向硅信号发生器(3)正侧传递压力的正侧腔体。在图2所示的硅传感器工作实施例中，环境气体的压力(一般为当前大气压力P。)作为参比压力通过通气管道(6)传递至参比腔耐腐蚀金属测量膜片(I)，再通过参比腔充灌液(2)向硅信号发生器(3)负侧传递当前环境气体的压力Ptl ;测量介质的压力P通过正侧耐腐蚀金属测量膜片(4)和正腔充灌液(5)向硅信号发生器(3)正侧传递测量介质 的压力P，这样，通过参比强耐腐蚀金属测量膜片⑴和参比腔充灌液⑵形成的参比腔体隔绝了环境气体与硅信号发生器(3)，杜绝了硅信号发生器(3)被环境气体污染和氧化的情况的发生，同时实现了表压测量。
权利要求1. 一种耐环境气体污染的表压测量娃传感器，在娃信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片，充入参比腔充灌液，形成参比腔体，同时，通气管道与参比腔体连通；在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片，充入正腔充灌液，形成正侧腔体。
专利摘要一种耐环境气体污染的表压测量硅传感器，在硅信号发生器的负侧上端焊接密封一张可传递压力的参比腔耐腐蚀金属测量膜片，充入参比腔充灌液，形成参比腔体，环境气体的压力作为参比压力通过通气管道和参比腔体向硅信号发生器负侧传递；在硅信号发生器的正侧下端焊接密封一张可传递压力的正侧耐腐蚀金属测量膜片，充入正腔充灌液，形成正侧腔体，测量介质的压力通过正侧腔体向硅信号发生器正侧传递，这种硅传感器的设计方式在有污染气体环境下工作时，有效地隔绝了污染气体对硅信号发生器的污染和氧化，并实现了表压测量。
文档编号G01L19/06GK202420756SQ201220044150
公开日2012年9月5日 申请日期2012年2月10日 优先权日2012年2月10日
发明者姚康, 张曙, 李俊毅, 王徐坚, 郝正宏 申请人:上海洛丁森工业自动化设备有限公司