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超薄型温度传感器元件的制作方法

时间:2025-06-28    作者: 管理员


专利名称::超薄型温度传感器元件的制作方法
技术领域
:本发明涉及温度传感器元件,尤其涉及不易受外部冲击破损的超薄型温度传感器元件。
背景技术:
:一般而言,移动通信终端、笔记本、PMP(PortableMultimediaPlayer)、数码相机及数码摄像机等电子产品,使用便于携带且可充放电的电池组。电池组使用温度传感器元件,以便在锂离子电池放电时检测当前温度,从电池内部温度中保护电池。图1为现有超薄型温度传感器元件平面图,如图所示,在引线框架11之间固定温度传感器元件10,并缠绕绝缘薄膜14以绝缘温度传感器元件10和引线框架11。但是,现有温度传感器元件不能在耐冲击性、压缩强度等方面较为脆弱,不能从外部冲击有效保护温度传感器元件,容易产生不良,尤其在笔记本的蓄电池单元(Cell)上安装温度传感器元件之后用塑料包装压缩时,频繁发生温度传感器元件破损的问题。
发明内容本发明的目的在于克服现有技术之不足而提供一种超薄型温度传感器元件,其可减少外部冲击对温度传感器元件的破损。为达到上述目的,本发明超薄型温度传感器元件,其特征在于,包括温度传感器元件;引线框架,使上述温度传感器元件插入其中;护架(Supporter),保护上述温度传感器元件;及薄膜,缠绕上述温度传感器元件、引线框架及护架进行绝缘。在本发明中,上述护架高于温度传感器元件。在本发明中,上述护架由陶瓷、高分子、具备绝缘涂层的金属中的一种制作而成。在本发明中,上述薄膜为高分子系薄膜。在本发明中,上述高分子系薄膜为聚酰亚胺、聚酯纤维及聚四氟乙烯中的一种。如上所述,本发明超薄型温度传感器元件,通过使护架(Suppoerter)高于温度传感器元件,不仅保护温度传感器元件,且防止不易受外部冲击破损。图1为现有超薄型温度传感器元件平面图;图2为本发明超薄型温度传感器元件平面图;图3a至北为本发明超薄型温度传感器元件制造工艺步骤示意图;图4为本发明超薄型温度传感器元件剖面图;图5为本发明超薄型温度传感器元件压缩强度曲线图;图6为本发明超薄型温度传感器元件耐冲击性曲线图。附图标记100温度传感器元件101引线框架102护架(Supporter)103薄膜具体实施例方式下面,结合附图对本发明的具体实施例进行详细说明。图2为本发明超薄型温度传感器元件平面图;图3a至北为本发明超薄型温度传感器元件制造工艺步骤示意图;图4为本发明超薄型温度传感器元件剖面图。如图2所示,本发明超薄型温度传感器元件,包括温度传感器元件100,检测温度;引线框架101,向上述温度传感器元件100供应电源;护架(Supporter)102,保护上述温度传感器元件;及薄膜103,缠绕上述温度传感器元件、引线框架及护架进行绝缘。在此,上述温度传感器元件100通过钎焊插入固定于引线框架101之间。在此,上述护架(Supporter)102保护固定于引线框架101之间的温度传感器元件100。此时,较佳地,上述护架(Supporter)102由陶瓷、高分子、具备绝缘涂层的金属中的一种制作而成。在此,较佳地,上述薄膜103为由绝缘物质或绝缘层构成的薄膜,而更加为采用聚酰亚胺、聚酯纤维及聚四氟乙烯等高分子系薄膜。如图3a所示,本发明超薄型温度传感器元件制造方法,首先将检测温度的温度传感器元件100连接于引线框架101之后插入护架102。此时,只要高于温度传感器元件100,上述护架102可采用任何形状,而较佳地,采用“匚”字形状。在此,如图北所示,通过热压密封缠绕与引线框架101连接的温度传感器元件100和护架102进行绝缘的薄膜103。图4为图北的剖面图,如图所示,温度传感器元件100下部和薄膜103不存在高度差异,但温度传感器元件100上部和薄膜103或护架102存在高度差异。此时,本发明超薄型温度传感器元件100的厚度为0.21mm,而较佳地,护架102高于温度传感器元件100。本发明温度传感器元件100下部与笔记本的蓄电池单元(Cell)表面热接触300,而在温度传感器元件100上部,因护架103高于温度传感器元件100,从而部件保护温度传感器元件100,且防止温度传感器元件100不受外部冲击200破损。另外,本发明在笔记本的蓄电池单元(Cell)上安装温度传感器元件100之后用塑料包装压缩时,因高于温度传感器元件100的护架102起到缓冲作用,可防止温度传感器元件100破损。图5为本发明超薄型温度传感器元件压缩强度曲线图。如图5所示,对本发明超薄型温度传感器元件和挤出型温度传感器元件测量压缩强度的测量结果表明,所有20个样本都坚持到20kgf为止。在此,在上述挤出型温度传感器元件中,引线框架用绝缘薄膜缠绕,而温度传感器元件用硅涂层和环氧灌浆缠绕。与此相反,上底漆型温度传感器元件的20个样本中,有3个在压缩强度小的地方发生破坏,而其余17个坚持到20kgf为止。在此,上述上底漆型温度传感器元件,用绝缘薄膜缠绕引线框架和温度传感器元件一次。图6为本发明超薄型温度传感器元件耐冲击性曲线图,是对20个样本在变化冲击能量的同时表示各阶段生存率的曲线图。在此,1表示在对传感器元件无冲击的状态下100%生存的情况。如图6所示,对本发明超薄型温度传感器元件和挤出型温度传感器元件测量压缩强度的测量结果表明,所有20个样本都坚持到18.58mJ为止。与此相反,上底漆型温度传感器元件,虽然坚持到10.58mJ为止,但在其以上的冲击下开始发生破坏。本发明超薄型温度传感器元件的压缩强度和耐冲击性到达了挤出型温度传感器元件的水平。这表明本发明超薄型温度传感器元件得到了保护。上述实施例仅用以说明本发明而非限制,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明进行修改、变形或者等同替换,而不脱离本发明的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。权利要求1.一种超薄型温度传感器元件,其特征在于,包括温度传感器元件;引线框架,使上述温度传感器元件插入其中;护架(Supporter),保护上述温度传感器元件;及薄膜,缠绕上述温度传感器元件、引线框架及护架进行绝缘。2.根据权利要求1所述的超薄型温度传感器元件,其特征在于上述护架高于温度传感器元件。3.根据权利要求1所述的超薄型温度传感器元件,其特征在于上述护架由陶瓷、高分子、具备绝缘涂层的金属中的一种制作而成。4.根据权利要求1所述的超薄型温度传感器元件,其特征在于上述薄膜为高分子系薄膜。5.根据权利要求4所述的超薄型温度传感器元件,其特征在于上述高分子系薄膜为聚酰亚胺、聚酯纤维及聚四氟乙烯中的一种。全文摘要本发明超薄型温度传感器元件,其特征在于,包括引线框架,使上述温度传感器元件插入其中;护架(Supporter),保护上述温度传感器元件;及薄膜,缠绕上述温度传感器元件、引线框架及护架进行绝缘;且上述护架高于温度传感器元件。文档编号G01K1/08GK102346075SQ201010523200公开日2012年2月8日申请日期2010年10月26日优先权日2010年7月28日发明者李忠国,王永星,郑徹镇申请人:热特龙公司

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