专利名称：原子基态超精细塞曼频率的测量装置和方法
技术领域：
本发明涉及原子频标领域，特别涉及一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置和方法。
背景技术：
塞曼效应是原子在外部磁场作用下，能级发生 分裂的现象。在原子发生塞曼效应后，基态的超精细能级之间的跃迁频率被称为原子基态超精细塞曼频率。随着铷原子频标的广泛应用，通常需对铷原子基态超精细塞曼频率进行测量，以作为原子钟量子鉴频参考频率值。现有测量铷原子基态超精细塞曼频率的方法包括将充以87Rb的玻璃泡置入一个加有磁场的微波谐振腔内，将腔的共振频率调整在87Rb基态相应超精细能级跃迁频率上，然后通过微波检测装置获得87Rb的吸收谱线，根据该吸收谱线可得到铷原子基态超精细塞曼频率。在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题由于气态87Rb粒子数密度�。褂孟钟械牟饬糠椒ㄔ诔Ｎ率钡玫降牧礁龀改芗都涞牧Ｗ邮钍欠浅Ｐ〉模缘玫降脑游掌紫叻浅Ｎ⑷酰莞梦掌紫咚饬康娘ㄔ踊溉德蚀嬖谝欢ㄎ蟛睢�
发明内容
为了提高测量塞曼频率的精确度，本发明实施例提供了一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置和方法。所述技术方案如下—种原子基态超精细塞曼频率的测量装置，所述装置包括光辐射�？椋糜谑乖硬涔猓龇涔獾钠紫甙礁龀附峁钩煞郑还四？椋糜诓捎盟鲈拥耐凰芈顺隽礁龀附峁钩煞种械囊桓觯玫焦撕蟮姆涔猓环至言厩？椋糜谠谒龉撕蟮姆涔獾恼丈湎拢ü懦『蜕淦敌藕诺淖饔茫刮⒉ㄇ恢械脑臃⑸至巡⒉舱裨厩ǎ鑫⒉ㄇ恢械脑佑胨龉夥淠？橹械脑游恢衷樱还饧炷？椋糜谑凳奔觳馔腹龇至言厩？榈姆涔獾那慷龋⒉馇啃藕�;主控计算模块，用于为所述微波腔提供所述射频信号，根据所述射频信号与所述光强信号的对应关系，得到所述原子的吸收谱线，并根据所述吸收谱线计算所述原子的基态超精细塞曼频率。具体地，所述光辐射�？槲�87Rb光谱灯；所述过滤�？槲�85Rb滤光泡；所述分裂跃迁�？榘ㄋ鑫⒉ㄇ缓头胖迷谒鑫⒉ㄇ荒诘�87Rb吸收泡；所述微波腔外绕制产生所述磁场的通电线圈。
其中，所述主控计算�？榫咛灏ㄉ淦敌藕挪ピ糜谑涑霾⒓锹妓錾淦敌藕牛坏缌鞑ピ糜诓缌饕钥刂扑龃懦〉拇笮。徊裳ピ糜诟菔涑鏊錾淦敌藕诺氖毙蚨运龉馇啃藕沤胁裳⒓锹迹顾龉馇啃藕庞胨錾淦敌藕乓灰欢杂Γ患扑愕ピ糜诟菟龉馇啃藕庞胨� 射频信号的对应关系，得到所述原子对应的吸收谱线，并根据所述吸收谱线计算并显示计算出的所述的原子基态超精细塞曼频率。具体地，所述射频信号产生单元为扫频仪。一种原子基态超精细塞曼频率的测量方法，所述方法包括使原子产生辐射光，所述辐射光的谱线包括两个超精细结构成分；采用所述原子的同位素滤除所述两个超精细结构成分中的一个，得到过滤后的辐射光；在所述过滤后的辐射光的照射下，通过磁场和射频信号的作用，使微波腔中原子发生分裂并产生共振跃迁，所述微波腔中的原子与产生辐射光的原子为同一种原子；实时检测透过所述微波腔的辐射光的强度，并产生光强信号；根据所述射频信号与所述光强信号的对应关系，得到所述原子的吸收谱线，并根据所述吸收谱线计算所述原子的基态超精细塞曼频率。其中，所述根据所述吸收谱线计算所述原子的基态超精细塞曼频率，包括在所述吸收谱线中，分别获取最小的光强信号对应的所述射频信号的频率值、以及次小的光强信号对应的所述射频信号的频率值；计算最小的光强信号对应的射频信号的频率值与次小的光强信号对应的射频信号的频率值之间的差值，得到所述原子的基态超精细塞曼频率。具体地，所述射频信号的变化范围为6832. 6875MHz 6836. 6875MHz，步长为500Hz。具体地，所述磁场的大小在IOOmG以内。本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是通过利用原子同位素之间能级跃迁频率相近，采用原子的同位素滤除原子两个超精细结构成分中的一个；将滤除了两个超精细结构成分的原子的辐射光照射微波腔中原子，并通过磁场和射频信号的作用，使原子发生分裂和共振跃迁，增加了原子超精细能级之间的粒子差；可以获得较强的光强信号，减小测量塞曼频率的误差，提高测量塞曼频率的精确度。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本发明实施例I中提供的一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置的示意图2是本发明实施例2中提供的一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置的示意图；图3是本发明实施例2中提供的87Rb原子能级的示意图；图4是本发明实施例2中提供的85Rb原子能级的示意图；图5是本发明实施例2中提供的87Rb的Dl线的a、b线与85Rb的Dl线的A、B线的相对位置的不意图；图6是本发明实施例2中提供的过滤后的 辐射光中超精细结构成分的示意图；图7是本发明实施例2中提供的吸收谱线的示意图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。实施例I参见图1，本发明实施例I提供了一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置，该装置包括光辐射�？�101、过滤�？�102、分裂跃迁�？�103、光检�？�104和主控计算�？�105。光辐射�？�101，用于使原子产生辐射光，该辐射光的谱线包括两个超精细结构成分。过滤�？�102，用于采用原子的同位素滤除两个超精细结构成分中的一个，得到过滤后的福射光。分裂跃迁模块103，用于在过滤后的辐射光的照射下，通过磁场和射频信号的作用，使微波腔中原子发生分裂并产生共振跃迁。其中，微波腔中原子与光福射�？�101中的原子为同一种原子。光检�？�104,用于实时检测透过分裂跃迁�？�103的福射光的强度,并产生光强信号。主控计算�？�105，用于为微波腔提供射频信号，根据射频信号与光强信号的对应关系，得到原子的吸收谱线，并根据吸收谱线计算原子的基态超精细塞曼频率。其中，分裂跃迁�？�103分别与光检�？�104和主控计算�？�105连接。具体地，光辐射�？�101可以是87Rb光谱灯；过滤�？�102可以是85Rb滤光泡；分裂跃迁�？�103包括微波腔和放置在微波腔内的87Rb吸收泡；该微波腔外绕制产生磁场的通电线圈。本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是通过利用原子同位素之间能级跃迁频率相近，采用原子的同位素滤除原子两个超精细结构成分中的一个；将滤除了两个超精细结构成分的原子的辐射光照射微波腔中原子，并通过磁场和射频信号的作用，使原子发生分裂和共振跃迁，增加了原子超精细能级之间的粒子差；可以获得较强的光强信号，减小测量塞曼频率的误差，提高测量塞曼频率的精确度。实施例2参见图2，本发明实施例2以87Rb原子为例，提供了一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置，该装置包括光辐射模块201、过滤�？�202、分裂跃迁�？�203、光检�？�204和主控计算�？�205。其中，分裂跃迁�？�203分别与光检�？�204和主控计算�？�205连接。光辐射�？�201，用于使原子产生辐射光，该辐射光的谱线包括两个超精细结构成分。其中，该两个超精细结构成分分别为，铷 原子的激发态与基态中较高的超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分、以及铷原子的激发态与基态中较低的超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分。在本发明实施例2中，设定铷原子的激发态与基态中高超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分、以及铷原子的激发态与基态中低超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分分别为a线和b线。具体地,光福射�？�201用于产生87Rb原子的福射光。具体地，光福射�？�201为87Rb光谱灯。7Rb光谱灯制成透明玻璃形状；其中充入相应的发光用87Rb蒸气和方便启辉的Kr或Ar惰性气体。过滤�？�202，用于采用原子的同位素滤除两个超精细结构成分中的一个，得到过滤后的福射光。其中，将光辐射模块201中87Rb原子的辐射光照射过滤�？�202中85Rb,得到滤除两个超精细结构成分中的一个的87Rb原子的辐射光。具体地，被滤除的两个超精细结构成分中的一个为a线。另外，过滤单元2012为85Rb吸收泡。该85Rb吸收泡制成透明玻璃形状，其中充入87Rb原子的同位素85Rb。众所周知，87Rb原子(原子序数37)有原子量分别为85和87的两种同位素。由于光福射模块201选用了 87Rb蒸气，故在过滤�？�202中充入85Rb原子。进一步地，87Rb为碱金属，只有一个价电子。参见图3，87Rb原子的基态为52S1/2态。87Rb原子的基态能级中，|F=2, mF=0>和IF=I, mF=0>,这两个能级之间跃迁频率的精确值为6834. 68XXXXMHZ (外磁场H=O)，后四位数字由磁场和集成滤光共振泡中的缓冲气体的微扰确定。这也就是所谓的铷原子频标量子鉴频参考频率值。87Rb的第一激发态有两个精细结构能级52P3/2和52P1/2，这两个能级的超精细分裂较基态�。直鹞�840MHz (F=3与F=O)和430MHz (F=2与F=I)。由于多普勒展宽与此分裂值差不多，故激发态的超精细结构无法分辨。因此87Rb原子的第一激发态与基态间的跃迁谱线只包括D1和D2线中两个超精细结构成分a线和b线。参见图4，85Rb原子的基态52P1/2能级分成两个超精细能级F=3和F=2，这两个能级之间跃迁频率大约为3036MHz。它的光谱同样也有D1线(79474)和D2线(7800A)且每条线同样包括两个超精细成分A线和B线。参见图5 图6，a线、A线相距较近，b线、B线相距较远,故当87Rb辐射光经过滤光单元2012中85Rb滤光后，辐射光的Dp D2线中的a线被滤掉，基本上只会剩下b、B两条线。分裂跃迁�？�203，用于在过滤后的辐射光的照射下，通过磁场和射频信号的作用，使微波腔中原子发生分裂并产生共振跃迁。其中，微波腔中原子与光福射�？�101中的原子为同一种原子。进一步地，微波腔内充有87Rb原子和惰性气体。该微波腔外绕制能产生磁场的通电线圈。可选地，通电线圈可由螺旋管绕制。微波腔内的87Rb原子在磁场作用下，基态将发生分裂，得到基态的超精细结构。在过滤掉a线的辐射光照射下，基态的超精细结构将被b线抽运到激发态。而在射频信号的作用下，基态的超精细结构之间将发生共振跃迁。具体地，过滤掉a线的87Rb原子的辐射光到达微波腔后，微波腔中的87Rb原子若处在基态F=I的能级上就会被b线抽运到52P3/2或52P1/2能级上去，但激发态寿命很短，它们很快又会自发辐射返回基态。由于在激发态期间，碰撞使得激发态充分混杂，返回基态时落到F=2能级及F=I能级的几率可视为相等。但由于b线辐射光的存在，原子只要落到F=I能级上又会被抽运到52P3/2或52P1/2能级上去；而由于没有辐射光的激发，落在F=2能级上的原子停在这个能级上。最后结果必然是把原子全部抽运到F=2能级上(实际是全部的原子均匀分布在F=2的超精细结构mF五个能级上，每个子能级 的原子数是全部原子数的1/5)，F = I的能级被抽空。这样，F=2和F=I能级经过福射光的作用,粒子数差增加了。当微波腔中87Rb原子的F=I的三个塞曼子能级被抽空以后，87Rb原子就不再吸收辐射光了。也就是说，当辐射光刚开始照到87Rb原子微波腔时就会被87Rb吸收，但一旦F=I能级已被抽空，则不再被吸收，即达到平衡后，微波腔中87Rb对辐射光是透明的。这时在微波腔加上频率与原子跃迁频率相同的射频信号，让原子在|F=2, mF=0>和|F=1, mF=0>这两个能级间发生磁共振，这样就有一部分原子从|F=2，mF=0>跃迁到|F=1，mF=0>能级上。只要有一个原子辐射一个微波量子的能量跃迁到|F=l，mF=0>能级上，就马上又会吸收一个光量子的能量被激发到激发态，从而使得通过微波腔的辐射光光强变弱。光检�？�204,用于实时检测透过分裂跃迁�？�203的福射光的光强,并产生光强信号。具体地，光检�？�204包括但不限于为光电池、放大电路和模数转换电路构成的电路。光电池设置在前述微波腔的底部，用于实时检测和记录辐射光的光强，并产生检测信号发送至放大电路；放大电路用于将光电池的检测信号放大后发送至模数转换电路；模数转换电路将放大后的检测信号转换成光强信号。主控计算�？�205，用于为微波腔提供射频信号，根据射频信号与光强信号的对应关系，得到原子的吸收谱线，并根据吸收谱线计算原子的基态超精细塞曼频率。进一步地，主控�？�205包括射频信号产生单元2051、电流产生单元2052、采样单元2053和计算单元2054。其中，射频信号产生单元2051分别与分裂跃迁�？�203和计算单元2054连接；电流产生单元2052分别与分裂跃迁�？�203和计算单元2054连接；采样单元2053分别与光检�？�204和计算单元2054连接。其中，射频信号产生单元2051用于输出并记录射频信号。进一步地，射频信号产生单元2051包括但不限于为扫频仪。其中，电流产生单元2052用于产生电流以控制磁场的大小。具体地，电流产生单元2052产生并控制用螺旋管绕制线圈中的电流大�。刂拼懦〈笮。⒈３趾愣�。其中，采样单元2053用于根据射频信号产生单元2051控制射频信号的时序对光检�？�204输出的光强信号进行采样并记录，使光强信号与射频信号一一对应。其中，计算单元2054用于根据采样的光强信号与射频信号的对应关系，得到对应的吸收谱线，并根据吸收谱线计算并显示计算出的原子的基态超精细塞曼塞曼频率。具体地，参见图7，纵坐标表示了采样的光强信号，即采样大�。ノ晃兀缓嶙瓯硎玖松璧闶瓷淦敌藕挪ピ�2051记录的输出变化频率的点数。其中，塞曼频率定义为吸收谱线中峰I、峰2或者峰I、峰3间的频差，即最小的光强信号对应的射频信号的频率值与次小的光强信号对应的射频信号的频率值之间的差值。具体地，由于射频信号产生单元2051输出的频率信号变化步进长度是不变的，故可以通过计算峰I、峰2或者峰I、峰3之间的点数，即可求出塞曼频率的值。本发明实施例提供的技术方案带来的有益 效果是通过利用原子同位素之间能级跃迁频率相近，采用原子的同位素滤除原子两个超精细结构成分中的一个；将滤除了两个超精细结构成分的原子的辐射光照射微波腔中原子，并通过磁场和射频信号的作用，使原子发生分裂和共振跃迁，增加了原子超精细能级之间的粒子差；可以获得较强的光强信号，减小测量塞曼频率的误差，提高测量塞曼频率的精确度。实施例3本发明实施例3提供了一种原子基态超精细塞曼频率的测量方法，具体包括301 :使原子产生辐射光，该辐射光的谱线包括两个超精细结构成分。302:采用原子的同位素滤除两个超精细结构成分中的一个，得到过滤后的辐射光。303:在过滤后的辐射光的照射下，通过磁场和射频信号的作用，使微波腔中原子发生分裂并产生共振跃迁。其中，微波腔中的原子与产生辐射光的原子为同一种原子。304 :用于实时检测透过微波腔的辐射光的强度，并产生光强信号。305:根据射频信号与光强信号的对应关系，得到原子的吸收谱线，并根据吸收谱线获取原子的基态超精细塞曼频率。本发明实施例通过利用原子同位素能级跃迁频率相近，使原子基态的超精细结构发生抽运，增加能级之间的粒子差；可以获得较强的光强信号，减小测量塞曼频率的误差，提高测量塞曼频率的精确度。本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是通过利用原子同位素之间能级跃迁频率相近，采用原子的同位素滤除原子两个超精细结构成分中的一个；将滤除了两个超精细结构成分的原子的辐射光照射微波腔中原子，并通过磁场和射频信号的作用，使原子发生分裂和共振跃迁，增加了原子超精细能级之间的粒子差；可以获得较强的光强信号，减小测量塞曼频率的误差，提高测量塞曼频率的精确度。实施例4本发明实施例4以87Rb原子为例，提供了一种原子基态超精细塞曼频率的测量方法，具体包括401 :使原子产生辐射光，该辐射光的谱线包括两个超精细结构成分。其中，该两个超精细结构成分分别为，铷原子的激发态与基态中较高的超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分、以及铷原子的激发态与基态中较低的超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分。在本发明实施例4中，设定铷原子的激发态与基态中较高的超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分、以及铷原子的激发态与基态中较低的超精细结构能级之间的跃迁谱线的超精细结构成分分别为a线和b线。具体地，可使用87Rb蒸气和方便启辉的Kr或Ar惰性气体产生铷原子的辐射光。402:采用原子的同位素滤除两个超精细结构成分中的一个，得到过滤后的辐射光。
其中，将铷原子的辐射光照射铷原子的同位素，得到过滤掉a线的铷原子的辐射光，辐射光中剩下b线。403:在过滤后的辐射光的照射下，通过磁场和射频信号的作用，使微波腔中原子发生分裂并产生共振跃迁。其中，微波腔中的原子与产生辐射光的原子为同一种原子。其中，首先，在微波腔中充入87Rb铷原子 和惰性气体；然后，为微波腔提供用于分裂的磁�。刮⒉ㄇ恢械�87Rb原子基态分裂为基态的超精细能级；其次，当过滤后的辐射光照射加了磁场中的微波腔，将使微波腔中87Rb原子基态中与b线对应的超精细能级发生抽运；最后，为微波腔输入与铷原子的跃迁频率相同的射频信号，使铷原子基态的超精细结构在射频信号的激励下产生共振跃迁。具体地，射频信号的变化范围为6832. 6875MHz 6836. 6875MHz，步长为500Hz。磁场的大小在IOOmG以内。404 :用于实时检测和记录透过微波腔的辐射光的强度，并产生光强信号。具体地，可由光电池检测辐射光的光强，并将检测信号发送至放大电路；放大电路将检测信号放大后发送至模数转换电路；模数转换电路将放大后的检测信号转换成光强信号。405:根据射频信号与光强信号的对应关系，得到原子的吸收谱线，并根据吸收谱线计算原子的基态超精细塞曼频率。进一步地,本步骤包括4051 :在吸收谱线中，分别获取最小的光强信号对应的射频信号的频率值、以及次小的光强信号对应的射频信号的频率值。具体地，参见图7，最小的光强信号对应的射频信号的频率值为吸收谱线中峰I对应的频率值；次小的光强信号对应的射频信号的频率值为吸收谱线中峰2或峰3对应的频率值。4052:计算最小的光强信号对应的射频信号的频率值与次小的光强信号对应的射频信号的频率值之间的差值，得到原子的基态超精细塞曼频率。具体地，计算吸收谱线中峰I、峰2或者峰I、峰3间的频差，即得到原子的基态超
精细塞曼频率。本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是通过利用原子同位素之间能级跃迁频率相近，采用原子的同位素滤除原子两个超精细结构成分中的一个；将滤除了两个超精细结构成分的原子的辐射光照射微波腔中原子，并通过磁场和射频信号的作用，使原子发生分裂和共振跃迁，增加了原子超精细能级之间的粒子差；可以获得较强的光强信号，减小测量塞曼频率的误差，提高测量塞曼频率的精确度。以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置，其特征在于，所述装置包括 光辐射模块，用于使原子产生辐射光，所述辐射光的谱线包括两个超精细结构成分； 过滤�？椋糜诓捎盟鲈拥耐凰芈顺隽礁龀附峁钩煞种械囊桓觯玫焦撕蟮母Ｉ涔猓� 分裂跃迁�？椋糜谠谒龉撕蟮姆涔獾恼丈湎拢ü懦『蜕淦敌藕诺淖饔茫刮⒉ㄇ恢械脑臃⑸至巡⒉舱裨厩ǎ鑫⒉ㄇ恢械脑佑胨龉夥淠？橹械脑游恢衷樱还饧炷？椋糜谑凳奔觳馔腹龇至言厩？榈姆涔獾那慷龋⒉馇啃藕牛恢骺丶扑隳？椋糜谖鑫⒉ㄇ惶峁┧錾淦敌藕牛菟錾淦敌藕庞胨龉馇啃藕诺亩杂叵担玫剿鲈拥奈掌紫撸⒏菟鑫掌紫呒扑闼鲈拥幕溉德�。
2.根据权利要求I所述的装置，其特征在于，所述光辐射�？槲�87Rb光谱灯；所述过滤�？槲�85Rb滤光泡；所述分裂跃迁�？榘ㄋ鑫⒉ㄇ缓头胖迷谒鑫⒉ㄇ荒诘�87Rb吸收泡；所述微波腔外绕制产生所述磁场的通电线圈。
3.根据权利要求I所述的装置，其特征在于，所述主控计算�？榫咛灏� 射频信号产生单元，用于输出并记录所述射频信号； 电流产生单元，用于产生电流以控制所述磁场的大�。� 采样单元，用于根据输出所述射频信号的时序对所述光强信号进行采样并记录，使所述光强信号与所述射频信号对应； 计算单元，用于根据所述光强信号与所述射频信号的对应关系，得到所述原子对应的吸收谱线，并根据所述吸收谱线计算并显示计算出的所述的原子基态超精细塞曼频率。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述射频信号产生单元为扫频仪。
5.一种原子基态超精细塞曼频率的测量方法，其特征在于，所述方法包括 使原子产生辐射光，所述辐射光的谱线包括两个超精细结构成分； 采用所述原子的同位素滤除所述两个超精细结构成分中的一个，得到过滤后的辐射光; 在所述过滤后的辐射光的照射下，通过磁场和射频信号的作用，使微波腔中原子发生分裂并产生共振跃迁，所述微波腔中的原子与产生辐射光的原子为同一种原子； 实时检测透过所述微波腔的辐射光的强度，并产生光强信号； 根据所述射频信号与所述光强信号的对应关系，得到所述原子的吸收谱线，并根据所述吸收谱线计算所述原子的基态超精细塞曼频率。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述吸收谱线计算所述原子的基态超精细塞曼频率，包括 在所述吸收谱线中，分别获取最小的光强信号对应的所述射频信号的频率值、以及次小的光强信号对应的所述射频信号的频率值； 计算最小的光强信号对应的射频信号的频率值与次小的光强信号对应的射频信号的频率值之间的差值，得到所述原子的基态超精细塞曼频率。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述射频信号的变化范围为.6832. 6875MHz 6836. 6875MHz，步长为 500Hz。
8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述磁场的大小在IOOmG以内。
全文摘要
本发明公开了一种原子基态超精细塞曼频率的测量装置和方法，属于原子频标领域。装置光辐射�？椋糜谑乖硬涔猓涔獾钠紫甙礁龀附峁钩煞郑还四？椋糜诓捎迷拥耐凰芈顺礁龀附峁钩煞种械囊桓觯玫焦撕蟮姆涔猓环至言厩？椋糜谠诠撕蟮姆涔獾恼丈湎拢ü懦『蜕淦敌藕诺淖饔茫刮⒉ㄇ恢械脑臃⑸至巡⒉舱裨厩ǎ⒉ㄇ恢械脑佑牍夥淠？橹械脑游恢衷樱还饧炷？椋糜谑凳奔觳馔腹至言厩？榈姆涔獾那慷龋⒉馇啃藕牛恢骺丶扑隳？椋糜谖⒉ㄇ惶峁┥淦敌藕牛萆淦敌藕庞牍馇啃藕诺亩杂叵担玫皆拥奈掌紫撸⒏菸掌紫呒扑阍拥幕溉德�。
文档编号G01R23/02GK102788900SQ20121027029
公开日2012年11月21日 申请日期2012年7月31日 优先权日2012年7月31日
发明者雷海东 申请人:江汉大学
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