专利名称：平膜硅压阻式压力传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平膜硅压阻式压力传感器。
背景技术：
平膜硅压阻式压力传感器作为自动化仪表和电子控制系统的重要部件，广泛应用于食品、医药、酿酒等卫生型行业及测量介质可能结垢的场合。传统的平膜硅压阻式压力传感器采用一体化结构，油路管径设计宽且长，加工难，充油腔体体积大，充注的硅油体积也大，压力传递失真大，受温度影响大，而且传感器的量程不能做到很大。
实用新型内容本实用新型目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种平膜硅压阻式压力传感器。本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案本实用新型平膜硅压阻式压力传感器，包括平膜进压头、销子、扩散硅敏感芯片和底座，还包括隔离膜片，其中隔离膜片与平膜进压头之间设置第一油路，所述销子上设置一条沿着销子圆柱体中心线的凹槽作为第二油路。所述扩散硅敏感芯片与销子之间还设置油槽。本实用新型与传统的平膜硅压阻式压力传感器的一体化油路设计相比，本实用新型不用直接在平膜进压头(附图1中部件3)内腔打孔，而是采用了分立部件一销子，将销子点焊在平膜进压头内，降低了加工难度，减小了硅油的填充量，从而减少了硅油的损耗，进而减少了成本、提高了可靠性、减小了受温度的影响程度，而且传感器量程可以做到很大。
图1 :本实用新型结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型平膜硅压阻式压力传感器，包括平膜进压头3、销子4、扩散硅敏感芯片7和底座8，还包括隔离膜片1，其中隔离膜片I与平膜进压头3之间设置第一油路2，所述销子4上设置一条沿着销子4圆柱体中心线的凹槽作为第二油路5。所述扩散硅敏感芯片7与销子4之间还设置油槽6。平膜硅压阻式压力传感器，采用扩散硅敏感芯片(附图1中元件7)作为测压敏感元件，利用隔离膜片(附图1中元件I)将硅油(附图2中2、5、6中的填充物)封装在不锈钢壳体(附图1中元件3和8)中。根据小变形理论，若硅油体积不发生变化，即硅油为不可压缩的液体，那么，外界压力将通过硅油无损耗的直接传递到扩散硅敏感芯片上，不引起任何附加压力变化(增加或减小)。但实际情况是硅油在外界压力的作用下总是存在一定的体积变化，硅油的体积变化越�。莸嚼┥⒐杳舾行酒系难沽Φ谋浠叫。衾肽て男伪湓叫。侥す柩棺枋窖沽Υ衅鞯目煽啃栽礁�。热胀冷缩是物质的一种基本性质，物质在一般状态下，受热以后会膨胀，受冷以后会缩小。硅油也有这样的性质。硅油的体积越大，受温度影响后，硅油的体积变化越大，传递到扩散硅敏感芯片上的压力的变化越大，隔离膜片的形变越大，平膜硅压阻式压力传感器的失真越大。由此可知，平膜硅压阻式压力传感器的充油腔体体积越小越好，因此，油路设计就显得尤为重要。为此，设计了一种油路，它由油路①(附图1中2)、油路②(附图1中5)和油槽(附图1中6)组成。它的关键部件是销子(如附图3所示)。销子采用不锈钢材料制作，可以很好的和同样材质的平膜进压头焊接在一起。加工时，先加工圆柱体，然后采用线切割技术，在圆柱体表面加工出一条沿着圆柱体中心线的凹槽。将销子、平膜进压头、底座等部件(如附图1)连接在一起，就形成了一种优势明显的油路(如附图2中2、5、6形成的通路)。以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种平膜硅压阻式压力传感器，包括平膜进压头(3)、销子(4)、扩散硅敏感芯片(7) 和底座(8)，其特征在于还包括隔离膜片(1)，其中隔离膜片(I)与平膜进压头(3)之间设置第一油路(2)，所述销子(4)上设置一条沿着销子(4)圆柱体中心线的凹槽作为第二油路 (5)。
2.根据权利要求1所述的平膜硅压阻式压力传感器，其特征在于所述扩散硅敏感芯片 (7)与销子(4)之间还设置油槽(6)。
专利摘要本实用新型公布了一种平膜硅压阻式压力传感器，包括平膜进压头、销子、扩散硅敏感芯片和底座，还包括隔离膜片，其中隔离膜片与平膜进压头之间设置第一油路，所述销子上设置一条沿着销子圆柱体中心线的凹槽作为第二油路。本实用新型降低了加工难度，减小了硅油的填充量，从而减少了硅油的损耗，进而减少了成本、提高了可靠性、减小了受温度的影响程度，而且传感器量程可以做到很大。
文档编号G01L9/06GK202886053SQ20122056792
公开日2013年4月17日 申请日期2012年10月31日 优先权日2012年10月31日
发明者高峰 申请人:南京盛业达电子有限公司
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