专利名称：晶片检查用接口和晶片检查装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶片检查用接口和晶片检查装置，更详细来说，涉及能够省空间化并且减少成本的晶片检查用接口和晶片检查装置。
背景技术：
作为晶片检查装置，例如由按照晶片的原始状态对多个设备进行电特性检查的探针装置、和保持晶片的状态进行加速检查的预烧(burn in)检查装置等。探针装置，通常包括搬送晶片的装载室、进行晶片的电特性检查的检查室，由控制装置对装载室和检查室内的各种的机器进行控制，进行晶片的电特性检查。装载室包括以盒单位装载晶片的盒载置部、在盒与检查室之间搬送晶片的晶片搬送机构；在晶片搬送机构搬送晶片期间进行晶片的预备对位(预对准)的预对准机构。检查室具备从装载室载置晶片、在x、Y、z和θ方向移动的载置台、在载置台上方配置的探针卡、与载置台协动进行探针卡的多个探针与晶片的多个电位的对位(对准)的对准机构，载置台与对准机构协动， 进行晶片和探针卡的对准之后，进行晶片的电特性检查。此外，在预烧检查装置的情况下，例如，在专利文献1中公开的那样，在进行了保持在晶片托盘的晶片的多个电极和探针卡的多个凸起的对位后，通过真空吸附，将晶片托盘、晶片和探针等一体化，组装成一枚卡，搬送该卡，装在预烧单元内，在预烧单元内进行规定的高温下的晶片的加速检查。专利文献1日本特开平11-186349号公报
发明内容
但是，现有的探针装置的情况下具有例如如下的问题。例如作为探针装置的主要部分的检查室，一边使载置台向XY方向移动一边使用对准机构的照相机对晶片的多个电极和探针卡的多个探针进行对准，因此载置台移动的空间和对准机构的照相机移动的空间是必须的，仅检查室，立体上要占据很大的空间。还有，装载室也需要用于将晶片从盒搬送至检查室的空间。因此，对应于设备的生产能力，设置多个探针装置，则现有的探针装置不得不在平面设置多个排列，设置空间变大，成本变高。此外，预烧装置，除了预烧单元，为了将晶片和探针片等真空吸附来一体化，必须要独立的晶片搬送机构、和将卡一体化的设备寸。本发明是为了解决上述问题而产生的，目的在于提供晶片检查用接口和晶片检查装置，其从检查室移出对准机构，作为检查专用空间使用检查室，实现检查室的省空间化， 并且在多个检查室共用对准机构，进一步实现省空间化和低成本化。本发明为了将检查室作为检查专用空间使用，对包括探针卡的晶片检查用接口进行了各种研究，结果发现，通过对晶片检查用接口进行特定的处理，能够从检查室移出对准机构，多个检查室共用对准机构。本发明基于上述见解，本发明第一方面所述的晶片检查用接口，是用于进行晶片的电特性检查的测试器和晶片电连接用的晶片检查用接口，其特征在于，包括具有与所述晶片的多个电极电接触的多个探针的探针卡；将所述晶片吸附于所述探针卡的吸附机构； 与通过所述吸附机构吸附在所述探针卡的所述晶片的外周边部接触、与所述探针卡主体之间形成密闭空间的环状的晶片吸附用密封部件；和，将所述晶片吸附用密封部件固定于所述探针卡的卡保持具(card holder)的固定环，所述吸附机构包括排气单元；以一端部在所述密闭空间开口另一端部在所述固定环一侧开口的方式设置在所述探针卡主体的第一通气路径；以一端部与所述第一通气路径的另一端部的开口相对并开口，另一端部与所述排气单元连接而开口的方式设置在所述固定环的第二通气路径；和以连通所述第一通气路径的另一端部的开口与所述第二通气路径的一端部的开口的方式设置在所述晶片吸附密封部件的孔。此外，本发明的第二方面所述的晶片检查用接口，其特征在于，在本发明第一方面所述的发明中，包括具有与在所述探针卡的下表面形成的多个端子电极电连接的多个弹性连接件的圆板状的连接体。此外，本发明的第三方面所述的晶片检查用接口，其特征在于，在本发明第二方面所述的发明中，所述弹性连接件形成为弹簧探针(pogo pin)，所述连接体形成为弹簧探针环(pogo ring)。此外，本发明的第四方面所述的晶片检查用接口，其特征在于，在本发明第三方面所述的发明中，在所述弹簧探针环的内侧形成有分隔多个贯通孔的隔壁，在所述多个贯通孔安装有多个弹簧探针环构成的弹簧探针组块(pogo block)。此外，本发明的第五方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在使得晶片的多个电极与探针卡的多个探针接触进行晶片的电特性检查的晶片检查装置中，包括从收纳多个晶片的框体一片一片搬送晶片的设置在第一搬送区域的第一晶片搬送机构；在所述第一搬送区域的至少一个端部形成的对位区域内，通过所述晶片保持体由所述第一晶片搬送机构搬送的所述晶片与电特性检查的检查位置对位的对位机构；在所述第一搬送区域和沿着所述对位区域形成的第二搬送区域内，通过所述晶片保持体搬送所述晶片的第二晶片搬送机构；和沿着所述第二搬送区域形成的检查区域内排列、并且进行通过所述晶片保持体由所述第二晶片搬送机构搬送的所述晶片的电特性检查的多个检查室，所述检查室包括本发明第一方面所述的晶片检查用接口，和使得所述晶片上升的升降体，在所述检查室，由所述对位机构对位的晶片通过所述升降体升降，与所述晶片检查用接口的多个探针接触，进行电特性检查。此外，本发明的第六方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在本发明第五方面所述的发明中，所述对位机构和所述检查室，在各个内部，在设定在同一位置关系的位置，具备接受所述晶片保持体的定位部件。此外，本发明的第七方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在本发明第六方面所述的发明中，所述晶片保持体包括保持所述晶片的保持板和将保持板拆装自由地支承的所述支承体，在所述支承体的下表面设置有与各定位部件结合的多个定位部。此外，本发明的第八方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在本发明第七方面所述的发明中，所述对位机构包括从所述支承体提起所述保持板使其水平移动的移动体，与所述移动体协同动作、进行所述被保持板保持的所述晶片的对位的摄像单元。
此外，本发明的第九方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在本发明第五方面所述的发明中，所述升降体与所述定位部件一体形成。此外，本发明的第十方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在本发明第五方面所述的发明中，所述检查室，在所述检查区域的各排列位置，在上下方向层叠有多个。此外，本发明的第十一方面所述的晶片检查装置，其特征在于，在本发明第五方面 第十方面中任一方面所述的发明中，所述对位区域设置有收纳所述晶片保持体的缓冲室。根据本发明，提供晶片检查用接口和晶片检查装置，从检查室移出对准机构，检查室作为检查专用空间使用，检查室实现省空间化，并且多个检查室共用对准机构。
图1为表示本发明的晶片检查装置的一实施方式的平面图。图2(a)、(b)分别为表示图1所示的晶片检查装置的图，(a)为从正面一侧看的立体图，(b)为从背面一侧看的立体图。图3为表示图1所示的晶片检查装置的对位机构的主要部分的概念图。图4为表示图1所示的晶片检查装置的检查室的主要部分的概念图。图5为表示图4表示的检查室适用的本发明的晶片检查用接口的一实施方式的主要部分的截面图。图6为分解表示图5所示的晶片检查用接口的立体图。图7(a)、(b)分别为放大表示图5所示的弹簧探针环的一部分的图，(a)为表示其主要部分的立体图，(b)为表示弹簧探针环安装的弹簧探针组块的立体图。图8(a)、(b)分别为使用图3所示的对位机构的对位工序的工序图。图9(a)、(b)分别为使用图3所示的对位机构的对位工序的图8所示的工序后续的工序图。图10为表示使用图3所示的对位机构的对位工序中的晶片的立体图。图11(a)、(b)分别为表示图4所示的检查室内的检查工序的工序图。图12(a)、(b)分别为表示图4所示的检查室内的检查工序的图11所示的工序后续的工序图。图13(a)、(b)分别为表示图4所示的检查室内的检查工序的图12所示的工序后续的工序图。符号说明10晶片检查装置11载置机构12第一晶片搬送机构14对准机构14A移动体14B定位部件15晶片保持体15A保持板
15B支承体
15C定位部
16第二晶片搬送机构
17检查室
18升降体
19探针卡
19A探针
19B探针卡主体
19C第一通气路径
20吸附机构
21晶片吸附用密封部件
21A、21B 孔
22卡保持具
23固定环
23A第二通气路径
IF晶片检查用接口
W晶片
具体实施例方式以下，基于图1 图13所示的实施方式对本发明进行说明。本实施方式的晶片检查装置10，例如，如图1、图2(a)、(b)所示，分隔为以盒单位搬入搬出晶片的形成为细长的搬入搬出区域Sl ；沿着搬入搬出区域Sl搬送晶片而形成的第一搬送区域S2 ；在第一搬送区域S2的两端形成的对准区域S3 ；沿着第一搬送区域搬送晶片而形成的第二搬送区域S4;和沿着第二搬送区域形成的晶片的检查区域S5，如图 2(a)、(b)所示，收纳在壳内。这些区域Sl S5，形成为各个区域独立的空间。这些区域 Sl S5内设置各个专用的机器，这些专用的机器由控制装置进行控制。在搬入搬出区域Si，如图1、图2(a)、(b)所示，载置收纳多个晶片的FOUP等的框体F的载置机构11设置在四处，这些载置机构11将由自动搬送装置(未图示)等搬送的框体F载置、固定。与搬入搬出区域Sl邻接的第一搬送区域S2设置有搬送各载置机构11 分别载置的框体F内的晶片W的第一晶片搬送机构12，第一晶片搬送机构12在第一搬送区域S2内搬送晶片W。第一晶片搬送机构12包括对晶片W进行真空吸附，或者为了支承后述的晶片保持体而在水平方向旋转、并且在上下方向升降的臂12A ；和内设有使臂12A旋转、升降的驱动机构的构架12B;使得构架12B移动的移动机构(未图示)。通过移动机构， 在第一搬送区域S2内移动来搬送晶片W。如图1、图2(a)、(b)所示，在第一搬送区域S2的两端部形成的对准区域S3设置有晶片W的预对准室(未图示)；晶片W的对准室13;和缓冲室(未图示)，预对准室、对准室13和缓冲室相互上下配置。预对准室设置有进行晶片W的预对准的预对准机构，对准室13设置有进行晶片W的对准的对准机构14 (参照图3)。此外，缓冲室设置有收纳晶片W 的收纳机构。缓冲室是检查结束后的晶片W的暂时放置场所，此外，也作为针研磨用晶片的收纳场所起作用。如图3所示，对准机构14包括设置在地面(未图示)上且向上下方向和水平方向移动而构成的筒状的移动体14A ；包围移动体14A在地面上固定且将晶片保持体15在一定的方向定位的环状的定位部件14B ；与移动体14A协同动作，对晶片保持体15上的晶片 W进行对准的第一、第二照相机HCpHC2 ；固定第一、第二照相机HCpHC2的桥14D，第一、 第二照相机HCpHC2在各个的焦点位置(对准高度)，对晶片W的上表面摄像。第一照相机14C1;配置在对准室13内的XY坐标的中心(XY坐标的原点)，对晶片W的中心C (参照图 10)进行摄像，第二照相机14C2，配置在XY坐标的坐标轴上，对晶片W的周边部的目标记号 T(参照图10)进行摄像。第一、第二照相机HCpHC2，对各个晶片W的中心C的目标记号 T摄像，控制装置，基于这些位置信息，求出晶片W的中心C和目标记号T的连接线L (参照图7)，求出相对于线L的坐标轴的倾斜率，并且对从与预先记录的探针卡的多个探针对应的晶片W的电极的位置偏移进行修正。如图3所示，定位部件14Β形成为具有比移动体14Α的外径大的内径的圆环状的板部件，其上表面在圆周方向隔着规定间隔形成多个(例如3个)突起HB1。多个突起14Β1; 以第一照相机HC1为中心配置在圆周上，各个的XY坐标值预先设定在从XY坐标的原点隔着相等距离的位置。此外，对准室13，在其XY坐标中，设定后述的探针卡的多个探针的探针前端的XY坐标值。此外，晶片保持体15包括保持晶片W的保持板15Α ；拆装自由的支承保持板15Α 的环状的支承体15Β ；和具有在支承体15Β的下表面与定位部件14Β的多个突起HB1分别嵌合的凹部KC1的多个定位部15C，由定位部件14B对位并大致水平支承、且总是存在于一定的位置。此外，如图3所示，支承体15B通过移动体14A形成大径的贯通孔，移动体14A 能够穿过该贯通孔，在贯通孔内在水平方向移动。移动体14A位于定位部件14B支承的晶片保持体15的中央部正下方。移动体14A， 从晶片保持体15的正下方在垂直方向上升，与保持板15A接触，穿过支承体15B的贯通孔， 将保持板15A从支承体15B提起至对准高度。此外，移动体14A，在对准高度，在支承体14B 的贯通孔的范围内向XY θ方向移动，与第一、第二照相机HCpHC2协动，进行晶片W的对准。然后，移动体14Α，在对准后回到原来位置的期间，将保持对准后的晶片W的保持板14Β 返回支承体15Β上。对准后的晶片W，如后所述，与晶片保持体15 —起，被搬送到检查区域 S5。如图1、图2(a)、(b)所示，邻接在第一搬送区域S2和对准区域S3的第二搬送区域S4设置有第二晶片搬送机构16，第二晶片搬送机构16在第二搬送区域S4内移动，将晶片W在对准区域S3和检查区域S5之间通过晶片保持体15进行搬送。该第二晶片搬送机构16，与第一晶片搬送机构13同样，具备臂16A、构架16B和移动机构(未图示)。如图1所示，在与第二搬送区域S4邻接的检查区域S5，沿着该区域S5隔着规定间隔排列多个(本实施方式为5个)检查室17，这些检查室17，对通过第二晶片搬送机构16 经由晶片保持体15搬送的完成对准的晶片W进行电特性检查。此外，检查室17，如图2(a)、 (b)所示，形成为在检查区域S5的各排列位置，在上下方向层叠多个的层叠结构。各层的检查室17任一个均具有相同结构。以下，举出一个检查室17为例，例如参照图4进行说明。如图4所示，检查室17包括将测试器与晶片W电连接用的晶片检查用接口(以下，简称为“检查用接口”)IF;和使得晶片W升降、晶片W相对于接口离开、连接的升降体 18，如后所述，检查时，通过升降体18，晶片W和接口 IF电连接。如图4所示，接口 IF包括固定于顶板、并且具有对应于晶片W的多个电极的多个探针19A的探针卡19 ；将晶片W吸附在探针卡19侧的吸附机构20 ；与通过吸附机构20吸附在探针卡19的晶片W的外周边部接触、与探针卡主体19B之间形成密闭空间的环状的晶片吸附用密封部件21 ；相对于保持探针卡19的卡保持具22 (参照图5、图6)固定晶片吸附用密封部件21的固定环23 ；和与在探针卡19的上表面形成的多个端子电极连接的圆板状的弹簧探针环对。在此，参照图5 图7，详细说明本实施方式的接口 IF的结构。探针卡主体19B，如图5、图6所示，外周边部由形成为环状的卡保持具22保持。卡保持具22的外周边部形成为比其内侧厚的厚壁部，厚壁部的内径形成为比探针卡主体19B 的外径大。卡保持具22的薄壁部的内径形成为比探针卡主体19B的外径�。饩缎纬晌鹊商秸牖稭的外径小。探针卡主体19B的壁厚和卡保持具22的薄壁部的壁厚的相加尺寸与卡保持具22的厚壁部的壁厚实质上形成为同一尺寸。晶片吸附用密封部件21，如图5、图6所示，外径形成为与卡保持具22的外径实质上相同的直径，内径形成为比探针卡主体19B的外径小、包围多个探针19A的大小。晶片吸附用密封部件21的内径与多个探针19A之间形成有缝隙。固定环23，如图5、图6所示，外径形成为与晶片吸附用密封部件21的外径实质上同一的直径，内径形成为比探针卡主体19B的外径小、比晶片吸附用密封部件21的内径大。 固定环23的内周边部上重叠有晶片吸附用密封部件21和探针卡主体19B的外周边部。弹簧探针环24，如图5、图6所示，外径形成为比卡保持具22的外径大、比卡保持具22的内径小的直径，具有厚壁部。卡保持具22的内周边和弹簧探针环M的厚壁部之间安装有密封部件20A，使得探针卡19和弹簧探针环M的轴心不发生位置偏移。此外，弹簧探针环M，如图7(a)的网点所示，横跨整个厚壁部配置有多个弹簧探针24A。该厚壁部如同图(a)所示，由隔壁形成俯视看分隔为矩形状的多个贯通孔。这些贯通孔如同图(b)所示分别安装有弹簧探针组块MB。弹簧探针组块22B，与多个弹簧探针24A由矩形状的框架束在一起而一体化。此外，如图7(a)所示的贯通孔，比同图(b)所示的弹簧探针组块MB接着，对将晶片W吸附在探针卡19 一侧的吸附机构20进行说明。如图5、图6所示，吸附机构20包括排气单元(例如，真空泵)(未图示)；设置在探针卡主体19B的外周边部的第一通气路径19C ；设置在固定环23的第二通气路径23A ；和以连通第一通气路径 19C和第二通气路径23A的方式设置在晶片吸附用密封部件21的孔21A。第一通气路径19C，如图5、图6所示，在探针卡主体19B的下表面形成为径方向的槽，该槽被晶片吸附用密封部件21的内周边部覆盖，形成通气路径。第一通气路径19C的一个端部(右端部)从晶片吸附用密封部件21的内周一端露出，在探针卡主体19B的下方开口，另一端(左端部)位于固定环23的内周边部附近。第二通气路径21A，如图5、图6所示，在固定环23的上表面形成为径方向的槽，该槽由晶片吸附用密封部件21覆盖，形成通气路径。第二通气路径21A的一个端部(右端部)位于探针卡主体19B的外周面稍向中心侧偏移的位置，另一端(左端部)位于卡保持具22的厚壁部。第二通气路径21A形成为与向第一通气路径19C的左方的延长线重叠，第一通气路径19C的左端部和第二通气路径21A的右端部相互重叠。在第一、第二通路19C、 21A的重叠的部分形成有晶片吸附用密封部件21的孔21A，第一、第二通气路径19C、21A通过孔21A连通。此外，在晶片吸附用密封部件21、卡保持具22和弹簧探针环M相互重叠的部分分别形成有贯通孔21B、22A和MC，在这些贯通孔安装有与真空泵的连接部件20B。因此，通过真空泵的排气通路，由探针卡主体19B的第一通气路径19C、晶片吸附用密封部件21的孔21A、21B、固定环23的第二通气路径23A形成，由真空泵，如图5、图6 的箭头所示，从由晶片W、探针卡19和晶片吸附用密封部件21形成的密闭空间排气，晶片W 真空吸附在晶片吸附用密封部件21。如上所述，为了使晶片W吸附在晶片吸附用密封部件21，如图4所示，使用在接口 IF的正下方配置的升降体18。如图4所示，在升降体18的下端形成有凸缘部(flange) 18A， 在这些凸缘部18A的上表面在周方向隔着规定的间隔形成有与晶片保持体15的定位部15C 的凹部15Q嵌合的多个突起18B。这些突起18B配置在与对准室13内的定位部件14B所形成的多个突起HB1对应的同一 XY坐标的位置。即，检查室17内的XY坐标和对准室13 的XY坐标为镜像关系，在对准室13，对准的保持板15A上的晶片W的多个电极与正上方存在的探针卡19的多个探针19A确实接触。此外，升降体18的凸缘部18A和多个突起18B 的对准室13内的定位部件14B对应。升降体18，将在凸缘部18A的多个突起18B支承的晶片保持体15按原样向着探针卡19正上方提起，使得晶片W的外周边部与晶片吸附用密封部件21接触，形成密闭空间。 真空泵，能够对密闭空间进行真空吸附，将晶片W真空吸附在晶片吸附用密封部件21。此外，升降体18进行以下驱动，S卩将真空吸附后的晶片W留在探针卡19 一侧并下降，将晶片保持体15从晶片W分离后，再次上升，使得晶片W与多个探针压接。检查后，完成检查的晶片W，沿着相反的路径，从检查室17通过晶片保持体15被搬出。如此，因为本实施方式的检查室17的空间，设置了接口 IF，只要具有搬入搬出晶片保持体15的最小限度的空间和为了与由晶片保持体15保持的晶片W探针卡19接触的升降体18进行升降的最小限度的空间，就能够充分确保检查晶片W用的空间。因此，检查室17，与现有的比较，充分降低了高度，采用上述的层叠结构能够大幅减少检查室的设置空间。并且，升降体18不需要在XY方向移动，能够大幅减少检查室17的占有面积。此外，对准机构14，为各检查室17共有，因此，没有必要像现有的那样，在每个检查室17都设置价格高的对准机构14，能够实现成本的大幅度减少。此外，如图1、图2的(a)、(b)所示，在各检查室17分别设有冷却罐25，通过各个冷却装置(未图示)，对检查中发热的晶片W进行冷却，总是维持在一定温度。接着，参照图8 图13，对动作进行说明。首先，通过自动搬送装置，在搬入搬出区域Sl的各载置机构11载置FOUP等的框体F。第一搬送机构S2，驱动第一晶片搬送机构12，通过臂12A从框体F—片一片搬出晶片 W，向对准区域S3的预对准室内的预对准机构搬送晶片W，在此，进行晶片W的预对准。其后，第一晶片搬送机构12，通过臂12A，从预对准室搬出晶片W，通过臂12A，将晶片W与晶片保持体15 —起搬送到对准室13。其后，第一晶片搬送机构12，如图8(a)所示，通过晶片保持体15，将晶片W搬入对
10准室13内，如同图(b)所示，将晶片保持体15传递到定位部15C。此时，晶片保持体15，定位部15C的凹部KC1与定位部件14B的突起HB1嵌合，在对准室13中，自动进行晶片保持体15的定位。定位后，如同图(b)的箭头所示，移动体14A上升。移动体14A上升，与保持板15A接触，如图9 (a)所示，上升到对准高度停止。在该位置，第一、第二照相机HCpHC2在控制装置的控制下动作。S卩，如图10所示，第一照相机 HC1对晶片摄像，确认晶片W的中心C。第一照相机HC1不能确认晶片W的中心C时，在晶片保持体15的支承体15B的贯通孔的范围内向XY方向移动期间，第一照相机HC1寻找晶片W的中心C，第一照相机HC1确认中心C。接着，第二照相机14C2对晶片W的周边部的目标T摄像，从中心C与目标T的连接线L和坐标轴确认晶片W的θ方向的倾斜率。第二照相机HC2确认了晶片W的倾斜率，移动体14Α在θ方向旋转，修正晶片W的倾斜率。接着，第一照相机HC1再次确认晶片W的中心，通过确认晶片W的中心C的一连串动作，结束晶片W的对准。对准后，移动体14Α下降到原先的位置，途中，保持板15Α载置在支承体15Β上。其后，在第二搬送区域S4,第二晶片搬送机构16驱动，如图9 (b)箭头所示，晶片W与晶片保持体15 —起，从对准室13搬送到检查区域S5的规定的检查室17。第二晶片搬送机构16，如图11(a)所示，搬送到检查区域S5内规定的检查室17 内，如同图(b)所示，将晶片保持体15传递给升降体18。此时，晶片保持体15的定位部15C 的多个凹部15(^和升降体18的多个突起18B嵌合，在检查室17内，晶片保持体15自动定位，维持在对准室13的对准状态。升降体18，如同图(b)的箭头表示，从对准位置以支承晶片保持体15的状态铅直上升直至与密封部件21弹性连接。升降体18上升，如图12(a)所示，晶片W的周边部与晶片吸附用密封部件21接触， 晶片W、晶片吸附用密封部件21和探针卡19形成密闭空间。在此，吸附机构20的真空泵动作，从由第一通气路径19C、晶片吸附用密封部件21的孔21A、21B、固定环23的第二通气路径23A形成的排气通路，将密闭空间内的空气如同图(a)的箭头所示排气，将晶片W真空吸附在晶片吸附用密封部件21。晶片W真空吸附在晶片吸附用密封部件21后，升降体18如同图(a)的镂空箭头所示，以支承晶片保持体15的状态下降到原来的位置。期间，第二晶片搬送机构16将晶片保持体15从升降体18分离，如同图(b)的镂空箭头所示，从检查室 17出来。晶片保持体15从检查室17搬出后，如图13(a)的镂空箭头所示，升降体18再次在铅直方向上升，如同图(b)所示，升降体18按压真空吸附在探针卡19的晶片W，使得晶片 W的多个电极与探针卡19的多个探针19A —起电接触。在晶片W与探针卡19电接触的状态，实施晶片W的电特性检查。检查结束后，升降体18下降，回到原来的位置。期间，第二晶片搬送机构16将晶片保持体15搬入检查室17内，将晶片保持体15传递给升降体18，之后，第二晶片搬送机构 16从检查室17暂时退出。另一方面，升降体18伴随晶片保持部15上升，保持板15A与完成检查的晶片W接触。此时，停止通过真空泵进行的真空吸附，密闭空间恢复到常压，之后， 升降体18返回原来的位置，第二晶片搬送机构16从升降体18接受晶片保持体15，从检查室17退出，将晶片保持体15返回缓冲室。接着，第一晶片搬送机构12驱动，使晶片W从晶片保持体15返回载置机构11的框体F内。通过这一连串的动作，结束晶片W的检查。对
11于其他的晶片W，也从框体F分别搬送到检查区域S5的多个检查室17，进行同样的检查。根据以上说明的本实施方式，在检查室17内设置接口 IF，因此从检查室17分离出对准机构14，检查室17作为检查专用的空间使用，能够实现检查室17的省空间化，并且多个检查室17共用对准机构14。此外，根据本实施方式，搬入搬出区域Sl载置框体F，使用在第一、第二搬送区域 S2、S4分别设置的第一、第二晶片搬送机构12、16，在对准区域S3的对准机构14被对准的晶片W由晶片保持体15搬送到设置在检查区域S5的检查室17，在检查室17，在晶片保持体15保持的晶片W，使得不经过对准的接口 IF的多个探针19A和晶片W的多个电极电接触，进行晶片W的电特性检查，因此，能够极大减少晶片检查装置10的设置空间，并且能够极大减少设置成本。此外，根据本实施方式，在检查室17，只需要使得晶片W升降就能够进行电特性检查，因此，能够在检查区域S5中多个位置具备多层结构的检查室17，因此能够极大提高检查效率。本发明不限于上述实施方式，根据需要能够对各构成要素进行设计变更。此外，本发明的晶片检查装置，其结构上也能够适用于预烧检查装置。
权利要求
1.一种晶片检查用接口，其用于将进行晶片的电特性检查的测试器与晶片电连接，该晶片检查用接口的特征在于，包括具有与所述晶片的多个电极电接触的多个探针的探针卡； 使所述晶片吸附于所述探针卡的吸附机构；与通过所述吸附机构吸附于所述探针卡的所述晶片的外周边部接触的、与所述探针卡主体之间形成密闭空间的环状的晶片吸附用密封部件；和将所述晶片吸附用密封部件固定于所述探针卡的卡保持具的固定环，其中， 所述吸附机构包括 排气单元；第一通气路径，其以一端部在所述密闭空间开口另一端部在所述固定环一侧开口的方式设置于所述探针卡主体；第二通气路径，其以一端部与所述第一通气路径的另一端部的开口相对并开口，另一端部用于与所述排气单元连接而开口的方式设置于所述固定环；和孔，其以连通所述第一通气路径的另一端部的开口与所述第二通气路径的一端部的开口的方式设置于所述晶片吸附密封部件。
2.如权利要求1所述的晶片检查用接口，其特征在于，包括具有与在所述探针卡的下表面形成的多个端子电极电连接的多个弹性连接件的圆板状的连接体。
3.如权利要求2所述的晶片检查用接口，其特征在于所述弹性连接件作为弹簧探针形成，所述连接体作为弹簧探针环形成。
4.如权利要求3所述的晶片检查用接口，其特征在于在所述弹簧探针环的内侧形成分隔为多个贯通孔的隔壁，在所述多个贯通孔安装有由多个弹簧探针环形成的弹簧探针组块。
5.一种晶片检查装置，其特征在于在使晶片的多个电极与探针卡的多个探针接触进行晶片的电特性检查的晶片检查装置中，包括第一晶片搬送机构，其设置在第一搬送区域，从收纳有多个晶片的框体一片一片地搬送晶片；对位机构，其在所述第一搬送区域的至少一个端部形成的对位区域内，使经由所述晶片保持体被所述第一晶片搬送机构搬送的所述晶片与电特性检查的检查位置对位；第二晶片搬送机构，其在沿着所述第一搬送区域和所述对位区域形成的第二搬送区域内，经由所述晶片保持体搬送所述晶片；和多个检查室，其沿着所述第二搬送区域形成的检查区域内排列、并且进行经由所述晶片保持体被所述第二晶片搬送机构搬送的所述晶片的电特性检查，其中， 所述检查室包括如权利要求1所述的晶片检查用接口 ；和使得所述晶片上升的升降体，在所述检查室，利用所述对位机构已进行对位的晶片通过所述升降体升降，与所述晶片检查用接口的多个探针接触，进行电特性检查。
6.如权利要求5所述晶片检查装置，其特征在于所述对位机构和所述检查室，分别在内部，在被设定为同一位置关系的位置上，具备接受所述晶片保持体的定位部件。
7.如权利要求6所述的晶片检查装置，其特征在于所述晶片保持体包括保持所述晶片的保持板和将所述保持板拆装自由地支承的支承体，在所述支承体的下表面设置有与所述各定位部件结合的多个定位部。
8.如权利要求7所述的晶片检查装置，其特征在于所述对位机构包括将所述保持板从所述支承体提起并使其水平移动的移动体；和与所述移动体协同动作来进行由所述保持板保持的所述晶片的对位的摄像单元。
9.如权利要求6 8中任一项所述的晶片检查装置，其特征在于 所述升降体与所述定位部件一体形成。
10.如权利要求5中任一项所述的晶片检查装置，其特征在于所述检查室，在所述检查区域的各排列位置，在上下方向上层叠有多个。
11.如权利要求5中任一项所述的晶片检查装置，其特征在于 在所述对位区域设置有收纳所述晶片保持体的缓冲室。
全文摘要
提供一种晶片W检查用接口，能够实现检查室的省空间化，并且多个检查室共用对准机构。本发明的晶片W检查用接口IF，具备探针卡(19)；将晶片W吸附在探针卡(19)上的吸附机构(20)；吸附探针卡(19)的晶片吸附用密封部件(21)；相对于卡保持具(22)固定晶片吸附用密封部件(21)的固定环(23)，吸附机构(20)，具备排气单元；右端部在密闭空间开口左端部在固定环侧开口的第一通气路径(19C)；右端部与第一通气路径(19C)的左端部开口相对开口右端部与排气单元连接而开口的第二通气路径(23A)；连通第一通气路径(19C)和第二通气路径(23A)的孔(21A)。
文档编号G01R31/26GK102401874SQ20111027330
公开日2012年4月4日 申请日期2011年9月15日 优先权日2010年9月15日
发明者山田浩史 申请人:东京毅力科创株式会社
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
