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专利名称：消光比检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种消光比检测装置，具体是针对晶体进行检测的一种消光比检测
装直。
背景技术：
激光晶体在整个激光领域中有着重要的作用，在我们使用激光晶体前，需要了解和掌握晶体的各种性质，包括其物理特性和激光特性等，才能判断某种晶体是否满足我们的使用需求。同时，激光晶体的质量，直接影响使用者实验的准确性和研究价值。其中，晶体的消光比对于出射激光的光束质量有着直接的影响。此外，晶体的消光比还在一些重要应用中，有着很重要的地位，例如电光调Q实验中，如果晶体的效果比低，将直接影响调Q激光束的质量。因此对于激光晶体的质量检测非常重要。从事激光的生产、加工及其使用的科研和企业单位均需要激光晶体质量检测的仪器。因此本实用新型特针对现有的检测仪器做出相应的改进，可使得检测的精度更闻。

实用新型内容实用新型的目的在于提供消光比检测装置，其结构简单，能增加测量消光比的精度。本实用新型的实现方案如下消光比检测装置，包括设置在操作平台上的底座导轨、以及与底座导轨进行滑动连接的光源装置、晶体光学装置、光源接收装置，所述光源接收装置连接有检测装置，所述光源装置、晶体光学装置、光源接收装置依次依照底座导轨的轴线方向排列设置。晶体光学装置主要由沿底座导轨轴线方向依次设置在底座导轨上的扩束镜、起偏器、可调光栅、晶体放置台、检偏器构成，所述扩束镜位于起偏器与光源装置之间；所述检偏器位于晶体放置台与光源接收装置之间。所述晶体放置台远离底座导轨的一面开有轴线互相垂直的凹槽A和凹槽B，其中所述凹槽A的轴线与底座导轨的轴线平行。所述光源接收装置为带有PIN管和信号放大电路的光电转换装置；所述信号放大电路与检测装置连接。所述光源装置为LD半导体激光器。所述检测装置为计算机。消光比是衡量激光晶体性能优劣的重要指标，它的定义如下将晶体放置在两平行偏光镜间和两正交偏光镜间，使用光源从晶体的一端射入，在出射端检测其光功率，分别得到两个值P平行和P垂直，消光比即是P平行和P垂直之比的对数再乘以10，单位是为了分别研究和计算，以dB为单位。一般的测量消光比的方法都是按照其定义来测量透光强，再加以计算，可以得到消光比。 对于研究消光比的测量系统，有助于人们使用最简单的方法找出性能最好的晶体，有利于激光技术的发展和应用。近年来，随着对消光比的不断研究和发展，检测晶体的消光比的方法主要有双光路法和波片法。本实用新型在上述结构描述的基础上将介绍一种正交偏光法。基于上述结构的描述，正交偏光法即采用上述设计的起偏器和检偏器分别设置平行和垂直方向的入射光，来检测透光信号的大小。光源装置发生出光源，通过扩束镜的作用，将出光的准直性好的光束射出，然后让光束通过起偏器，进行偏振以获得偏振光；再使得偏振光光束进入可调光栅，使得让偏振光光束进行干涉和衍射；方便后期的测量的精度，相对于将偏振光光束放大；再让偏振光光进入晶体，从晶体射出，最后通过检偏器的作用，检测从晶体射出的光束还是否为偏振光。最后通过设置在检偏器后的光电转换装置进行信号转换。对于光源装置，由于本系统的损耗较大，而且我们还需要测量起偏器与检偏器垂直情况下的透光功率，因此我们需要一个功率较大的光源，为此我们选用LD半导体激光器作为光源装置。其发射功率较高，可达到几百毫瓦，完全可以满足使用需求。为了将光电转换装置转换后的信号进行放大，本实用新型特增加了信号放大电路。通过信号放大电路，我们可以将光电转换装置输出的信号放大需要的倍数，最后送到由计算机中进行计算出来，最后得到消光比。同时晶体放置台设置的凹槽A分别光束的射入和射出。其凹槽B方便转动晶体。本实用新型的优点在于结构简单，能有效地提高消光比的检测精度。

图I是本实用新型整体结构的结构示意图。图2为本实用新型中晶体放置台的俯视示意图。附图中标记及相应的零部件名称1、光源装置；2、扩束镜；3、起偏器；4、可调光栅；5、晶体放置台；6、检偏器；7、光电转换装置；8、检测装置；9、底座导轨；51、凹槽A ;52、凹槽B。
具体实施方式
实施例一如图1、2所示。消光比是衡量激光晶体性能优劣的重要指标，它的定义如下将晶体放置在两平行偏光镜间和两正交偏光镜间，使用光源从晶体的一端射入，在出射端检测其光功率，分别得到两个值P平行和P垂直，消光比即是P平行和P垂直之比的对数再乘以10，单位是为了分别研究和计算，以dB为单位。一般的测量消光比的方法都是按照其定义来测量透光强，再加以计算，可以得到消光比。对于研究消光比的测量系统，有助于人们使用最简单的方法找出性能最好的晶体，有利于激光技术的发展和应用。近年来，随着对消光比的不断研究和发展，检测晶体的消光比的方法主要有双光路法和波片法。[0027]本实用新型在上述结构描述的基础上将介绍一种正交偏光法。正交偏光法即采用上述设计的起偏器和检偏器分别设置平行和垂直方向的入射光，来检测透光信号的大小。光源装置发生出光源，通过扩束镜的作用，将出光的准直性好的光束射出，然后让光束通过起偏器，进行偏振以获得偏振光；再使得偏振光光束进入可调光栅，使得让偏振光光束进行干涉和衍射；方便后期的测量的精度，相对于将偏振光光束放大；再让偏振光光进入晶体，从晶体射出，最后通过检偏器的作用，检测从晶体射出的光束还是否为偏振光。最后通过设置在检偏器后的光电转换装置7进行信号转换。对于光源装置，由于本系统的损耗较大，而且我们还需要测量起偏器与检偏器垂直情况下的透光功率，因此我们需要一个功率较大的光源，为此我们选用LD半导体激光器作为光源装置。其发射功率较高，可达到几百毫瓦，完全可以满足使用需求。为了将光电转换装置7转换后的信号进行放大，本实用新型特增加了信号放大电路。通过信号放大电路，我们可以将光电转换装置7输出的信号放大需要的倍数，最后送到由计算机中进行计算出来，最后得到消光比。同时晶体放置台设置的凹槽A分别光束的射入和射出。其凹槽B方便转动晶体。 如图I所示，消光比检测装置，包括设置在操作平台上的底座导轨9、以及与底座导轨9进行滑动连接的光源装置I、晶体光学装置、光源接收装置，光源接收装置连接有检测装置8，光源装置I、晶体光学装置、光源接收装置依次依照底座导轨9的轴线方向排列设置。晶体光学装置主要由沿底座导轨9轴线方向依次设置在底座导轨9上的扩束镜2、起偏器3、可调光栅4、晶体放置台5、检偏器6构成，扩束镜2位于起偏器3与光源装置I之间；检偏器6位于晶体放置台5与光源接收装置之间。如图2所示，为了分别光束的射入和射出，以及方便旋转晶体，晶体放置台5远离底座导轨9的一面开有轴线互相垂直的凹槽A51和凹槽B52，其中凹槽A51的轴线与底座导轨9的轴线平行；其中晶体放置在凹槽B 52内。光源接收装置为带有PIN管和信号放大电路的光电转换装置7 ;信号放大电路与检测装置8连接。光源装置I为LD半导体激光器。检测装置8为计算机。如上，则能很好的实现本实用新型。
权利要求1.消光比检测装置，其特征在于包括设置在操作平台上的底座导轨(9)、以及与底座导轨(9)进行滑动连接的光源装置(I)、晶体光学装置、光源接收装置，所述光源接收装置连接有检测装置(8)，所述光源装置(I )、晶体光学装置、光源接收装置沿底座导轨(9)轴线方向依次设置在底座导轨(9 )上。
2.根据权利要求I所述的消光比检测装置，其特征在于晶体光学装置主要由沿底座导轨(9)轴线方向依次设置在底座导轨(9)上的扩束镜(2)、起偏器(3)、可调光栅(4)、晶体放置台(5)、检偏器(6)构成，所述扩束镜(2)位于起偏器(3)与光源装置(I)之间；所述检偏器(6)位于晶体放置台(5)与光源接收装置之间。
3.根据权利要求2所述的消光比检测装置，其特征在于所述晶体放置台(5)远离底座导轨(9)的一面开有轴线互相垂直的凹槽A (51)和凹槽B (52)，其中所述凹槽A (51)的轴线与底座导轨(9)的轴线平行。
4.根据权利要求I所述的消光比检测装置，其特征在于所述光源接收装置为带有PIN管和信号放大电路的光电转换装置(7 );所述信号放大电路与检测装置(8 )连接。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的消光比检测装置，其特征在于所述光源装置(I)为LD半导体激光器。
6.根据权利要求1-4中任意一项所述的消光比检测装置，其特征在于所述检测装置(8)为计算机。
专利摘要本实用新型公开了消光比检测装置，包括设置在操作平台上的底座导轨、以及与底座导轨进行滑动连接的光源装置、晶体光学装置、光源接收装置，所述光源接收装置连接有检测装置，所述光源装置、晶体光学装置、光源接收装置依次依照底座导轨的轴线方向排列设置。本实用新型的优点在于结构简单，能有效地提高消光比的检测精度。
文档编号G01N21/21GK202533361SQ20122021413
公开日2012年11月14日 申请日期2012年5月14日 优先权日2012年5月14日
发明者王传好 申请人:成都晶九科技有限公司