专利名称：测量被测量物的特性的方法、及平板状的周期性结构体的制作方法
技术领域：
本发明涉及为了分析物质的特性而在平板状的周期性结构体上保持被测量物、对保持有该被测量物的平板状的周期性结构体照射电磁波并检测散射后的电磁波来测量被测量物的特性的方法、以及用于该方法的平板状的周期性结构体。
背景技术：
以往，为了分析物质的特性，使用了在空隙配置结构体(由具有空隙的多个单位结构体构成的平板状的周期性结构体)上保持被测量物，对保持有该被测量物的空隙配置结构体照射电磁波，解析其透过频谱来检测被测量物的特性的测量方法。具体而言，例如，可列举对附着于金属网格过滤器的蛋白质等的被测量物照射太赫兹波来解析透过频谱的手法。作为利用了这样的电磁波的透过频谱的解析手法的现有技术，在专利文献I (日本特开2008 - 185552号公报)中，公开了如下测量方法:朝着保持有被测量物的具有空隙区域的空隙配置结构体(具体而言，网格状的导体板)，从相对于与空隙配置结构体的主面垂直的方向而倾斜的方向来照射电磁波，对透过了空隙配置结构体的电磁波进行测量，并基于测量值的频率特性上产生的波谷(dip)波形的位置因被测量物的存在而发生移动的现象，来检测被测量物的特性。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008 - 185552号公报发明的概要发明要解决的课题像现有技术那样，在朝着空隙配置结构体(平板状的周期性结构体)所照射的电磁波相对于空隙配置结构体的主面而倾斜地入射的测量方法中，频率特性上产生的波谷波形等是宽的波形，因此在被测量物的存在量为微量的情况下，存在波谷波形等的位置的移动的检测变难的问题。另外，在这样的现有的方法中，电磁波的入射角度的偏差成为波谷波形等的偏差的主要原因，因此在被测量物的存在量为微量的情况下，存在检测变难的问题。
发明内容
本发明鉴于上述事实而提出，提供具有提高了的测量灵敏度和高的再现性的、测量被测量物的特性的方法、以及用于该方法的平板状的周期性结构体。用于解决课题的手段本发明是一种测量方法，在平板状的周期性结构体上保持被测量物，对所述周期性结构体照射线性偏振的电磁波，对通过所述周期性结构体而前方散射或后方散射的电磁波进行检测，
基于所述前方散射的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或所述后方散射后的电磁波的频率特性上产生的波峰波形因所述被测量物的存在而发生变化的情况，来测量被测量物的特性，所述测量方法的特征在于，所述周期性结构体是将同一形状的单位结构体在I个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而形成的结构体，所述单位结构体具有在与所述基准面垂直的方向上贯通的至少I个空隙部，所述电磁波从相对于所述基准面垂直的方向进行照射，所述单位结构体的形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。优选地，所述单位结构体在所述电磁波的偏振面的截面形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。优选地，所述前方散射的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或所述后方散射的电磁波的频率特性上产生的波峰波形是通过所述周期性结构体的TElll模式/类TElll模式谐振而产生的。优选地，在所述单位结构体的与保持所述被测量物的一侧为相反侧的主面上具有关起部。另外，所述单位结构体的空隙部在所述基准面的截面形状可以是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。在此情况下，照射至所述周期性结构体的所述电磁波优选是平面波。另外，优选地，关于所述电磁波，所述周期性结构体的主面内的所述电磁波的相位至少在照射所述电磁波的范围内实质上相等。另外，优选地，关于所述电磁波，所述周期性结构体的主面内的所述电磁波的振幅至少在照射所述电磁波的范围内实质上相等。另外，本发明涉及一种平板状的周期性结构体，用于上述的测量方法，其特征在于，是将同一形状的单位结构体在I个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而形成的结构体，所述单位结构体具有在与所述基准面垂直的方向上贯通的至少I个空隙部，所述电磁波从相对于所述基准面垂直的方向进行照射，所述单位结构体的形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。发明效果在本发明中，通过从相对于上述平板状的周期性结构体的基准面为垂直的方向来照射电磁波，较之于相对于基准面而倾斜地入射电磁波的情况，可抑制因电磁波的入射角度的偏差所带来的测量的偏差，从而被测量物的测量灵敏度得以提高。另外，在将用于本发明的平板状的周期性结构体的空隙部的结构设为了:前方散射的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或后方散射的电磁波的频率特性上产生的波峰波形通过平板状的周期性结构体的TElll模式/类TElll模式谐振而产生这样的结构的情况下，较之于现有的从与平板状的周期性结构体倾斜的方向来照射了电磁波的情况，将得到带宽窄的尖锐的波谷波形或波峰波形。另外，较之于通过平板状的周期性结构体的TEllO模式/类TEllO模式谐振而产生波谷波形或波峰波形的情况，在周期性结构体上保持被测量物的前后的、波谷波形或波峰波形的频率偏移量变大。因此，能提供具有更高的测量灵敏度的被测量物的测量方法。另外，在单位结构体的空隙部在基准面的截面形状是相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状的情况下，通过使用平面波来作为照射至周期性结构体的电磁波，从而透过率频谱的波谷波形(或反射率频谱的波峰波形)变得尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。
图1是用于说明本发明的测量方法的概要的示意图。图2是本发明的平板状的周期性结构体的一例的立体图。图3是图2所示的本发明的平板状的周期性结构体的一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图4是用于说明电磁场模拟的条件的示意图。(a)是纵截面图，(b)是主视图。图5是表示图2所示的本发明的周期性结构体I的透过率的频率特性(模拟计算)的曲线图。图6是表示图2所示的本发明的周期性结构体I的反射率的频率特性(模拟计算)的曲线图。图7是表示图2所示的本发明的周期性结构体I的透过率的频率特性的曲线图。图8是表示图2所示的本发明的周期性结构体I的聚乙烯膜紧贴前后的透过率的频率特性的曲线图。将与图7相同的聚乙烯膜紧贴前的频率特性以虚线表示，将聚乙烯膜紧贴后的频率特性以实线表示。图9是表示图2所示的本发明的周期性结构体I (由图3所示的单位结构体构成的)中的TElll模式谐振下的电场矢量的分布的示意图。(a)是XZ观测面，(b)是XY观测面，(C)是YZ观测面的图。图10是表示图2所示的本发明的周期性结构体I (由图3所示的单位结构体构成)中的TEllO模式谐振下的电场矢量的分布的示意图。(a)是XZ观测面，(b)是XY观测面，(c)是YZ观测面的图。图11是用于说明(现有的)平板状的周期性结构体的示意图。图12是表示现有的测量方法中的聚乙烯膜紧贴前后的透过率的频率特性的曲线图。图13是本发明的平板状的周期性结构体的一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图14是表示由图13所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性的曲线图。图15是本发明的平板状的周期性结构体的另一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图16是表示由图15所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性的曲线图。图17是用于说明本发明中的透过率的频率特性的特征的示意图。图18是表示针对由图3 (小型突起)或图13 (大型突起)所示的单位结构体构成的周期性结构体，使突起部的厚度变化时的波谷频率处的透过率变化的曲线图。图19是现有的平板状的周期性结构体中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，
(b)是纵截面图。图20是本发明的平板状的周期性结构体的另一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图21是表示由图19所示的现有的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(虚线)、以及由图20所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实线)的曲线图。图22是本发明的平板状的周期性结构体的另一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图23是表示由图19所示的现有的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(虚线)、以及由图22所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实线)的曲线图。图24是现有的平板状的周期性结构体的另一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图25是本发明的平板状的周期性结构体的另一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。图26是表示由图25所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(虚线)、以及由图26所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实线)的曲线图。图27是表示由图13所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实测结果)的曲线图。图28是构成实施例5中使用的平板状的周期性结构体的单位结构体的立体图。图29是表示由图28所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实测结果)的曲线图。图30是构成实施例6中使用的平板状的周期性结构体的单位结构体的立体图。图31是表示由图30所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实测结果)的曲线图。图32是图28所示的单位结构体的主视图。图33是针对图32所示的单位结构体，以等效电路来表现在产生了 TElO模式/类TElO模式谐振的情况下的状态的电路图。图34是针对图32所示的单位结构体，以等效电路来表现在产生了 TEll模式/类TEll模式谐振的情况下的状态的电路图。图35是针对由图32所示的单位结构体构成的周期性结构体，以等效电路来表现在产生了 TEll模式/类TEll模式谐振的情况下的状态的电路图。图36是通过利用了以图35的电路图所表现的等效电路的模拟计算而得到的、表示等效电路的输出波形(周期性结构体的透过率的频率特性)的曲线图，是与入射电磁波的相位相关的结果。图37是通过利用了以图35的电路图所表现的等效电路的模拟计算而得到的、表示等效电路的输出波形(周期性结构体的透过率的频率特性)的曲线图，是与入射电磁波的振幅相关的结果。
具体实施例方式首先，使用图1来说明本发明的测量方法的一例的概略。图1是示意表示用于本发明的测量方法的测量装置的整体结构的图。该测量装置利用通过将从激光器2 (例如，短光脉冲激光)出射的激光照射至半导体材料而产生的电磁波(例如，具有20GHz 120THz的频率的太赫兹波)脉冲。在图1的构成中，将从激光器2出射的激光通过半反射镜20分支为2条路径。其中一条路径被照射至电磁波产生侧的光导元件71，另一条路径通过使用多个反射镜21 (同样功能的反射镜省略标号)而经时间延迟级26被照射至接收侧的光导元件72。作为光导元件71、72，能使用形成了在LT - GaAs (低温生长GaAs)具有间隙部的偶极天线的通常的光导元件。另外，作为激光器2，能使用光纤型激光器或利用了掺钛蓝宝石等的固体的激光器等。进而，在电磁波的产生、检测中，可以无天线地使用半导体表面，或使用ZnTe晶体那样的电光学晶体。在此，在作为产生侧的光导元件71的间隙部，由电源3施加了适当的偏置电压。产生的电磁波通过抛物面反射镜22而成为平行波束，由抛物面反射镜23照射至平板状的周期性结构体I。透过了平板状的周期性结构体I的太赫兹波由抛物面反射镜24、25以光导元件72进行接收。以光导元件72所接收的电磁波信号在经放大器6放大后能以锁相放大器4作为时间波形而取得。而且，在以包含计算单元的PC (个人计算机)5进行了傅立叶变换等的信号处理后，对平板状的周期性结构体I的透过率频谱等进行计算。为了以锁相放大器4进行获�。哉竦雌�8的信号来对施加至产生侧的光导元件71的间隙的来自电源3的偏置电压进行了调制(振幅5V至30V)。由此，通过进行同步检波，能使S / N比得以提闻。以上说明的测量方法是一般称为太赫兹时域分光法(THz - TDS)的方法。在图1中，示出了散射为透过的情况，即对电磁波的透过率进行测量的情况，但在本发明中的“散射”表示，包含作为前方散射的一形态的透过、以及作为后方散射的一形态的反射等在内的广义的概念，优选是透过或反射。更优选地，是O次方向的透过或O次方向的反射。此外，一般而言，在将衍射光栅的光栅间隔设为d (本说明书中是空隙部的间隔)，入射角设为i，衍射角设为Θ，波长设为λ时，由衍射光栅衍射后的频谱能表示为:d (sini — sin θ) = ηλ...(I)上述“O次方向”的O次是指，上述式(I)的η为O的情况。由于d以及λ不可能成为O,故η = O仅在满足sini — sin Θ = O的情况下成立。因此,上述“O次方向”表示，入射角与衍射角相等时，也就是使电磁波的行进方向不变的方向。这样的、本发明的测量方法中所使用的电磁波只要是按照平板状的周期性结构体的结构而能使散射产生的电磁波，就不特定限定，能使用电波、红外线、可见光、紫外线、X射线、伽玛射线等的任一种，其频率也不作特别限定，但优选为IGHZ 1PHZ，进一步优选为具有20GHz 120THZ的频率的太赫兹波。另外，本发明中所使用的电磁波通常是线性偏振的电磁波。作为具体的电磁波，例如可列举以短脉冲激光为光源，通过ZnTe等的电光学晶体的光整流效果而产生的太赫兹波、从高压汞灯或陶瓷灯辐射的红外线、从半导体激光器出射的可见光或从光导天线辐射的电磁波。在本发明中，对被测量物的特性进行测量是指，进行成为被测量物的化合物的定量或介电常数等的各种定性等，例如可列举对溶液中等的微量的被测量物的含有量进行测量的情况、或进行被测量物的识别的情况。具体而言，例如可列举如下方法:在溶解有被测量物的溶液中浸溃平板状的周期性结构体，使被测量物附着于平板状的周期性结构体的表面后洗净溶媒或多余的被测量物，对平板状的周期性结构体进行干燥后，使用上述那样的测量装置来对被测量物的特性进行测量。另外，可列举如下方法:使被测量物附着于由聚合物等构成的片状的基材，使平板状的周期性结构体紧贴于片状的基材后，使用上述那样的测量装置来测量被测量物的特性。在本发明中所使用的平板状的周期性结构体是指，将同一形状的单位结构体在I个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而形成的结构体，所述单位结构体具有在与所述基准面垂直的方向上贯通的至少I个空隙部。在此，关于空隙部，可以将其全部周期性地进行配置，也可以在不损害本发明的效果的范围内，将一部分的空隙部周期性地进行配置，而且将其他的空隙部非周期性地进行配置。在本发明中，“将同一形状的单位结构体在I个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而形成”是指，按照各单位结构体内的相同位置的点(例如，各单位结构体的重心)包含在I个基准面上的方式，连接各单位结构体而形成。因此，若连接构成周期性结构体的各单位结构体内的任意的I点，则确定基准面。通常，例如，单位结构体的一方的主面的至少一部分是平坦的面，通过按照该面成为基准面的方式连接全部的单位结构体，来构成了周期性结构体。平板状的周期性结构体优选是准周期结构体或周期结构体。准周期结构体是指，虽然不具有平移对称性但在排列中保证了秩序性的结构体。关于准周期结构体，例如，作为I维准周期结构体，可列举斐波纳契(Fibonacci)结构，作为二维准周期结构体，可列举彭罗斯(Penrose)结构。周期结构体是指具有平移对称性所代表的那样的空间对称性的结构体，按照该对称的维度而分类成I维周期结构体、二维周期结构体、三维周期结构体。I维周期结构体例如可列举线栅结构、I维衍射光栅等。二维周期结构体例如可列举网格过滤器、二维衍射光栅等。在这些周期结构体之中，也优选使用二维周期结构体。具体而言，可列举具有在至少I个排列方向上规则性地排列的空隙部的结构体等。作为现有的二维周期结构体，例如可列举图11 (a)所示那样的阵列状地以一定的间隔配置有空隙部的平板状结构体(光栅状结构体)。关于图11 (a)所示的平板状的周期性结构体1，是从其主面IOa侧来看，正方形的空隙部11在图中的纵方向和横方向上以相等的间隔进行了设置的结构体。此外，图11 (a)、(b)是仅为了说明而使用的图，在本发明的平板状的周期性结构体中省略了设置于单位结构体的突起部等。在本发明中，上述电磁波从相对于上述周期性结构体的基准面垂直的方向进行照射。在本发明中，以如下为特征:构成周期性结构体的单位结构体的形状是相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。作为这样的单位结构体的形状的一形态，可列举构成周期性结构体的单位结构体在电磁波的偏振面的截面形状是相对于与电磁波的偏振方向正交的假想平面假想面而不呈不成为镜像对称的形状的形态。这表示，单位结构体的在电磁波的偏振面(包含与其平行的多个面)处的截面形状全部相对于假想平面假想面成为呈镜像对称那样的情况全部被除夕卜。即，在本发明中，需要使单位结构体的至少一部分在电磁波的偏振面(包含与其平行的多个面)处的截面形状相对于假想平面假想面不呈不成为镜像对称。具体而言，例如可列举单位结构体的厚度不均一、相对于假想面而未对称地分布等情况。在此，单位结构体的厚度表示与所述周期性结构体的基准面垂直的方向上的长度。更具体而言，可列举在单位结构体的一部分具有突起部那样的形态。此外，在周期性结构体(单位结构体)的一方的面整体保持被测量物的情况下，基于保持被测量物的位置而使测量结果的偏差不产生，因此优选使单位结构体的保持被测量物的面为平坦的面，且仅在与保持被测量物的一侧为相反侧的主面上具有突起部。关于这样的单位结构体的形状，进而在将各个单位结构体中的空隙部视作了波导管的情况下，优选是通过照射电磁波来产生TElll模式/类TElll模式谐振那样的形状。在此，TElll模式/类TElll模式谐振中含有TElll模式的谐振以及与TElll模式类似的模式的谐振。通过使空隙部的形状为产生TElll模式/类TElll模式谐振那样的形状，从而具有能得到前方散射后的电磁波的频率特性上的尖锐的波谷波形、或后方散射后的电磁波的频率特性上的尖锐的波峰波形这样的优点。另外，在周期性结构体上保持被测量物的前后的、波谷波形或波峰波形的频率偏移量变大，能使被测量物的测量灵敏度得以提高。在此，波谷波形(dip waveform)是指，在检测出的电磁波相对于已照射的电磁波的比率(例如，电磁波的透过率)相对变大的频率范围中，平板状的周期性结构体的频率特性(例如，透过率频谱)上局部产生的波谷型(向下凸)的部分的波形。另外，波峰波形是指，在检测出的电磁波相对于已照射的电磁波的比率(例如，电磁波的反射率)相对变小的频率范围中，平板状的周期性结构体的频率特性(例如，反射率频谱)上局部产生的峰型(向上凸)的波形。在单位结构体的形状是产生TElll模式/类TElll模式谐振那样的形状的情况下，空隙部的形状优选是，通过在将各个空隙部视作波导管的情况下，照射电磁波而不产生TEllO模式/类TEllO模式谐振那样的形状。在此，TEl 10模式/类TEllO模式谐振包中含有TEllO模式的谐振以及与TEllO模式类似的模式的谐振。投影至空隙部的上述基准面上的投影像或者在基准面的截面形状(二维形状)是相对于与电磁波的偏振方向垂直的假想平面假想面呈镜像对称的形状的情况下，不产生TEllO模式/类TEllO模式谐振。通过不产生TEllO模式/类TEllO模式谐振，能减少成为基于因上述TElll模式谐振/类TElll模式谐振而产生的dip波谷波形或波峰波形的测量中的噪声的主要原因。但即使将空隙部设为后述的产生TEllO模式/类TEllO模式谐振那样的形状，且基于通过TEllO模式/类TEllO模式谐振而产生的波谷波形或波峰波形、以及通过上述TElll模式/类TElll模式谐振而生成的波谷波形或波峰波形的两者来进行被测量物的测量，也可根据被测量物的种类来考虑所期望的情况，这样的测量方法也包含在本发明的范围内。作为上述单位结构体的形状的另一形态，可列举单位结构体的空隙部的二维形状(在基准面的截面形状)是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状的情况。此外，“基准面”的用语使用与上述相同的含义，其包含排列单位结构体的方向在内的面。在此情况下，在将各个空隙部视作了波导管时，通过照射电磁波来产生TEllO模式/类TEllO模式谐振。作为产生这样的TEllO模式/类TEllO模式谐振的空隙部的二维形状，例如可列举梯形、凸型、凹型、正多边形以外的多边形、以及具有奇数边的正多边形(正三角形、正五边形等)、星型等。对由具有这样的产生TEllO模式/类TEllO模式谐振的空隙部的单位结构体构成的周期性结构体所照射的所述电磁波优选为平面波。具体而言，从光源出射的电磁波优选在由抛物面反射镜、透镜等变换成平面波(平行光)后，照射至周期性结构体。另外，关于所述电磁波，优选地，所述周期性结构体的主面内的所述电磁波的相位至少在照射所述电磁波的范围内内实质上相等。换言之，优选使所述电磁波的相位在所述周期性结构体的主面之中照射所述电磁波的部分的全部位置(点)上实质上相等。这是由于，相位相等时，透过率频谱的波谷波形(或，反射率频谱的波峰波形)变尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。另外，关于所述电磁波，优选地，所述周期性结构体的主面内的所述电磁波的振幅至少在照射所述电磁波的范围内实质上相等。这是由于，振幅相等时，透过率频谱的波谷波形(或，反射率频谱的波峰波形)变尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。此外，例如，通过将基于周期性结构体(单位结构体)的TElll模式/类TElll模式谐振或TEllO模式/类TEllO模式谐振等的电场强度相对强的部分的表面，以与被测量物的键合性高的物质来覆盖，能使被测量物选择性地保持，能增大前方散射的电磁波的频率特性上的波谷波形、或后方散射的电磁波的频率特性上的波峰波形基于被测量物而进行变化的比例。另外，单位结构体的空隙部的尺寸按照测量方法、平板状的周期性结构体的材质特性、进行使用的电磁波的频率等来适当设计，虽然使其范围一般化困难，但在对前方散射的电磁波进行检测的情况下，空隙部如图11 (a)所示那样纵横规则性地配置的平板状的周期性结构体I中，图11 (b)中以s所示的空隙部的光栅间隔优选为用于测量的电磁波的波长的10分之I以上、10倍以下。若空隙部的光栅间隔s变为该范围以外，则存在难以产生散射的情况。另外，作为空隙部的孔尺寸，优选图11 (b)中以d所示的空隙部的孔尺寸为用于测量的电磁波的波长的10分之I以上、10倍以下。若空隙部的孔尺寸变为该范围以夕卜，则存在要透过(前方散射)的电磁波的强度变弱从而难以检测信号的情况。另外，平板状的周期性结构体的平均厚度按照测量方法、平板状的周期性结构体的材质特性、进行使用的电磁波的频率等来适当设计，虽然使其范围一般化困难，但在对前方散射的电磁波进行检测的情况下，优选为用于测量的电磁波的波长的数倍以下。若结构体的平均厚度变得比该范围大，则存在进行前方散射的电磁波的强度变弱从而难以检测信号的情况。在本发明中，作为在平板状的周期性结构体上保持被测量物的方法，能使用各种公知的方法，例如，既可以直接附着于平板状的周期性结构体，也可以经由支持膜等进行附着。从提高测量灵敏度、通过抑制测量的偏差来进行再现性高的测量的观点出发，优选使被测量物直接附着于平板状的周期性结构体的表面。在使被测量物直接附着于平板状的周期性结构体的情况下，不仅包含在平板状的周期性结构体的表面与被测量物之间直接地形成化学键等情况，还包含对于在表面键合了主分子后的平板状的周期性结构体，被测量物与该主分子键合那样的情况。作为化学键，可列举共价键(例如，金属一硫醇基间的共价键等)、范德华力键、离子键、金属键、氢键等，优选是共价键。另外，主分子是指，能使被测量物进行特异键合的分子等，作为主分子与被测量物的组合，例如可列举抗原与抗体、糖链与蛋白质、油脂与蛋白质、低分子化合物(配体)与蛋白质、蛋白质与蛋白质、单链DNA与单链DNA等。在使被测量物直接附着于平板状的周期性结构体的情况下，优选使用至少一部分的表面是以导体来形成的平板状的周期性结构体。平板状的周期性结构体I的至少一部分的表面是图11 (a)所示的主面10a、侧面10b、空隙部侧面Ila之中的任意一部分的表面。在此，导体是指导电的物体(物质)，不仅包括金属，还包括半导体。作为金属，可列举能与具有羟基、硫醇基、羧基等的官能基的化合物的官能基进行键合的金属；或能将羟基、氨基等的官能基涂敷于表面的金属；以及这些金属的合金。具体而言，可列举金、银、铜、铁、镍、铬、硅、锗等，优选金、银、铜、镍、铬，进一步优选金。在使用了金、镍的情况下，特别是被测量物具有硫醇(thiol)基(一 SH基)的情况下，由于能使该硫醇基键合于平板状的周期性结构体的表面，因此有利。另外，在使用了镍的情况下，特别是在被测量物具有羟基(一 0H)或羧基(一 C00H)的情况下，能使该官能基键合于平板状的周期性结构体的表面，因此有利。另外，作为半导体，例如可列举IV族半导体(S1、Ge等)、I1-VI族半导体(ZnSe、CdS、ZnO等)、III — V族半导体(GaAs、InP、GaN等)、IV族化合物半导体(SiC、SiGe等)、1-1I1- VI族半导体(CuInSe2等)等的化合物半导体、有机半导体。另外，作为经由支持膜等而附着的情况，具体而言，可列举在平板状的周期性结构体的表面贴附聚酰胺树脂等的支持膜来使被测量物附着于该支持膜的方法；以及代替支持膜，使用气密或液密性的容器，对流体或分散在流体中的物质进行测量的方法。在本发明的测量方法中，基于如上述那样所求取的平板状的周期性结构体中分散的电磁波的频率特性相关的至少I个参数，来测量被测量物的特性。例如，基于在平板状的周期性结构体I中前方分散(透过)的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或后方分散(反射)的电磁波的频率特性上产生的波峰波形等因被测量物的存在而进行变化的现象，能测量被测量物的特性。接下来，以图2以及图3所示那样的、对于构成周期性结构体I的单位结构体的一部分附加了突起部101后的平板状的周期性结构体为例，来进行了基于FDTD法(Finite-difference time-domain method:时域差分法)的电磁场模拟。根据其结果,来说明本发明的作用。图2表示本发明的平板状的周期性结构体I的立体图。图3是图2所示的本发明的平板状的周期性结构体的一例中的单位结构体的示意图。(a)是主视图，(b)是纵截面图。关于整体的形状，在厚度60 μ m的Au制的平板，形成尺寸180 X 180 μ m的正方形状的贯通孔(空隙部)，其空隙部是以间距254 μ m周期性地配置成正方光栅状的结构，并在其设置了突起部101。突起部101的尺寸是纵20iimX横20iimX厚度40 y m的长方体状。此外，图中，Z表示所照射的电磁波的行进方向，X表示电磁波的偏振方向(电场方向)，Y是磁场方向(与X、Z垂直的方向)(在本发明的附图中，以下同样)。接下来，使用图4来说明电磁场模拟的条件。关于基于FDTD法的电磁场模拟的条件，如图2所示，是将具有周期性结构体I的单位结构体(254X 254X60 iim)的突起部101的主面设为了入射面，将其相反面设为了检测面，并将这些面以外的面设为了周期边界。另夕卜，将基本单位分割成了 XYZ方向的尺寸全部为5 的晶胞。进而，周期性结构体的材料设为了 Au。关于电磁波，将平面波(线性偏振波)相对于结构体的主面垂直地入射，按照单位结构体中附加了突起部101 —侧的空隙部的一边、与入射电磁波的偏振方向(电场方向)X正交的方式进行了入射。另外，关于来自平板状的周期性结构体的散射波的检测，设为对前方散射(结构体的透过波)进行检测，设为在与平面波的波源为反侧设置的检测面221对透过的电磁波进行检测。周期性结构体I与检测面221之间的距离设为200 u m。图5表示图2所示的本发明的周期性结构体I的透过率的频率特性。同样地，进行了在与平面波的波源同侧设置的检测面222检测到后方散射(反射)的电磁波的情况下的、电磁场模拟。图6表示图2所示的本发明的周期性结构体I的反射率的频率特性。从图5、图6可知，在0.92THz和1.1TTHz附近的频率，分别形成两个前方散射的电磁波的频率特性(透过率频谱)上产生的波谷波形、或后方散射的电磁波的频率特性(反射率频谱)上所产生的波峰波形。高频侧的波谷波形(波峰波形)是通过TElll模式谐振而生成的，低频侧的波谷波形(波峰波形)是通过TEllO模式谐振而生成的。在本发明中，以通过测量前者来使被测量物的测量灵敏度得以提高为特征。图7表示图2所示的本发明的周期性结构体I的透过率的频率特性。另外，图8表示图2所示的本发明的周期性结构体I的聚乙烯膜(被测量物)紧贴前后的透过率的频率特性。与图7相同，将聚乙烯膜紧贴前的频率特性以虚线表示，将聚乙烯膜紧贴后的频率特性以实线表示。此外，聚乙烯膜设为厚度IOii m、介电常数2.4、tan S =0.01。关于通过图8所示TElll模式/类TElll模式谐振而生成的高频侧的波谷波形，聚乙烯膜紧贴前后的频率变化量是54GHz (1083 一 1029GHz)，通过TEllO模式/类TEllO模式谐振而生成的低频侧的波谷波形的变化量约为20GHz(911.202 一 891.248GHz)。由此可知，使用通过TElll模式/类TElll模式谐振而生成的高频侧的波谷波形，较之于利用了通过TEllO模式/类TEllO模式谐振而生成的低频侧的波谷波形的情况，能进行更高灵敏度的被测量物的测量。图9表示图2所示的本发明的周期性结构体I (由图3所示的单位结构体构成)中的TElll模式谐振下的电场矢量的分布。(a)是XZ观测面，(b)是XY观测面，(c)是YZ观测面的图。另外，图10是表示图2所示的本发明的周期性结构体I (由图3所示的单位结构体构成)中的TEllO模式谐振下的电场矢量的分布的示意图。(a)是XZ观测面，(b)是XY观测面，(c)是YZ观测面的图。图中的三角形的尖锐的前端(角度最小的顶点)的方向表示电场矢量的方向。此外，黑色的三角形示出了电场矢量较大的(电场强度相对强的)部分，白色的三角形示出了电场矢量相对小的部分。
如图9、图10所示，基于TElll模式谐振的电场分布(图9)较之于基于TEllO模式谐振的电场分布(图10 )，具有在Z方向(电磁波的行进方向)上不均匀的分布(特别参照图9的(a)以及图10的(a))。为了比较，使用图11所示那样的现有的周期性结构体，表示相对于电磁波的照射方向而倾斜地配置有周期性结构体I的情况下的透过率的频率特性。此外，周期性结构体I是相对于电磁波的行进方向Z，从与其主面垂直的位置起，以图11的Y轴为中心旋转了 9°后的状态来进行了设置。图12中，以实线来表示聚乙烯膜紧贴前的透过率，以虚线来表示紧贴后的透过率。此时，波谷波形的频率变化量是21GHz(931 — 910GHz)。此外，模拟计算除了不具有突起部以外，与基于上述的FDTD法的模拟计算同样地进行。实施例以下，列举实施例来更详细地说明本发明，但本发明不限于这些实施例。(实施例1)除了利用由图13所示那样的(具有大突起的)单位结构体的本发明的平板状的周期性结构体以外，与上述同样地，进行了基于FDTD法的模拟计算。所得到的透过率的频率特性如图14所示。在1.1THz附近产生由TElll模式谐振而生成的波谷波形。在0.96THz附近所产生的波谷波形是通过TEllO模式/类TEllO模式谐振而生成的。同样地，针对由图15所示那样的(在两面具有小突起的)单位结构体构成的本发明的平板状的周期性结构体，进行了模拟计算。所得到的透过率的频率特性如图16所示。如图17所示，在将本发明中所使用的平板状的周期性结构体的单位结构体的结构，设为前方散射的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或后方散射的电磁波的频率特性上产生的波峰波形是通过平板状的周期性结构体的TElll模式/类TElll模式谐振而生成那样的结构的情况下，较之于对现有的平板状的周期性结构体从倾斜方向照射电磁波的情况，能得到带宽窄且尖锐的波谷波形或波峰波形。图18示出了，针对由图3 (小型突起)或图13 (大型突起)所示的单位结构体构成的周期性结构体，使突起部的厚度变化时波谷频率下的透过率变化。从图18可知，在大型突起或小型突起的厚度处于一定范围内的情况下，波谷波形中的透过率变化变大。此外，将突起的厚度为Oym (无突起)时的透过率设为100%，并以负显示的方式来示出了针对其的透过率的减少量。(实施例2)针对图19所示那样的现有的平板状的周期性结构体、以及由图20所示那样的(在图19的基础上还具有大突起)单位结构体构成的本发明的平板状的周期性结构体，以与实施例I同样的方法来进行了模拟计算。图21表示由图19所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(虚线)、以及由图20所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实线)。根据图21的结果可知，通过如图20所示具有Z方向的突起，从而仅在单位结构体在电磁波的偏振面(XZ面)的截面形状相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状的情况下，生成通过TElll模式/类TElll模式谐振来生成的波谷波形。同样地，针对图19所示那样的现有的平板状的周期性结构体、以及由图22所示那样的(在图19的基础上还具有小突起)单位结构体构成的本发明的平板状的周期性结构体，进行了模拟计算。图23表示由图19所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(虚线)、以及由图22所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实线)。根据图23的结果可知，如图22所示，通过具有Z方向的突起，从而仅在单位结构体在电磁波的偏振面(XZ面)的截面形状相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状的情况下，生成通过TElll模式/类TElll模式谐振来生成的波谷波形。(实施例3)针对图24所示那样的现有的平板状的周期性结构体、以及由图25所示那样的(在图24的基础上还具有大突起)单位结构体构成的本发明的平板状的周期性结构体，以与实施例I同样的方法来进行了模拟计算。图26表示由图24所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(虚线)、以及由图25所示的单位结构体构成的周期性结构体的透过率的频率特性(实线)。根据图26的结果可知，如图25所示，通过具有Z方向的突起，从而仅在单位结构体在电磁波的偏振面(XZ面)的截面形状相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状的情况下，生成通过TElll模式/类TElll模式谐振来生成的波谷波形。(实施例4)实际制作了图13所示那样的由单位结构体构成的平板状的周期性结构体，评价了对其照射电磁波时的频率特性。以下，表示该周期性结构体的制作过程。准备具有平滑面的导体板(材质:Cu)，以光刻来图案成型设置于其单面的感光性树脂层，从而形成了与图11所示那样的形状对应的光掩模。通过将所得到的导体板配置于Ni电镀浴中进行通电，从而在无掩模导体板露出的部分，形成了图11所示那样的形状的镀Ni膜。在去除了光掩�：螅柚糜胪�13的突起部101对应的形状的另一光掩模，由此形成了突起部101的形状的镀Ni膜。以溶剂来去除导体板上剩余的硬化树脂部分，并从导体板剥离镀Ni结构体，由此得到了由图13所示那样的单位结构体构成的平板状的周期性结构体。通过对所得到的Ni制的平板状的结构体进行无电场Au镀，得到了以Au覆盖后的周期性结构体。使用上述那样制作的平板状的周期性结构体，以图1所示的装置构成，在与上述实施例1的模拟的条件同样的条件下，实际测量了在从相对于周期性结构体的主面垂直的方向来照射电磁波时前方散射的电磁波(透过了周期性结构体后的电磁波)的频率特性。图27示出以上那样针对图13所示的周期性结构体实际测量出的频率特性。根据图27的结果可知，与图14的模拟计算结果同样地，通过对由图13所示的单位结构体构成的周期性结构体，从相对于平板状的周期性结构体的主面(基准面)垂直的方向来照射电磁波，从而生成基于TElll模式/类TElll模式谐振而得到的波谷波形。(实施例5)本实施例是涉及在单位结构体的空隙部的二维形状(在排列单位结构体的面即基准面的截面形状)相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的情况的实施例。图28示出构成本实施例中使用的平板状的周期性结构体的单位结构体的立体图。图28所示的单位结构体的空隙部是在空隙部侧面的I个中央部附近配置有突起部101的形状(凹状)。实际制作由该图28所示的单位结构体构成的平板状的周期性结构体，并实际测量了对其照射了电磁波时的频率特性。接下来，说明该周期性结构体的制作过程。首先，准备具有300mm边长的平滑面的导体板(材质:Cu)，并在其单面以厚度100 μ m涂敷感光性树脂层并干燥。准备与周期性结构体的空隙部以外相当的部分的光掩模，使相当于空隙部的部分进行了 UV硬化。通过冲洗来去除非硬化树脂分，使导体板露出。通过将如此得到的导体板配置于Ni电镀浴中进行通电，可以在未形成硬化了的感光性树脂层的仅露出了导体板的部分以厚度20 μ m来形成了镀Ni膜。在镀敷后，以溶剂来去除导体板中剩余的硬化树脂部分，并从导体板剥离镀Ni结构体，由此得到了将图28所示的单位结构体进行了正方光栅排列(光栅间隔为260 μ m)后的厚度20μπι的Ni制的平板状的周期性结构体。从周期性结构体的法线方向观察的单位结构体的尺寸是260X260 μ m，具有180X180 μ m的空隙部，在该空隙部的一侧面的中央部具有突起部101 (20X20X20 μ m的立方体状)。进而，通过对所得到的Ni制的平板状的结构体进行无电场镀Au，从而得到了以Au覆盖后的周期性结构体(金属网格)。与实施例4同样地，在对上述金属网格从与该主面垂直的方向照射了电磁波时，使用THz - TDS来测量透过了周期性结构体的电磁波的透过率频谱。此外，测量针对作为电磁波而照射了平行光束的情况、以及照射了聚光光束的情况的各情况来进行。在照射平行光束(平面波)的情况下，若在用于实验的THz - TDS中规定与光轴(电磁波的行进方向)垂直的面，则从光源照射的电磁波在该面内的相位一致。因此，在将金属网格设置成相对于光轴垂直的情况下，若照射至金属网格主面的电磁波是平面波，则在周期性结构体的主面内的相位相等，照射至各空隙部的电磁波的相位相等。频率特性的测量结果如图29所示。在图29中，实线示出在照射了平行光束的情况下的频率特性，虚线示出在照射了聚光光束的情况下的频率特性。如图29所示，照射了平行光束的情况下的频率特性(实线)上的波谷波形较之于照射了聚光光束的情况下的频率特性(虚线)上的波谷波形，其带宽更窄而成更尖锐的波形。由此可知，较之于照射聚光光束，在照射平行光束时，透过率频谱的波谷波形变得更尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。(实施例6)本实施例是与单位结构体的空隙部的二维形状(在排列了单位结构体的面即基准面的截面形状)相对于与电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的情况相关的另一实施例。图30表示构成本实施例中使用的平板状的周期性结构体的单位结构体的立体图。在图30所示的单位结构体中，空隙部的形状(从与周期性结构体的主面垂直的方向观察的形状)是梯形形状。除了如此将单位结构体的空隙部的形状设为梯形形状(上底160 μ m,下底200 μ m,高180 μ m)以外，以与实施例5同样的方法来制作了周期性结构体，并以与实施例5同样的方法来测量了频率特性。频率特性的测量结果如图31所示。在图31中，实线示出在照射了平行光束的情况下的频率特性，虚线示出在照射了聚光光束的情况下的频率特性。如图31所示，照射了平行光束的情况下的频率特性(实线)上的波谷波形较之于照射了聚光光束的情况下的频率特性(虚线)上的波谷波形，其带宽更窄而成更尖锐的波形。由此可知，较之于照射聚光光束，在照射平行光束时，透过率频谱的波谷波形变得更尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。(实施例7)在本实施例中，针对由与实施例5同样的图28所示的单位结构体构成的周期性结构体，进行了利用了等效电路的模拟计算。图32是图28所示的单位结构体的主视图。图33是针对图32所示的单位结构体，以等效电路来表现在产生了 TElO模式/类TElO模式(类似TElO模式)谐振的情况下的状态的电路图。另外，图34是针对图32所示的单位结构体，以等效电路来表现在产生了 TEll模式/类TEll模式(类似TEll模式)谐振的情况下的状态的电路图。图35是针对将图28以及图32所示的单位结构体以正方光栅状排列9个(纵向3个，横向3个)而成的周期性结构体(金属网格)以等效电路来表现电路图。在图35中，相当于I个单位结构体的部分％由对图33所示的等效电路(产生了类似TElO模式谐振的情况)和图34所示的等效电路(产生了类似TEll模式谐振的情况)进行组合后的电路来构成。通过在图35的等效电路设置有相位延迟电路9a并对开关进行切换，能改变信号的相位。通过改变相位，能对类似TElO模式的等效电路(输入了不同相位的电磁波的情况)与类似TEll模式的等效电路(输入了同相位的电磁波的情况)进行切换。使用Micronet公司制作的电路模拟器(circuitviewer4.0),计算了图35所示的等效电路的输出。此外，由于软件不在太赫兹带动作，因此按照在0.SGHz附近出现波谷波形的方式设定了各电路参数。即，将图33、图34所示的等效电路的线圈(LI以及L3)的值、电容器容量(C，Cl，C3)的值分别设定成 LI = 16.5nH、L3 = 18.0nH,C = 0.93pF、Cl =
0.93pF、C3 = 0.8pF。频率分辨率成为了 240kHz。计算出的等效电路的输出波形(相当于透过率的频率特性)如图36所示。在图36中，曲线图中的实线示出对相当于具有9个单位结构体的周期性结构体的等效电路的整体输入了同相位的电磁波的情况下的、等效电路(类似TE 11模式的等效电路)的输出波形的计算结果。虚线示出在对图35所示的等效电路的上段、中段、下段按照在它们之间各自具有0.55rad相位差的方式输入了信号的情况下的、等效电路(类似TElO模式的等效电路)的输出波形的计算结果。根据图36所示的结果可知，输入至相邻的空隙部的信号的相位相等时(周期性结构体的主面内的电磁波的相位相等)，透过率频谱中的波谷波形变尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。(实施例8)在实施例7中说明的图35所示的等效电路，设有电阻91、电阻92、电阻93，能通过改变电阻值来使信号的振幅变化。在本实施例中，使用Micronet公司制作的电路模拟器(circuitviewer4.0),计算了在使振幅变化的情况下的等效电路的输出。此外，由于软件不在太赫兹带动作，因此按照在1.27GHz附近出现波谷波形的方式设定了各电路参数。即，将图34所示的等效电路的线圈(LI以及L3)的值、电容器容量(C，Cl，C3)的值分别设定成LI=16.5nH、L3 = 18.0nH, C = 0.93pF、Cl = 0.93pF、C3 = 1.2pF 后的频率分辨率成为了120kHz。计算出的等效电路的输出波形如图37所示。在图37中，曲线图中的实线示出在对9个孔的等效电路输入了同相位且同振幅的电磁波的情况下的、等效电路的输出波形的计算结果。虚线示出在对图35所示的等效电路的上段、中段、下段按照在它们之间电磁波的振幅不同的方式输入了同相位的信号的情况下的、等效电路的输出波形的计算结果。根据图37所示的结果可知，在输入至相邻的空隙部的信号的振幅相等(周期性结构体的主面内的电磁波的振幅相等)时，透过率频谱中的波谷波形变尖锐，能高灵敏度地测量被测量物的特性。此外，不限于上述的实施例所示形状的单位结构体，若此外还使用满足由本发明的条件的形状(例如，凸形、正五边形、星型)的单位结构体构成的周期性结构体，则也能得到与上述实施例同样的效果。另外，在上述的实施例中，使用了将单位结构体在周期性结构体的主面方向上正方光栅状地周期性地配置(正方光栅排列)而得到的结构体，但即使例如在将单位结构体以三角光栅状地进行配置而得到的周期性结构体中，只要单位结构体处于满足本发明的条件的形状，就能得到同样的结果。本次公开的实施方式以及实施例应该认为在全部点上只是例示，并不是用来限定本发明。本发明的范围不是由上述的说明示出，而是由权利要求书示出，还包含与权利要求书等价的含义以及其范围内的全部变更。标号说明I平板状的周期性结构体、IOa主面、IOb侧面、101突起部、11空隙部、Ila空隙部侧面、2激光、20半反射镜、21反射镜、22，23，24，25抛物面反射镜、26时间延迟级、3电源、
4锁相放大器、5PC (个人计算机)、6放大器、71，72光电导元件、8振荡器、9a相位延迟电路、91,92,93 电阻。
权利要求
1.一种测量方法， 在平板状的周期性结构体(I)上保持被测量物， 对所述周期性结构体(I)照射线性偏振的电磁波， 对通过所述周期性结构体(I)而前方散射或后方散射的电磁波进行检测， 基于所述前方散射的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或所述后方散射的电磁波的频率特性上产生的波峰波形因所述被测量物的存在而进行变化的情况，来测量被测量物的特性， 所述测量方法的特征在于， 所述周期性结构体(I)是将同一形状的单位结构体在I个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而形成的结构体， 所述单位结构体具有在与所述基准面垂直的方向上贯通的至少I个空隙部(11)， 所述电磁波从相对于所述基准面垂直的方向进行照射， 所述单位结构体的形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。
2.根据权利要求1所述的测量方法，其中， 所述单位结构体在所述电磁波的偏振面的截面形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。
3.根据权利要求2所述的测量方法，其中， 所述前方散射的电磁波的频率特性上产生的波谷波形、或所述后方散射的电磁波的频率特性上产生的峰值波峰波形是通过所述周期性结构体(I)的TElll模式/类TElll模式谐振而产生的。
4.根据权利要求2所述的测量方法，其中， 在所述单位结构体的与保持所述被测量物的一侧为相反侧的主面(IOa)上具有突起部(101)。
5.根据权利要求1所述的测量方法，其中， 所述单位结构体的空隙部在所述基准面的截面形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。
6.根据权利要求5所述的测量方法，其中， 照射至所述周期性结构体(I)的所述电磁波是平面波。
7.根据权利要求5所述的测量方法，其中， 关于所述电磁波，所述周期性结构体(I)的主面内的所述电磁波的相位至少在照射所述电磁波的范围内实质上相等。
8.根据权利要求5所述的测量方法，其中， 关于所述电磁波，所述周期性结构体(I)的主面内的所述电磁波的振幅至少在照射所述电磁波的范围内实质上相等。
9.一种平板状的周期性结构体(1)，用于权利要求1所述的测量方法，其特征在于， 所述周期性结构体(I)是将同一形状的单位结构体在I个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而形成的结构体， 所述单位结构体具有在与所述基准面垂直的方向上贯通的至少I个空隙部(11)，所述电磁波从相对于所述基准面垂直的方向进行照射， 所述单位结构体的形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。
全文摘要
本发明是一种在平板状的周期性结构体(1)上保持被测量物、对所述周期性结构体(1)照射线性偏振的电磁波并基于通过所述周期性结构体(1)而前方散射或后方散射的电磁波的变化对被测量物的物性进行测量的测量方法，其中，所述周期性结构体(1)是将同一形状的单位结构体在1个基准面的方向上二维且周期性地连接多个而成的结构体，所述单位结构体具有在与所述基准面垂直的方向上贯通的至少1个空隙部(11)，所述电磁波从相对于所述基准面垂直的方向进行照射，所述单位结构体的形状是相对于与所述电磁波的偏振方向正交的假想面而不成为镜像对称的形状。
文档编号G01N21/01GK103180716SQ20118005082
公开日2013年6月26日 申请日期2011年8月25日 优先权日2010年9月1日
发明者神波诚治, 泷川和大, 近藤孝志, 田中功二 申请人:株式会社村田制作所
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