专利名称：用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用来检查半导体或平板显示元件的探针及其制造方法，本发明使用涂敷有绝缘物质的探针尖头以防止邻接的探针尖头因接触而引起的短路或清除噪波，避免频率信号测试时可能发生的邻接信号干涉，从而提高探针电特性。
背景技术：
一般来说，半导体及液晶显示元件(LCD :Liquid Crystal Display)、等离子体显示面板(PDP =Plasma Display Panel)、场致发射显示元件(FED =Field Emission Display) 平板显示元件具备有引入信号的垫电极(pad Electrode) 0前述半导体及平板显示元件的测试利用探针(probe)执行，该探针向垫电极引入电信号后判别是否不良。平板显示元件测试用探针包括纯粹地利用手工作业制作的针式(needle type)； 引进新技术后与手工作业方式一起制作的叶片式(blade type)；膜式(film type)；以及利用 MEMS (MEMS ;Micro Electro Mechanical System)技术的 MEMS 式(MEMS type)等。针式探针通过下列步骤所构成的过程制成直线钨梁(beam)的弯曲；在增强板使用粘结剂粘贴；为了对齐接触待检查的垫电极的接触面和接触信号移送装置的接触面的坐标位置而采取物理方法补正位置；清洗补正了位置的检查用探针。然而，上述一系列过程全部需要通过手工作业实现，因此制作时间很长，不良率提高，工序复杂而降低了生产性。叶片式探针通过下列步骤所构成的过程制成制作供叶片插入的框架；制作叶片；插入叶片；在插入了叶片的框架上面盖上盖子。然而，上述一系列过程中的一部分依然需要通过手工作业实现，而且其生产单价特高。MEMS式探针通过下列步骤所构成的过程制成在绝缘体上制造作为导电性物质的检查用探针梁及探针尖头；清除绝缘体；在检查用探针盖上保护盖；补正检查用探针位置。前述MEMS式探针制造方法被韩国专利申请第10-2004-0004540号“平板元件检查用探针制造方法及其探针”揭示。上述专利申请第10-2004-0004540号的平板显示元件检查用探针的制造方法包括下列步骤在硅基板上形成限定探针形状的第一保护膜样式(Pattern)；以上述第一保护膜样式作为掩模(mask)执行蚀刻工序而形成沟槽(trench)；清除上述第一保护膜样式； 在上述硅基板上形成绝缘膜；在形成有上述绝缘膜的硅基板的上述沟槽内部埋入导电性物质而形成探针；执行平坦化而使得形成有上述探针的上述硅基板的上面暴露；把限定上述探针的中央部而使得上述探针的一端及另一端开放的增强板附着到上述硅基板的上面；在附着有上述增强板的硅基板的相反侧形成限定地开放上述探针的一端及另一端的第二保护膜样式；清除被上述第二保护膜样式开放的上述硅基板而使得上述探针的一端及另一端完全暴露于外；以及清除上述第二保护膜样式。前述现有探针的中心部虽然由绝缘体构成，但为了进行检查而暴露于外的探针尖头则直接暴露了导电体，因此会出现和邻接探针尖头接触导致短路或发生噪波的问题。而且，针对性能越来越高的半导体或平板元件所处理的数十Hz到数百Hz的频率信号进行测试时，现有探针由于探针尖头的导电体被直接暴露而使得形成于探针尖头之间的电容导致邻接信号干涉并降低电特性，从而无法准确地执行检查。
发明内容
发明需要解决的技术课题因此，本发明的目的是提供一种用来检查半导体或平板显示元件的探针及其制造方法，在除了传达电信号的下端部分以外的探针尖头的整体面上用高分子绝缘物质真空沉积，从而防止邻接的探针尖头因接触而引起的短路或清除噪波。而且，本发明的另一个目的是提供一种用来检查半导体或平板显示元件的探针及其制造方法，在除了传达电信号的下端部分以外的探针尖头的整体面上用高分子绝缘物质真空沉积，从而可以避免频率信号测试时可能发生的邻接信号干涉，提高探针电特性。解决课题的技术方案上述目的可以凭借本发明的用来检查半导体或平板显示元件的探针实现，本发明包括探针梁，使用为上述半导体及平板显示元件引入电信号的导电性材料以等距间隔地形成多个；探针尖头，形成于上述探针梁的侧端下部，与上述半导体及平板显示元件接触； 绝缘体，在硅基板上形成有探针梁安置空间，由中心部配置有连接到探针梁的电气配线的硅材料制成；板形增强板，附着到上述绝缘体的上部中央。在此，上述探针梁表面用绝缘物质真空沉积。在此，上述探针尖头在除了传达电信号的下端部分以外的整体面上用高分子绝缘物质真空沉积。较佳地，上述绝缘物质是聚对二甲苯基(Parylene)树脂。而且，上述探针梁与探针尖头使用镍或镍合金材质中的某一个制作。在此，上述探针梁为了限定中央部而附着有绝缘性粘结物质。而且，上述探针结构在探针梁背面下部附着有检查垫，该检查垫包括传达电信号的膜及检查驱动IC。较佳地，上述探针尖头与探针梁形成为宽度、面积、长度及深度各不相同的结构。而且，上述探针紧固在机构部，该机构部是在半导体及平板显示元件检查设备上泛用地安装的块。上述探针梁构成上下复层结构地排列形成。另外，上述目的可以凭借本发明的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法实现，其包括下列步骤在硅基板上形成安置探针梁的绝缘体；在上述绝缘体下部构成间距地形成第一保护膜；在上述绝缘体下部中没有形成第一保护膜的部分为了形成探针梁的暴露部而进行物理蚀刻；清除上述第一保护膜；在上述绝缘体的上部形成第二保护膜，该第二保护膜限定等距间隔排列的探针尖头形状；以上述第二保护膜作为掩模通过蚀刻工序形成对应于探针尖头形状的槽；清除上述第二保护膜；在上述绝缘体上涂敷构成氧化膜的绝缘物质；在涂敷有上述绝缘物质的绝缘体的上部形成限定探针梁下端的第三保护膜；以上述第三保护膜作为掩模进行物理蚀刻工序，以对应于探针尖头下端部的形状清除绝缘膜后形成沟槽；清除上述第三保护膜；在上述绝缘体的上部为了形成探针梁而形成进行电镀工序的电镀模；在上述电镀模上涂敷导电性物质而形成电镀种子层；清除上述电镀模；有限地清除上述电镀种子层而在探针梁上形成电气配线；在除了传达电信号的下端部分以外的探针尖头的整体面上沉积高分子绝缘物质；形成限定探针梁的集团中央部分的第四保护膜，该探针梁形成有包括上述绝缘处理的探针尖头的电信号传达体系；以上述第四保护膜作为掩模在限定的探针梁的中央部附着增强板；清除上述第四保护膜；为了限定上述绝缘体的下侧中央部分而形成第五保护膜；以上述第五保护膜作为掩模通过蚀刻工序把除了上述绝缘体的中央部分以外的其它部分暴露于外。在此，上述第一保护膜、第二保护膜、第三保护膜、第四保护膜、第五保护膜、电镀模使用光刻(Photo Lithography)工序。而且，对应于上述探针尖头形状的槽使用干式蚀刻工序形成。
在此，上述探针梁表面及探针尖头用高分子绝缘物质真空沉积。较佳地，上述高分子绝缘物质是聚对二甲苯基(Parylene)树脂。较佳地，上述电镀模使用光阻剂photoresist)形成。而且，上述探针梁与探针尖头使用镍或镍合金材质中的某一个制作。在此，上述绝缘体以上述第五保护膜作为掩模通过干式蚀刻把除了上述中央部以外的部分清除。而且，上述探针梁为了限定中央部而附着有绝缘物质。而且，上述沟槽通过干式蚀刻工序形成后在整体面涂敷绝缘物质。上述探针梁构成上下复层结构地排列形成。有益效果因此，本发明用来检查半导体或平板显示元件的探针及其制造方法，在除了传达电信号的下端部分以外的探针尖头的整体面上用高分子绝缘物质真空沉积，从而可以防止邻接的探针尖头因接触而引起的短路或清除噪波。而且，可以避免频率信号测试时可能发生的邻接信号干涉，从而提高探针电特性。
图1是本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针立体图，图2是安装有本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的机构部立体图，图3是安装有本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的检查设备立体图，图4是本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的检查过程图，图5到图19是说明本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法的工序立体图。图形主要符号的说明100绝缘体
110第一保护膜
120第二保护膜
250绝缘膜
300第三保护膜
310沟槽(trench)
320电镀模
350探针梁(probebeam)
360探针尖头(probe tip)
400种子层
450第四保护膜
500第五保护膜
600增强板
700检查垫
750机构部
800检查设备
具体实施例方式下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。图1是本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针立体图，图2是安装有本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的机构部立体图，图3是安装有本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的检查设备立体图，图4是本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的检查过程图。请参阅图1，本发明用来检查半导体或平板显示元件的探针包括探针梁(350)， 使用为半导体及平板显示元件引入电信号的导电性材料以等距间隔地形成多个；探针尖头 (360)，形成于上述探针梁(350)的侧端下部，与上述半导体及平板显示元件接触；绝缘体 (100)，在硅基板上形成有探针梁(350)安置空间，由中心部配置有连接到探针梁(350)的电气配线的硅材料制成；板形增强板(600)，附着到上述绝缘体(100)的上部中央。在此，为了防止上述隔离地形成的探针梁(350)的狭窄隔离间隔而相互接触所引起的噪波及邻接信号干涉所造成的电特性下降，在各探针梁(350)表面及除了传达电信号的下端部分以外的探针尖头(360)的整体面上沉积高分子绝缘物质。在此，上述探针梁(350)及探针尖头(360)通过利用容易进行真空沉积的聚对二甲苯基(Parylene)树脂的真空沉积方法在表面形成绝缘物质。上述探针梁(350)与探针尖头(360)在考虑到导电性及弹性等因素的情形下使用镍(Ni)及镍铁(Ni-Fe)等多样化的镍合金材质。在此，上述探针梁(350)为了比现有技术排列更多的探针梁以提高检察效率而可以形成上下复层结构。在此，上述探针尖头(360)与探针梁(350)形成为宽度、面积、长度及深度各不相同的结构。上述探针尖头(360)在除了传达电信号的下端部分以外的整体面上沉积高分子绝缘物质，上述探针梁(350)为了限定中央部而附着有绝缘物质并提高绝缘特性，进而完全消除噪波，即使探针梁(350)互相接触也不会发生短路现象。而且，请参阅图2及图3，上述探针结构在探针梁(350)背面下部附着有检查垫 (750)，该检查垫(750)包括传达电信号的膜及检查驱动IC。而且，在具备有尖头的探针梁(350)后端形成突出销，从而可轻易地与检查垫 (750)进行装卸。亦即，为了和包含有检查驱动IC的上述检查垫(750)轻易地分离而在探针背面下端形成有突出销，在传达电信号的探针被连接到检查驱动IC的检查垫(750)上形成有传达电信号的探针导引膜，可以让探针后端与检查驱动IC安全地接触。在此，上述探针紧固在机构部(700)，该机构部(700)是在半导体及平板显示元件检查设备(800)上泛用地安装的块(Block)。紧固有上述探针的上述机构部(700)被�？榛蟀沧霸谔秸爰觳樯璞�(800)。上述检查设备(800)上具备有多个上述探针并且由探针群接触作为检查对象的面板后进行检查，如图4所示，各探针形成有探针梁(350)，该探针梁(350)形成有接触半导体及平板显示元件的上述探针尖头(360)。图5到图19是说明本发明实施例的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法的工序立体图。下面结合附图详细说明本发明实施例的半导体及平板显示元件检查用探针的制造方法。首先，如图5所示，在没有温度及湿度之类的变形性的硅基板形成安置探针梁 (350)的绝缘体(100)。然后，如图6所示，在上述绝缘体(100)下部构成间距地形成第一保护膜(110)。上述第一保护膜(110)通过光刻(Photo Lithography)工序形成，在上述绝缘体 (100)下部把聚酰胺(polyamide)材质的光阻剂(Wiotoresist)涂敷预定厚度后予以曝光及显影，通过后续工序的执行而构成在单一的单位探针上限定探针梁(350)暴露位置的间距。此时，上述光刻(Photo Lithography)工序通过依次执行光阻剂涂层 (Photoresist coating)、光阻剂软烘(Photoresist soft-baking)、曝光(Exposure)、光阻剂硬烘(Photoresist hard-baking)及洗涤(Rinse)工序后形成。然后，如图7所示，在上述绝缘体(100)下部中没有形成第一保护膜(110)的部分为了形成探针梁暴露部(11 而进行蚀刻。此时，上述探针梁暴露部(11 通过下列方式形成，在绝缘体(100)背面为了选择性地清除绝缘体(100)而使用上述第一保护膜屏蔽除了待清除部分以外的其余领域，然后利用作为物理蚀刻工序之一的喷砂工序以仅仅留下数十微米厚绝缘体(100)地清除。然后，如图8所示地清除上述第一保护膜(110)，在此，上述第一保护膜(110)可以通过利用丙酮(CH3C0CH3)之类化学制品的湿式蚀刻清除。然后，如图9所示，在上述绝缘体(100)的上部形成第二保护膜(120)，该第二保护膜(120)可以限定等距间隔排列的探针尖头(360)的形状。在此，上述第二保护膜(120)利用和上述第一保护膜(110)形成工序相同的光刻工序形成。然后，如图10所示，以上述第二保护膜(120)作为掩模通过蚀刻工序形成对应于探针尖头(360)形状的槽000)，前述蚀刻工序是由机械进行干式蚀刻工序形成。接着如图11所示，利用化学制品的湿式蚀刻清除上述第二保护膜(120)。然后，如图12所示，在上述绝缘体(100)上涂敷构成氧化膜的绝缘物质硅氧化膜 (Silicon dioxide layer)后形成绝缘膜(250)。上述绝缘膜Q50)的目的是维持形成于绝缘体(100)内部的探针梁(350)的电气绝缘，前述绝缘膜(250)通过把设定的氧化性气体投入炉(Furnace)内部后诱使上述氧化性气体与绝缘体(100)的上部表面在预定高温进行反应而形成。在此，上述绝缘膜(250)使用硅氧化膜，但是在其它实施例也可以使用氮化层 (Nitride layer)形成绝缘膜(250)。然后，如图13所示，在涂敷有上述绝缘物质的绝缘体(100)的上部形成限定探针梁(350)下端的第三保护膜(300)后，以第三保护膜(300)作为掩模进行物理蚀刻工序，以对应于探针尖头(360)下端部的形状清除绝缘膜(250)后形成沟槽(310)。在此，上述沟槽(310)以允许单位探针梁(350)按照预定间距隔离配置的方式形成，上述沟槽(310)通过物理干式蚀刻工序形成后在整体面涂敷绝缘物质后形成。在此，为了使上述探针梁(350)排列成上下复层结构而可以使上述沟槽(310)形成复层。接着，通过利用丙酮(CH3COCH;3)之类化学制品的湿式蚀刻清除上述第三保护膜 (300)。然后，如图14所示，在上述绝缘体(100)的上部为了形成探针梁(350)而在利用上述绝缘膜(250)形成有硅氧化膜的绝缘体(100)的沟槽(310)内部形成凭借电镀工序埋入导电性物质的电镀模(330)。上述电镀模(330)可以在上述沟槽(310)上按照预定厚度涂敷聚酰胺材质的光阻剂(Photoresist)后形成。然后，如图15所示，在上述电镀模(330)上涂敷导电性物质而形成电镀种子层 (400)。此时，上述种子层(400)可以通过作为PVD(Physical Vapor Deposition)方法的溅射(Sputtering)工序以铜(Cu)层形成。接着，如图16所示，在形成有上述种子层(400)的沟槽(310)内部埋入导电性物质镍-铁合金等物后，为了暴露上述绝缘体(100)而使其上面平坦化后清除上述电镀模 (330)，形成单位探针按照预定间距隔离而构成探针群的探针梁(350)。在考虑到导电性及弹性等因素的情形下，上述探针梁(350)不必限定在本实施例的镍-钴合金材质，也可以使用镍、镍铁合金(Ni-Fe)等多样化的材质。而且，上述平坦化工序可以使用研磨(Grinding)及CMP(Chemical Mechanical Polishing)之类的技术。然后，如图17所示，有限地清除上述电镀种子层(400)而在探针梁(350)上形成电气配线后，在探针梁(350)及探针尖头表面利用真空沉积方法形成作为绝缘性高分子的绝缘物质。在此，上述探针尖头(360)在除了传达电信号的下端部分外的部分进行沉积，前述绝缘物质使用容易进行真空沉积的聚对二甲苯基(Parylene)树脂。然后，如图18所示地形成限定探针梁(350)的集团中央部分的第四保护膜(450)， 该探针梁(350)形成有具备上述绝缘处理的探针尖头(360)的电信号传达体系，以上述第四保护膜(450)作为掩模(mask)在限定的探针梁(350)的中央部附着增强板(600)。在此，上述增强板(600)采用陶瓷(Ceramic)材质并且仅限定地封闭探针梁(350) 集团的中央部分而使得探针的一端及另一端开放，利用环氧树脂(Epoxy)之类的绝缘物质粘结剂附着并固定在上述绝缘体(100)的上部。接着，附着了上述增强板(600)后通过湿式蚀刻清除上述第四保护膜(450)。然后，如图19所示地形成限定上述绝缘体(100)下侧中央部分的第五保护膜 (500)，以上述第五保护膜(500)作为掩模通过蚀刻工序把除了上述绝缘体(100)的中央部分以外的其它部分暴露于外而制作探针。在此，上述第五保护膜(500)通过光刻工序按照预定厚度涂敷光阻剂后曝光及显影，从而和上述增强板(600) —样仅限定地封闭探针的中央部分，形成探针梁(350)的一端及另一端开放的样式(Pattern)。而且，以上述第五保护膜(500)作为掩模通过喷砂工序之类的干式蚀刻工序完全清除上述绝缘体(100)中除了中央部分以外的暴露部。此时，随着上述绝缘体(100)的蚀刻清除，使得探针梁(350)的一端及另一端完全开放而中央部则被绝缘体(100)固定的探针(20)制作完成。而且，这样的上述探针梁(350)被埋入并固定在沟槽(310)内部，上述探针与绝缘体(100)凭借硅氧化膜所构成的绝缘膜(250)互相绝缘，各单位探针梁(350)也各自被聚酰胺之类的绝缘物质绝缘。之后，上述第五保护膜(500)按照和上述第一到第四保护膜(450)清除方法相同的方法清除。上述本说明书及申请专利范围中所用术语或词汇不能按照一般的词典意义解释， 由于发明人可以为了使用最佳方法阐释其发明而适当地定义相关术语之概念，因此本说明书及申请专利范围中所用术语应该按照符合本发明之技术思想的含义与概念来解释。因此本说明书记载的实施例与附图所示形状与构成没有概括本发明的所有技术思想，在本发明的专利申请时可以存在能替代的各种均等物与变形例。
权利要求
1.一种用来检查半导体或平板显示元件的探针，该检查用探针适用于为半导体及平板显示元件引入电信号后检查电特性的检查设备，其特征在于，包括探针梁，使用为上述半导体及平板显示元件引入电信号的导电性材料以等距间隔地形成多个；探针尖头，形成于上述探针梁的侧端下部，与上述半导体及平板显示元件接触； 绝缘体，在硅基板上形成有探针梁安置空间，由中心部配置有连接到探针梁的电气配线的硅材料制成；板形增强板，附着到上述绝缘体的上部中央。
2.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述探针梁表面用高分子绝缘物质真空沉积。
3.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述探针尖头在除了传达电信号的下端部分以外的整体面上用高分子绝缘物质真空沉积。
4.根据权利要求2或3所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述高分子绝缘物质是聚对二甲苯基(Parylene)树脂。
5.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述探针梁与探针尖头使用镍或镍合金材质中的某一个制作。
6.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述探针梁为了限定中央部而附着有绝缘性粘结物质。
7.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于上述探针结构在探针梁背面下部附着有检查垫，该检查垫包括传达电信号的膜及检查驱动IC。
8.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述探针尖头与探针梁形成为宽度、面积、长度及深度各不相同的结构。
9.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于上述探针紧固在机构部，该机构部是在半导体及平板显示元件检查设备上泛用地安装的块。
10.根据权利要求1所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针，其特征在于 上述探针梁构成上下复层结构地排列形成。
11.一种用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于，包括下列步骤在硅基板上形成安置探针梁的绝缘体； 在上述绝缘体下部构成间距地形成第一保护膜；在上述绝缘体下部中没有形成第一保护膜的部分为了形成探针梁的暴露部而进行物理蚀刻；清除上述第一保护膜；在上述绝缘体的上部形成第二保护膜，该第二保护膜限定等距间隔排列的探针尖头形状；以上述第二保护膜作为掩模通过蚀刻工序形成对应于探针尖头形状的槽； 清除上述第二保护膜；在上述绝缘体上涂敷构成氧化膜的绝缘物质；在涂敷有上述绝缘物质的绝缘体的上部形成限定探针梁下端的第三保护膜； 以上述第三保护膜作为掩模进行物理蚀刻工序，以对应于探针尖头下端部的形状清除绝缘膜后形成沟槽；清除上述第三保护膜；在上述绝缘体的上部为了形成探针梁而形成进行电镀工序的电镀模； 在上述电镀模上涂敷导电性物质而形成电镀种子层； 清除上述电镀模；有限地清除上述电镀种子层而在探针梁上形成电气配线； 在除了传达电信号的下端部分以外的探针尖头的整体面上沉积高分子绝缘物质； 形成限定探针梁的集团中央部分的第四保护膜，该探针梁形成有包括上述绝缘处理的探针尖头的电信号传达体系；以上述第四保护膜作为掩模在限定的探针梁的中央部附着增强板； 清除上述第四保护膜；为了限定上述绝缘体的下侧中央部分而形成第五保护膜；以上述第五保护膜作为掩模通过蚀刻工序把除了上述绝缘体的中央部分以外的其它部分暴露于外。
12.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述第一保护膜、第二保护膜、第三保护膜、第四保护膜、第五保护膜、电镀模使用光刻 (Photo Lithography)工序。
13.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于对应于上述探针尖头形状的槽使用干式蚀刻工序形成。
14.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述探针尖头用高分子绝缘物质真空沉积。
15.根据权利要求14所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述高分子绝缘物质是聚对二甲苯基(Parylene)树脂。
16.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述电镀模使用光阻剂(Wiotoresist)形成。
17.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述探针梁与探针尖头使用镍或镍合金材质中的某一个制作。
18.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述绝缘体以上述第五保护膜作为掩模通过干式蚀刻把除了上述中央部以外的部分清除。
19.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述探针梁为了限定中央部而附着有绝缘物质。
20.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述沟槽通过干式蚀刻工序形成后在整体面涂敷绝缘物质。
21.根据权利要求11所述的用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法，其特征在于上述探针梁构成上下复层结构地排列形成。
全文摘要
本发明涉及一种用来检查半导体或平板显示元件的探针及其制造方法，本发明探针包括探针梁，使用为半导体及平板显示元件引入电信号的导电性材料以等距间隔地形成多个；探针尖头，形成于上述探针梁的侧端下部，与上述半导体及平板显示元件接触；绝缘体，在硅基板上形成有探针梁安置空间，由中心部配置有连接到探针梁的电气配线的硅材料制成；板形增强板，附着到上述绝缘体的上部中央。本发明可以防止邻接的探针尖头因接触而引起的短路或清除噪波，避免频率信号测试时可能发生的邻接信号干涉，从而提高探针电特性。
文档编号G01R1/073GK102597787SQ201080035699
公开日2012年7月18日 申请日期2010年8月5日 优先权日2009年8月11日
发明者任永淳, 尹彩荣, 崔允淑, 方镕玗, 李将禧, 李解原 申请人:未来技术株式会司
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