专利名称：一种提取晶体管非线性热阻的方法
技术领域：
本发明属于集成电路领域，涉及到集成电路器件模型技术，尤其涉及集成电路中 功率晶体管的热阻模型提取技术。
背景技术：
得益于其高的功率密度和击穿电压，如GaAs、GaN MESFET/HEMT,以及Si基高压 LDM0SFET、S0I LDM0SFET等在高频功率集成电路设计中得到广泛应用。因其大的功率密度， 这些器件通常工作在很高的结温下。热阻是描述晶体管自热效应引起输入/出功率损耗的 重要参数之一，该参数的精确提�。宰既吩げ獠煌淙牍β仕较拢骷嵛碌谋浠�、输 出特性的变化有着重要的意义。热阻同时也是建立此类晶体管用于如Spice工具进行仿真 的紧凑型模型所需参数之一。半导体材料热导率和材料温度的关系可以单一对材料进行测试得到，并采用以下 表达式描述
权利要求
1. 一种提取晶体管非线性热阻的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤步骤(1)建立晶体管的热阻ZPth与直流功率耗散/V模型参数怂、&、怂关系；建立 直流功率耗散Λ与漏极电流/ds、漏-源电压Kds关系；建立结温Ti与外界温度/;、热阻/ th、 直流功率耗散Λ关系
2.根据权利要求1所述的一种提取晶体管非线性热阻的方法，其特征在于，步骤(9)中 的无自热效应影响的漏电导是从测量的高频二端口的散射参数中得到的。
3.根据权利要求1所述的一种提取晶体管非线性热阻的方法，其特征在于，步骤(8)中 的漏极电流的温度系数r(/ds)由改变外界温度的脉冲测试得到。
4.根据权利要求ι所述的一种提取晶体管非线性热阻的方法，其特征在于，利用连续 波条件下的测量数据得到的热阻/ th，其误差通过首次或前一次迭代计算得出的晶体管的热阻Ah进行修正，具体是修正参数r (4)
5.根据权利要求4所述的一种提取晶体管非线性热阻的方法，其特征在于，设置一个 误差范围值，然后在设定的输出功率条件下，计算本次迭代得到的热阻与前一次迭代得到 的热阻之差，通过判定该差值是否满足精度要求来决定是否继续迭代。
全文摘要
本发明涉及一种提取晶体管非线性热阻方法。现有的方法在不同功率水平下提取得到热阻值并非常数，容易导致热阻难以确定等问题。本发明首先建立晶体管的热阻Rth与直流功率耗散Pd、模型参数RO、RA、RB；直流功率耗散Pd与漏极电流Ids、漏-源电压Vds；结温Tj与外界温度TA、热阻Rth、直流功率耗散Pd关系，从而确定其变化量之间的关系；其次计算固定栅-源电压的Ids随Tj和Vds的变化其次变化量ΔIds；然后在不同外界温度和固定栅极电压条件下测量得到漏极电流和漏极电压的关系特性；最后根据测得参数和模型得到热阻。本发明方法简单、高效。
文档编号G01R31/26GK102103184SQ201110024319
公开日2011年6月22日 申请日期2011年1月23日 优先权日2011年1月23日
发明者刘军, 孙玲玲 申请人:杭州电子科技大学
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