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专利名称：磁传感器的检查装置和检查方法
技术领域：
本发明涉及检查装置和检查方法，它们用在磁传感器的检查例程中，特别是用于在预定环境条件下经由磁属性测试对磁传感器的晶片状阵列就它们的磁属性和灵敏度进行检查的例程中。本申请要求日本专利申请No. 2011-175337的优先权，其内容通过引用被包含在此。
背景技术：
根据常规已知的磁传感器的磁属性的检查例程，磁传感器每ー个被置于使用诸如亥姆霍兹线圈的磁场产生线圈产生的磁场中，并且随后进行测试以测量它们的输出信号。 检查在其封装中包围的每个单个磁传感器需要麻烦的处理，并且可能在通过检查被确定为有缺陷的磁传感器的装配成本上遭受资金损失。因为这个原因，有效的方式是集体检查磁传感器的晶片状阵列。已经在诸如PLT I和PLT 2的各种文件中开发和公开了用于检查磁传感器的晶片状阵列的各种技木。PLT I公开了磁传感器芯片的检查方法。在此，将测试探测器与磁传感器芯片接触，然后，在检查的准备阶段，将磁场产生器移动靠近磁传感器芯片。具体地说，线圈探測器的远端接近磁传感器，以便向磁传感器施加磁�。�从而使用测试探測器来測量磁传感器的输出信号。线圈探測器的远端能够产生具有单向性的磁场。为了检查暴露于具有多方向的外部磁场的磁传感器的输出信号，需要旋转线圈探测器和磁传感器之间的相对定位。PLT 2公开了ー种通过使用与磁传感器接触的探测器卡的磁传感器的检查方法。具体地说，将包括多个线圈的探测器卡与制造磁传感器的晶片接触；向探测器卡的线圈供应电流，以便向磁传感器施加磁�。�从而使用探测器卡来检测磁传感器的输出信号。该技术能够通过改变供应给在探测器卡中包括的多个线圈的电流，来改变施加给磁传感器的磁场的幅度和/或方向。PLT 3公开了一种弱磁场产生器和磁传感器的检查方法,该磁传感器的检查方法不必涉及磁传感器的检查。在此，向地磁承载传感器施加外部磁场，该地磁承载传感器在单个平面上其间具有直角的两个方向上具有灵敏度，然后，向地磁承载传感器供应电信号，从而分析地磁传感器的输出信号。具体地说，该检查方法利用配备有用于布置磁传感器的插座、磁场产生线圈和磁场传感器的基板台，其中，磁场传感器的检测结果被反馈到磁场产生线圈。如上所述，一种有效的方式是集体检查多个磁传感器，而不是毎次单个磁传感器。在该情况下，需要采用大线圈，该大线圈能够产生覆盖包围多个传感器的较大检查区域的磁场。在PLT I和PLT 2中公开的上述技术利用配备有线圈的探測器卡；因此，由于其构造限制而难以放大线圈的尺寸。另外，它们可能经历被产生来覆盖大的检查区域的磁场的局部变化。即，PLT I和PLT 2的上述技术可能在它们的检查结果的精度上变差，因为它们仅控制电流来确定是否使用线圈来产生期望的磁场。
诸如PLT 3的另ー种技术可能是对于这个问题的有效解决方案，因为磁场传感器的检测结果被反馈到磁场产生线圈。然而，该技术需要配备有磁场传感器、插座和磁场产生线圈的单个平台，其中，为了防止对于插座和线圈在它们的定位上的干扰，将磁传感器布置在与插座相対的平台的背侧中。该布置可能未精确地检测影响插座中安装的磁传感器的磁场。即，该技术可能遭受低检查精度。
引用列表专利文献PLT I :日本专利申请公布No. S62-55977PLT 2 :日本专利申请公布No. 2007-57547PLT 3 :日本专利申请公布 No. 2004-15105
发明内容
本发明的目的是提供一种检查装置和一种检查方法，它们能够以高精度集体地检查磁传感器的晶片状阵列。本发明涉及ー种磁传感器检查装置，包括平台，用于在其上安装磁传感器的晶片状阵列，所述平台能够在水平方向和竖直方向上移动；探测器卡，所述探测器卡被定位得与所述平台相对，并且所述探测器卡配备了多个探测器，所述多个探測器与被包围在测量区域中的所述多个磁传感器接触；多个磁场产生线圈，所述多个磁场产生线圈被定位为围绕所述探测器卡和所述平台，以便朝向在所述平台上安装的所述多个磁传感器产生磁场；多个磁场环境测量传感器，所述多个磁场环境測量传感器被布置在围绕所述多个探測器的所述探测器卡的外围部分中；以及，磁场控制器，所述磁场控制器用于基于所述多个磁场环境測量传感器的测量结果来控制由所述多个磁场产生线圈产生的磁场。本发明涉及ー种使用磁传感器检查装置的磁传感器检查方法，所述磁传感器检查装置包括平台、具有多个探测器的探测器卡、围绕所述探测器卡和所述平台的多个磁场产生线圈，以及布置在围绕所述多个探測器的所述探测器卡的外围部分的多个磁场环境测量传感器。具体来说，所述磁传感器检查方法包括以下步骤在所述平台上安装磁传感器的晶片状阵列；在水平方向和/或竖直方向上移动所述平台，以便使得所述多个探測器与所述平台上的所述多个磁传感器接触；驱动所述多个磁场产生线圈，以便朝向所述平台上的所述多个磁传感器产生磁�。换�于所述多个磁场环境测量传感器的測量結果，通过反馈控制来调节由所述多个磁场产生线圈产生的磁�。灰约埃�使用所述探测器卡来同时检查所述多个磁传感器。本发明的特征在于不在所述探测器卡上而是在所述探测器卡的外部布置所述磁场产生线圈，从而产生覆盖包围探測器和它们的外围的较大空间的磁场。随后，所述探测器被集体地使得与磁传感器接触，使得同时在平台上的磁传感器上施加磁场。这使得能够同时使用探测器卡来检查磁传感器。在检查例程中，使用磁场环境測量传感器来測量在探測器卡的测量区域中施加的磁�。�其測量结果被反馈到磁场产生线圈，从而控制磁场产生线圈以精确地产生在測量区域中具有期望強度和期望方向的磁场。水平地和竖直地适当移动平台，使得磁传感器的晶片状阵列与探測器接触。这使得能够连续地检查磁传感器，而没有中断。
另外，本发明其特征在于在探测器卡的外围部分中的磁场环境測量传感器附近布置温度环境测量传感器，其中，所述磁场控制器基于所述温度环境测量传感器的測量结果来校正(或调节)所述磁场环境测量传感器的所述测量结果，从而基于已校正(或调节)测量结果来控制由所述磁场产生线圈产生的磁场。这是因为磁场环境测量传感器的灵敏度可能取决于由于周围环境或检查例程而可能变化或改变的温度而波动。因此，需要基于在测量场中的当前检测的温度来校正(或调节)磁场环境測量传感器的測量結果。这实现了精确的磁测试(或精确的磁检查)，而不受周围的温度或温度相关条件的影响。而且，能够安装温度调节器，温度调节器能够将平台温度调节在期望的温度。这使得能够容易地检查在不同温度下的磁属性的变化。在这一点上，除了温度环境测量传感器的測量结果之外，还可以向磁场控制器反馈平台温度。如上所述，本发明被设计来同时检查磁传感器的晶片状阵列，而不是彼此分离的单独的磁传感器,其中，集体地向磁传感器施加磁�。�以便同时检查多个磁传感器的磁属性。另外，使用在探测器卡中安装的磁场环境测量传感器测量当前在測量区域中施加的磁�。�并且将其反馈到磁场控制器，所述磁场控制器继而控制磁场产生线圈，以精确地产生具·有期望強度和期望方向的期望磁场。因此，能够在检查磁传感器的磁属性时改善检查精度。


将參考下面的附图来更新地描述本发明的这些和其他目的、方面和实施例。图I是根据本发明的一个优选实施例的磁传感器检测装置的透视图。图2是磁传感器检查装置的框图。图3是图示在磁传感器检测装置中包括的探测器卡和平台12之间的位置关系的平面图。图4是探测器卡的前视图。图5是图I的磁传感器检查装置的纵向截面图。图6是使用磁传感器检测装置的磁传感器检测方法的流程图。
具体实施例方式将參考附图通过示例来进ー步详细地描述本发明。图I是根据本发明的优选实施例的磁传感器检测装置I的透视图。使用配备了 6个磁场产生线圈3至8和单个探测器卡9的框2来限定磁传感器检查装置I的整体结构。框2配备了可移动平台12，可移动平台12用于安装传感器集合11，传感器集合11是磁传感器10的晶片状阵列。磁场产生线圈3至8被细分为多对线圈，其中，两个线圈被配对并且被布置为在轴方向上彼此相対。磁场产生线圈3、4被配对，并且附接到框2的左侧和右侧；磁场产生线圈5、6被配对，并且附接到框2的前侧和后侧；磁场产生线圈7、8被配对，并且附接到框2的上侧和下側。即，三对磁场产生线圈3至8被布置在彼此垂直相交的不同轴方向上。以框2将磁传感器检查装置I的整体形状限定为立方体形状。 具体地说，在X轴方向(或在框2的左侧和右侧之间的水平方向)上对准ー对磁场产生线圈3、4 ;在垂直于X轴方向的Y轴方向(或在框2的前侧和后侧之间的前后方向)上对准ー对磁场产生线圈5、6 ;并且,在垂直于X轴方向和Y轴方向的Z轴方向(或在框2的上侧和下侧之间的垂直方向)上对准ー对磁场产生线圈7、8。图I使用虚线示出X轴、Y轴和Z轴方向。三对磁传感器3至8在由X轴、Y轴和Z轴方向组成的三个轴方向上产生它们的磁�。�使得三轴合成磁场被施加到中心位置C，在该位置，磁场产生线圈3至8的轴方向彼此相交。探测器卡9被固定在由磁场产生线圈3至8围绕的框2的空间中的中心位置C处。为了简化图示，图I未示出探测器卡9的固定结构。图2是磁传感器检查装置I的框图。图3是图示在磁传感器检查装置I中的探測器卡(PR0BE)9和平台12之间的位置关系的平面图。图4是探测器卡9的前视图。图5是图I的磁传感器检查装置I的截面图。 如图5中所示，探测器卡9具有印刷布线基板9a，印刷布线基板9a被固定在水平方向上，并且在其背侧上配备了多个探测器13。这些探測器13能够同时与在传感器集合11中包括的并且在晶片上对准的多个磁传感器10中的预定数量的磁传感器10接触，该预定数量的磁传感器10被布置于在平面图中的方形測量区域F中(參见图3)。探測器13从印刷布线基板9a向下突出。在图3至5中，使用相同的附图标记“13”来指定应当同时与单个磁传感器10接触的一组探测器(或探针)；因此，单个探测器卡9包括探測器集合，该探測器集合包括多个探测器13。例如，具有每边长度IOcm的矩形形状的单个探测器卡9配备了 25组探测器13，该25组探测器13可以同时与25个磁传感器10 ( S卩，以由5行磁传感器和5列磁传感器组成的矩阵形式布置的5X5个磁传感器)接触，以便同时检查那些磁传感器10。如图I和图3中所示，探测器卡9被固定到框2，使得沿着包括多个探测器13的探测器集合的四边的中间位置(即，5行的中间位置和5列的中间位置)匹配磁场产生线圈3至8的X轴和Y轴。换句话说，中心位置C(在该位置，磁场产生线圈3至8的轴方向彼此相交)匹配由三组探测器13构成的矩阵的中心(即，矩阵的中心，即第三行第三列)。另夕卜，多个磁场环境测量传感器(MAG FLD) 14至17和多个温度环境测量传感器(TEMP) 18至21被对应地配对，并且被布置在包括多个探测器13的探測器集合的外部的探测器卡9的外围部分中。磁场环境測量传感器14至17每ー个由使用磁阻元件的三个传感器芯片构成，该三个传感器芯片具有在X轴、Y轴和Z轴方向的三轴灵敏度；因此，它们每ー个被限定为在彼此以90度正交的三个轴方向上具有三轴灵敏度的传感器。磁场环境測量传感器14至17依序被通电，以便测量在姆ー个轴方向上的磁场。磁场环境測量传感器14至17被布置于在探测器卡9的外围部分中包括多个探测器13的方形区域的四边上的中间位置处。即，在相对边上的中间位置处布置的ー对磁场环境测量传感器14、15与在X轴方向上产生磁场的一对磁场产生线圈3、4相符地对准,而在其他相对边上的中间位置处布置的一对磁场环境测量传感器16、17与在Y轴方向上产生磁场的一对磁场产生线圈5、6相符地对准。如图3和4中所不,在X轴方向上相对地定位一对磁场环境测量传感器14、15,而在Y轴方向上相对地定位一对磁场环境测量传感器16、17。温度环境测量传感器18至21被定位为接近磁场环境測量传感器14至17。平台12被定位在具有探測器13的探测器卡9下方，其中，包括在晶片上对准的多个磁传感器10的传感器集合11被安装在平台12的上表面上。根据半导体エ艺在晶片的表面上生产磁传感器10，并且使用划片胶带粘附在一起，其中，将磁传感器10在划片胶带上划分为単独的芯片，并且在划片胶带上形成的矩阵中对准，并且其中，它们通过用于每ー个划片胶带的载体仪器(未示出)被紧密地保持在一起。包括通过载体仪器被紧密地保持在一起的多个磁传感器10的传感器集合11被安装在平台12上，并且通过真空吸附被固定在预定位置处。另外，磁传感器检查装置I配备了传送部(未示出)，该传送部能够在X轴、Y轴和Z轴方向上移动平台12。如图2中所示，磁场产生线圈3至8连接到配备了驱动器电源(未示出)的磁场控制器(MAG FLD CONTROLLER) 25。磁场控制器25控制施加到磁场产生线圈3至8的电流或电压，从而控制它们的磁场。探测器卡9连接到测试控制器26，测试控制器26根据预编程的测试过程来依序通电探测器13，以便基于磁传感器10的输出信号来查看它们的检测属性。测试控制器26向磁场控制器25发送关于磁场的量值和方向的指令。基于测试控制器26的指令，磁场控制器25向磁场产生线圈3至8施加驱动电压。基于磁场环境测量传感器14至17的測量結果，磁场控制器25对于向磁场产生线圈3至8施加的驱动电压执行反馈控制。基于在磁场环境測量传感器14至17附近的探测器卡9中安装的温度环境测量·传感器18至21的測量結果，磁场控制器25校正可能取决于周围温度而波动的磁场环境测量传感器14至17的測量結果，以便基于磁场环境测量传感器14至17的校正的測量结果来控制磁场产生线圈3至8的磁强度。平台12的传送部连接到平台控制器27，平台控制器27控制平台12在X轴、Y轴和Z轴方向上的移动。如图4中所示，在平台12内侧嵌入加热介质循环管(HTG MED) 28。温度控制器(TEMP CONTROLLER) 29控制通过加热介质循环管28循环的加热介质的温度，从而将平台12的表面加热到期望的温度。响应于来自测试控制器26的指令，温度控制器29将平台12控制在期望的温度。温度控制器29基于在平台12中嵌入的平台温度传感器30的检测结果或在探测器卡9中安装的温度环境测量传感器18至21的检测结果来进行反馈控制。在图I中，控制箱31在其中封装磁场控制器25、测试控制器26、平台控制器27和温度控制器29。非磁材料选择性地用于磁传感器检查装置I的构成元件，以便不影响经历磁场的磁传感器10的输出信号。例如，探測器13由呈现弹性的磷青铜构成。框2、平台12和载体仪器由钛(Ti)构成。接下来，将描述使用磁传感器检查装置I来检查磁传感器10的磁属性的磁传感器检查方法。多个磁传感器10形成在晶片上，并且已经在由载体紧固地保持在一起的划片胶带上进行划片。在这个状态中，磁传感器10被划分为彼此分离的独立件，并且在划片胶带上以矩阵对准，因此形成传感器集合11。换句话说，传感器集合11是磁传感器10的晶片状阵列。通过參见图6的流程图描述的下面的步骤⑴至(6)，关于传感器集合11 (作为磁传感器10的晶片状阵列)执行用于检查每个单独的磁传感器10的磁属性的检查过程。(I)传感器集合11 (作为磁传感器的晶片状阵列)通过真空吸附被固定在平台12的表面上(步骤SI)。温度控制器29控制加热介质以通过加热介质循环管28循环，使得将平台12的表面温度设置为预定温度Ta (例如，高温)(步骤S2、S3)。温度控制器29基于使用平台温度传感器30检测的平台12的温度来改变加热介质的温度，从而控制平台12的表面温度以匹配预定温度Ta。(2)磁传感器检查装置I的传送部移动平台12使得将探测器卡9的探測器13定位为与同时进行检查的磁传感器10相对(步骤S4)。具体地说，将探測器13定位为相对地面向二十五个磁传感器10 (即在由五行和五列构成的矩阵中对准的磁传感器10)。随后,传送部向上抬起平台12，使得探測器13与磁传感器10接触(步骤S5)。(3)接下来，对于作为磁传感器10的晶片状阵列的传感器集合11进行磁测试(步骤S6)。在从测试控制器26接收到指令吋，磁场控制器25驱动磁场产生线圈3至8，以便在測量区域F(覆盖在传感器集合11中的特定磁传感器10)内产生期望的磁场(即，在X 轴、Y轴和Z轴方向上的复合磁场)。此时，向磁场控制器25反馈磁场环境测量传感器14至17 (在探測器13外部的探测器卡9的外围部分中布置)的測量結果。磁场控制器25将磁场环境測量传感器14至17的測量结果与在来自测试控制器26的指令中包括的预设值作比较，从而适当地驱动磁场产生线圈3至8。另外，温度环境测量传感器18至21(它们与探测器卡9的外围部分中的磁场环境測量传感器14至17井置)測量在与磁传感器10接触的探測器13中当前出现的温度。基于温度环境测量传感器18至21的測量结果，磁场控制器25取决于周围的温度来校正磁场环境測量传感器14至17的灵敏度变化，从而基于校正的测量结果来适当地控制向磁场产生线圈3至8施加的驱动电压。即，磁传感器检查装置I在进行磁测试前查看当前向测量区域F施加的磁场的磁强度是否与指定的磁强度匹配。如果当前的磁强度不匹配指定的磁强度，则磁场控制器25调节施加到磁场产生线圈3至8的电流或电压，从而控制它们的磁场。(4)在确认在预定温度Ta下具有指定磁强度的磁场出现在测量区域F中的预定情况时，测试控制器26通电探测器13，以便对于在测量区域F内包围的磁传感器10的每ー个进行磁测试。(5)在完成对于ー块磁传感器10(即，在由五行和五列构成的矩阵中对准的二十五个磁传感器10)的磁测试时，传送部向下移动平台12，以便释放在探測器13和磁传感器10之间建立的接触。(6)传送部水平地移动平台12以便将探測器13与下ー块磁传感器10相对地定位(步骤S7)。然后，重复地执行上述操作(2)至(5)(步骤S8)。通过重复一系列操作(2)至
(5)，磁传感器检查装置I在预定温度Ta下重复地执行磁测试，同时移动探測器13以同时与每ー个块的磁传感器10接触，从而完成对于磁传感器10的晶片状阵列的磁测试(步骤S7 至 S9)。在完成在预定温度Ta下对于磁传感器10的晶片状阵列的磁测试后，温度控制器29使用另ー个温度Tb (例如，低温)来改变平台12的温度(步骤S10)。然后，磁传感器重复ー系列操作(2)至(6)，以便在温度Tb下对于磁传感器10的晶片状阵列进行磁测试(与步骤S3至S9对应的步骤Sll至S17)。在温度Tb下完成磁测试后，磁传感器检查装置I退出图6的流程图，其中，从平台12移除测试的晶片(包括磁传感器10)(步骤S18)。磁传感器检查方法不必在操作(3)中描述的磁场的反馈控制方面被限制。而是能够如下实现磁场的反馈控制。
在測量区域F上施加的磁场是复合磁�。�其适当地组合使用磁场产生线圈3至8在X轴、Y轴和Z轴方向上产生的磁场。其中每ー个能够测量在三个轴方向上的磁场的磁场环境測量传感器14至17测量组合了轴方向上的磁场的复合磁场。在探测器卡9中安装的四个磁场环境测量传感器14至17中，在X轴方向上对准的两个磁场环境測量传感器14、15产生X轴测量结果，该测量结果被平均以确定在X轴方向上的磁场强度。另外，在Y轴方向上对准的两个磁场环境測量传感器16、17产生Y轴测量结果，该测量结果被平均以确定在Y轴方向上的磁场强度。而且，能够通过平均四个磁场环境测量传感器14至17的測量结果来确定在Z轴方向上的磁场强度。探测器卡9不在Z轴方向上安装磁场环境測量传感器的原因是(a)物理限制，以及(b)难以确定在Z轴方向上的磁场强度，该磁场強度可能在平台12的平面中以及在进行测量的多个芯片之间显著地改变。原因(a)是突出的因素，其中，难以在夹着进行磁测试的晶片的探测器卡9和平台12之间的小空间中另外布置磁场环境测量传感器。然而，考虑到这个因素，其中每ー个由三轴传感器构成的四个磁场环境测量传感器14至17在四个方向上在探测器卡9上对准。这使得能够通过平均四个磁场环境測量传感器14至17的测量结果来实际上测量Z轴磁场強度。磁场控制器25将两个或三个轴方向的测量的磁场强度与在来自测试控制器26的指令中包括的期望值作比较，以便 确定变化，磁场控制器25基于该变化来控制磁场产生线圈3至8以便校正它们的磁场。毎次磁传感器检查装置I的传送部移动平台12以便使得探測器13与磁传感器10的下ー个块接触时，执行反馈控制。假定磁场可以不由于平台12的移动而较大地波动，因为使用非磁材料形成磁传感器检查装置I的构成元件。然而，由于可以与測量区域F分离的电源驱动马达的布置，必需响应于每次平台12从ー个位置移动到另一个时测量的磁场来执行反馈控制。此时，需要基于温度环境测量传感器18至21的測量结果来校正磁场环境測量传感器14至17的測量結果，从而基于校正的关于磁场的测量结果来控制向磁场产生线圈3至8供应的驱动信号。能够使用平台温度传感器30 (嵌入在平台12中)或者在探测器卡9中安装的温度环境测量传感器18至21来确认平台12的温度，其中，温度控制器29响应于来自测试控制器26的指令来控制加热介质通过加热介质循环管28来循环。在此，使用加热介质循环管28和平台温度传感器30的组合或温度环境测量传感器18至21与温度控制器29的组合来形成用于调节平台12的温度的温度调节器。如上所述，磁传感器检查装置I被设计来检查磁传感器10的晶片状阵列，而不是单独的磁传感器10，其中，能够在同时施加在这些磁传感器10的磁场中同时检查多个磁传感器10。这改善了磁传感器的处理方案，从而改善了在制造磁传感器中排除有缺陷者的生产率。在检查过程期间，磁场环境测量传感器14至17 (在探测器卡9中安装)測量在测量区域F上施加的磁�。�以便将其反馈到磁场控制器25。这有助于在测量区域F中精确地产生期望的磁�。�从而改善检查精度。在检查过程期间，基于温度环境测量传感器18至21的測量结果来校正(或调节)可能取决于周围的温度波动的磁场环境測量传感器14至17的測量結果。这使得能够基于校正的測量结果(关于磁场)来精确地控制磁�。灰虼耍�能够以高精度来进行磁测试。如上所述，本发明不必限于本实施例，可以在如所附的权利要求中限定的本发明的范围内进ー步校正本实施例。例如，本实施例在測量区域F周围布置四个磁场环境测量传感器14至17 ;但是这不是限制。能够布置单个磁场环境測量传感器、两个或更多个磁场环境測量传感器。本实施例采用三轴传感器，但是能够使用两轴传感器和一轴传感器的组合。图5示出从探测器卡9垂直突出的探測器13，但是能够 倾斜探測器13，从而探測器13以倾斜角从探测器卡9突出。本实施例被设计为同时检查粘附到划片胶带的多个磁传感器10，但是能够检查不进行划片的晶片，以便磁传感器10不粘附 到划片胶帯。
权利要求
1.一种磁传感器检查装置，包括 平台，所述平台用于在其上安装磁传感器的晶片状阵列，所述平台能够在水平方向和竖直方向上移动； 探测器卡，所述探测器卡被定位为与所述平台相对，并且所述探测器卡配备了多个探测器，所述多个探测器与被包围在测量区域中的所述多个磁传感器接触； 多个磁场产生线圈，所述多个磁场产生线圈被定位为围绕所述探测器卡和所述平台，以便朝向在所述平台上安装的所述多个磁传感器产生磁�。� 多个磁场环境测量传感器，所述多个磁场环境测量传感器被布置在围绕所述多个探测器的所述探测器卡的外围部分中；以及 磁场控制器，所述磁场控制器用于基于所述多个磁场环境测量传感器的测量结果来控制由所述磁场产生线圈产生的磁场。
2.根据权利要求I所述的磁传感器检查装置，进一步包括多个温度环境测量传感器，所述多个温度环境测量传感器被定位为接近所述探测器卡的所述外围部分中的所述多个磁场环境测量传感器，其中，所述磁场控制器基于所述多个温度环境测量传感器的测量结果来校正所述多个磁场环境测量传感器的所述测量结果，从而基于与向所述平台上安装的所述多个磁传感器施加的磁场有关的已校正测量结果来控制由所述磁场产生线圈产生的磁场。
3.根据权利要求2所述的磁传感器检查装置，进一步包括温度调节器，所述温度调节器用于调节所述平台的温度。
4.根据权利要求3所述的磁传感器检查装置，其中，所述温度调节器包括温度控制器；嵌入在所述平台内侧的加热介质循环管；平台温度传感器，所述平台温度传感器嵌入在所述平台内侧并且被布置在包括所述多个磁传感器的所述晶片下方；以及，所述多个温度环境测量传感器，并且其中，所述温度控制器基于由所述平台温度传感器检测的平台温度以及所述多个温度环境测量传感器的测量结果来控制通过所述加热介质循环管进行循环的加热介质。
5.一种磁传感器检查方法,包括 制备磁传感器检查装置，所述磁传感器检查装置包括平台；具有多个探测器的探测器卡；围绕所述平台和所述探测器卡的多个磁场产生线圈；以及，在围绕所述多个探测器的所述探测器卡的外围部分中布置的多个磁场环境测量传感器； 在所述平台上安装磁传感器的晶片状阵列； 在水平方向和/或竖直方向上移动所述平台，以便使得所述多个探测器与所述平台上的所述多个磁传感器接触； 驱动所述多个磁场产生线圈，以便朝向所述平台上的所述多个磁传感器产生磁�。换�于所述多个磁场环境测量传感器的测量结果，通过反馈控制来调节由所述磁场产生线圈产生的磁�。灰约� 使用所述探测器卡来同时检查所述多个磁传感器。
6.根据权利要求5所述的磁传感器检查方法，进一步包括 基于多个温度环境测量传感器的测量结果来校正所述多个磁场环境测量传感器的测量结果，所述多个温度环境测量传感器被定位为接近所述探测器卡的所述外围部分中的所述多个磁场环境测量传感器；以及 基于与向所述平台上安装的所述多个磁传感器施加的磁场有关的已校正测量结果，控制由所述磁场产生线圈产生的磁场。
7.根据权利要求5所述的磁传感器检查方法，进一步包括 测量所述平台的平台温度；以及 控制通过嵌入在所述平台内侧的加热介质循环管进行循环的加热介质，从而将所述平台温度调节在期望的温度。
全文摘要
本发明涉及磁传感器的检查装置和检查方法。磁传感器检查装置具有矩形框，该矩形框包括平台、探测器卡和多个磁场产生线圈。磁传感器的晶片状阵列被安装在平台上，平台能够在水平方向和竖直方向上移动。探测器卡包括多个探测器，多个探测器与在测量区域中包围的多个磁传感器接触。驱动磁场产生线圈来朝向平台产生磁场。多个磁场环境测量传感器被布置在围绕探测器的探测器卡的外围部分中。磁场控制器基于磁场环境测量传感器的测量结果来控制由磁场产生线圈产生的磁场。从而，能够使用探测器卡同时检查磁传感器的晶片状阵列。
文档编号G01R35/00GK102955144SQ20121028244
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月9日 优先权日2011年8月10日
发明者铃木隆嗣 申请人:雅马哈株式会社