专利名称：6英寸半绝缘砷化镓中el2浓度的测量方法
技术领域：
本发明属于半导体材料测量领域，特别涉及到一种直径为6英寸大小半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法。
背景技术：
为了适应大规模和超大规模集成电路发展的需要，对材料质量和表征材料的质量方法都提出了越来越高的要求。所谓半绝缘砷化镓，是指这种材料电阻率为106-109Ωcm，这一特性可以简单地实现器件隔离，而对速度特性影响很�。绕涠杂诟咂涤τ茫刖堤匦苑浅Ｖ匾蛭梢约跣∑骷缘氐募纳缛荩籈L2浓度，是指非掺杂半绝缘砷化镓中的一种缺陷的表示参数，它是砷化镓中砷原子占据镓原子的反位缺陷，可以表示成EL2浓度＝1.25×αEL2×1016cm-3，它是决定材料高阻特性的主要因素。因此要对EL2浓度值进行精确测量，在已知技术中，这种测量基于对它单独制备出专用测量样品。到目前为止，国内外对于6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度测量，试样厚度都有特定的要求，样品厚度为3-5mm，而且需要双面研磨并需机械或化学抛光，这样为测量所进行的一系列工作既浪费材料又浪费时间。
发明内容
需要解决的技术问题是针对在已知技术中，为测量EL2浓度要专门单独制备测量样品，无法避免浪费材料浪费时间等不足之处，为了克服这些不足，就需要重新研究一种无须单独制备测量样品而直接测量EL2浓度，本发明的目的就是提供一种在6英寸直径大小的半绝缘砷化镓中EL2浓度测量方法，本发明的目的是采用以下技术方案来实现的，一种6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度测量方法，其特征在于，该方法按下述步骤操作a.沿6英寸半绝缘砷化镓制品的晶向直接将制品平行解理成一窄条；b.控制窄条宽度为测量时所需厚度，其范围为2-4mm；c.修整所解理的平行面为理想镜面；
d.将测量光源垂直入射进平行的解理平面；e.采用微孔遮挡方式精确调整遮挡光源的光孔，使之能透过正常光束能量20％，即可测量；f.测量光斑为0.2×5mm2，所采用的特定波长激光光束波长范围为1097.2nm-2000nm；g.按照所透过光能的测量参数换算EL2浓度。
所述解理半绝缘砷化镓制品，可采用金刚刀。所述的微孔遮挡方式，是将入射光的全孔用对近红外光不透光的材料遮挡，而成为小的入射光孔。所述测量光束可以采用激光，也可以采用其他光束。
本发明的有益效果，是可以对半导体在线工艺使用的薄6英寸半绝缘砷化镓样品进行直接测量，无须制备专用样品，测量快速方便，经济实用。
图1a、1b为6英寸半绝缘砷化镓制品进行解理示意图。
图2为测量用的入射光反射光与被测窄条位置关系图。
具体实施例方式
参照图1a、1b，表示解理的6英寸半绝缘砷化镓制品示意图，其中1为6英寸半绝缘砷化镓制品，2为解理窄条试样，其窄条试样宽度6，范围为2-4mm，平行解理面为3、4，原始样品厚度为5，将窄条试样的两平行解理面垂直入射光源，7为入射光，8为透射光，按照给定光束波长，测出透射光参数，即可换算出EL2浓度。
权利要求
1.一种6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法，其特征在于，该方法按下述步骤操作a.沿6英寸半绝缘砷化镓制品的晶向直接将制品平行解理成一窄条；b.控制窄条宽度为测量时所需厚度，其范围为2-4mm；c.修整所解理的平行面为理想镜面；d.将测量光源垂直入射进平行的解理平面；e.采用微孔遮挡方式精确调整遮挡光源的光孔，使之能透过正常光束能量20％，即可测量；f.测量光斑为0.2×5mm2，所采用的特定波长激光光束波长范围为1097.2nm-2000nm；g.按照所透过光能的测量参数换算EL2浓度。
2.根据权利要求1所述的EL2浓度测量方法，其特征在于，所述解理半绝缘砷化镓制品，可采用金刚刀。
3.根据权利要求1所述的EL2浓度测量方法，其特征在于，所述测量光束可以采用激光，也可以采用其他光束。
全文摘要
6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度测量方法，属于半导体材料测量领域，按下述步骤操作沿6英寸半绝缘砷化镓制品的晶向直接将制品平行解理成一窄条；其宽度为测量时所需厚度；要求解理平行面为理想镜面；将测量光源垂直入射解理平面；采用微孔遮挡方式调整遮挡光孔，将测量参数换算成EL2浓度。可以对半导体在线工艺使用的薄6英寸半绝缘砷化镓样品进行直接测量，无须制备专用样品，测量快速方便，经济实用。
文档编号G01N1/28GK1769869SQ20041008874
公开日2006年5月10日 申请日期2004年11月2日 优先权日2004年11月2日
发明者何秀坤, 汝琼娜, 李静 申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所
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