亚星游戏官网-www.yaxin868.com

专利名称：磁检测装置的制作方法
技术领域：
本公开涉及一种具有诸如霍尔元件之类的磁电换能器的磁检测装置。
背景技术：
传统上，使用具有诸如霍尔元件之类的磁电换能器的磁检测装置来检测旋转角或线性位移。如在JP-A-2004-004114 (其对应于USP 6，407，503)中公开的那样，磁检测装置包括通过注射成型(injection molding)利用树脂材料模制(mold)的集成电路(IC)器件。该IC器件包括被布置在IC器件内部的IC封装。在该IC封装中，内置了磁电换能器和诸如放大电路之类的处理电路。通过模制IC器件来限定和稳固磁电换能器的位置。当模制IC器件时，通过树脂注射而引起的注射压力被施加到在IC器件内布置的IC封装。因此，IC器件的输出电压的特性可能具有电压波动。
此外，JP-A-2004-198240 (其对应于US 2004/0118227)公开了一种检测器。该检测器是通过下述方式形成的在壳体中模制检测元件，然后在外壳中模制该壳体。在该专利文献中，感测部分作为检测元件起作用，树脂模制的传感器壳体作为壳体起作用，并且树脂模制的连接器壳体作为外壳起作用。壳体和外壳由热塑性树脂构成，并且通过注射成型形成。具体地，通过第一模制来形成壳体。然后，通过第二模制形成覆盖该壳体的外壳。因此，通过在第二模制中产生的热来使壳体和外壳彼此成一整体。因此，在壳体和外壳之间未形成空隙。这一配置可以抑制潮气向检测器的渗透。然而，当通过第一模制形成壳体时，由注射成型引起的注射压力可能被过度地施加到检测元件。类似地，当通过第二模制来形成外壳时，由注射成型引起的注射压力可能经由壳体被过度地施加到检测元件。因此，检测器的输出电压的可靠性可能变差。

发明内容
鉴于上述困难，本公开的一个目的是提供一种磁检测装置，在该磁检测装置中，当通过以注射成型方式形成树脂模制部来限定磁电换能器的位置时，输出电压的特性较不可能波动。本公开的另一个目的是提供一种检测装置和一种该检测装置的制造方法，在该检测装置中，提高了检测元件的输出可靠性。根据本公开的第一方面，一种磁检测装置包括IC器件、壳体和树脂模制部。所述IC器件包括IC封装(IC package)，其具有内置的磁电换能器；以及，从所述IC封装延伸出的多条引线。所述壳体限定所述IC器件的收纳空间。所述树脂模制部被布置在所述壳体的外表面的第一部分上。所述壳体的所述外表面的第一部分与所述壳体的内壁的第一部分对应。所述收纳空间由所述壳体的所述内壁的第二部分限定。所述壳体的所述内壁的第二部分对应于所述壳体的所述外表面的第二部分。所述壳体的所述内壁的第二部分的预定部分被定义为接触区域，所述接触区域与所述IC器件的外表面的预定部分相接触。所述树脂模制部被布置在所述壳体的所述外表面的所述第二部分的预定部分以外的部分，所述壳体的所述外表面的第二部分的预定部分与所述接触区域对应。通过与所述IC封装接触的所述接触区域的位置和所述树脂模制部的位置来确定所述磁电换能器的位置。在上述装置中，当通过注射成型形成所述树脂模制部时，由树脂注射引起的注射压力不被施加到所述IC器件的所述IC封装。因此，当通过以注射成型方式形成所述树脂模制部来限定所述磁电换能器的位置时，所述IC器件的输出电压的特性较不可能波动。根据本公开的第二方面，一种检测装置包括检测元件、壳体、多个端子、盖子和外壳。所述检测元件检测物理量。所述壳体包括底部和沿一个方向从所述底部的外沿延伸出的圆柱部。所述壳体在底部侧上的所述圆柱部内收纳所述检测元件。每一个端子的第一端与所述检测元件耦合，并且每一个端子的第二端延伸到所述壳体的外部。所述盖子覆盖所述圆柱部的开口部，并且模制所述多个端子。所述圆柱部的开口部与所述壳体的底部相对。所述外壳模制所述圆柱部、所述盖子和所述多个端子。在上述装置中，当通过注射成型形成所述外壳时，由所述盖子来抑制所述外壳的树脂材料向所述圆柱部的渗透。因此，抑制了由所述外壳的所述树脂材料产生的注射压力 的施加。因此，提高了所述检测元件的输出可靠性。根据本公开的第三方面，在本公开的第二方面中描述的一种所述检测装置的制造方法包括通过对所述多个端子的第一注射成型来形成所述盖子，所述多个端子被插入所述盖子；将所述多个端子与所述检测元件耦合；在形成所述盖子和将所述多个端子与所述检测元件耦合之后，在所述壳体中插入所述检测元件；利用所述盖子来覆盖所述壳体的所述开口部，所述盖子被插入到所述壳体的所述圆柱部的底部侧；以及，通过对所述圆柱部、所述盖子和所述多个端子的第二注射成型来形成所述外壳，在所述检测元件被插入到所述壳体之后将所述圆柱部、所述盖子和所述多个端子插入所述外壳。在上述方法中，所述第一注射成型中产生的注射压力和所述第二注射成型中产生的注射压力较不可能被施加到所述检测元件。因此，提高了所述检测元件的输出可靠性。


通过参考附图进行的下面的详细描述，本公开的上述和其他目的、特征和优点将变得更清楚。在附图中图IA和图IB是分别示出根据第一实施例的磁检测装置的平面视图和侧视图的图；图2A和图2B是分别示出根据第一实施例的、被去除了树脂模制部的磁检测装置的平面截面图和侧视截面图的图；图3A是示出根据第一实施例的磁检测装置的一部分的平面截面图的图，图3B是示出沿着图3A中的线IIIB-IIIB截取的截面图的图，并且图3C是示出沿着图3B中的线IIIC-IIIC截取的截面图的图；图4A是示出根据第二实施例的磁检测装置的一部分的平面截面图的图，图4B是示出沿着图4A中的线IVB-IVB截取的截面图的图，图4C是示出在图4A中从IVC方向看到的侧视图的图，并且图4D是示出在延伸端子和盖之间的接合的图；图5A是示出根据第三实施例的磁检测装置的子总成的侧视图的图，并且图5B是示出被去除了树脂模制部的图5A中的磁检测装置的侧视截面图的图；图6是示出根据第四实施例的磁检测装置的截面图的图7是示出根据第五实施例的磁检测装置的截面图的图；图8是示出根据第六实施例的检测装置的截面图的图；图9是示出根据第六实施例的检测装置的制造过程的透视图的图；图10是示出根据第六实施例的检测装置的制造过程的透视图的图；图11是示出根据第六实施例的检测装置的制造过程的透视图的图；图12是示出根据第六实施例的检测装置的制造过程的透视图的图；图13是示出根据第六实施例的检测装置的制造过程的透视图的图；图14是示出根据第六实施例的检测装置的透视图的
图15是示出根据第六实施例的检测装置的制造过程的流程图； 图16是示出根据第七实施例的检测装置的截面图的图；以及图17是示出根据第七实施例的检测装置的制造过程的流程图。
具体实施例方式根据第一实施例的磁检测装置包括集成电路(IC)器件和壳体。该IC器件具有IC封装，其中内置了磁电换能器；以及从IC封装延伸出的引线。此外，壳体具有通过注射成型在壳体的外表面的第一部分上形成的树脂模制部。壳体的外表面的第一部分与壳体的内壁的第一部分对应。由壳体的内壁的第二部分限定壳体的内部空间来用于收纳IC器件。壳体的内壁的第二部分的预定部分与IC器件的外表面的一部分相接触，并且该预定部分被定义为接触区域。将树脂模制部布置在壳体的外表面的第二部分的预定部分以外的部分，该壳体的外表面的第二部分的预定部分与接触区域对应。在这一配置下，通过下述方式来限定磁电换能器的位置将IC封装与接触区域相接触，并且在壳体的外表面的第一部分上形成树脂模制部。而且，壳体在壳体的外表面的第一部分的预定部分上具有法兰形状的突出部。围绕收纳空间沿径向向外方向延伸地形成该突出部。将该突出部与树脂模制部熔接。IC封装被构成接触区域的子接触区域夹着，以被保持在预定位置处。磁检测装置还具有延伸端子，IC器件的各个引线与延伸端子电气耦合。在相邻的两个延伸端子之间，安装了电容器。使用被注射到收纳空间的灌封材料密封该电容器。在根据第二实施例的磁检测装置中，壳体具有用于在收纳空间中收纳IC器件的开口部。开口部被盖覆盖，并且该盖具有与延伸端子对应的通孔。延伸端子中的一个具有限位器以限定盖的位置。该盖通过限位器与延伸端子中的所述一个接合，并且该盖通过热堵缝与壳体成一整体。因此，盖覆盖壳体的开口部。根据第三实施例的磁检测装置包括具有插入部件的子总成。该插入部件包括除了IC封装之外的IC器件、延伸端子和电容器，它们通过注射成型而被整体模制在一起。该子总成被收纳在壳体中，并且然后，树脂I旲制部形成。[第一实施例]将参考图IA至图3C来描述根据第一实施例的磁检测装置1(以下称为检测装置)。例如，检测装置I包括诸如霍尔元件之类的磁电换能器(未示出);以及，诸如永磁体之类的磁通发生器(未不出)。当磁通发生器围绕磁电换能器相对旋转或移动以具有相对于磁电换能器的线性位移时，由磁通发生器产生的磁场在变化。检测装置I通过将磁通发生器与磁电换能器组合来检测旋转角或线性位移。即，利用磁电换能器的功能，检测装置检测与磁通发生器的旋转角或线性位移对应的磁通量，并且产生与所检测的磁通量对应的电压。如图2A中所示，检测装置I包括IC器件2、壳体3和树脂模制部4。IC器件2包括磁电换能器，并且被收纳在壳体3中。树脂模制部4通过注射成型在壳体3的外表面的第一部分上形成。通过下述方式来限定磁电换能器的位置将IC器件2收纳在壳体3中，并且在壳体3的外表面的第一部分上形成树脂模制部4。壳体3的外表面的第一部分与壳体3的内壁的第一部分对应。如图2A和图2B中所示，IC器件2包括其中内置了磁电换能器的IC封装5 ;以及，从IC封装5延伸出的引线6。如图3C中所示，通过下述方式来配置IC封装5 :利用诸如环氧树脂之类的树脂材料来模制半导体基板7，在半导体基板7上安装磁电换能器和其他部件。引线6用于将安装在半导体基板7上的部件与外部部件(未示出)电气耦合。
IC封装5具有与半导体基板7大体相同的平面方向，并且大体为正方形的板状。引线6从包括正方形的端侧的侧表面垂直地突出。具体地，如图3A中所示，存在从IC封装5突出的三条引线6。该三条引线6包括引线6A，其用于输出由磁电换能器产生的电压；引线6B，其用于向磁电换能器提供电源(未示出);以及引线6C，其用于将磁电换能器与地电气率禹合。如图3A中所示，在壳体3中，用于IC器件2的收纳空间9由壳体3的内壁的第二部分限定。壳体3的内壁的第二部分与壳体3的外表面的第二部分对应。通过注射成型由树脂制成壳体3。收纳空间9包括用于收纳IC封装5的第一收纳空间9A以及从第一收纳空间9A延伸出的第二收纳空间9B。第一收纳空间9A被布置在壳体3的前端侧，并且第二收纳空间9B延伸到壳体3的尾端侧，与第一收纳空间9A连接。第一收纳空间9A的前端侧被壳体3阻挡。在第二收纳空间9B的尾端侧上，由壳体3限定用于在收纳空间9中收纳IC器件2的开口部10。定义坐标系来描述内置在IC封装5中的磁电换能器在第一收纳空间9A中的位置状态。在该坐标系中，将X轴定义在从壳体3的前端侧向壳体3的尾端侧的方向；将y轴定义在垂直于X轴并且与IC封装5的宽表面平行的方向；并且，将z轴定义在与X轴和y轴垂直并且垂直地穿透IC封装5的宽表面的方向。此外，如图2A至3C中所示的那样定义X轴的第一端侧和第二端侧、y轴的第一端侧和第二端侧以及z轴的第一端侧和第二端侧。将参考该坐标系来描述IC封装5的形状。如图3A中所示，IC封装5具有从z轴方向看大体正方形的形状。如图3C中所示，IC封装5具有在从X轴方向看在y轴方向上延伸的板状六方柱的形状。此外，IC封装5中在y轴的第一端侧上的部分具有IC封装5中在I轴的第二端侧上的部分的镜像。S卩，在X轴方向上的第一端表面Xa和第二端表面Xb具有六角形形状，该形状在y轴方向上具有较大的宽度。第一端表面Xa的第一端侧和第一端表面Xa的第二端侧在y轴上具有镜像。类似地，第二端表面Xb的第一端侧和第二端表面Xb的第二端侧在I轴上具有镜像。在下文中，第一端表面Xa也被称为前端表面Xa，并且第二端表面Xb也被称为尾端表面Xb。此外，如图3A中所示，在z轴方向上的第一端表面Za具有垂直于z轴的正方形形状，并且在z轴方向上的第二端表面Zb具有垂直于z轴的四边形形状。第二端表面Zb在X轴方向上具有与第一端表面Za的宽度相等的宽度,并且第二端表面Zb在y轴方向上具有比第一端表面Za的宽度小的宽度。此外,如图3B和图3C中所不，IC封装5在y轴方向上的第一端表面Ya包括第一垂直子表面Yal和第一倾斜子表面Ya2。第一垂直子表面Yal垂直于第一端表面Za,并且在X轴方向上具有较大的宽度。第一倾斜子表面Ya2与第一垂直子表面Yal和第二端表面Zb连接。与第一端表面Ya类似，IC封装5在y轴方向上的第二端表面Yb包括第二垂直子表面Ybl和第二倾斜子表面Yb2。在壳体3中,第一收纳空间9A被壳体3限定得具有稍后描述的形状。限定第一收纳空间9A的形状，以便支撑IC封装5并且限定具有上述形状的IC封装5的位置。在X轴方向上，第一收纳空间9A的一端由壳体3的内壁Xin限定和阻挡。壳体3的内壁Xin的大部分与IC封装5的前端表面Xa接触。S卩，内壁Xin的大部分限定与IC封装5的前端表面Xa接触的子接触区域LO。
第一收纳空间9A在y轴方向上具有比IC封装5的长度略大的长度。在y轴方向上，第一收纳空间9A的第一端由壳体3的内壁Yain限定和阻挡。在内壁Yain和第一垂直子表面Yal、第一倾斜子表面Ya2之间限定空间llYa。类似地，第一收纳空间9A的第二端由壳体3的内壁Ybin限定和阻挡，并且在内壁Ybin和第二垂直子表面Ybl、第二倾斜子表面Yb2之间限定空间llYb。在z轴方向上,第一收纳空间9A的第一端由壳体3的内壁Zain限定和阻挡。内壁Zain具有浅凹陷部12A，该浅凹陷部12A在y轴方向上具有相对大的宽度。因此，IC封装5的第一端表面Za在y轴方向上与内壁Zain在内壁Zain的第一端侧和第二端侧上接触。因此，空间IlZa由内壁Zain的第一端侧和第二端侧以及该凹陷部12A的底表面限定。BP,内壁Zain与IC封装5的第一端表面Za在两个分离的子接触区域LI和L2处相接触。子接触区域LI是第一端表面Za的第一端侧与内壁Zain接触所在的区域。子接触区域L2是第一端表面Za的第二端侧与内壁Zain接触所在的区域。类似地，在z轴方向上，第一收纳空间9A的第二端由壳体3的内壁Zbin限定和阻挡。内壁Zbin具有浅凹陷部12B，浅凹陷部12B在y轴方向上具有相对大的宽度。因此，IC封装5的第二端表面Zb在y轴方向上与内壁Zbin在内壁Zbin的第一端侧和第二端侧上接触。因此，空间IlZb由内壁Zbin的第一端侧和第二端侧以及该凹陷部12B的底表面限定。即，内壁Zbin与IC封装5的第二端表面Zb在两个分离的子接触区域L3和L4处相接触。子接触区域L3是第二端表面Zb的第一端侧与内壁Zbin接触所在的区域。子接触区域L4是第二端表面Zb的第二端侧与内壁Zbin接触所在的区域。该凹陷部12A在y轴方向上具有比凹陷部12B大的宽度。因此，子接触区域L3和L4在y轴方向上位于子接触区域LI和L2之间。子接触区域LI和L3彼此分离，并且限定空间llYa。IC封装5在y轴方向上的第一端侧在z轴方向上被子接触区域LI和L3夹着和支撑。类似地，子接触区域L2和L4彼此分离，并且限定空间llYb。IC封装5在y轴方向上的第二端侧在z轴方向上被子接触区域L2和L4夹着和支撑。内置在IC封装5中的半导体基板7在y轴方向上位于子接触区域L3和L4之间。即，在由子接触区域LI和L3夹着的部分和由子接触区域L2和L4夹着的部分以外布置半导体基板7。引线6A至6C从尾端表面Xb突出，并且延伸到第一收纳空间9A。此外，引线6A至6C在X轴的第二端侧方向上穿透第一收纳空间9A，并且延伸到第二收纳空间9B。引线6A至6C与第二收纳空间9B中的延伸端子13A至13C的各个第一端熔接。此外，通过焊接在延伸端子13A和延伸端子13C之间耦合用于噪声抑制的电容器14。类似地，通过焊接在延伸端子13B和延伸端子13C之间耦合用于噪声抑制的电容器14。在第二收纳空间9B中收纳这两个电容器14。然后，向第二收纳空间9B注射诸如环氧树脂之类的灌封材料，并且，利用该灌封材料来密封电容器14。此外，壳体3在壳体3的外表面的第一部分的预定部分上具有法兰形状的突出部16。具体地，壳体3的外表面的第一部分的预定部分与由第二收纳空间9B限定的开口部10对应。在下文中，壳体3的外表面也被称为外表面17。此外,突出部16沿径向向外方向延伸地形成于收纳空间9周围。突出部16与树脂模制部4熔接。延伸端子13A至13C的第二端在X轴的第二端侧方向上穿透第二收纳空间9B，并且与连接器端子19A至19C的各个第一端熔接。耦合到检测装置I的连接器18包括连接器端子19A至19C以及树脂模制部4的一部分。通过注射成型形成树脂模制部4，并且树脂模制部4由诸如聚烯烃、聚酰胺或聚酯 之类的热塑性树脂构成。外表面17中位于树脂模制部4和壳体3之间的部分被定义为边界区域20。具体地，边界区域20被布置在外表面17在X轴方向上的第二端侧上。更具体地，边界区域20的第一端在X轴方向上被限定在引线6A至6C和延伸端子13A至13C分别熔接的熔接部分与电容器14的焊接部分之间。边界区域20的第二端在X轴方向上被定义为关出部16。在上述配置下，树脂模制部4形成在外表面17中与子接触区域LO至L4对应的预定部分以外。在该实施例中，接触区域包括子接触区域LO至L4。此外，通过下述方式来限定磁电换能器的位置将IC封装5与子接触区域LO至L4接触，并且在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。根据第一实施例的检测装置I包括IC器件2和壳体3。IC器件2还包括其中内置了磁电换能器的IC封装5和从IC封装5延伸出的引线6A至6C。壳体3限定用于收纳IC器件2的收纳空间9。此外，通过注射成型在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。由壳体3的内壁限定收纳空间9。该内壁还限定IC封装5所接触的子接触区域LO至L4。树脂模制部4形成在外表面17与子接触区域LO至L4对应的预定部分以外。通过下述方式来限定磁电换能器的位置将IC封装5与子接触区域LO至L4接触，并且在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。在上述配置下，当通过注射成型形成树脂模制部4时，由树脂注射引起的注射压力不被施加到IC器件2的IC封装5，并且磁电换能器的位置被限定。因此，当通过以注射成型方式形成树脂模制部4来限定磁电换能器的位置时，IC器件2的输出电压的特性较不可能波动。此外，壳体3在外表面17的另一预定部分上具有法兰形状的突出部16。突出部16沿径向向外方向延伸地形成于收纳空间9周围，并且与树脂模制部4熔接。当在壳体3的外表面17与树脂模制部4之间形成边界区域的情况下，外来的流体可以流向边界区域。考虑到该情况，法兰形状的突出部16在外表面17的另一预定部分上形成于收纳空间9周围，并且与树脂模制部4熔接。在上述配置下，经由边界区域到达收纳空间9的流体流动路径被突出部16与树脂模制部4的熔接部分阻挡。因此，外来的流体较不可能经由边界区域流向收纳空间9。此外，IC封装5在y轴方向上的第一端侧被子接触区域LI和L3夹着和支撑。IC封装5在y轴方向上的第二端侧被子接触区域L2和L4夹着和支撑。在IC封装5中内置的半导体基板7在y轴方向上位于子接触区域L3和L4之间。即，半导体基板7位于由子接触区域LI和L3夹着的部分和由子接触区域L2和L4夹着的部分以外。在上述配置下，因为IC封装5未被夹在 子接触区域LI和L3之间以及子接触区域L2和L4之间，所以IC器件2的输出电压的特性较不可能被通过夹在子接触区域LI和L3之间以及子接触区域L2和L4之间而产生的压力影响。因此，IC器件2的输出电压的特性较不可能被影响，并且更稳定地限定磁电换能器的位置。引线6A至6C在收纳空间9的第二收纳空间9B中分别与延伸端子13A至13C电气耦合。向收纳空间9注射灌封材料。因此，限定延伸端子13A至13C的位置。此外，电容器14中的一个被耦合在延伸端子13A和延伸端子13C之间，并且电容器14中的另一个被耦合在延伸端子13B和延伸端子13C之间。利用灌封材料来密封这两个电容器14。因此，限定了电容器14的位置。[第二实施例]将参考图4A至图4D来描述根据第二实施例的检测装置I。在根据第二实施例的检测装置I中，壳体3的开口部10被盖22覆盖。盖22可以例如由与壳体3的树脂材料类似的树脂材料构成。盖22具有与延伸端子13A至13C对应的三个通孔23。延伸端子13A至13C分别穿透各个通孔23。此外，延伸端子13C具有限位器24以当延伸端子13A至13C穿透通孔23时与盖22接合。在盖22通过限位器24与延伸端子13C接合之后，通过热堵缝使盖22与壳体3成一整体，以覆盖壳体3的开口部10。壳体3在X轴方向上在突出部16的第二端侧处具有热堵缝部分25。通过在热堵缝部分25处执行热堵缝来使盖22与壳体3成一整体。因此，通过下述方式来限定延伸端子13A至13C的位置使盖22与壳体3成一整体，而不向收纳空间9注射灌封材料。[第三实施例]将参考图5A和图5B来描述根据第三实施例的检测装置I。根据第三实施例的检测装置I包括子总成27，子总成27包括插入部件26。插入部件26包括除了 IC封装5之外的IC器件2、延伸端子13A至13C和电容器14，它们通过注射成型而被整体模制。子总成27被收纳在壳体3的收纳空间9中，并且然后，在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。在上述配置下，延伸端子13A至13C的位置以及电容器14的位置被初步限定并且稳固在子总成27中。然后，在壳体3中收纳子总成27，使得IC封装5与子接触区域LO至L4接触。然后，在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。因此，IC器件2的输出电压的特性较不可能波动，并且，通过初步限定延伸端子13A至13C的位置以及电容器14的位置来稳固延伸端子13A至13C以及电容器14。[第四实施例]将参考图6来描述根据第四实施例的检测装置I。在根据第四实施例的检测装置I中，内壁Yain与IC封装5的第一垂直子表面Yal接触。因此，子接触区域LI被放大。具体地，子接触区域LI包括与内壁Zain接触的第一区域和与内壁Yain接触的第二区域。类似地，内壁Ybin与IC封装5的第二垂直子表面Ybl接触。因此，子接触区域L2被放大。具体地，子接触区域L2包括与内壁Zain接触的第一区域和与内壁Ybin接触的第二区域。在该实施例中，接触区域包括子接触区域LO、L3、L4和被放大的子接触区域LI、L2。[第五实施例]将参考图7来描述根据第五实施例的检测装置I。在根据第五实施例的检测装置I中，不在IC封装5的第一端表面Ya上形成第一倾斜子表面Ya2。因此，与第一端表面Ya相等的第一垂直子表面Yal向z轴的第二端侧方向延伸。因此，整个内壁Yain被限定为子接触区域L5。即，根据第五实施例的检测装置I包括连接的子接触区域L5，而不是在第一实施例和第四实施例中描述的分离的子接触区域LI和L3。类似地，不在IC封装5的第二端表面Yb上形成第二倾斜子表面Yb2。因此，与第一端表面Yb相等的第二垂直子表面Ybl 向z轴的第二端侧方向延伸。因此，整个内壁Ybin被限定为子接触区域L6。S卩，根据第五实施例的检测装置I包括连接的子接触区域L6，而不是在第一实施和第四实施例中描述的分离的子接触区域L2和L4。因此，在该实施例中，接触区域包括子接触区域LO、L5和L6。在上述配置下，IC封装5在y轴方向上的第一端侧在z轴方向上被子接触区域L5夹着和支撑。类似地，IC封装5在y轴方向上的第二端侧在z轴方向上被子接触区域L6夹着和支撑。[变型]检测装置I的配置不限于上述实施例。将描述上述实施例的变型。在上述实施例中，通过下述方式来限定磁电换能器的位置将IC封装5与子接触区域LO至L4接触，并且在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。可替代地，通过下述方式来限定磁电换能器的位置仅将IC封装5的前端表面Xa与壳体3的子接触区域LO接触，并且在壳体3的外表面17的第一部分上形成树脂模制部4。此外，IC封装5可以被形成为具有不同的形状，或者不同地限定接触区域，使得当IC封装5被子接触区域夹着时IC器件2的输出电压的特性较不可能被影响。在上述实施例中，IC封装5具有正方形的板状，并且引线6A至6C仅从与该正方形的四个端侧之一连接的尾端表面Xb垂直地突出。可替代地，IC封装5可以具有棱柱形状，并且引线6A至6C可以在不同方向上从IC封装5的一个或多于一个的表面突出。在上述实施例中，IC封装的第二端表面Zb在y轴方向的宽度上比第一端表面Za小。可替代地，IC封装的第二端表面Zb在y轴方向的宽度上可以比第一端表面Za大。在上述实施例中，将引线6A至6C如下地限定。引线6A用于输出由磁电换能器产生的电压，引线6B用于向磁电换能器提供电源，并且引线6C用于将磁电换能器与地电气耦合。可替代地，可以以与上述配置不同的方式来限定引线6A至6C。[第六实施例]将参考图8至图15来描述根据第六实施例的检测装置101。根据第六实施例的检测装置101被附接在汽车(未示出)的传动装置上，并且用于检测冲程运动。汽车的传动装置包括接合构件，该接合构件包括磁路。检测装置101检测随着接合构件的移动而改变的磁场。检测装置101向电子控制单元(ECU)输出与所检测的磁场对应的信号。ECU根据来自检测装置101的所接收的信号来检测接合构件的位置。如图8中所示，检测装置101包括作为检测元件的霍尔IC器件110、端子120、盖子130、壳体140和外壳150。霍尔IC器件110包括霍尔元件、集成电路封装(IC封装)、三条引线111和树脂模制部112。在附图中未示出该霍尔元件和该IC封装。在图8和图11中示出三条引线111和树脂模制部112。霍尔元件根据霍尔效应来检测磁场。集成电路处理从霍尔元件输出的信号。三条引线111与该集成电路耦合。树脂模制部112利用树脂材料来模制霍尔元件、集成电路封装和三条引线111。霍尔IC器件110的输出电压根据磁场的改变而变化。如图8和图9所示，三个端子120由导电材料制成。每一个端子120的第一端与霍尔IC器件110的对应引线111耦合，通过例如熔接的方式。每一个端子120的第二端延伸到壳体140的外部。在下文中，霍尔IC器件110所位于的端侧被定义为检测装置101的第一端侧。与霍尔IC器件110相对的另一端侧被定义为检测装置101的第二端侧。相应地，指向第一端侧的方向被定义为第一端侧方向，并且指向第二端侧的方向被定义为第二端侧方向。如图8和图10所示，盖子130由热塑性树脂或热固性树脂制成，并且端子120的每 一个都部分地被盖子130模制。盖子130包括接触部131、延伸部132、保护部133和固定部134。接触部131具有盘的形状。延伸部132在第一端侧方向上沿着端子120从接触部131向霍尔IC器件110延伸。保护部133在第二端侧方向上沿着端子120从接触部131向霍尔IC器件110的相对侧延伸。固定部134大体与保护部133和接触部131垂直地形成。端子120的每一个在端子厚度方向上在一个宽侧上从延伸部132显露出。端子厚度方向被定义为垂直地从每一个端子120的一个宽表面向另一个宽表面穿透的方向。如图8和图11所示，端子120所显露的表面配备了两个电容器160以用于噪声抑制。如图8和图12所示，壳体140由热塑性树脂制成，并且包括底部141和圆柱部142，圆柱部142在第二端侧方向上从底部141的外沿延伸出。圆柱部142还包括小直径部143、台阶部144和大直径部145，它们在第二端侧方向上以上述顺序排列。由小直径部143限定用于霍尔IC器件110的收纳空间146。霍尔IC器件110的厚度大体等于收纳空间146的内部宽度。第一空间170被限定在霍尔IC器件110和底部141之间。第二空间171被限定在霍尔IC器件110和盖子130之间。在相对于底部141的小直径部143的相对侧上布置大直径部145，并且大直径部145在直径上比小直径部143大。大直径部145具有突出部147，突出部147在大直径部145的外表面周围沿径向向外的方向延伸。当通过注射成型形成外壳150时，突出部147熔化并且与外壳150成一整体。盖子130的接触部131被插入壳体140的大直径部145，保护部133和固定部134可以与大直径部145的内壁接触。连接小直径部143与大直径部145的阶梯部144与接触部131的第一端表面接触。接触部131的第一端表面被定义为接触部13在第一端侧上布置的端表面，并且接触部131的第二端表面被定义为接触部13在第二端侧上布置的端表面。通过该配置，壳体140被盖子130覆盖。在大直径部145上，在径向上限定通孔148。通孔148与在盖子130的固定部134上形成的限位器137接合。台阶部144具有突出部149，突出部149从台阶部144在第二端侧方向上突出。盖子130具有凹陷部135，凹陷部135从盖子130的内底表面在第二端侧方向上凹陷。台阶部144的突出部149与盖子130的凹陷部135接合，从而在圆周方向上限定盖子130的位置。因此，恰当地使用盖子130来装配壳体140。如图8和图13所示，外壳150由热塑性树脂制成，并且包括主体151、法兰部152和连接器153。通过利用树脂材料模制圆柱部142、大直径部145、盖子130和端子120来配置主体151。如图8和图14所示，主体151具有在主体151的外表面周围的凹陷部154。0形环构件155被粘到该凹陷部154。法兰部152从主体151向径向向外的方向延伸。通过法兰部152限定安装孔156，并且安装孔156使得检测装置101能够被安装在传动装置(未示出)的配置构件上。端子120在连接器153的内部空间中向外显露。利用外部端子(未示出)来安装连接器153。因此，来自霍尔IC器件110的输出信号经由从连接器153显露出的端子120被发送到车载E⑶。将参考图15和图10至14所示的流程图来描述检测装置101的制造方法。在下文中，“S”表示步骤，并且例如，“步骤SI”将被称为“SI”。如图10所示，在SI，作为第一模制过程，通过注射成型来形成盖子130，并且端子120被插入盖子130。在SI，限定三个端子120的位置。如图11所示，在S2，作为连接过程，将端子120的第一端与霍尔IC器件110的引线111熔接，以便连接端子120和引线111。在S3，作为电子部件耦合过程，通过焊合 将电容器160耦合到端子120。如图8和图12所示，在S4，作为插入过程，霍尔IC器件110被插入壳体140的收纳空间146。此外，盖子130的接触部131被插入壳体140的大直径部145，并且壳体140的台阶部144与接触部131的第一端表面接触。此时，壳体140的突出部149与盖子130的凹陷部135接合，并且盖子130的限位器137与通孔148接合，通过壳体140的大直径部145来限定该通孔148。通过该配置，通过盖子130来覆盖壳体140的开口部。如图8和图13所示，在S5，作为第二模制过程，通过注射成型来形成外壳150，并且圆柱部142、盖子130和端子120被插入到外壳150。当执行注射成型时，由用于形成外壳150的树脂注射引起的注射压力被施加到盖子130的接触部131的第二端表面。相应地，位于第一端侧处的接触部131的底部压迫台阶部144。因此，接触部131的第一端表面以防潮的方式与台阶部144紧密接触。因此，上述配置抑制了外壳150的树脂材料渗透到壳体140中。如图14所示，在对外壳150进行模制之后，0形环构件155被粘到主体151。然后，执行性能检验和外观检验，并且完成检测装置101的制造。根据第六实施例的检测装置101提供了下面的优点(I)在本实施例中，形成盖子130，并且然后，将霍尔IC器件110与端子120耦合。当形成盖子130时，通过盖子130的树脂材料来产生注射压力。因此，在第一模制过程中，抑制了注射压力向霍尔IC器件110的施加。因此，提高了霍尔IC器件110的输出可靠性。(2)在本实施例中，在第二模制过程中，盖子130抑制外壳150的树脂材料向圆柱部142的渗透。当形成外壳150时，通过外壳150的树脂材料来产生注射压力。因此，在第二模制过程中，抑制注射压力向霍尔IC器件110的施加。(3)在本实施例中，由用于形成外壳150的树脂注射引起的注射压力被施加到盖子130的接触部131。相应地，接触部131压迫壳体140的台阶部144。因此，接触部131以防潮方式与台阶部144紧密接触。因此，毫无疑义地抑制外壳150的树脂材料向壳体140的渗透。(4)在本实施例中，由盖子130和霍尔IC器件110来限定限位器137，并且由底部141和霍尔IC器件110来限定第二空间171。通过该配置，在插入过程和第二模制过程中，第一空间170和第二空间171保护霍尔IC器件110，并且霍尔IC器件110不受到外部的压力。因此，提高了检测元件的输出可靠性。(5)在本实施例中，当通过注射成型来形成外壳150时，在壳体的外表面上形成的突出部147熔化并且与外壳150成一整体。因此，抑制了潮气向壳体140的渗透。(6)在本实施例中，通过盖子130的延伸部132来模制端子120。因此，限定三个端子120的位置，由此将电容器160容易地与端子120耦合。[第七实施例]将参考图16和图17来描述根据第七实施例的检测装置101。如图16所示，在根据第七实施例的检测装置101中，电容器160被盖子130的延伸部132模制。端子120从第一端侧上的延伸部132显露出。将参考在图17所示的流程图来描述根据第七实施例的检测装置101的制造方法。首先，作为电子部件耦合过程S3，诸如电容器160之类的电子部 件被耦合到端子120。然后，作为第一模制过程(SI)，通过注射成型来形成盖子130，并且端子120和诸如电容器160之类的电子部件被插入盖子130。然后，执行与第六实施例中描述的过程类似的S2、S4和S5。在根据第七实施例的检测装置101中，因为通过盖子130密封诸如电容器160之类的电子部件，所以抑制了潮气向电容器160的渗透。电子部件可以包括电容器、电阻器、线圈和IC器件。[其他实施例]在第六实施例和第七实施例中，将检测装置描述为用于检测冲程运动。可替代地，检测装置可以用于检测诸如温度、加速度或角速度之类的各种物理量。例如，当检测装置被用作温度检测装置时，检测元件可以是热敏电阻。当检测装置被用作磁检测装置时，检测元件可以是磁阻元件。当检测装置被用作加速度或角速度检测装置时，检测元件可以是可移动构件，该可移动构件根据加速度或角速度来移动。虽然已经参考本公开的优选实施例描述了本公开，但是应当理解的是，本公开不限于该优选实施例和构造。本公开旨在覆盖各种变型和等同布置。另外，除了优选的各种组合和配置之外，包括更多、更少或仅单个元件的其他组合和配置也处于本公开的精神和范围内。
权利要求
1.一种磁检测装置(I)，包括 IC器件(2)，其包括IC封装(5)和从所述IC封装(5)延伸出的多条引线(6A至6C)，所述IC封装包括内置的磁电换能器； 壳体(3)，其限定所述IC器件(2)的收纳空间(9);以及 树脂模制部(4)，其被布置在所述壳体(3)的外表面(17)的第一部分上，所述壳体(3)的所述外表面(17)的第一部分与所述壳体(3)的内壁的第一部分对应， 其中，所述收纳空间(9)由所述壳体(3)的所述内壁的第二部分限定，所述壳体(3)的所述内壁的第二部分与所述壳体(3)的所述外表面(17)的第二部分对应， 其中，所述壳体(3)的所述内壁的第二部分的预定部分被定义为接触区域(LO至L6)，所述接触区域(L0至L6)与所述IC器件(2)的外表面的预定部分相接触， 其中，所述树脂模制部(4)被布置在所述壳体(3)的所述外表面(17)的第二部分的预定部分以外的部分，所述壳体(3)的所述外表面(17)的第二部分的预定部分与所述接触区域(L0至L6)对应，并且 其中，通过所述树脂模制部(4)的位置以及与所述IC封装(5)接触的所述接触区域(L0至L6)的位置来确定所述磁电换能器的位置。
2.根据权利要求I所述的磁检测装置(I)，还包括 法兰形状的突出部(16)，其从所述壳体(3)的所述外表面(17)的第一部分的预定部分沿径向向外的方向延伸，所述法兰形状的突出部(16)具有环状并且围绕所述收纳空间(9)， 其中，所述法兰形状的突出部(16)与所述树脂模制部(4)成一整体。
3.根据权利要求I所述的磁检测装置(1)，其中 所述IC封装(5)被所述接触区域(L0至L6)夹着和支撑。
4.根据权利要求I至3中的任一项所述的磁检测装置(I)，还包括 多个延伸端子(13A至13C)，其在所述收纳空间(9)中分别与所述多条引线(6A至6C)电气I禹合， 其中，所述收纳空间(9)被填充有灌封材料。
5.根据权利要求4所述的磁检测装置(I)，还包括 电容器(14)，其被耦合在两个相邻的延伸端子(13A至13C)之间， 其中，所述电容器(14 )被所述收纳空间(9 )中的所述灌封材料密封。
6.根据权利要求5所述的磁检测装置(I)，还包括 多个延伸端子(13A至13C)，其在所述收纳空间(9)中分别与所述多条引线(6A至6C)电气I禹合， 其中，所述壳体(3)限定开口部(10)，以便在所述收纳空间(9)中容纳所述IC器件(2)， 其中，所述开口部(10)被盖子(22)覆盖，所述盖子(22)包括多个通孔(23)， 其中，每一个延伸端子(13A至13C)经由对应的所述通孔(23)穿透所述盖子(22)，其中，所述多个延伸端子(13A至13C)中的一个包括限位器(24)，以将所述多个延伸端子(13A至13C)与所述盖子(22)接合，并且 其中，所述盖子(22 )通过热堵缝与所述壳体(3 )成一整体，以便密封所述开口部(10 )。
7.根据权利要求I至3中的任一项所述的磁检测装置(I)，还包括 多个延伸端子(13A至13C)，其在所述收纳空间(9)中分别与所述多条引线(6A至6C)电气I禹合；以及 一个或多个电容器(14)，其被耦合在两个相邻的延伸端子(13A至13C)之间， 其中，所述IC器件(2)中的除了所述IC封装(5)之外的部分、所述多个延伸端子(13A至13C)以及所述一个或多个电容器(14)提供了子总成(27)的插入部件(26)，所述子总成(27)被注射成型，并且 其中，在所述子总成(27)被收纳在所述收纳空间(9 )中的条件下布置所述树脂模制部(4)。
8.一种检测装置(101)，包括 检测元件，其检测物理量； 壳体(140)，其包括底部(141)和沿一个方向从所述底部(141)的外沿延伸出的圆柱部(142)，所述壳体(140)将所述检测元件收纳在底部侧上的所述圆柱部的内部； 多个端子(120)，每一个端子(120)的第一端与所述检测元件耦合，并且每一个端子(120)的第二端延伸到所述壳体(140)的外部； 盖子(130)，其覆盖所述圆柱部(142)的开口部，所述盖子(130)模制所述多个端子(120)，并且所述圆柱部(142)的所述开口部与所述壳体(140)的所述底部(141)相对；以及外壳(150)，其模制所述圆柱部(142)、所述盖子(130)和所述多个端子(120)。
9.根据权利要求8所述的检测装置(101)，其中 所述壳体(140)的所述圆柱部(142)包括 小直径部(143)，其在所述底部侧上限定所述检测元件的收纳空间； 大直径部(145)，其具有比所述小直径部(143)的直径大的直径，并且被布置在所述底部(141)的相对侧上；以及 台阶部(144)，其被布置在所述小直径部(143)和所述大直径部(145)之间； 所述盖子(130)被插入所述大直径部(145 )的内部；并且 所述盖子(130)在所述盖子(130)的被布置在所述底部侧上的表面处与所述台阶部(144)接触。
10.根据权利要求8所述的检测装置(101)，其中 所述盖子(130)和所述检测元件限定在所述壳体(140)中的位于所述盖子(130)与所述检测元件之间的第一空间(170)。
11.根据权利要求8所述的检测装置(101)，其中 所述底部(141)和所述检测元件限定在所述壳体(140 )中的位于所述底部(141)与所述检测元件之间的第二空间(171)。
12.根据权利要求8至11中的任一项所述的检测装置(101)，其中 所述壳体(140)和所述外壳(150)由热塑性树脂材料制成； 所述外壳是注射成型构件；并且 所述圆柱部(142)、所述盖子(130)和所述多个端子(120)被插入所述外壳(150)。
13.根据权利要求12所述的检测装置(101)，还包括 电子部件(160)，其耦合到所述多个端子(120)并且被所述盖子(130)模制。
14.一种根据权利要求8所述的检测装置的制造方法，包括 通过对所述多个端子(120)的第一注射成型来形成所述盖子(130)，所述多个端子(120)被插入所述盖子(130)； 将所述多个端子(120)与所述检测元件耦合； 在形成所述盖子(130)以及所述多个端子(120)与所述检测元件耦合之后，将所述检测元件插入所述壳体(140)中； 利用所述盖子(130)来覆盖所述壳体(140)的所述开口部，所述盖子(130)被插入到所述壳体(140)的所述圆柱部(142)的所述底部侧；以及， 通过对所述圆柱部(142)、所述盖子(130)和所述多个端子(120)的第二注射成型来形成所述外壳(150)，在所述检测元件被插入所述壳体(140)中之后，所述圆柱部(142)、所述盖子(130)和所述多个端子(120)被插入所述外壳(150)。
全文摘要
一种磁检测装置(1)包括IC器件(2)；壳体(3)，其限定IC器件的收纳空间(9)；以及，树脂模制部(4)，其被布置在壳体的外表面(17)的第一部分上。IC器件包括IC封装(5)，其具有内置的磁电换能器；以及引线(6)。收纳空间由壳体的内壁的第二部分限定。内壁的第二部分的预定部分被定义为与所述IC器件接触的接触区域(L0-L4)。树脂模制部被布置在外表面的第二部分的预定部分以外，外表面的第二部分的预定部分与接触区域对应。通过接触区域和树脂模制部的位置来确定磁电换能器的位置。
文档编号G01K7/22GK102809385SQ20121018010
公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月1日 优先权日2011年6月3日
发明者水谷彰利, 河野尚明, 本多仁美, 泷口智之 申请人:株式会社电装