专利名称：电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法
技术领域：
本发明涉及的是一种医用器械技术领域的微电极阵列，具体是一种面向电生理应用的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法。
背景技术：
近年来，随着微机电系统(MEMS:Micro-Electro-Mechanical Systems)技术的不断进步，使得微电子设备和微传感器等微系统应用范围不断扩大，已广泛应用于多个领域， 特别是医学领域。微电极阵列是利用微机电系统技术在生物医学方面的一个典型应用。微电极阵列是在基底表面点阵状排列的电极，常见的电极点直径最小为50μπι，电极点间距最小为 100 μ m，离体组织、细胞或者切片直接紧密地置于微电极阵列上，可以同步记录多个位点的细胞外场电位信号。微电极阵列既可记录也可用作刺激或者接地，适用于神经和肌细胞等可兴奋细胞的电生理特性和离子通道生物学特性研究。传统的微电极阵列包括贵金属材料的溅射、图形化，电气隔绝材料的沉积，电极点的开口等等。但是这种方法制备的微电极的电极点间距是固定的，如果需要改变微电极记录或者刺激的范围与精度，则需要重新制备。并且，有些情况需要调整电极点的间距来获得更优的记录或者刺激效果，这也是传统固定间距电极所不能的。再者，限于目前微加工工艺的加工精度，电极点间距的极限只能是大于等于加工精度，但是如果利用可变间距的电极阵列，就可以构造出超过加工精度的电极点间距，这则是超出传统固定间距电极能力的。经对现有技术的检索发现，Merriam, S. Μ. E.，0. Srivannavit等人在Journal of Microelectromechanical Systems 20(3) :594-600,2011 撰文“AThree-Dimensional 64-Site Folded Electrode Array Using Planar Fabrication"(一禾中三维 64位可折叠电极阵列的平面制备)，该技术采用溅射、刻蚀等传统工艺实现了两个具有探针的平面电极， 其中每个探针上有四个电极点，并且这两个平面电极可以折叠进而形成立体电极。这是一种相当复杂的电极结构，但是其每个探针上的四个电极点的相对位置却是固定的，不能适应电极点距离需要改变的实际情况。所以，在实际使用中，这种电极灵活性不足，应用起来受到较多限制。中国专利申请号为20111011(^85. 0，公开号为CN 102178998A，该专利中公开了
微电极阵列的三层结构即微电极阵列结构层、电极电路层、微电极阵列覆盖层，其中电极电路层被微电极阵列结构层和微电极阵列覆盖层夹在中间。但也没有公开该微电极阵列的电极点间距也是可以调整的。美国专利号US7, 501，301, "Low cost fabrication of microelectrode arrays for cell-based biosensors and drug discovery methods"(以细胞为基石出白勺生物传感器和药物发现方法的低成本微电极阵列制备)，该技术公开了一种涉及利用未经改性的印刷电路板(PCB)制造工艺和材料来低成本制备微电极阵列的方法。这种微电极阵列是由聚合物薄膜包覆图形化的导电线路构成的，并且可以在生物传感器和药物发现领域有很多应用。但是，该微电极阵列的电极点间距是固定的。例如不能通过改变电极点间距来改变生物传感器的某些性能。美国专禾Ij号US6, 896，780,“Microelectrode,microelectrode array and method for manufacturing the microelectrode”(微电极与微电极阵列的制备方法)，该技术公开了一种涉及微电极与微电极阵列制备的方法，并且该微电极的温度是可控的。该微电极由硅衬底上的一个密封腔中形成热隔离，密封腔中有一个微加热器，电极可以被微加热器间接的加热。但是，该微电极阵列的电极点间距也是固定的。综上，虽然微电极阵列的制备方法得到了比较详细的研究，并且微电极阵列的相关延伸功能也得到了一定的重视，但是文献中未见报道电极点间距可调整的，甚至可超过微加工精度的微电极阵列。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足，提供一种面向电生理应用的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法，操作简便，能够使微电极阵列得到合理的重复利用。并且能够构造出超过微加工精度的电极点间距的微电极阵列，来获得更高的分辨率，进一步获得更优的记录或者刺激效果。本发明是通过以下技术方案实现的本发明所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，包括依次设置并组成复合结构的微电极阵列结构层、电极电路层和微电极阵列覆盖层，微电极阵列覆盖层与待测组织直接接触，电极电路层中设置有至少两列紧密排列且达到微加工精度间距的电极点，将所述电极点分为两个能相对滑动的模块，即第一微电极阵列�？楹偷诙⒌缂罅心？椋饬讲糠窒喽曰毙纬筛〉牡缂慵渚唷Ｋ龅奈⒌缂罅懈哺遣愀哺怯谖⒌缂罅薪峁共闵铣缂阋酝馕恢�。所述的第一微电极阵列�？楹偷诙⒌缂罅心？橐栏皆谟仓驶咨�。所述的微电极阵列电极点的半径为该微电极阵列微加工过程中的最高精度，即指光刻过程中能够获得的直径最小的圆，范围为0. 01 μ m-100 μ m。所述的两个微电极阵列�？樯系牡缂愕闹行墓钩傻缺呷切蔚亩サ�。所述的相邻电极点中心之间的距离，范围为0. 04 μ m-400 μ m。所述的电极点之间的最小距离由滑动之前的相邻电极点中心之间的距离变为该距离的0. 866倍。所述的电极电路层中，仅电极点与待测组织直接接触并参与电生理采集、刺激。所述的达到微加工精度间距的电极点是指在电极电路层中电极点的间距达到了某种微加工精度的极限(例如10 μ m)。本发明利用这些电极点相互之间的配合得到超过该微加工精度的极限的电极点间距，具体为把两列紧密排列的电极点分为两部分，然后使这两部分相对滑动进而产生更小的电极点间距。相对滑动时，利用外部微动结构引导这两部分平行滑动，要尽量避免在垂直于电极平面的方向上滑动，从而保证电极点间距的精度。本发明所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列的制备方法，具体包括如下步骤
首先在Si片上甩正胶并图形化，溅射贵金属种子层，采用Lift-off工艺去光刻胶，图形化种子层，构成电极电路层；然后再沉积Parylene-C，第二次把光刻胶图形化，使用反应离子刻蚀(RIE)把 Parylene-C刻穿，露出电极点，构成微电极阵列覆盖层；Si片基底作为结构层，使用紫外激光把微电极阵列从两列紧密排列的电极点之间切割为两个�？椋奖阏饬礁瞿？榈南喽曰�。上述方法中，切割过程也可以作为反应离子刻蚀步骤中的一部分来完成。上述方法中，两个滑动�？橐部梢酝ü嗤姆椒ǘ懒⒅票�。本发明利用两个�？橄喽曰讨校杂谔囟ㄑ爸返牡缂悖涞缂慵渚嗷嶙钚”湮吹�0. 866倍，得到更高的分辨率，进而获得更好的电生理采集与刺激效果。另外，通过适当的滑动距离，还可以增大电极点间距，使该微电极阵列能够重复利用，在其他电极点间距进行电生理采集与刺激。综上，本发明结构简单，使用方便，使用时只需要根据应用背景把微电极阵列两部分相对滑动，就可以获得的超过该微加工精度极限的电极点间距，进而获得更高的分辨率， 实现更好的电生理信号的采集与刺激。
图1为本发明一实施例的结构示意图。
具体实施例方式下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例以本发明技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。实施例1所述微电极阵列的具体制备过程如下首先在Si片上甩5μπι的正胶并图形化，溅射贵金属(包括Pt、Ir、Au等)种子层，100-15000埃，采用Lift-off工艺去光刻胶，图形化种子层，构成电极电路层；然后再沉积5μπι的Parylene-C，第二次把光刻胶图形化，使用反应离子刻蚀 (RIE)把Parylene-C刻穿，露出电极点，构成微电极阵列覆盖层；Si片基底作为结构层，使用紫外激光把微电极阵列从两列紧密排列的电极点之间切割为两个模块，方便这两个�？榈南喽曰�。本实施例中，切割过程也可以作为反应离子刻蚀步骤中的一部分来完成。本实施例中，这两个滑动�？橐部梢酝ü嗤姆椒ǘ懒⒅票�。实施例2如图1所示，图中切割好的第一微电极阵列�？�1、切割好的第二微电极阵列�？�2、、圆6、相邻电极点中心之间的距离7、高8、中垂点9、电极点中心与中垂点的距离10。本实施例包括依次设置并组成复合结构的微电极阵列结构层、电极电路层和微电极阵列覆盖层，微电极阵列覆盖层与待测组织直接接触，电极电路层中设置有至少两列紧密排列且达到微加工精度间距的电极点。所述电极点三个电极点3、4、5分为两个能相对滑动的�？椋辞懈詈玫牡谝晃⒌缂罅心？�1、切割好的第二微电极阵列�？�2，这两部分相对滑动时形成更小的电极点间距。本实施例中，所述的两个电极点3、4在切割好的第一微电极阵列�？�1上，另一个电极点5在切割好的第二微电极阵列�？�2上。所述的切割好的第一微电极阵列�？�1和切割好的第二微电极阵列�？�2依附在硬质基底上，方便相对滑动与插入组织深处。本实施例中，所述的第一个电极点3的半径为该微电极阵列微加工过程中的最高精度(一般指光刻过程中能够获得的直径最小的圆)，常见的范围为0. 01 μ m-100 μ m。本实施例中，所述的三个电极点3、4、5的中心构成等边三角形的顶点。本实施例中，所述的圆6是指过距离电极点3中心最近的其它电极点中心的圆，即微加工过程中距离电极点3中心能够出现其它完整电极点的中心所构成的圆。本实施例中，所述的相邻电极点中心之间的距离7指的是圆6的半径，常见的范围为 0.04 μ m-400μ m。本实施例中，所述的高8指的是由最近的三个电极点中心构成的三角形的高。本实施例中，所述的中垂点9指的是由最近的三个电极点中心构成的三角形的中垂占。本实施例中，所述的微电极阵列覆盖层覆盖于微电极阵列结构层上除电极点以外位置。本实施例中，所述的电极电路层由电极点、连接线和与外围电路的连接点组成。本实施例中，所述的微电极阵列结构层的长度X宽度X厚度为 5X5X0. 001mm-150X 150X 1mm。本实施例中，所述的电极电路层中连接线宽为IOnm-IOOO μ m ；电极点的横截面积 % 1μ 2_10000μπ 2。本实施例中，所述的电极电路层中，仅电极点与待测组织直接接触并参与电生理采集、刺激。本实施例中，所述的微电极阵列覆盖层的长度X宽度X厚度为 5X5X0. 001mm-150X 150X 1mm。本实施例的工作原理为为了获得超过微加工过程中的最高精度的电极点间距， 切割好的第二微电极阵列�？�2相对于切割好的第一微电极阵列�？�1向左滑动，第二和第三电极点4与5之间的间距变�。⑶业钡缂�5的中心到达中垂点9时达到最�。缂阒涞淖钚【嗬胗苫暗南嗔诘缂阒行闹涞木嗬�7变为该距离的0. 866倍，即高8。整个滑动过程中的滑动距离为电极点中心与中垂点的距离10。如果保持电极点的寻址在第二和第三电极点4与5之间，则继续滑动将获得更大的电极点间距。另外，如果电极点的寻址改为在第一和第三电极点3与5之间，那么只需要把相对滑动的方向改为向右即可。如表1所示，本实施例的实际应用要求所用尺寸如表所示。表1电极点间距可调整的微电极阵列的一组典型设计参数
微电极阵列结构层(长度χ宽度χ厚度)(mm)50X50X0. 005微电极阵列覆盖层(长度X宽度X厚度)(mm)50X50X0. 005
权利要求
1.一种电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，包括依次设置并组成复合结构的微电极阵列结构层、电极电路层和微电极阵列覆盖层，所述微电极阵列覆盖层与待测组织直接接触，电极电路层中设置有至少两列紧密排列且达到微加工精度间距的电极点，其特征在于，所述至少两列紧密排列的电极点切割为两个能相对滑动的�？椋吹谝晃⒌缂罅心？楹偷诙⒌缂罅心？椋饬侥？橄喽曰毙纬筛〉牡缂慵渚�。
2.根据权利要求1所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，其特征是，所述的第一微电极阵列�？楹偷诙⒌缂罅心？橐栏皆谟仓驶咨�。
3.根据权利要求1或2所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，其特征是， 所述的两个微电极阵列�？樯系牡缂愕闹行墓钩傻缺呷切蔚亩サ�。
4.根据权利要求3所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，其特征是，所述的微电极阵列电极点的半径为该微电极阵列微加工过程中的最高精度，即指光刻过程中能够获得的直径最小的圆，范围为0. 01 μ m-100 μ m。
5.根据权利要求4所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，其特征是，所述的相邻电极点中心之间的距离，范围为0. 04 μ m-400 μ m。
6.根据权利要求1所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，其特征是，所述的电极点之间的最小距离由滑动之前的相邻电极点中心之间的距离变为该距离的0. 866 倍。
7.根据权利要求1所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，其特征是，所述的微电极阵列覆盖层覆盖于微电极阵列结构层上除电极点以外位置。
8.如权利要求1-7所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤首先在Si片上甩正胶并图形化，溅射贵金属种子层，采用Lift-off工艺去光刻胶，图形化种子层，构成电极电路层；然后再沉积Parylene-C，第二次把光刻胶图形化，使用反应离子刻蚀把Parylene-C刻穿，露出电极点，构成微电极阵列覆盖层；Si片基底作为结构层，使用紫外激光把微电极阵列从两列紧密排列的电极点之间切割为两个�？椋奖阏饬礁瞿？榈南喽曰�。
9.如权利要求8所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述切割过程或者作为反应离子刻蚀步骤中的一部分来完成。
10.如权利要求8或9所述的电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列的制备方法， 其特征在于，所述两个滑动�？榛蛘咄ü嗤姆椒ǘ懒⒅票�。
全文摘要
本发明公开一种电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法，包括微电极阵列结构层、电极电路层和微电极阵列覆盖层，电极电路层中设置有至少两列紧密排列且达到微加工精度间距的电极点，所述至少两列紧密排列的电极点切割为两个能相对滑动的�？椋吹谝缓偷诙⒌缂罅心？椋饬侥？橄喽曰毙纬筛〉牡缂慵渚�。本发明利用两个�？橄喽曰讨校杂谔囟ㄑ爸返牡缂悖涞缂慵渚嗷嶙钚”湮吹�0.866倍，得到更高的分辨率，进而获得更好的电生理采集与刺激效果。另外，通过适当的滑动距离，还可以增大电极点间距，使该微电极阵列能够重复利用，在其他电极点间距进行电生理采集与刺激。
文档编号G01N27/00GK102556931SQ20111042838
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月19日 优先权日2011年12月19日
发明者刘景全, 康晓洋, 杨春生, 田鸿昌 申请人:上海交通大学
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