专利名称：二极管芯片的双灯测试装置的制作方法
技术领域：
二极管芯片的双灯测试装置技术领域[0001]本实用新型涉及晶片扩散反型层的判定装置，尤其涉及大批量生产二极管芯片时的产品质量检测装置。
背景技术：
[0002]目前，在半导体扩散制程中，采用纸源扩散的时候会产生边缘反型的问题。所谓反型层，在扩散制程中磷扩后进行硼扩，由于压舟不紧或是其他特殊因素导致磷面(通常是边缘部分)含有硼结。特别是0/J (白胶)产品，划片后边缘晶粒多为电性不良晶粒。而0/J 产品镀金产出后，没有组装前无法测试其电特性，包括反向击穿电压、漏电流等。而双亮灯的设计可以在组装前判定芯片电性的好坏，间接完成了芯片电性好坏的判断。[0003]而汽车电子芯片采用P面蚀刻和N面蚀刻相结合的芯片，封装后用于汽车发电机等领域。在生产过程中，常出现P面和N面相同晶粒尺寸混料的现象，单从蚀刻面的翘曲度的情况无法将其明显区分，特别是切割成晶粒的状态。利用双亮灯测试仪可以区分P面蚀刻材料和N面蚀刻材料。[0004]在半导体市场竞争激烈的今天，拥有一项实用的测试仪器来解决异常提问，给测试和生产带来了便利。双灯亮测试仪的发明和应用具有很重要的意义。实用新型内容[0005]本实用新型针对上述的两种异常，提供了一种能简易测量和分辨故障芯片的二极管芯片的双灯测试装置。[0006]本实用新型的技术方案是包括检测用交流电源、检测电路、滤波电容Cl、滤波电容C2、测试笔一和检测笔二 ；所述检测电路包括正向电路和反向电路，所述正向电路包括相互依次串接的电阻R2、二极管Z2和发光二极管LED2 ；反向电路包括相互依次串接的电阻 R1、发光二极管LEDl和二极管Zl ；所述电阻R2、Rl并联、再连接所述检测用交流电源的一端和所述滤波电容Cl ；所述发光二极管LED2的负极和二极管Zl的负极并联、再连接所述测试笔一和所述滤波电容C2 ；所述检测用交流电源的另一端与所述检测笔二相连；滤波电容Cl和滤波电容C2分别接地。[0007]与所述发光二极管LED2并联连接有电阻R4，与所述发光二极管LEDl并联连接有电阻R3。[0008]本实用新型针对TVS (瞬变电压抑制二极管)等产品，需要P面和N面相配合组装后之芯片，在生产制造时，常出现P/N面不同蚀刻面混料之现象，利用该装置快速区分混料材料。它利用正常二极管的单向导通性，对被测产品进行单面测试，如被测产品合格，则无论是正向或反向接电，测试装置只有单灯亮。如被测产品存在质量问题，则双灯都亮。本实用新型可简易的区分P面蚀刻晶�：蚇面蚀刻晶粒解决生产线不同蚀刻面相同晶粒尺寸混料的异常；二是判定0/J晶片扩散时边缘是否存在反型层现象，并在按照晶粒尺寸进行划片后进行分选出电性不良品。
[0009]图1是本实用新型的线路图，[0010]图2是本实用新型的使用状态示意图，[0011]图中1是测试笔一，2是测试笔二，3是承载板，4是芯片。[0012]具体实施方式
[0013]本实用新型的技术方案是包括检测用交流电源、检测电路、滤波电容Cl、滤波电容C2、测试笔一 1和检测笔二 2 ；所述检测电路包括正向电路和反向电路，所述正向电路包括相互依次串接的电阻R2、二极管Z2和发光二极管LED2 ；反向电路包括相互依次串接的电阻R1、发光二极管LEDl和二极管Zl ；所述电阻R2、Rl并联、再连接所述检测用交流电源的一端和所述滤波电容Cl ；所述发光二极管LED2的负极和二极管Zl的负极并联、再连接所述测试笔一和所述滤波电容C2 ；所述检测用交流电源的另一端与所述检测笔二相连；滤波电容Cl和滤波电容C2分别接地。[0014]与所述发光二极管LED2并联连接有电阻R4，与所述发光二极管LEDl并联连接有电阻R3。[0015]本实用新型的测试原理如图2所示(为便于测试，可将芯片4放置在一导电的承载板3上)[0016](1)如测试针一 1连接二极管芯片4的阳极，测试笔二 2接芯片4的阴极的时候， 发光二极管LEDl灯亮，发光二极管LED2灯不亮；[0017](2)当测试针一 1连接二极管芯片的阴极，测试笔二 2接芯片的阳极的时候，发光二极管LEDl灯不亮，发光二极管LED2灯亮；[0018]此时，若是芯片4存在反型层。不管是上述的(1)还是(2)，LEDl和LED2等皆是亮的状态。[0019]由于芯片的P面或是N面与测试台接触是随机性的，及测试笔接触芯片的阳极还是阴极是不确定的，故而LEDl和LED2只有1个灯亮着，则判定芯片是良好的，若是两个灯都呈现亮的状态，则说明芯片的电性是击穿的。[0020]针对汽车电子芯片，P/N结有玻璃钝化保护，有台面的一面是与测试针接触，无台面的一面与测试台接触，从而可以确定P、N面与测试笔的接触。例如上述(1)，若上述LEDl 灯亮，则可以判定所测芯片是P面蚀刻材料；若LED2灯亮，则可以判定所测芯片是N面蚀刻材料。
权利要求1.二极管芯片的双灯测试装置，其特征在于，包括检测用交流电源、检测电路、滤波电容Cl、滤波电容C2、测试笔一和检测笔二 ；所述检测电路包括正向电路和反向电路，所述正向电路包括相互依次串接的电阻R2、二极管Z2和发光二极管LED2 ；反向电路包括相互依次串接的电阻R1、发光二极管LEDl和二极管Zl ；所述电阻R2、Rl并联、再连接所述检测用交流电源的一端和所述滤波电容Cl ；所述发光二极管LED2的负极和二极管Zl的负极并联、 再连接所述测试笔一和所述滤波电容C2 ；所述检测用交流电源的另一端与所述检测笔二相连；滤波电容Cl和滤波电容C2分别接地。
2.根据权利要求1所述的二极管芯片的双灯测试装置，其特征在于，与所述发光二极管LED2并联连接有电阻R4，与所述发光二极管LEDl并联连接有电阻R3。
专利摘要二极管芯片的双灯测试装置。涉及大批量生产二极管芯片时的产品质量检测装置。提供了一种能简易测量和分辨故障芯片的二极管芯片的双灯测试装置。包括检测用交流电源、检测电路、滤波电容C1、滤波电容C2、测试笔一和检测笔二。本实用新型针对TVS(瞬变电压抑制二极管)等产品，需要P面和N面相配合组装后之芯片，在生产制造时，常出现P/N面不同蚀刻面混料之现象，利用该装置快速区分混料材料。它利用正常二极管的单向导通性，对被测产品进行单面测试。可区分P面蚀刻晶�：蚇面蚀刻晶粒解决生产线不同蚀刻面相同晶粒尺寸混料的异常；二是判定O/J晶片扩散时边缘是否存在反型层现象，并在按照晶粒尺寸进行划片后进行分选出电性不良品。
文档编号G01R31/26GK202256599SQ20112038684
公开日2012年5月30日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者汪良恩, 葛宜威, 裘立强 申请人:扬州杰利半导体有限公司
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