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专利名称：温度测量装置和温度测量方法
技术领域：
本发明涉及ー种温度測量装置和温度測量方法。
背景技术：
从根据成膜、蚀刻等各种处理的结果来准确控制在利用等离子处理装置处理的基板、例如半导体晶圆、液晶显示装置用基板上形成的膜、孔等的形状和物理性质等这方面来看，准确测量半导体晶圆、液晶显示装置用基板的温度是极为重要的。因 此，以往例如通过利用了电阻温度计、測量基板背面的温度的荧光式温度计等的測量法等各种方法来測量半导体晶圆、液晶显示装置用基板的温度。近年来，公知有ー种利用了低相干干涉仪的温度測量技术，该温度測量技术能够直接測量难以使用上述那样的以往的温度測量方法测量的基板的温度。而且，在上述的利用了低相干干涉仪的温度測量技术中还提出了以下ー种技木，即，利用第I分束器(splitter)将来自光源的光分成温度測量用的測量光和參照光，进ー步利用第2分束器将分成的測量光分成η个测量光并将η个测量光向η个测量点照射，对上述η个测量光的反射光与用參照光反射部件反射的參照光的反射光之间的干渉进行测量，能够同时測量多个測量点的温度(例如參照专利文献I)。采用这样的技术，能够利用简单的结构一次性測量多个测量点的温度。另外，公知有ー种利用了低相干干涉仪的温度測量技术，该温度測量技术利用多路转换器(multiplexer)切换测量光并供给到多个处理腔室，能够测量多个处理腔室内的基板等的温度(例如參照专利文献2)。专利文献I :日本特开2006-112826号公报专利文献2 :日本特开2008-216182号公报在利用多路转换器切換上述的測量光并供给到多个处理腔室、以便能够测量多个处理腔室内的基板等的温度的温度測量技术中，由于利用多路转换器进行切换并供给测量光，因此不能同时测量多个处理腔室内的基板等的温度。

发明内容
本发明是为了应对上述以往的情况而做成的，其提供能够同时測量多个处理腔室内的温度测量对象物的温度的温度測量装置和温度測量方法。本发明的温度測量装置一个技术方案的特征在于，该温度測量装置包括光源；第I光分离部件，其用于将来自上述光源的光分成多个测量用的光；多个第2光分离部件，其用于将来自上述第I光分离部件的多个测量用的光分别分成測量光和參照光；与上述第2光分离部件数量相等的第3光分离部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个测量光进ー步分成η个测量光即第I測量光 第η測量光；參照光反射部件，其用于将来自上述多个第2光分离部件的參照光分别反射；光路长度变化部件，其用于使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化；与上述第2光分离部件数量相等的參照光传送部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个參照光传送到向上述參照光反射部件照射的位置；第I測量光传送部件 第η測量光传送部件，其用于将来自上述第3光分离部件的上述第I測量光 第η測量光分别传送到向温度测量对象物的各測量点照射的測量光照射位置；与上述第2光分离部件数量相等的光检测器，其用于对从上述温度测量对象物反射的上述第I測量光 第η測量光与从上述參照光反射部件反射的多个參照光之间的干渉进行测量，使上述第I測量光 第η測量光的从上述第3光分离部件到上述温度测量对象物的各个光路长度互不相同，并且利用ー个上述光路长度变化部件使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化。本发明的温度測量方法的一个技术方案的特征在于，该温度測量方法使用温度测量装置来測量温度测量对象物的温度的温度測量方法，该温度測量装置包括光源;第I光分离部件，其用于将来自上述光源的光分成多个测量用的光；多个第2光分离部件，其用于将来自上述第I光分离部件的多个测量用的光分别分成測量光和參照光；与上述第2光分离部件数量相等的第3光分离部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个测量光进ー步分成η个测量光即第I測量光 第η測量光；參照光反射部件，其用于将来自上述多个第2光分离部件的參照光分别反射；光路长度变化部件，其用于使从上述參照光反射部件 反射的參照光的光路长度变化；与上述第2光分离部件数量相等的參照光传送部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个參照光传送到向上述參照光反射部件照射的位置；第I測量光传送部件 第η測量光传送部件，其用于将来自上述第3光分离部件的上述第I测量光 第η測量光分别传送到向温度测量对象物的各測量点照射的測量光照射位置；与上述第2光分离部件数量相等的光检测器，其用于对从上述温度测量对象物反射的上述第I測量光 第η測量光与从上述參照光反射部件反射的多个參照光之间的干渉进行测量，该温度測量装置使上述第I測量光 第η測量光的从上述第3光分离部件到上述温度测量对象物的各个光路长度互不相同，该温度測量方法利用ー个上述光路长度变化部件使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化。采用本发明，能够提供能够同时测量多个处理腔室内的温度测量对象物的温度的温度測量装置和温度測量方法。


图I是表示本发明的第I实施方式的温度測量装置的概略结构的图。图2是表示图I的温度測量装置的干渉波形的例子的图表。图3是表示本发明的第2实施方式的温度測量装置的概略结构的图。图4是表示本发明的第3实施方式的温度測量装置的概略结构的图。图5是表示本发明的第4实施方式的温度測量装置的概略结构的图。图6是表示图5的温度測量装置的干渉波形的例子的图表。图7是表示本发明的第5实施方式的温度測量装置的概略结构的图。图8是表示图7的温度測量装置的干渉波形的例子的图表。
具体实施例方式以下，參照附图来说明本发明的实施方式。另外，在本说明书及附图中，对于实质上具有相同功能结构的结构要素标注相同的附图标记并省略重复说明。
图I是示意性地表示第I实施方式的温度測量装置100的结构的图。在图I中，PCl PC6表示等离子蚀刻装置的处理腔室。另外，在图I中，考虑到图示空间，与PC1、PC2相比，简化了 PC3 PC6的图示，但是，PC3 PC6与PCl、PC2具有相同的结构。在本第I实施方式中，温度測量装置100从配置在上述PCl PC6内的载置台10上所载置的半导体晶圆W的背面侧对该晶圆W的中央部及周缘部的温度进行测量。S卩，在本第I实施方式中，温度测量对象物是半导体晶圆W。另外，除半导体晶圆W的温度外，例如，也可以测量图I中所示的聚焦环(F/R :Focus Ring) 11的温度。温度测量装置100包括光源110 ;第I光分离部件120，其用于将来自该光源110的光分成多个(N个)測量用的光；多个(在本实施方式中是三个)第2光分离部件130，其用于将来自第I光分离部件120的多个测量用的光分别分成測量光和參照光；与第2光分离部件130数量相等(在本实施方式中是三个)的第3光分离部件140，其用于将来自第2光分离部件130的各个测量光进ー步分成η个测量光即(在本实施方式中η = 4)第I测量光 第η測量光(在本实施方式中是第I測量光 第4測量光)。
另外，温度測量装置100包括參照光反射部件150，其用于使来自多个第2光分离部件130的參照光分别反射；光路长度变化部件160，其用于使从參照光反射部件150反射的參照光的光路长度变化；与第2光分离部件130数量相等(在本实施方式中是三个)的參照光传送部件170，其用于将来自第2光分离部件130的各个參照光传送到向參照光反射部件150照射的位置；第I測量光传送部件180a 第4測量光传送部件180d，其用于将来自第3光分离部件140的第I測量光 第4測量光分别传送到向温度测量对象物的各测量点照射的測量光照射位置；与第2光分离部件130数量相等的光检测器190，其用于对从温度测量对象物反射的第I測量光 第4測量光与从參照光反射部件150反射的多个參照光之间的干渉进行测量。另外，在温度測量装置100中，将第I測量光 第4測量光的从第3光分离部件140到作为温度测量对象物的半导体晶圆W的各个光路长度设定得互不相同。并且，在温度測量装置100中，利用ー个光路长度变化部件160使从參照光反射部件150反射的三个參照光的光路长度变化。只要能对测量光与參照光之间的干渉进行测量，就能够使用任意的光源作为光源110。在对半导体晶圆W进行温度测量的情况下，优选至少来自半导体晶圆W的表面的反射光与来自半导体晶圆W的背面的反射光之间不会因半导体晶圆W的表面与背面之间的距离(通常为SOOym 1500μπι左右)产生干渉的程度的光(优选从晶圆表面反射的測量光不会与从晶圆的底面(背面)反射的測量光彼此干渉的程度的光)。具体而言，例如，优选使用低相干光。低相干光是指相干长度较短的光。低相干光的中心波长例如优选O. 3 μ m 20 μ m,进一步优选O. 5 μ m 5 μ m。另外，作为相干长度，例如优选O. I μ m 100 μ m,进一步优选3μπι以下。通过将这样的低相干光的光源用作光源110，能够避免多余的干涉所导致的妨碍，从而够容易地測量基于来自半导体晶圆W的表面或内部层的反射光的測量光与參照光之间的干渉。作为使用了上述低相干光的光源，例如能够使用SLD(Super Luminescent Diode 超辐射发光二极管)、LED、高亮度灯(钨丝灯、氙气灯等)、超宽频带波长光源等。在这些低相干光光源中，优选使用图I所示的亮度较高的SLD(波长例如为1300nm)作为光源110。
作为第I光分离部件120，能够使用例如光纤耦合器。但是，并不限定于此，只要能够分成多个(N个)測量用的光，就可以使用任何光分离部件。另外，对于第2光分离部件130，同样也能够使用例如光纤耦合器。但是，并不限定于此，只要能够分成參照光和測量光，就可以使用任何光分离部件。作为第3光分离部件140，能够使用例如光纤耦合器。但是，并不限定于此，只要能够分成多个(在本实施方式中为四个)測量光，就可以使用任何光分离部件。作为第I光分离部件120、第2光分离部件130、第3光分离部件140，例如也可以使用光波导路型分波器、半透镜等。參照光反射部件150例如由參照反射镜构成。作为參照反射镜，例如能够使用角形棱镜、平面镜等。在本实施方式中采用利用ー个平面镜来反射三个參照光的结构。光路长度变化部件160是用于使上述的參照光反射部件150向与參照光的入射方向平行的方向移动的部件。如上所述，在本实施方式中，利用由ー个平面镜构成的參照光反射部件150反射三个參照光，利用ー个光路长度变化部件160使该參照光反射部件150向与參照光的入射方向平行的方向移动。这样，通过向单方向驱动參照光反射部件150,能够使从參照光反射部件150反射的參照光的光路长度变化。光路长度变化部件160由线性载 置台161、伺服电机162和激光干涉仪163等构成。由计算机等构成的控制器200借助电机控制器165及电机驱动器166控制伺服电机162。另外,来自激光干涉仪163的信号被A/D转换器201转换成数字信号并被输入到控制器200。作为光检测器190，若考虑低价格性和紧凑性，则优选例如使用光电ニ极管来构成。具体而言，例如由使用了 Si光电ニ极管、InGaAs光电ニ极管、Ge光电ニ极管等的PD (Photo Detector :光检测器)构成。但是，只要能够对来自温度测量对象物的测量光与来自參照光反射部件150的參照光之间的干渉进行测量，则不限于上述的光检测器，例如也可以使用雪崩光电ニ极管、光电倍增管等来构成光检测器190。光检测器190的检测信号经由放大器191被输入A/D转换器201，转换成数字信号并由控制器200进行处理。利用与第2光分离部件130数量相等(在本实施方式中是三个)的參照光传送部件170使来自第2光分离部件130的參照光传送到向參照光反射部件150照射的參照光照射位置。參照光传送部件170分别由光纤及准直器等构成。另外，利用第I測量光传送部件180a 第4測量光传送部件180d使来自第3光分离部件140的第I測量光 第4測量光分别传送到向温度测度对象物(在本实施方式中是半导体晶圆W)照射的測量光照射位置。第I測量光传送部件180a 第4測量光传送部件180d分别由光纤及准直器等构成。在上述温度測量装置100中，第I測量光 第4測量光的从第3光分离部件140到温度测量对象物的各个光路长度互不相同。具体而言，例如，在第I測量光传送部件180a 第4測量光传送部件180d的光纤的长度分别相同的情况下，例如，准直器的顶端面、即测量光照射位置是以在与照射方向大致平行的方向上分別与温度测量对象物错开的方式设置的。另外，也可以不错开准直器的顶端面，而是通过改变光纤的长度而使上述第I測量光 第4測量光的从第3光分离部件140到温度测量对象物的各光路长度不相同。另外，第I測量光 第4測量光的从第3光分离部件140到温度测量对象物的各个光路长度的差至少需要使在每个测量点测量的第I測量光 第4測量光与參照光之间的干渉波分别不会叠加。例如，在使用低相干光源作为光源110的情况下，若各光路长度的差至少为干渉波的相干长度以上，则能够防止干渉波的叠加。另外，优选这样的各光路长度的差是考虑到温度测量对象物的厚度、厚度的变化率、测量的温度范围、參照光反射部件150的移动距离等来決定的。具体而言，例如在厚度为O. 7mm的硅晶圆中，由于參照光反射部件150在从常温到200°C左右的温度范围内的移动距离是O. 04mm左右，因此若将第I测量光 第4測量光的光路长度的差分别设为O. Imm左右，则能够使各个测量点的干渉波不发生叠加。由此，仅对參照光反射部件150进行一次扫描就能够一次性地对照射有各第I测量光 第4測量光的測量点的干涉波进行检测。另外，在本实施方式中，參照光反射部件150将来自三个第2光分离部件130的三个參照光分别反射。因而，仅对參照光反射部件150进行一次扫描就能够对使用了上述的三个參照光的6个各处理腔室PCl PC6中的温度进行测量。因此，能够尽可能地缩短温度測量所花费的时间。如上所述，在温度测量装置100中，来自光源110的光入射到第I光分离部件120，被分成多个(三个以上)測量用的光。上述測量用的光分别入射到多个(在本实施方式中是三个)第2光分离部件130，被分成測量光和參照光。其中，測量光被第3光分离部件140 分成第I測量光 第4測量光，在各处理腔室PCl PC6中，第I測量光 第4測量光从测量光照射位置朝向作为温度测量对象物的半导体晶圆W的各測量点照射，并在半导体晶圆W的背面、各层的边界面、表面反射。另ー方面，參照光被參照光反射部件150反射。然后,第I测量光 第4测量光的各反射光经由第3光分离部件140入射到第2光分离部件130，并与參照光的反射光一同被光检测器190检测。然后，通过利用光路长度变化部件160对參照光反射部件150进行扫描而得到干涉波形。此处，使用上述那样的低相干光源作为光源HO。采用低相干光源，由于来自光源110的光的相干长度较短，因此具有如下这样的特性通常在測量光的光路长度与參照光的光路长度相同的场所引起较强的干渉，在其它场所，干涉实质上降低。因此，通过使參照光反射部件150移动并使參照光的光路长度变化，除温度测量对象物的表面及背面之外，若在内部也存在层，则对于其各层，由上述各层的折射率差导致的反射的測量光也与參照光发生干渉。纵轴是干涉强度(V)、横轴是參照反射镜移动距离(μ m)的图2的图形表示上述干涉波的波形的例子。如图2所不，在将半导体晶圆W的折射率设为η,将半导体晶圆W的厚度设为d时，在离开相当于nd距离的位置上能够检测到在半导体晶圆W的背面反射的測量光的干渉波和在半导体晶圆W的表面侧反射的測量光的干渉波。然后，由于距离各測量点的光路长度已被设定得不同，因此在离开相当于光路长度的差的位置上能够检测到各个测量点的干涉波的峰值。在利用上述温度測量装置100对半导体晶圆W等进行温度測量吋，在进行温度测量之前，先对作为温度测量对象物的半导体晶圆W等的初始厚度进行测量。这时，得到图2所示那样的干渉波的波形，作为峰值的间隔，得到半导体晶圆W等的初始厚度。然后，利用相对于该初始厚度的厚度变化，即利用峰值的间隔的变化来检测半导体晶圆W等的温度。接着，根据测量光与參照光之间的干涉波进一步详细地说明使用基于温度变化的光路长度变化来测量温度的方法。
半导体晶圆W等温度测量对象物在等离子体等的作用下被加温时，半导体晶圆W等发生膨胀且折射率发生变化，因此，在温度变化前与温度变化后，干渉波形的位置发生错位，干渉波形的峰值间宽度发生变化。这时，若在每个测量点上有温度变化，则在每个测量点上干渉波形的位置发生错位，干渉波形的峰值间宽度发生变化。通过在每个这样的測量点上測量干渉波形的峰值间宽度，能够检测温度变化。例如，若采用图I所示那样的温度测量装置100，则由于涉波形的峰值间宽度与參照光反射部件150的移动距离相对应，因此，通过测量干渉波形的峰值间隔所对应的參照光反射部件150的移动距离，能够检测温度变化。在将半导体晶圆W的厚度设为d、将折射率设为η的情况下，关于干渉波形的峰值位置的错位，厚度d依赖于各层固有的线膨胀系数α，另外，折射率η的变化主要依赖于各层固有的折射率变化的温度系数β。另外，公知折射率变化的温度系数β也依赖于波长。因而，若将某ー測量点P的温度变化后的半导体晶圆W的厚度d'用数学式子表 示，则如下述数学式(I)所示。另外，在数学式(I)中，AT表示測量点的温度变化，α表示线膨胀率，β表示折射率变化的温度系数。另外，d和η分别表示温度变化前的測量点P处的厚度和折射率。d' = d · (1+ α Δ T)、n' = η · (1+ β Δ Τ). . . (I)如上述数学式(I)所示，由于温度变化导致透过测量点P的測量光的光路长度发生变化。光路长度通常用厚度d与折射率η的积来表示。因此，在将透过温度变化前的測量点P的測量光的光路长度设为L、将测量点的温度分别变化AT后的光路长度设为L'吋，用下述数学式(2)分别表示L和L'。L = d · n, L' = d' · n/ . . . (2)因而，若利用上述数学式(I)和(2)计算并整理測量点处的测量光的光路长度的温度变化前后的差(じ-L)，则如下述数学式(3)所示。另外，在下述数学式(3)中，考虑至Ij α · β くく α、α · β くく β，省略了微小项。V -L = d' · n' -d*n = d*n· (α+β) · AT = L* (α+β) · AT1. .. (3)在此，各測量点处的测量光的光路长度相当于测量光的反射光与參照光相干渉的干渉波形的峰值间宽度。因而，若预先查出线膨胀率α、折射率变化的温度系数β，则通过计算各測量点处的测量光的反射光与參照光相干渉的干渉波形的峰值间宽度，能够使用上述数学式(3)換算成各測量点的温度。这样，在从干涉波形的峰值间宽度换成算温度的情况下，如上所述，由于干涉波形的峰值间所表示的光路长度根据线膨胀率α及折射率变化的温度系数β的不同而发生变化，因此需要预先查出上述线膨胀率α及折射率变化的温度系数β。通常，包括半导体晶圆W在内的物质的线膨胀率α及折射率变化的温度系数β根据温度区域的不同有时也会存在依赖于温度。例如，关于线膨胀率α，通常，若物质的温度在0°C 100°C左右的温度范围，则几乎不会发生变化，因此将线膨胀率α视为恒定也无妨，但是，在100°C以上的温度范围，由于物质的不同，有时温度越高，线膨胀率α的变化率越大，因此在那样的情况下就不能无视温度依赖性。关于折射率变化的温度系数β，同样也根据温度范围的不同，有时不能无视温度依赖性。例如，公知对于构成半导体晶圆W的硅(Si)，在(TC 500°C的温度范围中，线膨胀率α及折射率变化的温度系数β例如能够用二次曲线近似。这样，由于线膨胀率α及折射率变化的温度系数β依赖于温度，因此例如若预先查出基于温度的线膨胀率α及折射率变化的温度系数β，并考虑其值进行温度換算，则能够換算成更准确的温度。接着，说明其它实施方式。图3是表示第2实施方式的结构的图。在图3所示的温度測量装置IOOa对三个处理腔室PCl PC3分别测量4点的温度，温度測量装置IOOa将利用第3光分离部件140分离的四个第I 第4测量光向处理腔室PCl PC3内的半导体晶圆W的3点及聚焦环11的I点照射并测量这些部位的温度。另外，图4是表示第3实施方式的结构的图。在图4所示的温度測量装置IOOb中，作为光源110,不使用单波长的光源,而是使用SC(Supercontinuum)光源等具有连续波长的光源，并且使用将光分成不同波长的光的波长分离器等作为第I光分离部件120，将光分成不同波长的三个测量用的光，并针对各处理腔室PCl PC3利用不同波长的测量光測量
温度。 另外，图5是表示第4实施方式的结构的图。在图5所示的温度測量装置IOOc中，在光检测器190与放大器191之间设置有用于从光检测器190的输出信号提取交流成分(AC成分)的交流成分提取部件192。这样，通过设置交流成分提取部件192，如以干涉強度(V)为纵轴，以參照反射镜移动距离(ym)为横轴的图6的图形中的波形所示，能够排除测量信号中的直流成分的影响，由此能够以更高的精度进行温度測量。另外，图7是表示第5实施方式的结构的图。在图7所示的温度測量装置IOOd中，衰减器171介于參照光传送部件170的途中。这样，通过使衰减器171介于參照光传送部件170的途中，能够使參照光的強度接近被第3光分离部件140 —分为四而成的第I測量光 第4測量光的強度。由此，如以干涉強度(V)为纵轴，以參照反射镜移动距离(ym)为横轴的图8的图形中的波形所示，与图2所示的没有衰减器情况相比，能够放大干渉波形，从而能够以更高的精度进行温度測量。如以上说明的那样，在本实施方式中，对于多个处理腔室PCl PC6，不利用多路转换器进行切換就能够同时对设置在多个处理腔室PCl PC6的内部的温度测量对象物的温度进行测量。另外，由于共用了对作为温度測量基准的參照光进行反射的參照光反射部件150及使该參照光反射部件150移动而使參照光的光路长度变化的光路长度变化部件160，因此，能够消除机械误差的发生，还能够简化装置结构。以上，參照

了本发明的实施方式。但是，本发明当然不限定于上述实施方式。只要是本领域的技术人员，显然能够在权利要求书所记载的范畴内想到各种变更例或修正例，上述变更例或修正例当然也被认为属于本发明的保护范围。附图标记说明PCl PC4、处理腔室；10、载置台；11、聚焦环；100、温度测量装置；110、光源；120、第I光分离部件；130、第2光分离部件；140、第3光分离部件；150、參照光反射部件；160、光路长度变化部件；170、參照光传送部件；180a 180d、第I 第4测量光传送部件；190、光检测器；200、控制器；W、半导体晶圆。
权利要求
1.ー种温度測量装置，其特征在干， 该温度測量装置包括 光源； 第I光分离部件，其用于将来自上述光源的光分成多个测量用的光； 多个第2光分离部件，其用于将来自上述第I光分离部件的多个测量用的光分别分成測量光和參照光； 与上述第2光分离部件数量相等的第3光分离部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个测量光进ー步分成η个测量光即第I測量光 第η測量光； 參照光反射部件，其用于将来自上述多个第2光分离部件的參照光分别反射； 光路长度变化部件，其用于使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化；与上述第2光分离部件数量相等的參照光传送部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个參照光传送到向上述參照光反射部件照射的位置； 第I測量光传送部件 第η測量光传送部件，其用于将来自上述第3光分离部件的上述第I測量光 第η測量光分别传送到向温度测量对象物的各測量点照射的測量光照射位置； 与上述第2光分离部件数量相等的光检测器，其用于对从上述温度测量对象物反射的上述第I測量光 第η測量光与从上述參照光反射部件反射的多个參照光之间的干涉进行測量， 使上述第I測量光 第η測量光的从上述第3光分离部件到上述温度测量对象物的各个光路长度互不相同， 并且利用ー个上述光路长度变化部件使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化。
2.根据权利要求I所述的温度測量装置，其特征在干， 由ー个平面镜构成上述參照光反射部件。
3.根据权利要求I或2所述的温度測量装置，其特征在干， 上述第I光分离部件将来自上述光源的光分成不同波长范围的多个上述測量用的光。
4.根据权利要求I 3中任意一项所述的温度測量装置，其特征在干， 该温度測量装置具有用于从来自上述光检测器的输出信号提取交流成分的交流成分提取部件。
5.根据权利要求I 4中任意一项所述的温度測量装置，其特征在干， 该温度測量装置具有光衰减单元，该光衰减单元用于使从上述參照光反射部件反射的參照光的強度衰减成接近从上述温度测量对象物反射的上述第I測量光 第η測量光的强度。
6.ー种温度測量方法，其特征在干， 该温度測量方法使用温度測量装置来測量温度测量对象物的温度的温度測量方法，该温度測量装置包括 光源； 第I光分离部件，其用于将来自上述光源的光分成多个测量用的光； 多个第2光分离部件，其用于将来自上述第I光分离部件的多个测量用的光分别分成測量光和參照光； 与上述第2光分离部件数量相等的第3光分离部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个测量光进ー步分成η个测量光即第I測量光 第η測量光； 參照光反射部件，其用于将来自上述多个第2光分离部件的參照光分别反射； 光路长度变化部件，其用于使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化；与上述第2光分离部件数量相等的參照光传送部件，其用于将来自上述第2光分离部件的各个參照光传送到向上述參照光反射部件照射的位置； 第I測量光传送部件 第η測量光传送部件，其用于将来自上述第3光分离部件的上述第I測量光 第η測量光分别传送到向温度测量对象物的各測量点照射的測量光照射位置； 与上述第2光分离部件数量相等的光检测器，其用于对从上述温度测量对象物反射的上述第I測量光 第η測量光与从上述參照光反射部件反射的多个參照光之间的干涉进行測量， 该温度測量装置使上述第I測量光 第η測量光的从上述第3光分离部件到上述温度 测量对象物的各个光路长度互不相同， 该温度測量方法利用ー个上述光路长度变化部件使从上述參照光反射部件反射的參照光的光路长度变化。
全文摘要
本发明提供温度测量装置和温度测量方法。能够同时测量多个处理腔室内的温度测量对象物的温度。该温度测量装置包括第1光分离部件，其用于将来自光源的光分成多个测量用的光；多个第2光分离部件，其用于将多个测量用的光分别分成测量光和参照光；第3光分离部件，其用于将测量光分成n个测量光即第1测量光～第n测量光；参照光反射部件，其用于将多个参照光分别反射；一个光路长度变化部件，其用于使从参照光反射部件反射的参照光的光路长度变化；多个光检测器，其用于对从温度测量对象物反射的第1测量光～第n测量光与从参照光反射部件反射的多个参照光之间的干涉进行测量。
文档编号G01J5/00GK102692282SQ201210080758
公开日2012年9月26日 申请日期2012年3月23日 优先权日2011年3月23日
发明者松土龙夫, 舆水地盐 申请人:东京毅力科创株式会社