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一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术的制作方法

时间:2025-05-12    作者: 管理员

专利名称:一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术的制作方法
技术领域:
本发明涉及到一种高强度辐射试验的的替代技术,特别涉及到一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术。
背景技术:
在日益增多的各种“平台”级别(如航空器、航天器、舰船、车辆等)或大系统级别的电磁兼容高能量辐射类试验中(如HIRF、RS、雷电等),尤其是外场实物平台环境下,常遇到试验应力难以产生或代价巨大,试验环境难以满足,试验人员置身危险,试验过程不可操作,试验结果重复性较差等难以克服的技术、经济、安全层面的问题。目前工程统计电磁环境场强量级平均值有上千V/m,峰值达数万V/m ;雷电效应电压达数千KV,电流达数百KA。 这些高能量电平已远超出目前实际试验能力水平,即用传统试验方法难以适应这些要求。综上所述,针对现有技术的局限性,特别需要一种替代试验方法以解决该问题,而本发明所述的表面电流注入技术就是一条实用途径。

发明内容
本发明的目的是提供一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术,依据电磁场理论,通过分析电磁兼容性试验中电磁场的发射、电磁波的传播和衰落、受试件与外加电磁应力的相互作用机理、途径,计算求出受试件上的射频感应表面电流,把电磁场发射试验转换成电路传导试验。本发明所解决的技术问题可以采用以下的技术方案来实现
一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术,其特征在于,所述技术包括如下步骤
1)确定辐射试验规定或用户要求的高强度场强
2)根据辐射试验规定的发射天线至受试件表面的距离、辐射天线方向性,利用通信距离方程计算受试件表面处电磁强度
式中‘是受试件表面处辐射场强JJ是发射天线的输出功率G是发射天线的增
益,rf是发射天线至试件表面处的距离,Jl是辐射场的波长;
3)由自由空间中远区场的电磁与磁场关系计算受试件表面处磁场强度
权利要求
1. 一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术,其特征在于,所述技术包括如下步骤1) 确定辐射试验规定或用户要求的高强度场强2)根据辐射试验规定的发射天线至受试件表面的距离、辐射天线方向性,利用通信距离方程计算受试件表面处电磁强度式中是受试件表面处辐射场强,J^是发射天线的输出功率,砀是发射天线的增益,这是发射天线至试件表面处的距离,α是辐射场的波长;3)由自由空间中远区场的电场与磁场关系计算受试件表面处磁场强度
2.如权利要求1所述的用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术,其特征在于,所述方法以注入电流耦合方式来替代电磁场辐射耦合方式。
全文摘要
本发明公开了一种用于替代电磁兼容性辐射试验的表面电流注入技术,通过将经典电磁场理论和计算与工程试验方法紧密有机结合,首次创新性导出了表面电流注入(SCI,SurfaceCurrentInjection)与试验标准规定的辐射电磁应力的数量关系计算方法,并给出了新颖实用完整的试验方法。具体就是依据电磁场理论,通过分析电磁兼容性试验中电磁场的发射、电磁波的传播和衰落、受试件与外加电磁应力的相互作用机理、途径,计算求出受试件上的射频感应表面电流,把“电磁场发射”试验转换成“电路传导”试验,显著降低了试验设施、仪器和试验过程成本,提高了实用可行性。
文档编号G01R29/08GK102183696SQ20111005108
公开日2011年9月14日 申请日期2011年3月3日 优先权日2011年3月3日
发明者方愔 申请人:中国航空无线电电子研究所

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