专利名称：非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板的制作方法
技术领域：
本实用新型属于光伏发电应用技术领域，尤其是一种非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板。
背景技术：
非晶硅薄膜电池的技术核心之一是CVD法沉积非晶硅薄膜。在对薄膜的测量中， 受光时的电阻率的测量是重要的组成部分。电阻率的测量需要用一定剂量的光照射已知尺寸的非晶硅薄膜，并在两侧加一偏压，测量电路中电流，求得电阻值，再根据材料尺寸计算电阻率。由于非晶硅材料电阻率很大，而偏压不能加得很高，因此样品都比较�。乙蟪叽缃献既罚煌保饬啃藕盼⑷酰蟛饬炕肪骋懦扇牛傧中院�。而目前尚未发现非晶硅材料电阻测量仪的专用配套掩模板。
发明内容本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种结构简单、使用方便的非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板。本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案实现的一种非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板，掩模板为一块表面平整的不锈钢钢片， 在不锈钢片上均布间隔制有方形冲压孔。而且，所述冲压孔为上、下一排共三个冲压孔。本实用新型的优点和积极效果是本实用新型的掩模板的尺寸与样品室中弹簧片的尺寸配套，能够保证制成相同规格的薄膜样品，方便测量和计算。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本实用新型作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本实用新型的保护范围。一种非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板，为一块表面平整的不锈钢钢片1，在不锈钢片上按照符合测量仪器要求尺寸均布间隔制出一排或几排方形冲压孔2，该冲压孔的大小和相邻的冲压孔之间的距离3是给定的，便于测试后的计算。本实施例中，为上下一排三个冲压孔。本实用新型的使用方法是生产用CVD设备用于沉积非晶硅薄膜样品，是同工业产品同样规格的，面积往往在lm2以上。取其中感兴趣的若干测试点用掩模板覆盖并固定好，送入蒸发或溅射装置，蒸镀金属膜。生长完成后将掩模板覆盖而生成的栅状金属电极部分裁下、修剪使其符合样品室的尺寸要求即制成样品，金属电极的长度为被测薄膜的长度，每两个金属电极之间的距离即为被测的薄膜宽度。
权利要求1.一种非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板，其特征在于掩模板为一块表面平整的不锈钢钢片，在不锈钢片上均布间隔制有方形冲压孔。
2.根据权利要求1所述的非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板，其特征在于所述冲压孔为上、下一排共三个冲压孔。
专利摘要本实用新型涉及一种非晶硅材料电阻测量仪配套掩模板，掩模板为一块表面平整的不锈钢钢片，在不锈钢片上均布间隔制有方形冲压孔；所述冲压孔为上下一排三个冲压孔。本实用新型的掩模板的尺寸与样品室中弹簧片的尺寸配套，能够保证制成相同规格的薄膜样品，方便测量和计算。
文档编号G01R27/14GK201935959SQ20102065417
公开日2011年8月17日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日
发明者张鑫, 曹丽冉, 郭增良 申请人:天津市津能电池科技有限公司
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