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专利名称：用于使用涡流的薄膜基板信号分离的系统、方法及设备的制作方法
技术领域：
本发明通常涉及用于在半导体制作过程中确定薄膜厚度的系统和方法，特别是将由基板引起的涡流传感器信号从由基板上薄膜引起的信号中区分开的系统和方法。
背景技术：
通过产生和投影电磁场(EMF)以及当将导电材料(如导线，导电膜等)置入产生EMF的空间时检测EMF中的变化，ECS(涡流传感器)检测导电材料。当将导电材料安置在EMF中时，导电材料中引起涡流以补偿穿透到导电材料体积内的电场。涡流产生其本身的EMF，其与原来的EMF相互作用造成EMF的补偿性变化。通过ECS检测EMF中的变化。经由各种校准技术，ECS与导体之间的已知距离可以从导体施加在EMF上的影响决定导体的某些方面。EMF改变的幅值取决于导电材料的电阻以及导电材料到ECS的接近度。通过使一些变量与各种校准技术固定结合，可使用ECS的这种特性来确定导电材料性质的各个方面的特性以及其与ECS的接近程度。
举例来说，ECS产生由1兆赫(MHz)信号组成的EMF。将硅基板上的导电膜(如铜、铝等)从EMF中通过。EMF引发涡流进入导电膜且引发的涡流与EMF相干扰。ECS检测由涡流引起的干扰所导致的ECS信号。
图1显示一个典型ECS 110。基板120具有导电膜130或在其上一层，以及由ECS 110放射的EMF 112(未按比例描绘)。典型地，将EMF112视为有效地从导体中穿透，穿透的深度量称为“透入深度”。透入深度为进入目标(如导体)中的距离，其中EMF波将衰减至EMF波的起始值的约1/e(约37％)。透入深度为EMF 112的频率与导体材料类型及其他因素的函数。若导体是导电膜130且导电膜为铜，则在1兆赫时透入深度为大约220,000埃。若铜膜130比透入深度薄(如约5000埃)，则EMF112将在铜膜130及基板120中均引起涡流。
由ECS110检测的结果信号同时包括了由基板120中引发的涡流及铜膜130中引发的涡流产生的分量。然而，即使导体130比透入深度厚，EMF也并非实际停止穿透在透入深度上，至少部分(如约37％)EMF进一步穿透出导体130之外(如进入基板120及基板120之外的环境中)。在本例中，导体130比透入深度薄，大部分EMF穿透进入甚至穿过基板120一段穿透距离114。
然而，由于基板120具有显著的电阻率，基板120中引发非常小的涡流。结果，大部分(如约90-95％)检测到的ECS信号是由导体130中引发的涡流引起的。仅有约5-10％的检测到的ECS信号是由基板120中引发的涡流引起的。
不幸的是，如果基板120为硅基板，由于切下基板的晶体的物理特性(如晶体结构、掺杂剂浓度、及其它物理特性)的不同，硅基板120的电阻率从边缘至中心变化。因为电阻率变化，基板120中的涡流在基板120的中心和边缘之间的差别可以成比例量。
将典型硅基板确定为具有“平均电阻率”值。平均电阻率值表示基板120的边缘的电阻率可能为基板120中心的电阻率的一半，由此产生电阻率100％或以上的变化。举例来说，如果可将晶片标记为具有平均电阻率1.0欧姆/厘米。电阻率1.0欧姆/厘米可允许晶片边缘上的电阻率为0.5欧姆/厘米及晶片中心的电阻率1.5欧姆/厘米或以上，由此在边缘和中心之间产生300％或以上的变化。硅基板也可以标记有电阻率的范围(如0.008-0.020欧姆/厘米)，代表晶片上任一处的电阻率均在一定的范围内。0.008-0.020欧姆/厘米的范围允许电阻率250％变化。所以，即使仅约5-10％检测的ECS信号是由基板120中引发的涡流引起的，但该5-10％可广泛地变化。例如，在约2％和约6％之间或在4％和约10％之间。
由于基板120所引起的检测的ECS信号中的变化使得难以准确地检测出所检测的ECS信号中由薄导电膜130引发的分量。需要一种系统及方法来减小或消除检测到的由基板中引发的涡流所产生的ECS信号的分量。

发明内容
概括地说，本发明通过提供一种测量ECS信号的改进系统和方法来满足这些需要。应意识到本发明可以许多方式来实现，包括处理、装置、系统、计算机可读介质或设备。以下将描述本发明的几个实施例。
一个实施例包括用于确定由基板引起的涡流传感器(ECS)信号的分量的方法。该方法包括将基板放置在相对于距离ECS为第一距离远的ESC的第一位置上。基板可包括基板的第一表面上的导电膜。可检测位于第一位置中的基板的第一个ECS信号。而后可将基板相对于ECS进行翻转，使得基板位于相对于距离ECS为第二距离远的ECS的第二位置。第二距离等于第一距离减去约基板厚度。检测位于第二位置中的基板的第二ECS信号。确定差信号。差信号等于ECS校正图上第一个信号电平与第二个信号电平之差。第二个信号电平偏移的距离约等于基板厚度。计算第一个ECS信号的第一个基板分量。第一个ECS信号的第一个基板分量等于第一距离及差信号的乘积，除以基板厚度。
导电膜具有大约10埃到大约20,000埃之间的厚度。导电膜为薄膜残余物。
可将ECS与第一个位置及第二个位置两者中的第一点对齐，第一点在基板的第一个表面上。
将导电膜在基板及第一个位置中的ECS之间并列放置。
翻转基板包括移动ECS。
翻转基板包括移动基板。
翻转基板包括将基板调整一个约等于导电膜厚度的量。
该方法也可包括计算第二个ECS信号的第二个基板分量。第二个ECS信号的第二个基板分量等于第二距离和差信号的乘积，除以基板厚度。
该方法也可包括计算由导电膜引起的第一个ECS信号的分量。由导电膜引起的第一个ECS信号的分量等于第一个ECS信号与第一个ECS信号的第一个基板分量之间的差。也可以确定导电膜的厚度。
另一个实施例包括用于映射基板的电阻率的方法。该方法包括确定由相对于基板表面上的第一点和第二点的基板引起的涡流传感器(ECS)信号的分量。对第一点计算第一电阻率，以及对第二点计算第二电阻率。从第一点及第二点的电阻率可推断电阻率曲线。
另一个实施例包括用于确定由基板引起的涡流传感器(ECS)信号的分量的系统。该系统包括朝向基板的ECS。基板位于相对于距离ECS位一个第一距离远的ECS的第一位置中。基板包括位于基板第一表面上的导电膜。还包括一个基板翻转器。基板翻转器能够相对于ECS翻转基板，使得基板位于相对于距离ECS为一个第二距离远的ECS的第二位置中。第二距离等于第一距离减去约基板厚度。控制系统连接到ECS。该控制系统包括检测第一位置中的基板的第一个ECS信号的逻辑电路，以及检测第二个位置中的基板的第二个信号的逻辑电路。控制系统也包括确定等于ECS校正图上的第一个信号电平和第二个信号电平之差的差信号的逻辑电路。第二个信号电平偏移约等于基板厚度的距离。控制系统还包括计算第一ECS信号的第一个基板分量的逻辑电路，该第一ECS信号的第一个基板分量等于第一距离和差信号的乘积，除以基板厚度。
系统也可以包括支撑第一位置和第二位置中的基板的平台。平台可为进行调整以补偿导电膜的厚度。
基板翻转器可包括可翻转基板的末端执行器。基板翻转器包括移动ECS的致动器。
ECS也可包括第一ECS及第二ECS，其中基板位于相对于第一ECS的第一位置中，以及基板位于相对于第二ECS的第二位置中。将第一ECS及第二ECS大体上对齐。
第一距离可基本上与第二距离相等。
约180度异相地操作第一ECS及第二ECS。
本发明通过准确地确定基板的电阻率，提供了对基板上的导电膜的更准确的测量及检测。
通过接下来结合附图的详细描述，以及通过举例来解释本发明的原理，本发明的其他方面和优点将更为明显。


通过以下结合附图的详细描述将轻易地理解本发明，并且相似的参考数字代表相似的结构元件。
图1示出了一个典型的ECS。
图2A及2B示出了根据本发明的一个实施例，用于测量在导电膜中引发的涡流的系统。
图3为用于进行确定由基板中引发的涡流所引起的ECS信号的分量的方法流程图。
图4示出了根据本发明的一个实施例，ECS的灵敏度与距离相比较的曲线图。
图5为根据本发明的一个实施例，用于确定由基板中引发的涡流所引起的ECS信号的分量的另一系统。
图6为根据本发明的一个实施例，用于进行映射基板电阻率的方法的流程图。
图7A为根据本发明的一个实施例，没有对基板的影响进行校正的ECS信号数据的曲线图。
图7B为根据本发明的一个实施例，对基板的影响进行了校正或补偿的相同ECS信号数据的曲线图。
具体实施例方式
现在将描述改进的涡流传感器系统及利用涡流传感器的改良的方法的几个典型实施例。本领域的技术人员将意识到无需本文所描述的特殊细节也可实施本发明。
随着导电膜的使用已增加，如半导体中的层，准确地测量薄导电膜(如铜膜)已变得也越来越重要。薄膜沉淀及随后的薄膜测量变得很普通。通常在半导体制造过程中的至少一点上对半导体晶片进行化学机械抛光(CMP)。CMP操作后常剩下非常薄的导电膜残余(如小于1200埃)。必须准确地测量该非常薄的残余膜的位置及厚度，以便可确定并实施适当、附加的CMP操作以去除残余膜，而不会去除残余膜之下的任何额外物质。
导电膜的准确测量要求必须将由基板中涡流产生的ECS信号分量大体上消除、减至最小或补偿。在此描述用于归因于基板的ECS信号进行大体上消除、减至最小或补偿的许多方法。
图2A和2B显示根据本发明的一个实施例，用于测量导电膜230中引发的涡流的系统200。系统200包括ECS110，ECS110连接至控制ECS110的控制器250。也包含一平台或基板支撑252，用于将基板220支撑在已知位置。还包含一末端执行器或其它基板操作系统，用于移动及翻转基板220。系统200也可包括可移动ECS110的致动器。首先参照图2A，其中将其上具有导电膜230的半导体基板220定位于第一位置，使导电膜230最接近ECS 110。导电膜230可以在几埃到高达20,000埃或以上之间的任何位置。导电膜230可以是非常薄的残余膜(如小于1200埃)，如不完全CMP处理后可能的剩余物。半导体基板220通常约为750微米(7,500,000埃)厚。将ECS110定位与基板220的中线222相距Ds1的位置。距离Ds1是离中心线222已知的距离。距离Ds1是通过测量在膜表面与加375微米之间的实际距离来确定，其中375微米等于通常约为750微米厚的半导体基板220的厚度一半。
图3为确定归因于基板220中所引发的涡流的ECS信号分量的方法操作300的流程图。在操作305中，将基板220置于第一位置。在操作310中，ECS 110引发涡流进入薄导电膜230及基板220中并接收第一个ECS信号S1。
第一个ECS信号S1是两部分信号Ss1及Sf的总合。Ss1是由引发到位于第一个位置的基板220中的涡流所产生的分量。Df是由引发到导电膜230中的涡流产生的ECS分量。
在操作315中，将基板220移动到如图2B所示的第二个位置。在第二位置中，导电膜230位于相对于ECS110与第一个位置大体上相同位置，然而，半导体基板220并列于导电膜230及ECS 110之间。相对于第一个位置，通过将基板220相对于ECS110翻转，简单地放置在第二个位置中。由于导电膜230具有一些厚度(如高达约20,000埃或以上)，简单地翻转基板将导致基板向ECS偏移一距离，该距离等于基板220及导电膜230两者的厚度总和(即750微米+20,000埃＝752微米)。在一个实施例中，可将基板230的位置调整以校正由于导电膜的偏移(即2微米)。可选择地，由于归因于基板220的ECS信号分量仅为总ECS信号的很小一部分(如5-10％)，可不对基板230进行调整。高达10％的基板220及ECS 110之间的距离Ds2中的误差是可允许的，这将在以下详细说明。
导电膜230相对于ECS110位于与第一个位置大体上相同的位置，然而，半导体基板220并列于导电膜230和ECS110之间。作为翻转晶片的另一选择，可将ECS110移动至基板220的相对侧，使得基板220相对于ECS110翻转。距离Ds2是中线222与ECS 110之间的距离，其中基板220于第二个位置。也将ECS 110定位于第一个位置及第二个位置中相对于基板220的表面上的一点(X，Y)的相同位置。
再度参照图3，在操作320中，ECS110引发涡流进入导电膜230及基板220中并接收第二个ECS信号S2。第二个ECS信号S2是两部分信号Ss2及Sf的总和。Ss2是由于涡流引发进入于第二个位置中的基板220而产生的ECS分量。Sf是由于涡流引发进入导电膜230而产生的ECS分量。
由于ECS信号为ECS110与基板220之间距离Ds2的函数，因此Ss1和Ss2是不同的。距离Ds2小于距离Ds1。Ds1和Ds2之间的差约等于基板220的厚度(即约750微米)。相反地，导电膜230及ECS110之间的距离Df在第一个位置及第二位置中基本相同，所以在S1及S2两者中的Sf大致相同。下列分析S2-S1＝ΔS及S2＝(Ss2+Sf)及S1＝(Ss1+Sf)所以(Sf2+Sf)-(Ss1+Sf)＝ΔS进一步简化提供Ss2-Ss1＝ΔS，其代表ΔS(S2和S1之间的差)是基板220的位置之差的函数。
图4显示根据本发明的一个实施例，ECS110的灵敏度与距离比较的曲线图400。基板220示于第一个位置410中，并随后于第二个位置420中。在操作325中，通过参照曲线图400来确定ΔS。ECS110的灵敏度标在y轴上，而ECS 110和所检测的导体(如基板220)之间的距离标于x轴上。随着距离增加，ECS信号接近于零，而随着距离接近于零，ECS检测到最大信号。ECS的灵敏度曲线图400大致为线性。因此，若涡流目标(如导体230或基板220)与ECS相距D，则灵敏度等于如曲线图400上所示的Sd1。若将涡流目标向ECS 110移近750微米，则灵敏度等于Sd2。ΔS为Sd1和Sd2之间的差。因为曲线图400为线性，则沿x轴的任何750微米的偏移都造成ECS信号的信号强度的偏移等于ΔS(即Sd1和Sd2之间的差)，并因此ΔS是从校正曲线图400获知的已知数量。
在操作330中，确定归因于基板220的ECS信号分量(ECCss)。回想如以上图2A及2B中所描述的，其中将具有750微米厚度的基板220移动到比第一个位置离ECS110近750微米的第二个位置中，而后可在校正曲线图400上找出ΔS。归因于基板220的ECS信号分量(ECSss)等于基板中心线222与ECS110之间的距离D与ΔS的乘积，除以基板的厚度。数学关系示表示为ECSss＝(Dsub)(ΔS)/(基板厚度)因此，归因于基板220的第一个ECS信号分量(Ss1)等于基板中心线222与ECS110之间的距离Ds1与ΔS的乘积，除以基板的厚度。数学关系示表示为Ss1＝(Ds1)(ΔS)/(基板厚度)类似地，第二个ECS信号的关系式为Ss2＝(Ds2)(ΔS)/(基板厚度)也可计算归因于导电膜230的第一ECS信号分量(Sf)。Sf等于第一ECS信号及第一ECS信号的第一基板分量之差。数学关系示表示为Sf＝S1-Ss1一旦确定Sf，通过参照绘有与导电膜230相同类型的导电膜的厚度相对的ECS信号强度的校正表，可准确地确定导电膜的厚度。
图5为根据本发明的一个实施例，用于确定由引入到基板220的涡流所产生的ECS信号分量的另一系统500。系统500包括两个ECS110、210，它们位于基板220的对面。两个ECS110、210也可与基板220的中心线222相距大致相同的距离(即Ds1’＝Ds2’)。可选择地，两个ESC110、210也可与基板220的中心线222相距大致不同的距离(即Ds1’≠Ds2’)。
两个ESC 110、210也彼此大致对齐。类似于上图3所述，基板220位于相对于第一个ECS 110的第一个位置，而同时基板220位于相对于第二个ECS 110的第二个位置。在系统500中，可在很短的连续中，检测第一个及第二个ECS信号，而无需实际翻转基板220或ECS110、210。
也可以通过同时但180度异相地操作ECS 110、210的方式来增加所检测的ECS信号的灵敏度。在这种方式中，来自第一个ECS 110的第一个EMF反射来自第二个ECS 210的第二个EMF，从而有效地放大了所检测的ECS信号，如由Gotkis等人于2002年9月25日申请的美国专利申请10/256,055，标题“涡流测量能力的增强”中通常所描述的，为了所有的目的，在此将该申请引入作为参考。
图6为根据本发明的一个实施例，映射基板的电阻率的方法操作600的流程图。在操作605中，通过上述方法确定由相对于基板表面上第一点的基板220所引发的ECS信号的第一个分量(第一个Ss1)。在操作610中，确定相对于基板表面上第二个点的基板220所引发的ECS信号的第二个分量(第二个Ss1)。在操作615中，计算第一个点的第一电阻率，而在操作620中，计算第二点的第二个电阻率。在操作625中，由第一点及第二点的电阻率可推出电阻率曲线。如上所述，典型基板具有放射状测量的大致线性电阻率。所以如果第一点及第二点距基板中心具有不同半径，则可从两点中推出电阻率曲线。
图7A和7B为根据本发明一个实施例的ECS信号的曲线图700、750。图7A为根据本发明的一个实施例，没有对基板影响进行校正的ECS信号数据的曲线图700。图7B为根据本发明的一个实施例，对基板影响进行了校正或补偿的相同的ECS信号数据的曲线图750。“仅有膜”曲线750开始非常接近坐标的中心0，0。如可轻易地看到，识别和补偿RCS信号中的基板影响允许校正真正的“仅有薄膜”的装置。
本文中使用的术语“约”指的是+/-10％。举例来说，短语“约750微米”代表675微米到825微米之间的范围。通过上述实施例，应理解本发明可利用各种计算机执行的包含将数据储存在电脑系统中的操作。这些操作为需要物理量的物理操作。通常，虽然并非必需，但这些数量采取能够被储存、转移、合并、比较或其它操作的电或磁信号的形式。此外，实施的操作通常是，如产生、识别、确定、或比较。
在此构成本发明一部分的所描述的任何操作都是有用的机械操作。本发明也涉及实施这些操作的装置或设备。可依专门所需的目的建造该设备，或者是由储存于计算机中的计算机程序选择性地操作或设定的通用计算机。特别是，可以根据本文中教导的计算机程序使用各种通用机器，或者是更方便的是建造更专用设备用于执行所请需的操作。
也可将本发明体现为计算机可读介质上的计算机可读代码。计算机可读介质是任何可储存由计算机系统读取的数据的数据存储设备。例如计算机可读介质包括硬盘驱动器、网络附属的存储器(NAS)、只读存储器、随机存取存储器、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁带、及其他光学和非光学数据储存装置。也可将计算机可读介质分布在与计算机系统相连接的网络上，以便分布式地存储和执行计算机可读代码。
将进一步意识到由图3及图6中的操作所表示的指令不需要以所说明的顺序来实施，且无需由操作表示的所有处理来实践本发明。此外，也可用储存在RAM、ROM、或硬盘驱动器中的任一者或其组合中的软件来实现图3和图6所描述的处理。
虽然为了清楚理解本发明的目的，而详细描述了上述发明，但应意识到可在随附权利要求的范围内实行一定的改变和修改。因此，应将本实施例视为解释性而非限制性的，本发明不限于本文中所给出的详细描述，而是可在随附权利要求的范围及等同物内进行修改。
权利要求
1.一种用于确定由基板引起的涡流传感器(ECS)信号分量的方法，包括将基板放在相对于ECS的第一位置中，该第一位置与ECS相距第一距离，基板包括位于基板的第一表面上的导电膜；检测基板位于第一位置时的第一ECS信号；相对于ECS翻转基板，使得基板位于相对于ECS的第二位置中，该第二位置与ECS相距第二距离，第二距离等于该第一距离减去约基板厚度；检测基板位于第二个位置时的第二ECS信号；确定差信号，该差信号等于在ECS的校正图上第一信号电平与第二信号电平之间的差，第二信号电平偏移大约等于基板厚度的距离；以及计算第一ECS信号的第一基板分量，该分量等于第一距离与差信号的乘积，除以基板厚度。
2.如权利要求1的方法，其中导电膜的厚度在大约10埃到大约20，000埃之间。
3.如权利要求1的方法，其中导电膜为膜残余物。
4.如权利要求1的方法，其中ECS在第一位置及第二位置中与第一点对齐，该第一点在基板的第一表面上。
5.如权利要求1的方法，其中将导电膜并列置在基板及第一个位置中的ECS之间。
6.如权利要求1的方法，其中翻转基板包括移动ECS。
7.如权利要求1的方法，其中翻转基板包括移动基板。
8.如权利要求1的方法，其中翻转基板包括将基板调整至大约等于导电膜厚度的量。
9.如权利要求1的方法，进一步包括计算第二ECS信号的第二基板分量，该分量等于第二距离与差信号的乘积，除以基板厚度。
10.如权利要求1的方法，进一步包括计算由导电膜引起的第一ECS信号分量，该分量等于第一ECS信号和第一ECS信号的第一个基板分量之间的差。
11.如权利要求1的方法，进一步包括确定导电膜的厚度。
12.一种映射基板的电阻率的方法，包括确定由相对于基板的表面上的第一点的基板引起的涡流传感器(ECS)信号分量，包括将基板放在相对于ECS的第一位置中，该第一位置与ECS相距第一距离，基板包括位于基板的第一表面上的导电膜；检测基板位于第一位置时的第一ECS信号；相对于ECS翻转基板，使得基板位于相对于ECS的第二位置中，该第二位置与ECS相距第二距离，第二距离等于第一距离减去约基板厚度；检测基板位于第二个位置时的第二ECS信号；确定差信号，该差信号等于在ECS的校正图上第一信号电平与第二信号电平之间的差，第二信号电平偏移大约等于基板厚度的距离；以及计算第一ECS信号的第一基板分量，该分量等于第一距离与差信号的乘积，除以基板厚度。确定由相对于基板表面上的第二点的基板引起的涡流传感器(ECS)信号分量；对第一点计算第一电阻率；对第二点计算第二电阻率；并由第一点及第二点的电阻率推出电阻率曲线。
13.一种用于确定由基板引起的涡流传感器(ECS)信号分量的系统，包括朝向基板放置的ECS，该基板位于相对于ECS的第一位置中，该第一位置与ECS相距第一距离，基板包括位于基板第一表面上的导电膜；基板翻转器，能够相对于ECS翻转基板，使得基板位于相对于ECS的第二位置中，该第二位置与ECS相距第二距离，第二距离等于第一距离减去约基板厚度；与ECS相连接的控制系统，该控制系统包括用于检测基板位于第一位置时的第一ECS信号的逻辑电路；用于检测基板位于第二位置时的第二ECS信号的逻辑电路；用于确定差信号的逻辑电路，该差信号等于在ECS的校正图上第一信号电平与第二信号电平之间的差，第二信号电平偏移大约等于基板厚度的距离；以及用于计算第一ECS信号的第一基板分量的逻辑电路，该分量等于第一距离与差信号的乘积，除以基板厚度。
14.如权利要求13的系统，进一步包括用于在第一位置和第二位置中支撑基板的平台。
15.如权利要求14的系统，其中平台可调整以补偿导电膜的厚度。
16.如权利要求13的系统，其中基板翻转器包括可翻转基板的末端执行器。
17.如权利要求13的系统，其中基板翻转器包括可移动ECS的致动器。
18.如权利要求13的系统，其中ECS包括第一ECS和第二ECS，并且其中基板位于相对于第一ECS的第一位置及相对于第二ECS的第二位置，第一ECS与第二ECS大体上对齐。
19.如权利要求18的系统，其中第一距离大体上等于第二距离。
20.如权利要求18的系统，其中以大约180度异相操作第一ECS和第二ECS。
全文摘要
一种用于确定由基板引起的涡流传感器(ECS)信号分量的系统及方法，包括将基板放在相对于ECS的第一位置中，该第一位置与ECS相距第一距离。基板可包括位于基板的第一表面上的导电膜。可检测基板位于第一位置时的第一ECS信号。接着可相对于ECS翻转基板，使得基板位于相对于ECS的第二位置中，该第二位置与ECS相距第二距离。第二距离等于第一距离减去约基板厚度。检测基板位于第二个位置时的第二ECS信号。确定差信号。差信号等于在ECS的校正图上第一信号电平与第二信号电平之间的差。第二信号电平偏移大约等于基板厚度的距离。计算第一ECS信号的第一基板分量。第一ECS信号的第一基板分量等于第一距离与差信号的乘积，除以基板厚度。
文档编号G01B7/02GK1732384SQ200380107407
公开日2006年2月8日 申请日期2003年12月22日 优先权日2002年12月23日
发明者Y·戈特基斯 申请人:兰姆研究有限公司