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一种对离子导电体的双电量测量方法及应用的制作方法

时间:2025-06-12    作者: 管理员

专利名称:一种对离子导电体的双电量测量方法及应用的制作方法
技术领域:
本发明涉及一种对离子导电体的双电量测量方法及应用方法,特别是针对地下水资源勘探、油气勘探、导电金属矿物勘探工程中使用的ー种对离子导电体的双电量测量方法。
背景技术:
现有技术中,针对离子导电体的电法测量一般采用电阻率法或阻抗法,在勘探领域一般采用电阻率法或激发极化法或复电阻率法。该类技术的共同之处是依托基本物理量电阻率和阻抗、相位、极化率、频散率、虚部、实部多个综合物理量对被测物体进行定性分祈。由于测量获取的电阻率參数是由有功电流形成的,因而与被测物体相关性高;测量获取的综合物理量是未知比例的有功电流和无功电流共同作用的响应,因而与被测物体相关性 低。大地的导电性能主要受地层含水率、流体矿化度和导电矿物三种因素的直接影响,三种因素都属于未知变量,而现有測量方法中仅仅测量了有功电流,很难对大地的地层含水率、流体矿化度和导电矿物等多种影响进行准确地解释,所以造成目前的电法勘探解释结论符合率较低。

发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种对离子导电体的双电量测量方法及应用方法,能够提高离子导电体定性和定量分析的能力;能够提高地下水资源、导电金属矿物和油气的勘探成效。本发明采取的技术方案为本发明ー种对离子导电体的双电量测量方法,其方法包括1、向被测量的离子导电体A、B两点之间供给小于IOKHz频率的交变电流,电流流经离子导电体后,形成待测的电压V、模电流Iz、相位Θ、有功电流Ir和无功电流Ix待测信息;2、按照常规方法采集电压、模电流、相位Θ信息;3、采用与电压相位一致的方波以相敏检波获取有功电流Ir,或采用公式Ir = Iz Xcos Θ获取有功电流;4、采用比电压相位超前90°的方波以相敏检波获取无功电流IX,或采用公式Ix = Iz X sin0获取无功电流;
5、采用电学公式R=V/Ir计算获取电阻R,采用电学公式Xc=V/Ix获取容抗Xe,采用电学公式C=Iパ2 FXc)获得电容C ;6、采用电学公式P =KrXR计算获取电阻率P,公式中P为电阻率,R为实测电阻,Kr为电极系数,Kr的単位,m ;7、采用新创公式 =Kc X C获得离子电容率,公式中C为实测电容,为离子电容率,离子电容率的量纲为法拉/米,F/m,Kc为电极系数,Kc的单位,1/m。本发明ー种对离子导电体的双电量应用,其应用包括,I、采用公式
权利要求
1.一种对离子导电体的双电量测量方法,其特征在于向被测量的离子导电体A、B两点之间供给小于IOKHz频率的交变电流,电流流经离子导电体后,形成电压V、模电流Iz、相位Θ、有功电流Ir、无功电流Ix待测信息;按照常规方法采集电压信息和模电流(3);采用与电压相位一致的方波(2)以相敏检波获取有功电流Ir,或采用公式Ir = Iz Xcos Θ 获取有功电流Ir ;采用比电压相位超前90°的方波(3)以相敏检波获取无功电流Ix,或采用公式Ix = Iz X sin Θ获取无功电流;采用电学公式R=V/Ir计算获取电阻R,采用电学公式Xc=V/Ix获取容抗Xe,采用电学公式C=I/ (2 Ji FXc)获得电容C ;采用电学公式 P =KrXR计算获取电阻率P ,公式中P为电阻率,R为实测电阻,Kr为电极系数,Kr的单位,m;采用新创公式 =KcXC获得离子电容率,公式中C为实测电容,为离子电容率,离子电容率的量纲=法拉/米,F/m, Kc为电极系数,Kc的单位,1/m。
2.—种对离子导电体的双电量应用,其特征在于应用包括,采用公式
全文摘要
本发明涉及一种对离子导电体的双电量测量方法及应用,双电量测量方法是采用与电压相同的方波相敏检波获取有功电流Ir,采用与电压超前90°的方波相敏检波获取无功电流Ix,然后根据电学公式计算获取电阻率ρ和离子电容率ε;双电量应用方法是首先利用本发明的公式计算离子电容率相对于电阻率的相对变化关系M值,再根据M值的变化识别地下各种不同的矿藏。本发明的有益效果及优点是能够提高离子导电体定性和定量分析的能力;能够提高地下水资源、导电金属矿物和油气的勘探成效。
文档编号G01V3/06GK102692652SQ201210190998
公开日2012年9月26日 申请日期2012年6月12日 优先权日2012年6月12日
发明者刘红岐, 邱春宁 申请人:西南石油大学

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