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专利名称：一种力敏传感器结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及カ敏传感器领域，尤其是涉及到一种カ敏传感器结构。
(ニ)
背景技术：
力敏传感器，即探测力的传感器，其种类甚多、传统的測量方法是利用弾性元件的形变和位移来表示，但它的体积大、笨重、输出非线性。随着微电子技术的发展，利用半导体材料的压阻效应和良好的弾性，研制出半导体力敏传感器，主要有硅压阻式和电容式两种，它们具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点，因此半导体力敏传感器得到广泛应用。

发明内容本实用新型提供一种カ敏传感器结构，该结构利用硅的压阻效应，利用杠杆的原 理实现力的放大，灵敏度高。本实用新型所采取的技术方案为，ー种力敏传感器结构，包括固定端、柔性支撑杆、力探測端、检测电路，其中，柔性支撑杆的一端固定于固定端，另一端与力探測端相连接；柔性支撑杆的结构为柔性的杆上镀有硅压阻材料；检测电路与柔性支撑杆上的硅压阻材料相连接。本实用新型的有益效果是利用半导体硅材料大的压阻效应，通过杠杆实现カ的放大，具有更高的灵敏度。

图I为本实用新型的结构示意图。图中I、固定端，2、柔性支撑杆，3、カ探测端，4、检测电路
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进ー步详细描述。图I为本实用新型的结构示意图，固定端I、柔性支撑杆2、力探測端3、检测电路4，其中，柔性支撑杆2的一端固定于固定端1，另一端与力探測端3相连接；柔性支撑杆2的结构为为柔性的杆上镀有硅压阻材料；检测电路4与柔性支撑杆2上的硅压阻材料相连接。当力作用于カ探測端3时，柔性支撑杆2发生弯曲，柔性支撑杆2上面的硅压阻材料感受到カ的变化，通过检测电路4测出电阻的变化，进而探知力的大小。本实用新型采利用半导体硅材料大的压阻效应，通过杠杆实现カ的放大，具有更高的灵敏度。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.ー种カ敏传感器结构，包括固定端、柔性支撑杆、力探測端、检测电路，其特征在于所述的柔性支撑杆的一端固定于固定端，另一端与力探測端相连接；所述的柔性支撑杆的结构为柔性的杆上镀有硅压阻材料；所述的检测电路与柔性支撑杆上的硅压阻材料相连接。
专利摘要随着微电子技术的发展，利用半导体材料的压阻效应和良好的弹性，研制出半导体力敏传感器，主要有硅压阻式和电容式两种，它们具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点，因此半导体力敏传感器得到广泛应用。本实用新型提供一种力敏传感器结构，包括固定端、柔性支撑杆、力探测端、检测电路，其中，柔性支撑杆的一端固定于固定端，另一端与力探测端相连接；柔性支撑杆的结构为柔性的杆上镀有硅压阻材料，检测电路与柔性支撑杆上的硅压阻材料相连接。当力作用于力探测端时，柔性支撑杆发生弯曲，通过检测电路测出电阻的变化，进而探知力的大小。本实用新型采利用半导体硅材料大的压阻效应，通过杠杆实现力的放大，具有更高的灵敏度。
文档编号G01L1/18GK202522346SQ201220063350
公开日2012年11月7日 申请日期2012年2月21日 优先权日2012年2月21日
发明者徐东升 申请人:徐东升