专利名称：用于探测对象中的缺陷的方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于探测对象中的缺陷的方法以及一种用于执行所述方法的装置。
背景技术：
在制造产品时，通常力争尽可能少生产次品。因而致力于，在原材料或者半成品进 入生产之前，检查原材料或者半成品可能的缺点或者缺陷。以这种方式，可以在最后的检验 之前或者在稍后确定所制造的产品有缺陷之前，阻止这些有缺陷的原材料或者半成品进入 制造过程以及由此带来的成本和花费。例如在制造尤其是太阳能电池这样的半导体元件 时，将硅片作为原材料。厚度最高为几百微米的、经常被描述为硅晶片的硅片相对较�。� 而易碎。当这种硅片进入相应加工程序时，有时候已经有了微小裂缝或者其他形式的机械 损伤。因为用肉眼经�：苣芽闯稣庵秩毕荩蚨紫瘸⑹杂霉馔干涔杵⒁哉庵址绞绞侗� 可能的缺陷。然而，在不均质的对象中，有时候只能以非常不可靠的方式探测缺陷，这是因为存 在的不均质性妨碍了对缺陷的探测。在多晶半导体材料，尤其是多晶硅片中，例如由于结构 的覆盖而阻碍了对裂缝、微小裂缝、夹杂等的识别。
发明内容
鉴于此，本发明的一个目的是提供一种方法，借助于该方法能够可靠地探测对象 中的缺陷。此外本发明的任务还在于提供执行所述方法的装置。在根据本发明的方法中，使具有一定波长的入射光照射对象，所述对象对于所述 波长是可透射的。此外，在至少部分地避免探测所述入射光的直接透射的部分，且至少 部分地避免探测所述入射光的一次反射的部分的情况下，探测所述入射光的多次反射的部 分。因此在探测入射光的多次反射的部分同时，并不探测入射光的至少一部分直接透射的 部分以及入射光的至少一部分直接反射的部分。此外通过分析所述入射光的被探测到的部 分中的强度差来识别缺陷。在此，所述光在原则上可以被理解为任意类型的电磁辐射，只要 其具有一波长，且所述对象对于所述波长是可透过的。根据本发明的含义，入射光的直接透 射的部分是不存在先前的反射而透射穿过对象的光部分。在本发明中，缺陷不可以理解为 通常的晶体缺陷(其中例如包括晶界)，而是理解为对象的机械损伤，例如裂缝、微小裂缝、 裂口、机械张紧或者夹杂。在对象中，只要入射光被反射，那么入射光大部分在对象界面上反射，也就是在其 上表面和下表面上反射。这种多次反射光与直接透射或者仅一次反射光相比将在对象内 经过更长的路径。在此关于对象的不均质结构的信息，例如关于多晶半导体对象(尤其是 多晶硅晶片)的晶体结构的信息消失。而且，对于探测到的信号而言，决定性的是所谓的界 面的特性，也就是表面的特性。如果表面相对粗糙，那么所述多次散射类似于朗伯辐射体
4(lambertsche Strahler)。所述多次反射可以理解为朗伯多次反射，在对象中在局部造成 较为均勻的光。探测到的直接透射光或者仅一次反射光越少，那么探测到的光就越频繁地 被散射，晶体结构在探测信号中就消失得越明显。如果将探测到的信号转换为图像，那么在 图像中晶体结构相应变得更�：�。
反之，例如在多晶半导体片中有裂口，该裂口沿着那里存在的晶体结构形成。裂口 的表面可以相应假定是非常平滑的，以致于在其上发生全反射。朝向裂口方向传播的入射 光在裂口的镜面上全反射，也就是镜面反射。该镜面原则上可以任意取向，从而在裂口处的 全反射就会在硅片上表面上或者下表面上形成“明部”。在形成“明部”的一侧，相应地形 成“暗部”。在相应的图像处理算法中可以充分利用由此产生的明暗特性，以便可靠地识别 裂口。在此仅分析入射光的被探测到的部分中的强度差，并由此识别缺陷，尤其是所谓的裂 口。如果例如在所检查的对象中没有裂口而是有夹杂，那么在较亮的背景前该夹杂显现为 暗色，并且同样可以借助于适当的图像处理算法识别该夹杂。图1至图3示意地显示了所述缺陷。图1以示意图示出多晶硅片20的图像，该图 像是根据现有技术，利用红外探测器，按照直接透射光方法记录的。在该图像中能够看到 多个晶界24。断裂面通常沿着这些晶界延伸。在图1中在圆圈处示出这种裂口 22。裂口 22的曲线通过较粗的线条人为地强调出来。没有这种人为的强调，裂口 22实际上不能与晶 界24区别开来。这恰恰妨碍了在这种材料或者类似材料的情况下探测缺陷。如前已述，在 直接透射光情况下形成图1的照片。也就是说，硅片在一侧被在局部照射，而在另一侧借助 于探测器主要探测直接透射的光。为了生成硅片20的完整图像，利用探测器以及所用的光 源对硅片进行扫描。反之，如果根据本发明的方案，至少部分地避免探测直接透射光和一次反射光，那 么所获得的硅片20的图像大致相当于图2的视图。如该图所示，以这种方式可以屏蔽大部 分的结构24，从而明显更容易地识别裂口 22。在裂口 22的周边仍可以看出晶体结构24，但 是比图1所示更淡，这是因为此处部分地探测了直接透射光和/或一次反射光。然而当完全避免探测入射光的直接透射的部分并且也完全避免探测入射光的一 次反射的部分时，同样也可以屏蔽在图2中仍可见的结构24。在这种情况下，可获得例如图 3所示的图像。在此可以清楚看到裂口 22，因为结构24被完全屏蔽。而且，图3示意性示 出的图像是由硅片20的表面粗糙度决定的。然而实践表明，尤其是在由硅块锯切得到的、 用酸性蚀刻材料表面处理的多晶硅片20情况下，可以很近似地实现朗伯多次反射，进而实 现局部各向同性的照射。在本发明方法的一个优选变形实施方式中，入射光被聚焦到对象的表面上。由此 可以非常强烈地在局部照射所述对象。为了照射对象，优选入射线条形光，尤其优选入射聚焦到对象表面上的线条形光， 并且沿着一条直线探测入射光的多次反射的部分。这种探测例如可以借助于线条式传感 器，尤其借助于线型探测器实现。在本发明方法的一个优选变形实施方式中，对不均勻对象中的缺陷进行探测。根 据本发明，不均质的对象可以理解为这样的对象，即，其不具有统一的基本结构，例如不具 有统一的晶体结构。因此多晶对象，尤其是多晶半导体材料是这种不均质对象。在实践中，在探测硅体，优选地是硅片，特别优选地是多晶硅片中的缺陷的情况下，本发明的方法已经被证实是有效的。根据本发明，硅片可以一方面是仅通过锯切得到的 硅片、锯切后经过表面处理的硅片，或者，也可以是完成的或者经过局部处理的硅太阳能 电池。根据本发明的一个改进实施方式，在探测硅体中的缺陷时，入射光是波长为 IlOOnm至5000nm的光，优选地是波长为IlOOnm至2000nm的光。在本发明方法的一个优选变形实施方式中，在这种硅体中探测缺陷，所述硅体通 过锯切而与原始硅体分离。因而硅体具有至少一个局部粗锯的表面，由此在硅界面上可以 造成入射光的有统计学特性的散射。利用朗伯辐射体可以相对良好地说明该散射的统计学 特性。如果在探测缺陷之前至少在局部对硅体进行表面处理，那么被证实的是，就利用 本发明方法探测缺陷而言，使用酸性蚀刻材料表面处理硅体是有利的。反之，使用碱性蚀刻 材料表面处理会阻碍对缺陷的探测。根据本发明方法的一个变形实施方式，为了实现在局部照射的目的，使光入射到 所述对象的一侧的局部，并且在所述对象的同一侧探测所述入射光的多次反射的部分。这 是所谓的入射光法。当在对象的一侧设置所用的光不可穿透的层(例如金属覆层)时，入 射光方法是特别有利的，这是因为用于在局部照射的光源以及用于探测多次反射光的探测 器这两者均可以设置在对象的非金属侧。在一个有利的变形实施方式中，光倾斜于对象的表面入射。由此光将在对象内经 过更长的路径，这对于晶体结构的消失或者其他不均质性而言被证实是有利的。根据所述入射光方法的一个另选变形实施方式，为了实现在局部照射的目的，使 光入射到所述对象的第一侧的局部，并且在所述对象的与所述第一侧相对的第二侧探测所 述入射光的多次反射的部分。这种方法通常被称为透射光法。在透射光法的情况下，光也优选地倾斜于对象的表面入射。这种方式(已经结合 入射光方法对其进行了说明)将对缺陷探测产生有利影响。根据本发明方法的一个优选变形实施方式，为了在局部照射，使入射光移过对象 表面的至少一部分，优选移过对象的整个侧面。这种移过可以连续进行或者步进地进行。以 这种方式可以生成对象的完整的图像。使入射光移过对象表面的至少一部分的一种具体实 现方式是，使对象相对于探测器和光源运动。根据本发明的装置包括光源，其用于利用具有一波长的光对对象进行局部照射， 所述对象对于所述波长是可透过的；探测器，其用于探测由所述光源发射的光。此外，所述 探测器和所述光源以这样的方式设置，即，照射区域的至少一部分和直接透射部分光的出 射区域的至少一部分位于所述探测器的检测区域之外，在所述照射区域中能够借助所述光 源对所述对象进行局部照射。在此，直接透射光的出射区域可以理解为对象的一个表面区 域，在该出射区域中，入射光的直接透射部分从对象出射。探测器的检测区域是对象的能够 利用探测器进行检测的区域。在本发明装置的一个变形实施方式中，借助于所述光源能够发射频率为IlOOnm 至5000nm的光，优选地能够发射频率为IlOOnm至2000nm的光。相应地，所述探测器，优选地在IlOOnm至5000nm的波长范围内，特别优选在 1 IOOnm至2000nm的波长范围内，是敏感的。
本发明装置的一个有利变形实施方式包括光学器件，其用于将由光源发射的光聚 焦到对象表面上。由此可以局部加强由光源发射且入射到对象上的光。本发明的装置的一个有利变形实施方式包括输送装置，借助于所述输送装置可以 把对象输送经过探测器的检测区域。这种装置优选地是连续运行的，这种运行方式通常被 描述为“在线”工作方式。以这种方式可以在节约成本的前提下对大量的对象进行检查。在一个优选变形实施方式中，本发明装置包括分析装置，其用于分析入射光的被 探测到的部分中的强度差。根据本发明的一个改进实施方式，所述探测器的所述检测区域与所述照射区域以 及直接透射光的所述出射区域彼此隔开。以这种方式可以在很大程度上轻松地避免探测直 接透射光以及一次反射光。在本发明的一个变形实施方式中，所述光源和所述探测器被设置在一个安放面的 同一侧，所述对象能够布置在所述安放面处。这种配置方式允许以入射光方法探测缺陷。在 另一变形实施方式中，所述光源和所述探测器被设置在所述安放面的彼此相对的两侧，这 可以以透射光方法探测缺陷。在本发明装置的一个优选变形实施方式中，用至少一个线形光源为光源，并且将 至少一个线形传感器的装置作为探测器。优选地是将线型探测器用作为线形传感器。在本发明装置的所有变形实施方式中，探测器优选地包括透镜，该透镜在光源的 波长范围内工作。在此按照优选方式，所述透镜和探测器的可能的其他光学构件以这样的 方式布置，即，对象的位于探测器检测区域中的区域被投影在探测器的传感器上，例如在其 线形传感器上。在一个优选变形实施方式中，所述线形传感器和可能的透镜和可能的其他光学构 件以这样的方式取向，即，在要检查的对象(例如硅片)被输送经过探测器的检测区域时， 能够完整地检测所述硅片。因而通过使要检查的对象(例如硅片)被输送经过检测区域， 就可以生成对象(例如硅片)的完整图像。在本发明装置的一个改进实施方式中，所述线形光源和所述线形传感器以这样的 方式取向，即，由所述线形光源和其光轴的纵向延伸方向形成的光平面和由所述线形传感 器和其光轴的纵向延伸方向形成的探测器平面分别与所述安放面形成交线，所述交线彼此 平行。因为探测器是线形传感器，光源是线形光源，所以也可以用光学平面来代替光轴进行 说明。在这种情况下，光平面相当于线形光源的光学平面，探测器平面相当于线形传感器的 光学平面。在一个优选变形实施方式中，由输送装置(例如输送带)至少在局部构成安放面。 这些输送带的上表面为对象的安放面。在本发明的装置的一个特别优选的变形实施方式中，探测器，特别是线形传感器， 以这样的方式取向，即，其光轴平行于安放面延伸。在本发明的装置的一个改进实施方式中，所述装置以这样的方式设计，S卩，彼此平 行的所述交线的间距是能够改变的。由此能够以简单方式调节在何种范围内避免探测直 接透射光或者避免探测一次反射光。在本发明的装置的一个有利的变形实施方式中，由所述光源和所述探测器组成的 组中的至少一个元件被以可移动方式设置。所述元件尤其以可转动和/或枢转的方式设置。这实现了光源和探测器的相对取向的轻松调整。在本发明的一个变形实施方式中，以 这种方式，探测器的交线或者光平面的交线与安放面可以轻松地彼此平行地取向。
下面将结合附图对本发明进行进一步说明。在附图中，对作用相同的元件采用相 同的附图标记。附图中图1以示意图显示了具有裂口的多晶硅片的图像，该图像是用根据现有技术的方 法为探测缺陷而获得的；图2以示意图显示了根据图1的多晶硅片的图像，该图像是用根据本发明的方法， 在至少部分地避免探测直接透射光且至少部分地避免探测一次反射光的情况下获得的；图3以示意图显示了根据图1的多晶硅片的图像，该图像是用根据本发明的方法 在完全避免探测直接透射光且完全避免探测一次反射光的情况下捕捉的；图4显示了本发明的方法的一个实施例的原理图；图5以示意图显示了本发明的装置的第一实施例；图6是图5的细节的放大视图；图7显示了本发明的装置的第二实施例的原理图；图8是图7的细节的放大视图；图9以放大视图显示了与图8相同的局部区域，其中示意说明了一次反射光。
具体实施例方式图4结合示意图示出本发明方法的第一实施例。根据该第一实施例，利用红外线 光在局部照射多晶硅体(步骤10)。此外，在检测区域内探测光(步骤12)，该检测区域与 照射区域和出射区域彼此隔开，在该照射区域中硅体在局部被照射；而在该出射区域中，为 了在局部照射硅体而入射的红外线光直接从该出射区域透射出来。以这种方式，可以极大 地避免探测入射的红外线光的直接透射光或者避免探测该红外线光的一次反射光。如上所 述，遗留的缺陷、尤其是裂口或者夹杂，可以利用入射光的被探测到的部分中的特征强度差 而得到识别。因此，分析这种强度差，并结合该强度差，可以识别缺陷(步骤14)。图5显示了本发明的装置的第一实施例。该装置包括光源，该光源在此被实施为 线形光源40的形式。借助于该光源40，光入射到从硅块锯切得到的、酸洗后的多晶硅片20 上。该实施例示出了线形光源40的光轴41，如上所述，光轴41也可以看做为光学平面。多 晶硅片20被安放在输送带45a、45b的上表面上，因而输送带45a、45b构成安放面46。在安 放面46的与线光源40相对的一侧设置有探测器，该探测器在此被实施为线形探测器42的 形式。例如结合其光轴43 (该光轴43也可以被理解为光学平面)，可以认为线形探测器42 向下面对硅片20的表面。线形光源40和线形探测器42相对于安放面46的设置方式，可 以以透射光法实现缺陷识别。线形探测器42与分析装置44连接，分析装置44可以通过分析入射光的被探测到 的部分中的强度差来识别缺陷。图6显示了根据图5的装置的局部放大图，并用于说明可利用图5的装置执行的 本发明的方法。如图6所示，照射区域51中的入射光50从线形光源40沿着光轴41照射到多晶硅片20上。在此，入射光50按照有利的方式通过设置在线形光源40中的光学器件 聚焦到照射区域51上。入射光50在照射区域51中在多晶硅片20的表面上被局部反射。在图6中，为了 清楚显示，省略了该一次反射光。剩余光贯穿多晶硅片20并且其一部分在硅片20的上界 面从硅片20出射。这是直接透射光48。在所有附图中简明起见均忽略了由临界面处的光 折射造成的一定程度上的平行偏移的光出射。剩余的、不直接透射的部分光在临界面上朝向周边反射。这些一次反射光一部分 在硅片20的下表面上从硅片20出射，因而不再能够到达探测器42。剩余的部分光反射第 二次，因而是多次反射光。在界面上的这种反射过程多次发生。由于入射光50的倾斜入射， 光在传播中得到多次反射(在图6朝向左侧)，从而光最终到达探测器的检测区域47，并在 那里在从硅片20出射之后可以被探测到。对光路径的这种说明是经过简化的，并且这种方式对于具有相对平滑表面的对象 肯定是足够的。反之，在要检查的对象存在或多或少粗糙表面的情况下，在对象的界面上或 多或少存在散射。这种散射恰好使得本发明方法有效率。例如，入射光50可以真地平行于 线型探测器的光轴43入射，尽管如此检测区域47中仍可以探测到部分光。之所以如此，是 因为硅片20表面上的散射导致在硅片的平面中出现光传播；而在硅片表面为理想平滑的 情况下，假如入射光50果真平行入射，那么这种情况是不可能出现的。虽然如此，在本发明 的方法中，即使在入射光50在对象的表面上强烈散射的情况下，在硅片20的现有情况下， 通过入射光的倾斜入射(也就是说，如图6和图5所示地倾斜照射)，硅片中的部分光的传 播(也就是说，在图5和图6中水平朝向左侧)也得以加强。多次反射造成光线在所检查对象内部(在本实施例中是在各向同性良好的硅片 20内部)传播。此外，平行于因采用线形光源40而线形延伸的照射区域51得到良好均勻 的光传播。因为光在对象内部传播，尤其是在硅的情况下具有长的自由路径，所以多晶硅片 20的晶体结构在由线形探测器42生成的图像中消失的越多，检测区域47离开照射线49就 越远。由线形探测器获取的图像总是显著依赖对象(此处是硅片20)的表面粗糙度。在图 5和图6的实施例中，硅片20由硅块锯切得到，因而具有较大的表面粗糙度。这更加强了多 次反射的由本发明带来的效果。如果在所检查的对象中(在本实施例中是在硅片20中)存在夹杂或者裂口，那么 这造成在探测到的部分光中出现特有的强度差，结合该强度差，可以借助图像处理算法，在 分析装置44中识别这些缺陷。如图6所示，在所示的实施例中，线形探测器42的检测区域47与照射区域51以 及直接透射光48的出射区域49彼此隔开。由此能够以简单方式在很大程度上避免探测入 射光50的直接透射部分48，并且避免探测入射光50的一次反射部分。在图5的实施例中，线形光源40和线形探测器42的纵向延伸方向垂直于附图平 面。因而线形光源40和其光轴41的纵向延伸方向形成光平面，该光平面垂直于附图平面 延伸并且其位置在附图平面中通过线形光源40的光轴41来示出。此外附图标记41也充 当光平面的表示。相应地，线形探测器42和其光轴43的纵向延伸方向形成探测器平面，该 探测器平面同样垂直于附图平面延伸，且通过线形探测器的光轴43示出探测平面在附图 平面中的位置。因而附图标记43在下文中也被用作为该探测器平面的表示。
光平面41和探测器平面43分别与安放面46相交，并形成交线55和56。交线55 和56垂直于附图平面延伸，并且彼此平行。在图5的实施例中，线形光源40以可移动的方式布置。线形光源40以能够围绕垂 直于附图平面延伸的轴线转动的方式布置，此外能够围绕位于附图平面中的轴线转动。 以 这种方式，可以轻松地使交线55、56彼此平行。此外，平行的交线55、56的间距可以改变。 为此目的，仅需要使线形光源围绕垂直于附图平面延伸的轴线转动。通过改变平行的交线 55,56的间距，可以轻松地调节在何种范围内避免探测直接透射光和避免探测一次反射 光。图7显示了本发明的装置的另一实施例，同时显示了本发明的方法的一个实施 例。根据图7的装置与根据图5的装置的区别仅在于线形光源60或者40的设置方式不 同，且线光源60的光轴61的走向或者说线光源60的光平面61的走向所造成的后果不同。例如，从图7可以得悉，光源60和探测器42设置在安放面46的同一侧。因而本 发明的装置的所示的变形实施方式适于执行入射光方法。一个特别的优点是，硅片20的一 侧可具有所用的光不可穿透的覆层，例如金属层。该金属层在图7的实施例中被设置在硅 片20的面对输送带45a、45b的一侧。线形光源60的纵向延伸方向仍然垂直于图7的附图平面，从而由线形光源60和 其光轴61的纵向延伸方向所形成的光平面一方面垂直于附图平面延伸，另一方面通过光 轴61标示出该光平面在附图平面之内的位置。因而附图标记61同时被用作为该光平面的表不。图8显示了根据图7的局部放大视图。例如从图8可以得悉，在图7的实施例中， 线形探测器42的检测区域47也与照射区域51以及直接透射光48的出射区域49彼此隔 开。如前所述，以这种方式可以简单且尽可能地避免探测直接透射光48或一次反射光。图9显示了检测区域47与照射区域51或者出射区域49的间距影响避免探测一次 反射光的程度。图9显示了同图8 一样的局部放大图，但是还显示了一次反射光53a、53b。 结合该图明显看出，在检测区域和出射区域49处于此处所选择的间距的情况下极大地避 免了对一次反射光53a、53b的探测。然而如果检测区域47靠近照射区域51，那么首先有部 分一次反射光53b被探测，其次，在靠近照射区域51情况下也探测到了一次反射光53a。相 比之下，在入射方式下，也就是在线形光源60和线形探测器42被设置在同一侧的情况下， 探测到直接透射光48的危险很低。如图8所示，在图7的实施例中，光平面61和探测器平面41分别与安放面46的交 线55、56再次彼此平行地延伸。线形光源60仍然以可移动的方式布置。尤其是线形光源 60可以相对于垂直于附图平面延伸的轴线转动，并且可以相对于在附图平面中延伸的轴线 枢转，从而线形光源60和线形探测器42或者说光平面61和探测器平面41可以轻松地彼 此对准。此外交线55、56的间距能够类似于结合图5所述的方式轻松改变。在本发明装置的一个特别优选变形实施方式中，在安放面46的两侧设置用于光 源且尤其是用于线形探测器40、60的容纳装置，从而本发明的装置不仅可以按照入射光 法运行，而且还可以按照透射光法运行。因此，用同一个装置就可以实现图5和图7的结 构。附图标记列表
10局部照射12在检测区域内探测光14识别缺陷20从硅块锯切得到的、酸洗后的多晶硅片22 裂口24 晶界40线形光源41线形光源的光轴/光平面42线形探测器43线形探测器的光轴/探测器平面44分析装置45a输送带45b输送带46安放面47检测区域48直接透射光49出射区域50入射光51照射区域53a 一次反射光53b—次反射光55安放面-光平面的交线56安放面-探测器平面的交线60线形光源61线形光源的光轴/光平面。
权利要求
1.一种用于探测对象(20)中的缺陷(22)的方法，所述方法包括下列步骤-通过入射具有一波长的光(50)，对所述对象(20)进行局部照射(步骤10)，其中所述 对象(20)对于所述波长是可透过的， 其特征在于，-在至少部分地避免探测所述入射光的直接透射部分(48)且至少部分地避免探测所 述入射光(50)的一次反射部分(53a、53b)的情况下，探测所述入射光(50)的多次反射部 分(步骤12)；以及-通过分析所述入射光(50)的被探测到的部分中的强度差，识别所述缺陷(22)(步骤14)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，探测不均质对象(20)中的缺陷(22)。
3.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，探测硅体(20)中的缺陷(22)，尤 其是硅片(20)中的缺陷(22)。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，探测硅体(20)中的缺陷(22)，其中所述 硅体通过锯切与原始硅体分离。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在完全避免探测所述入射光(50) 的直接透射部分(48)且完全避免探测所述入射光(50)的一次反射部分(53a、53b)的情况 下，探测所述入射光(50)的多次反射部分。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，为了实现在至少部分地避免探测 所述入射光(50)的直接透射部分(48)且至少部分地避免探测所述入射光(50)的一次反 射部分(53a、53b)的情况下探测所述入射光(50)的多次反射部分，在检测区域(47)内探 测光，所述检测区域与所述对象(20)的被局部照射的照射区域(51)以及直接透射光(48) 的出射区域(49)彼此隔开。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，为了实现局部照射(步骤10)的目 的，使光入射到所述对象(20)的一侧的局部，并且在所述对象(20)的同一侧探测所述入射 光(50)的多次反射部分。
8.根据权利要求1至7之一所述的方法，其特征在于，为了实现局部照射(步骤10)的 目的，使光入射到所述对象(20)的第一侧的局部，并且在所述对象(20)的与所述第一侧相 对的第二侧探测所述入射光(50)的多次反射部分。
9.一种用于执行根据前述权利要求之一所述的方法的装置，所述装置具有-光源(40 ；60)，其用于利用具有一波长的光对对象(20)进行局部照射(步骤10)，其 中所述对象(20)对于所述波长是可透过的；_探测器(42)，其用于探测由所述光源(40 ；60)发射的光(50)， 其特征在于，所述探测器(42)和所述光源(40 ；60)以这样的方式设置，即，照射区域(51)的至少一 部分和直接透射光(48)的出射区域(49)的至少一部分位于所述探测器(42)的检测区域 (47)之外，在所述照射区域中能够借助于所述光源(40 ；60)对所述对象(20)进行局部照射。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述探测器(42)的所述检测区域(47) 与所述照射区域(51)以及直接透射光(48)的所述出射区域(49)彼此隔开。
11.根据权利要求9至10之一所述的装置，其特征在于，所述光源(40;60)和所述探 测器(42)被设置在一个安放面(46)的同一侧或者被设置在所述安放面(46)的彼此相对 的两侧，所述对象(20)能够被设置在所述安放面处。
12.根据权利要求9至11之一所述的装置，其特征在于，将至少一个线形光源(40；60) 设为所述光源(40 ;60)，并且将至少一个包括线形传感器的装置设为所述探测器(42)。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述线形光源(40；60)和所述线形传 感器(42)以这样的方式取向，即，由所述线形光源(40;60)和其光轴(41 ；61)的纵向延伸 所形成的光平面(41 ；61)和由所述线形传感器(42)和其光轴(43)的纵向延伸方向形成的 探测器平面(43)分别与所述安放面(46)形成交线(55、56)，所述交线彼此平行。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，彼此平行的所述交线(55、56)的间距是 可改变的。
15.根据权利要求9至14之一所述的装置，其特征在于，由所述光源(40;60)和所述 探测器(42)所组成的组中的至少一个元件以可移动方式布置。
全文摘要
一种用于探测对象(20)中的缺陷(22)的方法，所述方法包括下列步骤通过入射具有某一波长的光(50)，对所述对象(20)进行局部照射(步骤10)，所述对象(20)对于所述波长是可透过的；在至少部分地避免探测所述入射光的直接透射部分(48)且至少部分地避免探测所述入射光(50)的一次反射部分(53a、53b)的情况下，探测所述入射光(50)的多次反射部分(步骤12)；以及，通过分析所述入射光(50)的被探测到的部分中的强度差，识别缺陷(22)(步骤14)。本发明还涉及一种执行所述方法的装置。
文档编号G01N21/88GK102004107SQ201010262848
公开日2011年4月6日 申请日期2010年8月26日 优先权日2009年9月2日
发明者克里斯蒂安·普罗布斯特, 马克·赫姆森道夫 申请人:Gp检验有限公司
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