专利名称：抗氧化修整熔丝的方法
技术领域：
本发明涉及晶圆测试，尤其涉及一种抗氧化修整熔丝的方法。
背景技术：
集成电路中测是指使用专门设备测试晶圆上的集成电路的性能参数。在集成电路 中测时，为了优化集成电路的性能，常常需要修整集成电路的熔丝以选择合适的内部电路 �？�。集成电路的熔丝由低熔点的合金制成，熔丝的阻抗为0欧姆，每根熔丝短路一个 内部电路�？�。修整熔丝就是用大电流熔断熔丝。参见图1，现有技术的修整熔丝的方法包括以下步骤步骤1，测量晶圆上集成电路的参数，此时，测得的数值是集成电路该参数的初始 值；步骤2，根据参数的初始值选定要修整的熔丝；根据参数的初始值与参数的目标值之差的绝对值，选择要修整的熔丝(通常为多 根熔丝，组成熔丝组合)，被选定的熔丝组合的修调理论值最接近参数的初始值与参数的目 标值之差的绝对值；步骤3，修整步骤2选定的熔丝；修整熔丝使用熔丝电路和熔丝探针，由熔丝电路提供电压来熔断熔丝，具体为熔 丝电路提供的电压产生一个电流，该电流通过熔丝探针传输给熔丝，流经熔丝探针的电流 加热熔丝，使熔丝的温度达到熔点，从而熔断熔丝； 现有技术中，熔断熔丝组合中的每一根熔丝时，熔丝电路提供的电压不变，即熔丝 电路提供固定电压。修整熔丝需要有较大的电流流经熔丝，以加热熔丝，因此，通过熔丝探针的电流也 较大，熔丝探针容易被氧化，氧化后的熔丝探针的阻抗变大，当熔丝探针的阻抗变大后，通 过熔丝探针传输给熔丝的电流就会变�。饣峤档腿鄱先鬯康某晒β�。为提高熔断熔丝的 成功率，现有技术采取的措施是根据经验定时清理熔丝探针，这种措施简单易操作，但是不 能及时掌握熔丝探针的氧化情况，而且熔丝探针在生命周期的不同阶段氧化速度不同，因 此，现有技术的修整熔丝的方法会出现熔断熔丝的成功率逐渐降低的现象，即熔断熔丝的 成功率趋于不稳定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗氧化修整熔丝的方法，提高熔断熔丝的成功率，并 使熔断熔丝的成功率趋于稳定。为了达到上述的目的，本发明提供一种抗氧化修整熔丝的方法，包括以下步骤测 量熔丝探针的阻抗；判断熔丝探针的阻抗是否大于上限值，如果是，清理熔丝探针，再回到上述步骤，如果否，执行下述步骤；根据公式V = RXI设定熔丝电路的输出电压，其中，V表 示熔丝电路的输出电压，R表示熔丝探针的阻抗，I表示熔丝熔断电流；熔断选定的熔丝。上述抗氧化修整熔丝的方法，其中，还包括测量晶圆上集成电路参数的初始值，根 据测得的参数的初始值选定要修整的熔丝组合。上述抗氧化修整熔丝的方法，其中，采用测试机的参数测量单元测量所述熔丝探 针的阻抗。上述抗氧化修整熔丝的方法，其中，当所述熔丝探针的阻抗大于上限值时，所述测 试机报警指示清理熔丝探针。上述抗氧化修整熔丝的方法，其中，所述熔丝探针阻抗的上限值为10欧姆。本发明的抗氧化修整熔丝的方法实时监控熔丝探针的氧化情况，并根据熔丝探针 的氧化情况灵活选熔丝电路的输出电压或者清理熔丝，可提高熔断熔丝的成功率；熔丝探针在生命周期的不同阶段氧化速度不同，本发明的抗氧化修整熔丝的方法 实时监控熔丝探针的氧化情况，因此，在熔丝探针生命周期的不同阶段，本发明抗氧化修整 熔丝的方法清理熔丝探针的频率不同，使得熔断熔丝的成功率趋于稳定。
本发明的抗氧化修整熔丝的方法由以下的实施例及附图给出。图1是现有技术的修整熔丝的方法的流程图。图2是本发明的抗氧化修整熔丝的方法的流程图。图3是本发明的抗氧化修整熔丝的方法的电路原理图。
具体实施例方式以下将结合图2 图3对本发明的抗氧化修整熔丝的方法作进一步的详细描述。参见图2，本发明抗氧化修整熔丝的方法包括以下步骤测量熔丝探针的阻抗；判断熔丝探针的阻抗是否大于上限值，如果是，清理熔丝探针，再回到上述步骤， 如果否，执行下述步骤；根据公式V = RXI设定熔丝电路的输出电压，其中，V表示熔丝电路的输出电压， R表示熔丝探针的阻抗，I表示熔丝熔断电流；熔断选定的熔丝。本发明的抗氧化修整熔丝的方法可提高熔断熔丝的成功率，使得熔断熔丝的成功 率趋于稳定；使用本发明抗氧化修整熔丝的方法可延长熔丝探针的使用寿命。现以一具体实施例说明本发明抗氧化修整熔丝的方法测量熔丝探针的阻抗采用测试机提供的参数测量单元；图3所示为本发明抗氧化修整熔丝的方法的电路原理图，当双刀双掷继电器K打 开时(如图3所示)，测试机的参数测量单元PMU、熔丝探针的等效阻抗R、熔丝FUSE和接 地端GND依次串联构成一阻抗测量回路，该回路用于测量熔丝探针的阻抗；当双刀双掷继 电器K闭合时，熔丝探针的等效阻抗R和熔丝FUSE串联接在熔丝电路100的正极和负极之 间，构成一修整熔丝回路，该回路用于熔断熔丝；
步骤Si，测量晶圆上集成电路参数的初始值；步骤S2，根据步骤Sl测得的参数的初始值选定要修整的熔丝组合；要修整的熔丝通常为多根，该多根要修整的熔丝组成熔丝组合；本实施例中，根据参数的初始值与参数的目标值之差的绝对值，选择要修整的熔 丝组合，被选定的熔丝组合的修调理论值最接近参数的初始值与参数的目标值之差的绝对 值；需要说明的是，本发明中选定要修整的熔丝组合的方案不局限于本实施例的方 案；步骤S3，测量熔丝探针的阻抗；参见图3，打开双刀双掷继电器K，参数测量单元PMU、熔丝探针的等效阻抗R、熔丝 FUSE和接地端GND依次串联，形成一回路，参数测量单元PMU测得的数据是熔丝FUSE的阻 抗和熔丝探针的等效阻抗R之和，由于熔丝FUSE的阻抗为0，所以，参数测量单元PMU测得 的数据实际上就是熔丝探针的等效阻抗R，即熔丝探针的阻抗；熔丝FUSE为要修整的熔丝；步骤S4,测试机判断熔丝探针的阻抗是否大于上限值，如果是，测试机报警指示清 理熔丝探针，清理熔丝探针后回到步骤S3，如果否，执行步骤S5 ；为熔丝探针的阻抗设定一个上限值是为了把熔丝探针的氧化速度限定在较慢的 范围，因为，当熔丝探针的阻抗大于该上限值，继续修整熔丝会加快熔丝探针的氧化；该上限值例如设为10欧姆；步骤S5，根据公式V = R X I设定熔丝电路的输出电压，其中，V表示熔丝电路的输 出电压，R表示熔丝探针的阻抗，I表示熔丝熔断电流；修整熔丝就是用大电流流经熔丝，以加热熔丝，使熔丝的温度达到熔点，从而熔断 熔丝，该流经熔丝的大电流的值应等于熔丝的熔断电流；熔丝的熔断电流通常为0. 2安培；流经熔丝的大电流由熔丝电路提供，通过熔丝探针传输给熔丝，要熔断熔丝就要 正确设定熔丝电路的输出电压(也是提高熔断熔丝的成功率的关键)；步骤S6，熔断选定的某一熔丝；针对集成电路的某一参数，要修整的熔丝为多根，需要一根一根地熔断；继续参见图3，闭合双刀双掷继电器K，熔丝探针的等效阻抗R和选定的某一熔丝 FUSE串联接在熔丝电路100的正极和负极之间，形成一回路，若从熔丝电路100的正极输出 的电流等于熔丝的熔断电流，闭合双刀双掷继电器K的一瞬间，从熔丝电路100的正极输出 的电流流经熔丝探针、熔丝，并熔断熔丝，完成该选定的某一熔丝的修整；步骤S7，返回步骤S3修整其余选定的熔丝，直至修整完步骤S2选定的所有熔丝。本发明的抗氧化修整熔丝的方法实时监控熔丝探针的氧化情况，并根据熔丝探针 的氧化情况灵活选熔丝电路的输出电压或者清理熔丝，可提高熔断熔丝的成功率；熔丝探针在生命周期的不同阶段氧化速度不同，本发明的抗氧化修整熔丝的方法 实时监控熔丝探针的氧化情况，因此，在熔丝探针生命周期的不同阶段，本发明抗氧化修整 熔丝的方法清理熔丝探针的频率不同，使得熔断熔丝的成功率趋于稳定；在大规模生产测试过程中，使用本发明抗氧化修整熔丝的方法可延长熔丝探针的使用寿命； 实验表明，使用本发明抗氧化修整熔丝的方法可提高熔断熔丝的成功率2%以上； 使用本发明抗氧化修整熔丝的方法可使熔丝探针的使用寿命延长20 %左右。
权利要求
一种抗氧化修整熔丝的方法，其特征在于，包括以下步骤测量熔丝探针的阻抗；判断熔丝探针的阻抗是否大于上限值，如果是，清理熔丝探针，再回到上述步骤，如果否，执行下述步骤；根据公式V＝R×I设定熔丝电路的输出电压，其中，V表示熔丝电路的输出电压，R表示熔丝探针的阻抗，I表示熔丝熔断电流；熔断选定的熔丝。
2.如权利要求1所述的抗氧化修整熔丝的方法，其特征在于，还包括测量晶圆上集成 电路参数的初始值，根据测得的参数的初始值选定要修整的熔丝组合。
3.如权利要求1所述的抗氧化修整熔丝的方法，其特征在于，采用测试机的参数测量 单元测量所述熔丝探针的阻抗。
4.如权利要求3所述的抗氧化修整熔丝的方法，其特征在于，当所述熔丝探针的阻抗 大于上限值时，所述测试机报警指示清理熔丝探针。
5.如权利要求1或3所述的抗氧化修整熔丝的方法，其特征在于，所述熔丝探针阻抗的 上限值为10欧姆。
全文摘要
本发明的抗氧化修整熔丝的方法包括以下步骤测量熔丝探针的阻抗；判断熔丝探针的阻抗是否大于上限值，如果是，清理熔丝探针，再回到上述步骤，如果否，执行下述步骤；根据公式V＝R×I设定熔丝电路的输出电压，其中，V表示熔丝电路的输出电压，R表示熔丝探针的阻抗，I表示熔丝熔断电流；熔断选定的熔丝。本发明的抗氧化修整熔丝的方法可提高熔断熔丝的成功率，使得熔断熔丝的成功率趋于稳定；使用本发明抗氧化修整熔丝的方法可延长熔丝探针的使用寿命。
文档编号G01R27/02GK101908524SQ20101021652
公开日2010年12月8日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者刘远华, 叶守银, 岳小兵, 张志勇, 汪瑞祺, 牛勇, 祁建华 申请人:上海华岭集成电路技术有限责任公司
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