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专利名称：光二极管阵列结构的制作方法
技术领域：
本实用新型有关于一种光二极管阵列结构，特别是指一种包括可测得正确的光电流并改善相邻二极管间互相干扰的问题的光二极管阵列结构。

背景技术：
目前，光二极管阵列元件(Photodiode Array)广泛运用到电子产品中。如图5所示，为现有的光二极管元件结构示意图。该光二极管阵列元件结构200包括阴极210及多个阳极220，各该阳极220以阵列排列设置于该阴极210上。然而，由于在量测单一光二极管元件的光电流时，将受阵列上邻近光二极管元件的光电流影响，而导致光二极管元件所产生的光电流升高，进而影响其准确性。

实用新型内容有鉴于此，本实用新型人乃潜心研思、设计组制，期能提供一种测得正确的光电流的光二极管阵列结构，用以降低成本、提高生产效益，为本实用新型所欲研创的创作动机。
本实用新型的主要目的，在于提供一种光二极管阵列结构，可测得正确的光电流，并改善相邻二极管间互相干扰的问题。
为达上述目的，本实用新型的光二极管阵列结构包括光二极管阵列结构，包括一第一电极；多个第二电极，其间隔且阵列排列设置于该第一电极上；以及多个阻断部，其设于各该第二电极间，用以阻隔光扩散电流流通。
本实用新型的有益效果本实用新型的光二极管阵列结构阻隔光扩散电流流通，由此，使其可测得正确的光电流，进而改善相邻二极管间互相干扰的问题，以有效压抑噪声干扰，S/N比低落的现象，进而增加元件精确度、功能稳定度，并降低产品不良率。

图1为本实用新型的光二极管阵列结构的立体结构示意图。
图2为本实用新型的光二极管阵列结构的俯面示意图。
图3为本实用新型的光二极管阵列结构的剖面示意图。
图4为本实用新型的光二极管阵列结构与现有的光二极管阵列的光电流曲线比较示意图，其中，L1代表比较例1，L2代表实施例1，L3代表实施例2，L4实施例3。
图5为现有的光二极管阵列元件结构示意图。
主要元件号说明
100光二极管阵列结构 110第一电极 120第二电极 130阻断部 200光二极管阵列 210阴极 220阳极 具体实施方式
为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，但所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。
请参阅图1至3所示，为本实用新型的光二极管阵列结构的立体结构、俯面示意图以及其剖面结构示意图。该光二极管阵列结构100包括一第一电极110、多个第二电极120及多个阻断部130，以供进行光电流测试时，可测得正确的光电流。
各该第二电极120间隔且以阵列排列设置于该第一电极110上，其中，该第一电极110为阴极时，该第二电极120则为阳极；若该第一电极110为阳极，而该第二电极120则为阴极，于本实施例中，该第一电极110为阴极。
各该阻断部130设于各间隔排列的第二电极120间，使该光二极管阵列结构100进行光电流测试时，其所产生的光扩散电流可由该阻断部130所形成的断层而阻隔，以供可测得正确的光电流，进而改善相邻二极管间互相干扰(cross-talk)的问题，且该阻断部130的深度大于该第二电极的深度，其范围可为5至550微米。
另请参阅图4及5所示，为光二极管阵列结构的光电流曲线示意图，是依表1所示的比例，取相同工艺且具有光二极管阵列结构的芯片进行芯片半切。
表1 分别将上述所芯片半切成的具有光二极管阵列结构的芯片进行光电流(Light current)测试，其结果如表2至5所示，并依照表2至5的数据绘制比较示意图(如图4所示，其中，L1代表比较例1，L2代表实施例1，L3代表实施例2，L4实施例3)。
表2

表3
表4
表5

由表2至5及图4的测试结果可知，本实用新型的光二极管阵列结构所测得的光电流相较于未设有阻断部的光二极管阵列结构所测得的光电流的标准差数值较低，并可测得较正确的光电流，且具有较深深度的阻断部的光二极管阵列结构所测得的光电流又相较于具有较浅深度的阻断部的光二极管阵列结构所测得的光电流的标准差数值为低，亦即，可由该光二极管阵列结构的第二电极做为受光区，而设于两相邻第二电极间的阻断部做为光遮断道，使该光二极管阵列结构受光时，其所产生的光扩散电流可由该阻断部所形成的断层而阻隔，而使该光二极管阵列结构可获得较稳定的电流判断。
综上所述，本实用新型的光二极管阵列结构主要是于第一电极上设有多个以间隔且阵列排列的第二电极，并将多个阻断部分别设于该些间隔排列的第二电极之间，使其进行光电流测试时，可测得正确的光电流，进而改善相邻二极管间互相干扰的问题，以有效压抑噪声干扰，S/N比低落的现象，进而增加元件精确度、功能稳定度，并降低产品不良率，且无需考虑与光源匹配的机率问题，以省略测试手续及其成本。
以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例，非因此即局限本实用新型的专利范围，凡是运用本实用新型说明书及附图内容所为的等效结构变化，均理同包含于本实用新型的范围内。
权利要求1.一种光二极管阵列结构，其特征在于，包括
一第一电极；
多个第二电极，其间隔且阵列排列设置于该第一电极上；以及
多个阻断部，其设于各该第二电极间，用以阻隔光扩散电流流通。
2.如权利要求1所述的光二极管阵列结构，其特征在于，该第一电极为阳极，该第二电极为阴极。
3.如权利要求1所述的光二极管阵列结构，其特征在于，该第一电极为阴极，该第二电极为阳极。
4.如权利要求1所述的光二极管阵列结构，其特征在于，该阻断部的深度大于该第二电极的深度。
5.如权利要求1所述的光二极管阵列结构，其特征在于，该阻断部的深度为5至550微米。
专利摘要本实用新型是一种光二极管阵列结构，主要是第一电极上设有多个以间隔且阵列排列的第二电极，并将多个阻断部分别设于该些间隔排列的第二电极之间，使其进行光电流测试时，可测得正确的光电流，进而改善相邻二极管间互相干扰的问题，以有效压抑噪声干扰，S/N比低落的现象。
文档编号G01R19/00GK201490193SQ20092016837
公开日2010年5月26日 申请日期2009年8月14日 优先权日2009年8月14日
发明者周文隆, 朱倪廷, 王琼徵 申请人:鼎元光电科技股份有限公司