专利名称：片上金属氧化物半导体场效应管电流检测方法、结构及开关电源的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路领域，尤其涉及片上金属氧化物半导体场效应(MOS)管电流 检测方法、结构及开关电源。
背景技术：
在检测AC-DC变化器和DC-DC变换器等结构中功率管的电流时，以往通常采用下 述两种方案一是采用电阻检测方案，通过在功率管上串联电阻来检测电流，这种方案的精度 通常能满足要求，不过由于电流一般是毫安级电流，因此这种方案会产生很大的功耗，导致 系统效率降低；二是采用电感检测方案，这种方案增加了设计难度，且由于电感的电感值精度不 够，使得检测结果精度较低。为避免上述问题，随着技术发展，功率管通常内置在DC-DC等变化器内，因此可以 通过在片上检测结构可以实现功率管电流的检测，不过目前通过片上检测结构来检测电路 的方案通常存在检测精度低的问题。
发明内容
本发明提供了片上MOS管电流检测方法、结构及开关电源，以提高检测精度。本发明提供的片上MOS管电流检测方法，包括步骤采集待检测MOS管的电流；采 用片上MOS管检测结构，将采集到的电流进行三级以上缩�。竦眉觳獾缌鳌１痉⒚魈峁┑钠螹OS管电流检测结构，包括电流采集�？椋糜诓杉觳� MOS管的电流；片上MOS管检测�？椋糜诮缌鞑杉？椴杉牡缌鹘腥兑陨纤跣。� 获得检测电流。本发明提供的开关电源，内置待检测MOS管，包括片上MOS管电流检测结构，该检 测结构具体包括电流采集模块，用于采集待检测MOS管的电流；片上MOS管检测模块，用 于将电流采集模块采集的电流进行三级以上缩�。竦眉觳獾缌�。本发明提供的上述方案首先采集待检测MOS管的电流，然后将该电流进行三级以 上缩�。竦眉觳獾缌鳎佣辜觳獾缌鞅却觳釳OS管电流的电流值要低三级以上，使得 检测精度提高。
图1为本发明实施例的具体电路结构示意图；图2是本发明实施例检测到的电流Ismse和流过功率管的电流込波形图。
具体实施例方式现有技术检测精度低，如果通过将待检测MOS管电流进行三级以上的缩�。竦� 检测电流，则其精度将大幅度提高。基于该思路，本实施例提供的检测方法如下步骤1，采集待检测MOS管的电流；步骤2，采用片上MOS管检测结构，将采集 到的电流进行三级以上缩�。竦眉觳� 电流。此外由于待检测MOS管的开启和关闭是根据工作频率来确定，频率越高，其开启 和关闭越频繁，在待检测MOS管关闭时，为防止关闭片上检测结构可能使得后续待检测MOS 管开启时，片上检测结构重新开启所浪费的功耗和开启时间的问题，本实施例的方案中，在 所述待检测MOS管关闭时，保持片上MOS管检测结构开启，从而降低功耗和避免重新开启而 提高检测速度，尤其是在高频情况下，该优势更加明显。较佳的，上述待检测MOS管可以为 功率管。本实施例还提供了片上MOS管电流检测结构，包括电流采集模块，用于采集待检 测MOS管的电流；片上MOS管检测�？椋糜诮缌鞑杉？椴杉牡缌鹘腥兑陨纤� �。竦眉觳獾缌�。其中较佳的，在所述待检测MOS管关闭时，保持片上MOS管检测结构开 启，以降低功耗和提高检测速度；较佳的，待检测MOS管可以为功率管。本实施例还提供了关电源，内置待检测MOS管，包括片上MOS管电流检测结构，该 检测结构具体包括电流采集模块，用于采集待检测MOS管的电流；片上MOS管检测�？椋� 用于将电流采集模块采集的电流进行三级以上缩�。竦眉觳獾缌�。其中较佳的，在所述待 检测MOS管关闭时，保持片上MOS管检测结构开启，以降低功耗和提高检测速度；较佳的，待 检测MOS管可以为功率管。上述方案通过采用三级以上比例缩小的原理，能够使检测到的电流为几十微安 级，而被检测的电流一般是安培级，减少了匹配度的要求，使得精度提高。此外功率管闭合 时，电路正常工作，在开关管打开时，在电路不检测的时候，偏置电流不会全部关断，采样电 流降低到极�。庋谑×斯模⑶医谑×说缏返姆从κ奔�。下面结合具体电路阐述上述方案图1为本发明实施例的具体电路结构示意图，其中Ismse为最后检测到的电流值，込 为流过电感的电流值，其中流过功率开关管的电流I6基本上等于l·，这是因为MlO的宽长比 远远大于M9。Mll M13组成电流镜提供偏置。由于OPA的作用(虚短、虚断的工作原理)， 可以有等式VA = VB。Vl的电压为电源电压，其作用就是使M6 M8工作在线形区，从而可以 得到各自的导通电阻R。n。当功率管导通时，M6 MlO都工作在线形区。设定宽长比(ff/L)M10 (WzI)m9 = K1 1(1)(ff/L)M6 (ff/L)M7 (ff/L)M8 = 1 1 K2(2)则导通电阻R。J々比值为宽长比的反比，其中I5 = 13+14，I3 << I4，再由VA = VB 得出等式(I^I2) · Ron6 = (13+14) · R。n8+I3 · Ron7(3)推导出I1A4 = R。n8/R。n6 = 1/K2，(4)再由Ι6+Ι4 = IL，且 I4 << 16，推导出
I4/IL ^ I4/I6 = 1 K1,(5)由式⑷和(5)得到I1Al 1/(K1 · K2),(6)由于电流镜的缘故(WzI)m2 (ff/L)M1 = K3 1(7)因此由式(6)和(7)最后得到IsenseZlL^lZ(K1-K2-K3)(8)根据上式(8)我们从原理上分析了被检测的电流三级比例缩小的可行性。有了三 级检测，在不影响检测精度的情况下，最大程度的减小了检测电流值的大�。跣×斯摹６盤WM_IN的信号为低电平时，不检测电流。偏置电流不会全部关断，采样电流降低到极�。⑶艺庋谑×斯模⑶襐A和VB的值不会降为零，有利于重新启动，节省了 电路的反应时间。图2是本发明实施例检测到的电流Ismse和流过功率管的电流込波形图。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
一种片上金属氧化物半导体场效应管电流检测方法，其特征在于，包括步骤采集待检测金属氧化物半导体场效应管的电流；采用片上金属氧化物半导体场效应管检测结构，将采集到的电流进行三级以上缩�。竦眉觳獾缌鳌�
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述待检测金属氧化物半导体场效应管 关闭时，保持片上金属氧化物半导体场效应管检测结构开启。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待检测金属氧化物半导体场效应管为功率管。
4.一种片上金属氧化物半导体场效应管电流检测结构，其特征在于，包括 电流采集�？椋糜诓杉觳饨鹗粞趸锇氲继宄⌒в艿牡缌鳎黄辖鹗粞趸锇氲继宄⌒в芗觳饽？椋糜诮缌鞑杉？椴杉牡缌鹘腥� 以上缩�。竦眉觳獾缌鳌�
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，在所述待检测金属氧化物半导体场效应管 关闭时，所述片上金属氧化物半导体场效应管检测�？楸３挚糇刺�。
6.如权利要求4所述的结构，其特征在于，所述待检测金属氧化物半导体场效应管为 功率管。
7.一种开关电源，内置待检测金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括片上金属 氧化物半导体场效应管电流检测结构，该检测结构具体包括电流采集�？椋糜诓杉觳饨鹗粞趸锇氲继宄⌒в艿牡缌鳎� 片上金属氧化物半导体场效应管检测�？椋糜诮缌鞑杉？椴杉牡缌鹘腥� 以上缩�。竦眉觳獾缌鳌�
8.如权利要求7所述的开关电源，其特征在于，在所述待检测金属氧化物半导体场效 应管关闭时，所述片上金属氧化物半导体场效应管检测�？楸３挚糇刺�。
9.如权利要求7所述的开关电源，其特征在于，所述待检测金属氧化物半导体场效应 管为功率管。
10.如权利要求7所述的开关电源，其特征在于，所述开关电源为直流-直流变换器。
全文摘要
本发明提供了片上MOS管电流检测方法、结构及开关电源，以提高检测精度；该方法包括步骤采集待检测MOS管的电流；采用片上MOS管检测结构，将采集到的电流进行三级以上缩�。竦眉觳獾缌�。该结构包括电流采集�？椋糜诓杉觳釳OS管的电流；片上MOS管检测�？椋糜诮缌鞑杉？椴杉牡缌鹘腥兑陨纤跣。竦眉觳獾缌�。
文档编号G01R19/00GK101865943SQ20101018665
公开日2010年10月20日 申请日期2010年5月27日 优先权日2010年5月27日
发明者刘志东, 程玉华, 金宁, 金希根 申请人:上海北京大学微电子研究院
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